JPH0424945A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0424945A JPH0424945A JP12578990A JP12578990A JPH0424945A JP H0424945 A JPH0424945 A JP H0424945A JP 12578990 A JP12578990 A JP 12578990A JP 12578990 A JP12578990 A JP 12578990A JP H0424945 A JPH0424945 A JP H0424945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilicon
- fuse
- semiconductor device
- thickness
- polysilicon fuse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体基板上にポリシリコンヒユーズを形成
する半導体装置の製造方法に関する。
する半導体装置の製造方法に関する。
この発明はポリシリコンヒユーズを形成する工程におい
て、絶縁性膜上にポリシリコン膜を形成した後、フォト
リソ工程とエツチング工程を行い、ヒユーズとなりうる
所望の部分のみポリシリコン膜を薄くするようにしたも
のである。
て、絶縁性膜上にポリシリコン膜を形成した後、フォト
リソ工程とエツチング工程を行い、ヒユーズとなりうる
所望の部分のみポリシリコン膜を薄くするようにしたも
のである。
第３図（ａ）、 （ｂｌと第４図（ａｌ、 （ｂｌはそ
れぞれ従来の半導体装置の製造方法の工程順平面図と工
程順断面図である。
れぞれ従来の半導体装置の製造方法の工程順平面図と工
程順断面図である。
従来、第３図（ａ）、第４図ｆａｔに示す様に絶縁性膜
上にポリシリコン膜２を形成する。その後、フォトリソ
工程とエツチング工程を行う事で第３図（ｂｌ。
上にポリシリコン膜２を形成する。その後、フォトリソ
工程とエツチング工程を行う事で第３図（ｂｌ。
第４図山）に示す様に厚みはそのままで形状を細くした
ポリシリコンヒユーズを形成する。
ポリシリコンヒユーズを形成する。
しかし、従来のように厚みがそのままで形状を細くした
ポリシリコンヒユーズでは、ポリシリコンヒユーズを切
断するのに高い電圧が必要でありその際、半導体装置の
素子を破壊させるという欠点があった。
ポリシリコンヒユーズでは、ポリシリコンヒユーズを切
断するのに高い電圧が必要でありその際、半導体装置の
素子を破壊させるという欠点があった。
そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、ポリシリコンヒユーズを形成する前にポリシリコン
ヒユーズの部分のみ、ポリシリコンの厚みを薄くするこ
とで、より低い電圧でポリシリコンヒユーズが切断でき
、その際に半導体装置の素子が破壊されないことを目的
としている。
め、ポリシリコンヒユーズを形成する前にポリシリコン
ヒユーズの部分のみ、ポリシリコンの厚みを薄くするこ
とで、より低い電圧でポリシリコンヒユーズが切断でき
、その際に半導体装置の素子が破壊されないことを目的
としている。
上記課題を解決するために、この発明はポリシリコンヒ
ユーズを形成する前に、そのポリシリコンヒユーズの部
分のみ、フォトリソ工程とエツチング工程を行う事で厚
みを所望の薄さになるようにした。
ユーズを形成する前に、そのポリシリコンヒユーズの部
分のみ、フォトリソ工程とエツチング工程を行う事で厚
みを所望の薄さになるようにした。
上記のような製造方法を行う事により、形成されたポリ
シリコンヒユーズは、薄く、細く形成でき、−低い電圧
で切断する事ができる。
シリコンヒユーズは、薄く、細く形成でき、−低い電圧
で切断する事ができる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１はそれぞれ本発明の半導体装置の
製造方法の工程順平面図と工程順断面図である。
製造方法の工程順平面図と工程順断面図である。
第１図（ａ）、第２図１Ｍ＋において絶縁性膜１上にポ
リシリコンＩ！２をＣＶＤ法等により形成する。その後
、第１図（ｂｌ、第２図（ｂｌに示すようにフォトリソ
工程とエツチング工程を行うことで、所望の部分を所望
の厚さにする。その後、第１図（Ｃ）、第２図（Ｃ１に
示すように再びフォトリソ工程とエツチング工程を行う
ことで所望の形状にしポリシリコンヒユーズを形成する
。以上のようにポリシリコンヒユーズを形成する前に、
その部分のみ薄くしておくことで有効に作用する。
リシリコンＩ！２をＣＶＤ法等により形成する。その後
、第１図（ｂｌ、第２図（ｂｌに示すようにフォトリソ
工程とエツチング工程を行うことで、所望の部分を所望
の厚さにする。その後、第１図（Ｃ）、第２図（Ｃ１に
示すように再びフォトリソ工程とエツチング工程を行う
ことで所望の形状にしポリシリコンヒユーズを形成する
。以上のようにポリシリコンヒユーズを形成する前に、
その部分のみ薄くしておくことで有効に作用する。
この発明は、以上説明したようにポリシリコンヒユーズ
を形成する前に、ポリシリコンヒユーズとなりうる部分
のポリシリコン膜を薄くしておくことで、低い電圧で切
断できるポリシリコンヒユーズが形成でき、電気特性不
良の発生のない良好な半導体装置を得ることができる。
を形成する前に、ポリシリコンヒユーズとなりうる部分
のポリシリコン膜を薄くしておくことで、低い電圧で切
断できるポリシリコンヒユーズが形成でき、電気特性不
良の発生のない良好な半導体装置を得ることができる。
第１図Ｔａ）〜（Ｃ１と第２図（ａｌ〜（ｃｌはそれぞ
れ本発明の半導体装置の製造方法の工程順平面図と工程
順断面図、第３図ｍｆａ）、 ｌ）と第４図ｆａｌ、
Ｔｏ）はそれぞれ従来の半導体装置の製造方法の工程順
平面図と工程順断面図である。 ・・絶縁性膜 ・・ポリシリコン膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
れ本発明の半導体装置の製造方法の工程順平面図と工程
順断面図、第３図ｍｆａ）、 ｌ）と第４図ｆａｌ、
Ｔｏ）はそれぞれ従来の半導体装置の製造方法の工程順
平面図と工程順断面図である。 ・・絶縁性膜 ・・ポリシリコン膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- 絶縁性膜上に形成されたポリシリコン膜に、フォトリ
ソ工程とエッチング工程を行うことにより、前記ポリシ
リコン膜の所望の領域を所望の厚さにすることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12578990A JPH0424945A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12578990A JPH0424945A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0424945A true JPH0424945A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14918907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12578990A Pending JPH0424945A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0424945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005513764A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-05-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 集積型高性能シリサイド凝集ヒューズを有する相補型金属酸化膜半導体 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12578990A patent/JPH0424945A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005513764A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-05-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 集積型高性能シリサイド凝集ヒューズを有する相補型金属酸化膜半導体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0424945A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61172336A (ja) | 半導体装置電極開口部の形成方法 | |
| JP2712410B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| JPH03268433A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS583252A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS62221146A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03165516A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58122769A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63117468A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02296332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0444250A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62274715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6337635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01122167A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60785B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS61296713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02170427A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS639959A (ja) | ポリシリコン高抵抗製造法 | |
| JPS6377086A (ja) | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 | |
| JPS6237967A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62230031A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS60106159A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60133722A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPS61265837A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0297057A (ja) | 半導体装置の製造方法 |