JPH09162007A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09162007A JPH09162007A JP7321405A JP32140595A JPH09162007A JP H09162007 A JPH09162007 A JP H09162007A JP 7321405 A JP7321405 A JP 7321405A JP 32140595 A JP32140595 A JP 32140595A JP H09162007 A JPH09162007 A JP H09162007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- coefficient thermistor
- positive temperature
- manufacturing
- yttrium
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 温風ヒータやテレビ受像機の消磁回路のスイ
ッチング素子などに使用される正特性サーミスタの製造
方法において、抵抗値のばらつきが小さく、昇圧耐圧特
性に優れたものが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するイットリウ
ムの原材料にＢａ4Ｙ2Ｏ7を用いることにより、焼結時
の粒成長が均一に進行され、且つイットリウム原子の分
布が均一になる正特性サーミスタが得られる。
ッチング素子などに使用される正特性サーミスタの製造
方法において、抵抗値のばらつきが小さく、昇圧耐圧特
性に優れたものが得られる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体化元素として添加するイットリウ
ムの原材料にＢａ4Ｙ2Ｏ7を用いることにより、焼結時
の粒成長が均一に進行され、且つイットリウム原子の分
布が均一になる正特性サーミスタが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温風ヒータなどの
自己温度制御発熱体やテレビ受像機の消磁回路のスイッ
チング素子などに用いられる、特定の温度で抵抗値が急
激に増加する正特性サーミスタの製造方法に関する。
自己温度制御発熱体やテレビ受像機の消磁回路のスイッ
チング素子などに用いられる、特定の温度で抵抗値が急
激に増加する正特性サーミスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の正特性サーミスタの製造方
法について説明する。従来の正特性サーミスタ磁器は、
主原材料である炭酸バリウム及び酸化チタンと、添加物
である酸化鉛、酸化イットリウム、酸化アルミニウム及
び酸化硅素などとを秤量・混合し、仮焼、粉砕、造粒、
成形の後、大気中で焼成する方法により製造されてい
た。
法について説明する。従来の正特性サーミスタ磁器は、
主原材料である炭酸バリウム及び酸化チタンと、添加物
である酸化鉛、酸化イットリウム、酸化アルミニウム及
び酸化硅素などとを秤量・混合し、仮焼、粉砕、造粒、
成形の後、大気中で焼成する方法により製造されてい
た。
【０００３】この製造方法についてさらに詳しく説明す
ると、まず原材料の混合、仮焼により炭酸バリウム及び
酸化チタンから固相反応により主成分のチタン酸バリウ
ムが形成される。このとき酸化鉛は、抵抗値が急激に増
す温度を１２０℃より高温側へ移動させるためのシフト
剤として添加している。酸化アルミニウム及び酸化硅素
は焼結性を向上させる鉱化剤の役目として、また粒成長
を抑制する効果をもつ原材料として微量添加している。
さらに酸化イットリウムは半導体化元素として微量添加
している。混合はこれらを均一に分散させるため、湿式
により行う。仮焼でチタン酸バリウムを得た後、以後一
般的な磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、
大気中で焼成して目的の正特性サーミスタ磁器を得てい
る。
ると、まず原材料の混合、仮焼により炭酸バリウム及び
酸化チタンから固相反応により主成分のチタン酸バリウ
ムが形成される。このとき酸化鉛は、抵抗値が急激に増
す温度を１２０℃より高温側へ移動させるためのシフト
剤として添加している。酸化アルミニウム及び酸化硅素
は焼結性を向上させる鉱化剤の役目として、また粒成長
を抑制する効果をもつ原材料として微量添加している。
さらに酸化イットリウムは半導体化元素として微量添加
している。混合はこれらを均一に分散させるため、湿式
により行う。仮焼でチタン酸バリウムを得た後、以後一
般的な磁器の製造方法による粉砕、造粒、成形を行い、
大気中で焼成して目的の正特性サーミスタ磁器を得てい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の製造方法では、半導体化元素である酸化イットリウ
ムの添加量は極く微量であるため、混合時における酸化
イットリウムの均一分散が難しく、成形時においてもイ
ットリウム原子の不均一分布が生じて焼結進行時に均一
粒成長を妨げる原因となる。一般に半導体化の進行は粒
成長と同時に進行するとされており、イットリウム原子
が不均一分布で均一粒成長を妨げられることによって、
粒子径にばらつきが生じ、室温抵抗値のばらつきが非常
に大きくなってしまうという問題点を有していた。
来の製造方法では、半導体化元素である酸化イットリウ
ムの添加量は極く微量であるため、混合時における酸化
イットリウムの均一分散が難しく、成形時においてもイ
ットリウム原子の不均一分布が生じて焼結進行時に均一
粒成長を妨げる原因となる。一般に半導体化の進行は粒
成長と同時に進行するとされており、イットリウム原子
が不均一分布で均一粒成長を妨げられることによって、
粒子径にばらつきが生じ、室温抵抗値のばらつきが非常
に大きくなってしまうという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、正特性サーミスタの粒成長を均一に進行させること
が可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さくし、且つ
昇圧耐圧特性も向上する優れた正特性サーミスタが得ら
れる製造方法を提供することを目的とするものである。
で、正特性サーミスタの粒成長を均一に進行させること
が可能となり、室温抵抗値のばらつきを小さくし、且つ
昇圧耐圧特性も向上する優れた正特性サーミスタが得ら
れる製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるイットリウムの原材料に、Ｂａ4Ｙ2Ｏ7
を用いるものである。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、半導体化元
素として用いるイットリウムの原材料に、Ｂａ4Ｙ2Ｏ7
を用いるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１のごとくＢａ4
Ｙ2Ｏ7を用いることにより、成形体内部のイットリウム
原子の分布が不均一となっても焼結時の粒成長を均一に
進行させることが可能となり、室温抵抗値のばらつきを
小さくし、且つ昇圧耐圧特性を向上させることが出来
る。
Ｙ2Ｏ7を用いることにより、成形体内部のイットリウム
原子の分布が不均一となっても焼結時の粒成長を均一に
進行させることが可能となり、室温抵抗値のばらつきを
小さくし、且つ昇圧耐圧特性を向上させることが出来
る。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【０００９】正特性サーミスタの組成式 Ｂａ0.8Ｐｂ
0.2ＴｉＯ3−ｘＢａ4Ｙ2Ｏ7−０．０２ＳｉＯ2−０．０
０１Ａｌ2Ｏ3−０．００３ＭｎＯ2（ただしｘはモル数
で０＜ｘ≦０．００２である）において、ｘを種々変え
た正特性サーミスタ磁器を次のようにして作製した。先
ず所定の組成となるように、炭酸バリウム、酸化鉛、酸
化チタン、イットリウム酸バリウム、酸化硅素、酸化ア
ルミニウム及び二酸化マンガンを秤量し、これらを混合
した後、仮焼、粉砕を行った。さらに所望の形状に成形
し、最大１４００℃の大気中で焼成し、直径１３mm、厚
さ２．５mmの円板状の正特性サーミスタを得た。これに
金属アルミニウムを融着させることにより電極を形成し
て測定用の試料とし、室温抵抗値のばらつき及び昇圧耐
圧を測定した。
0.2ＴｉＯ3−ｘＢａ4Ｙ2Ｏ7−０．０２ＳｉＯ2−０．０
０１Ａｌ2Ｏ3−０．００３ＭｎＯ2（ただしｘはモル数
で０＜ｘ≦０．００２である）において、ｘを種々変え
た正特性サーミスタ磁器を次のようにして作製した。先
ず所定の組成となるように、炭酸バリウム、酸化鉛、酸
化チタン、イットリウム酸バリウム、酸化硅素、酸化ア
ルミニウム及び二酸化マンガンを秤量し、これらを混合
した後、仮焼、粉砕を行った。さらに所望の形状に成形
し、最大１４００℃の大気中で焼成し、直径１３mm、厚
さ２．５mmの円板状の正特性サーミスタを得た。これに
金属アルミニウムを融着させることにより電極を形成し
て測定用の試料とし、室温抵抗値のばらつき及び昇圧耐
圧を測定した。
【００１０】また従来例として、上記組成式におけるＢ
ａ4Ｙ2Ｏ7を用いない場合（Ｙ2Ｏ3を用いた場合）の試
料も作製し、本実施例と同様の測定を行った。尚、ｘが
０．００２を超える場合は室温抵抗値が非常に大きくな
り、正特性サーミスタとして適さなくなるために除外し
た。これらの本実施例及び従来例の試料の室温抵抗値の
ばらつき及び昇圧耐圧の測定結果を（表１）に示す。
ａ4Ｙ2Ｏ7を用いない場合（Ｙ2Ｏ3を用いた場合）の試
料も作製し、本実施例と同様の測定を行った。尚、ｘが
０．００２を超える場合は室温抵抗値が非常に大きくな
り、正特性サーミスタとして適さなくなるために除外し
た。これらの本実施例及び従来例の試料の室温抵抗値の
ばらつき及び昇圧耐圧の測定結果を（表１）に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】尚、（表１）においてNo.は試料番号、ｘ
は上記組成式におけるｘ値、Ｒ25は各試料について５０
個の室温抵抗値の平均値、ばらつきはその室温抵抗値の
標準偏差σn-1とＲ25との比、σn-1／Ｒ25をパーセント
で示したもの、昇圧耐圧は２０Ｖステップで各試料に３
０秒間印加しながら徐々に電圧を上げていき試料が破壊
した電圧値を示している。さらに試料番号（１〜８）は
本発明によるもの、（９〜１６）は従来例である。
は上記組成式におけるｘ値、Ｒ25は各試料について５０
個の室温抵抗値の平均値、ばらつきはその室温抵抗値の
標準偏差σn-1とＲ25との比、σn-1／Ｒ25をパーセント
で示したもの、昇圧耐圧は２０Ｖステップで各試料に３
０秒間印加しながら徐々に電圧を上げていき試料が破壊
した電圧値を示している。さらに試料番号（１〜８）は
本発明によるもの、（９〜１６）は従来例である。
【００１３】この（表１）から明らかなように、本実施
例による正特性サーミスタは、室温抵抗値のばらつきが
小さく、且つ昇圧耐圧特性が優れているという、優れた
効果が得られる。
例による正特性サーミスタは、室温抵抗値のばらつきが
小さく、且つ昇圧耐圧特性が優れているという、優れた
効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分としイットリウムを半導体化元素に用いる正
特性サーミスタの製造方法において、イットリウム添加
の原材料にＢａ4Ｙ2Ｏ7を用いることにより、室温抵抗
値のばらつきが小さく、且つ昇圧耐圧特性に優れた正特
性サーミスタ磁器が得られるものである。
ムを主成分としイットリウムを半導体化元素に用いる正
特性サーミスタの製造方法において、イットリウム添加
の原材料にＢａ4Ｙ2Ｏ7を用いることにより、室温抵抗
値のばらつきが小さく、且つ昇圧耐圧特性に優れた正特
性サーミスタ磁器が得られるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とし、半導体
化元素にイットリウムを添加する正特性サーミスタの製
造方法において、前記イットリウムの原材料として、Ｂ
ａ4Ｙ2Ｏ7を用いることを特徴とする正特性サーミスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321405A JPH09162007A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7321405A JPH09162007A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162007A true JPH09162007A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18132188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7321405A Pending JPH09162007A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162007A (ja) |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP7321405A patent/JPH09162007A/ja active Pending
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