JPH09159610A - 試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置 - Google Patents
試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置Info
- Publication number
- JPH09159610A JPH09159610A JP31908895A JP31908895A JPH09159610A JP H09159610 A JPH09159610 A JP H09159610A JP 31908895 A JP31908895 A JP 31908895A JP 31908895 A JP31908895 A JP 31908895A JP H09159610 A JPH09159610 A JP H09159610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- sample
- pipe
- flow rate
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料液の特性によらず、プラズマトーチへの
噴霧ガスを含む試料導入量を常に一定に維持することの
できるプラズマ分析装置を提供する 【解決手段】 試料液１は配管２を介してスプレーチャ
ンバ３端部の噴霧ノズル４へ導かれ、チャンバ内へ噴霧
される。生成された試料液の霧は、配管６を介してプラ
ズマトーチ７で発生したプラズマフレーム１０内に導入
され、気化−脱溶媒−原子化−励起−イオン化の工程を
通してイオン化される。生成された試料イオンは、サン
プリングコーン１１を介して質量分析装置へ導入され
る。配管６の途中には、圧力を検出する圧力センサ２１
が設けられ、噴霧ガスを供給する配管５の途中に流量調
整弁２２が設けられている。演算回路２３は、圧力セン
サ２１から得られた圧力信号Ｐとガス流量指定信号Ｓに
基づいて制御信号を作成し、流量調整弁２２へ供給する
噴霧ガスを含む試料導入量を常に一定に維持することの
できるプラズマ分析装置を提供する 【解決手段】 試料液１は配管２を介してスプレーチャ
ンバ３端部の噴霧ノズル４へ導かれ、チャンバ内へ噴霧
される。生成された試料液の霧は、配管６を介してプラ
ズマトーチ７で発生したプラズマフレーム１０内に導入
され、気化−脱溶媒−原子化−励起−イオン化の工程を
通してイオン化される。生成された試料イオンは、サン
プリングコーン１１を介して質量分析装置へ導入され
る。配管６の途中には、圧力を検出する圧力センサ２１
が設けられ、噴霧ガスを供給する配管５の途中に流量調
整弁２２が設けられている。演算回路２３は、圧力セン
サ２１から得られた圧力信号Ｐとガス流量指定信号Ｓに
基づいて制御信号を作成し、流量調整弁２２へ供給する
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、誘導結合プラズ
マ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）、ＩＣＰ発光分析装置
のようなプラズマ分析装置に関し、特に、試料導入安定
化機構を備えたプラズマ分析装置に関するものである。
マ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）、ＩＣＰ発光分析装置
のようなプラズマ分析装置に関し、特に、試料導入安定
化機構を備えたプラズマ分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】 ＩＣＰ−ＭＳで液体試料を分析する際
に、標準的に採用されている液体試料導入システムを図
１に示す。図１において、試料液１は、配管２を介して
スプレーチャンバ３の端部に設けられた噴霧ノズル４へ
導かれ、チャンバ内へ噴霧される。噴霧ノズル４には、
図示しないガス源より導入管５を介してアルゴンなどの
噴霧ガスが供給されている。
に、標準的に採用されている液体試料導入システムを図
１に示す。図１において、試料液１は、配管２を介して
スプレーチャンバ３の端部に設けられた噴霧ノズル４へ
導かれ、チャンバ内へ噴霧される。噴霧ノズル４には、
図示しないガス源より導入管５を介してアルゴンなどの
噴霧ガスが供給されている。
【０００３】スプレーチャンバ内に噴霧されてできた試
料液の霧は、チャンバ３の上部から取り出されて、配管
６を介してプラズマトーチ７へ送られる。プラズマトー
チ７は配管６を中心とした多重管構造を持ち、配管６の
外側からプラズマガス８，冷却ガス９が開放端部へ向け
て管内を流れるようにされている。そして、開放端部近
傍のトーチ外周部に巻回された高周波コイルＬからの高
周波電磁界による励起を受けて、プラズマフレーム１０
が発生し、このフレーム１０内に配管６を介して試料液
の霧が導入され、気化−脱溶媒−原子化−励起−イオン
化の工程を通してイオン化される。このようにして生成
された試料イオンは、サンプリングコーン１１を介して
図示しない質量分析装置へ導入され質量分析される。な
お、１２は、スプレーチャンバ３の内壁に付着してチャ
ンバ内にたまる余剰試料液を排出するためのしごきポン
プである。
料液の霧は、チャンバ３の上部から取り出されて、配管
６を介してプラズマトーチ７へ送られる。プラズマトー
チ７は配管６を中心とした多重管構造を持ち、配管６の
外側からプラズマガス８，冷却ガス９が開放端部へ向け
て管内を流れるようにされている。そして、開放端部近
傍のトーチ外周部に巻回された高周波コイルＬからの高
周波電磁界による励起を受けて、プラズマフレーム１０
が発生し、このフレーム１０内に配管６を介して試料液
の霧が導入され、気化−脱溶媒−原子化−励起−イオン
化の工程を通してイオン化される。このようにして生成
された試料イオンは、サンプリングコーン１１を介して
図示しない質量分析装置へ導入され質量分析される。な
お、１２は、スプレーチャンバ３の内壁に付着してチャ
ンバ内にたまる余剰試料液を排出するためのしごきポン
プである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 この様な構成におい
て、プラズマフレームに導入される試料量や、噴霧ガス
量に変動があると、分析対象元素が反応する条件が変化
するため、イオンの生成量が変動し、その結果、質量分
析で得られる検出信号の強度も変動する。
て、プラズマフレームに導入される試料量や、噴霧ガス
量に変動があると、分析対象元素が反応する条件が変化
するため、イオンの生成量が変動し、その結果、質量分
析で得られる検出信号の強度も変動する。
【０００５】また、アンモニアや酢酸などの揮発性の高
い溶媒で比較的高濃度のものを試料液が含む場合、水主
体の試料液の場合に比べ、プラズマ中に導入される全体
量が多くなり、プラズマフレームへの最適な導入量（噴
霧ガスも合わせた）が、水主体の標準試料液で条件調整
した時と変わることになり、測定条件の最適化が困難に
なるという問題もある。
い溶媒で比較的高濃度のものを試料液が含む場合、水主
体の試料液の場合に比べ、プラズマ中に導入される全体
量が多くなり、プラズマフレームへの最適な導入量（噴
霧ガスも合わせた）が、水主体の標準試料液で条件調整
した時と変わることになり、測定条件の最適化が困難に
なるという問題もある。
【０００６】本発明は上述した問題点を除くことのでき
るプラズマ分析装置を提供することを目的としている。
るプラズマ分析装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 この目的を達成するた
め、本発明は、スプレーチャンバにおいて試料液を霧化
し、霧化した試料液をプラズマトーチへ導入して試料を
励起して分析するようにしたプラズマ分析装置におい
て、プラズマトーチへ霧化した試料を運ぶスプレーチャ
ンバからプラズマトーチまでの流路にその流路内を流れ
る流量に対応した信号を得る検出手段を設け、該検出手
段から得られた検出出力に基づいてスプレーチャンバ内
の圧力を制御する制御手段を設けたことを特徴としてい
る。
め、本発明は、スプレーチャンバにおいて試料液を霧化
し、霧化した試料液をプラズマトーチへ導入して試料を
励起して分析するようにしたプラズマ分析装置におい
て、プラズマトーチへ霧化した試料を運ぶスプレーチャ
ンバからプラズマトーチまでの流路にその流路内を流れ
る流量に対応した信号を得る検出手段を設け、該検出手
段から得られた検出出力に基づいてスプレーチャンバ内
の圧力を制御する制御手段を設けたことを特徴としてい
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】 以下、図面に基づいて本発明の
実施の形態を詳説する。図２は、本発明を実施したＩＣ
Ｐ−ＭＳの液体試料導入システムを示しており、図１と
共通の構成要素には同一番号が付されている。図２にお
いて、スプレーチャンバ３内に噴霧されてできた試料液
の霧をプラズマトーチ７へ送る配管６の途中には、配管
６の内部の圧力を検出する圧力センサ２１が設けられ、
また、噴霧ノズルへ噴霧ガスを供給する配管５の途中に
流量調整弁２２が設けられている。この流量調整弁２２
へ制御信号を供給する演算回路２３には、前記圧力セン
サ２１から得られた圧力信号Ｐと、図示しない制御装置
からのガス流量指定信号Ｓが供給され、演算回路２３は
２つの信号に基づいて制御信号を作成する。
実施の形態を詳説する。図２は、本発明を実施したＩＣ
Ｐ−ＭＳの液体試料導入システムを示しており、図１と
共通の構成要素には同一番号が付されている。図２にお
いて、スプレーチャンバ３内に噴霧されてできた試料液
の霧をプラズマトーチ７へ送る配管６の途中には、配管
６の内部の圧力を検出する圧力センサ２１が設けられ、
また、噴霧ノズルへ噴霧ガスを供給する配管５の途中に
流量調整弁２２が設けられている。この流量調整弁２２
へ制御信号を供給する演算回路２３には、前記圧力セン
サ２１から得られた圧力信号Ｐと、図示しない制御装置
からのガス流量指定信号Ｓが供給され、演算回路２３は
２つの信号に基づいて制御信号を作成する。
【０００９】上記構成において、ガス流量指定信号Ｓは
配管６を介してプラズマトーチ７へ送られるガス流量を
指定する信号である。このガス流量は配管６内の圧力に
対応するため、演算回路２３においてガス流量指定信号
Ｓと圧力センサ２１からの圧力信号Ｐに基づいて配管６
内及びスプレーチャンバ３内の圧力を一定に保つための
制御量を求め、得られた制御信号を流量調整弁２２に送
って弁２２を通過する噴霧ガスの流量を制御するように
すれば、フィードバック制御により配管６内及びスプレ
ーチャンバ３内の圧力を、指定信号Ｓに対応した一定値
に維持することができる。そのため、プラズマフレーム
への導入量（噴霧ガスも合わせた）も、一定に維持され
ることになる。
配管６を介してプラズマトーチ７へ送られるガス流量を
指定する信号である。このガス流量は配管６内の圧力に
対応するため、演算回路２３においてガス流量指定信号
Ｓと圧力センサ２１からの圧力信号Ｐに基づいて配管６
内及びスプレーチャンバ３内の圧力を一定に保つための
制御量を求め、得られた制御信号を流量調整弁２２に送
って弁２２を通過する噴霧ガスの流量を制御するように
すれば、フィードバック制御により配管６内及びスプレ
ーチャンバ３内の圧力を、指定信号Ｓに対応した一定値
に維持することができる。そのため、プラズマフレーム
への導入量（噴霧ガスも合わせた）も、一定に維持され
ることになる。
【００１０】この様な制御が行われるため、揮発性が高
い溶媒を使用した試料液と、揮発性の低い水主体の溶媒
を使用した試料液を交互に測定するような場合でも、揮
発性が高い溶媒を使用した試料液の場合には噴霧ガスの
量が少なくなるように自動的に調整され、水主体の溶媒
を使用した試料液の場合には噴霧ガスの量が多くなるよ
うに自動的に調整され、操作者がその都度調整をする必
要がない。
い溶媒を使用した試料液と、揮発性の低い水主体の溶媒
を使用した試料液を交互に測定するような場合でも、揮
発性が高い溶媒を使用した試料液の場合には噴霧ガスの
量が少なくなるように自動的に調整され、水主体の溶媒
を使用した試料液の場合には噴霧ガスの量が多くなるよ
うに自動的に調整され、操作者がその都度調整をする必
要がない。
【００１１】なお、上述した実施の形態では配管６の途
中に圧力センサ２２を設け、配管６内の圧力を求めるよ
うにしたが、これに限らず、スプレーチャンバ３内の圧
力を検出するようにしても良いし、要するに、スプレー
チャンバからプラズマトーチへ供給されるガスの流量に
対応した信号が得られる手段をスプレーチャンバからプ
ラズマトーチまでの流路に設ければ良い。
中に圧力センサ２２を設け、配管６内の圧力を求めるよ
うにしたが、これに限らず、スプレーチャンバ３内の圧
力を検出するようにしても良いし、要するに、スプレー
チャンバからプラズマトーチへ供給されるガスの流量に
対応した信号が得られる手段をスプレーチャンバからプ
ラズマトーチまでの流路に設ければ良い。
【００１２】
【発明の効果】 以上詳述したように、本発明では、プ
ラズマトーチへ霧化した試料を運ぶスプレーチャンバか
らプラズマトーチまでの流路にその流路内を流れる流量
に対応した信号を得る検出手段を設け、該検出手段から
得られた検出出力に基づいてスプレーチャンバ内の圧力
を制御する制御手段を設けたため、試料液の特性によら
ず、プラズマトーチへの噴霧ガスを含む試料導入量を常
に一定に維持することのできるプラズマ分析装置が実現
される。
ラズマトーチへ霧化した試料を運ぶスプレーチャンバか
らプラズマトーチまでの流路にその流路内を流れる流量
に対応した信号を得る検出手段を設け、該検出手段から
得られた検出出力に基づいてスプレーチャンバ内の圧力
を制御する制御手段を設けたため、試料液の特性によら
ず、プラズマトーチへの噴霧ガスを含む試料導入量を常
に一定に維持することのできるプラズマ分析装置が実現
される。
【図１】 ＩＣＰ−ＭＳで液体試料を分析する際に、従
来標準的に採用されている液体試料導入システムを示す
図である。
来標準的に採用されている液体試料導入システムを示す
図である。
【図２】 本発明を実施したＩＣＰ−ＭＳの液体試料導
入システムを示す図である。
入システムを示す図である。
１：試料液 ２，５，６：配管 ３：スプレーチャンバ ４：噴霧ノズル ７：プラズマトーチ ８：プラズマガス ９：冷却ガス １０：プラズマフレーム Ｌ：高周波コイル １１：サンプリングコーン ２１：圧力センサ ２２：流量調整弁 ２３：演算回路
Claims (2)
- 【請求項１】 スプレーチャンバにおいて試料液を霧化
し、霧化した試料液をプラズマトーチへ導入して試料を
励起して分析するようにしたプラズマ分析装置におい
て、プラズマトーチへ霧化した試料を運ぶスプレーチャ
ンバからプラズマトーチまでの流路にその流路内を流れ
る流量に対応した信号を得る検出手段を設け、該検出手
段から得られた検出出力に基づいてスプレーチャンバ内
の圧力を制御する制御手段を設けたことを特徴とする試
料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置。 - 【請求項２】 前記検出手段はスプレーチャンバとプラ
ズマトーチを結ぶ流路に設けられた圧力検出手段であ
り、前記制御手段は、前記圧力検出手段から得られた検
出出力に基づきスプレーチャンバ内へ供給される噴霧ガ
スの流量を制御するようにしたことを特徴とする請求項
１に記載の試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31908895A JPH09159610A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31908895A JPH09159610A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159610A true JPH09159610A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18106361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31908895A Withdrawn JPH09159610A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 試料導入安定化機構を備えたプラズマ分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09159610A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1090690A4 (en) * | 1998-05-25 | 2001-11-07 | Fuji Koeki Co Ltd | LIQUID SPRAYING DEVICE AND CUTTING METHOD |
| US6460831B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-10-08 | Fuji Bc Engineering Co., Ltd. | Cutting liquid coater |
| US6773212B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-08-10 | Fuji Koeki Co., Ltd. | Cutting-oil coater and cutting device |
| US7342196B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-03-11 | Sulzer Metco Ag | Plasma spraying apparatus and also a method for monitoring the condition of a plasma apparatus |
| EP1635623A3 (de) * | 2004-09-10 | 2011-12-14 | Sulzer Metco AG | Plasmaspritzvorrichtung, sowie eine Verfahren zur Überwachung des Zustands einer Plasmaspritzvorrichtung |
| TWI670752B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-09-01 | 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 噴霧腔室、試料霧化導入裝置、分析裝置及試料中的成份分析方法 |
-
1995
- 1995-12-07 JP JP31908895A patent/JPH09159610A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6460831B2 (en) | 1996-11-29 | 2002-10-08 | Fuji Bc Engineering Co., Ltd. | Cutting liquid coater |
| US6679484B2 (en) | 1996-11-29 | 2004-01-20 | Fuji Bc Engineering Co., Ltd. | Cutting liquid coater |
| EP1090690A4 (en) * | 1998-05-25 | 2001-11-07 | Fuji Koeki Co Ltd | LIQUID SPRAYING DEVICE AND CUTTING METHOD |
| US6659370B1 (en) | 1998-05-25 | 2003-12-09 | Fuji Bc Engineering Co., Ltd. | Liquid spray device and cutting method |
| US6773212B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-08-10 | Fuji Koeki Co., Ltd. | Cutting-oil coater and cutting device |
| US7342196B2 (en) | 2004-09-10 | 2008-03-11 | Sulzer Metco Ag | Plasma spraying apparatus and also a method for monitoring the condition of a plasma apparatus |
| EP1635623A3 (de) * | 2004-09-10 | 2011-12-14 | Sulzer Metco AG | Plasmaspritzvorrichtung, sowie eine Verfahren zur Überwachung des Zustands einer Plasmaspritzvorrichtung |
| TWI670752B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-09-01 | 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司 | 噴霧腔室、試料霧化導入裝置、分析裝置及試料中的成份分析方法 |
| KR20190139290A (ko) * | 2017-05-12 | 2019-12-17 | 가부시키가이샤 사무코 | 스프레이 챔버, 시료 안개화 도입 장치, 분석 장치 및 시료 중의 성분 분석 방법 |
| US11648574B2 (en) | 2017-05-12 | 2023-05-16 | Sumco Corporation | Spray chamber, sample atomization and introduction device, analysis device, and method of analyzing component in sample |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0792091A1 (en) | Elemental analysis method and apparatus | |
| EP2312291A1 (en) | Analytical method and analytical system | |
| JP2008045901A (ja) | 誘導結合プラズマ質量分析装置 | |
| JP3800621B2 (ja) | Ｉｃｐ分析装置 | |
| US6236012B1 (en) | Plasma torch with an adjustable injector and gas analyzer using such a torch | |
| JP2962626B2 (ja) | 質量分析装置 | |
| JP6795095B2 (ja) | プラズマ発生装置、これを備えた発光分析装置及び質量分析装置、並びに、装置状態判定方法 | |
| JP4123432B2 (ja) | 液体導入プラズマトーチ | |
| US5130537A (en) | Plasma analyzer for trace element analysis | |
| JP2007316039A (ja) | Ｉｃｐ発光分光分析装置 | |
| JPH06222005A (ja) | Ｉｃｐ発光分光分析方法 | |
| JP3202576U (ja) | Ｉｃｐ分析装置 | |
| JP2009121846A (ja) | 試料送液ポンプおよび送液ポンプを用いたｉｃｐ発光分析装置 | |
| JP3962325B2 (ja) | Ｉｃｐ分析装置 | |
| JPH06109639A (ja) | 発光分光分析方法 | |
| JPH01124951A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ・質量分析装置 | |
| JPH05121041A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ質量分析計 | |
| JP2836190B2 (ja) | 高周波誘導結合プラズマ分析装置 | |
| CA2185832A1 (en) | Analyzer using plasma and analysis method using plasma, interface used for the same and sample introducing component used for the same | |
| JP3591082B2 (ja) | Ｉｃｐ分析装置 | |
| JPH09199076A (ja) | 誘導結合プラズマ質量分析装置及びその方法 | |
| JPH0619084Y2 (ja) | 誘導結合プラズマ発光分光分析装置 | |
| JP3231232U (ja) | Ｉｃｐ分析装置 | |
| JPH07147152A (ja) | 高周波誘導結合プラズマ・質量分析装置 | |
| JPH10321182A (ja) | 誘導結合プラズマ質量及び分光分析装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |