JPH09162682A - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子Info
- Publication number
- JPH09162682A JPH09162682A JP31772795A JP31772795A JPH09162682A JP H09162682 A JPH09162682 A JP H09162682A JP 31772795 A JP31772795 A JP 31772795A JP 31772795 A JP31772795 A JP 31772795A JP H09162682 A JPH09162682 A JP H09162682A
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- piezoelectric resonator
- piezoelectric
- base metal
- conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイグレーションの心配がなく、Qm値を小
さくすることができ、しかも製造コストが安価な圧電共
振子を得る。 【解決手段】 圧電共振子1は、圧電体基板2と振動電
極3〜5とで構成されている。振動電極3〜5は、固有
抵抗が3×10-6Ωcm以上の導電体からなる。導電体
は、安価でマイグレーションが生じにくい卑金属単体又
は卑金属を主成分とした合金が好ましい。具体的には、
卑金属はAu,Ag,Pt,Pd等の貴金属を除いた金
属群、例えばNi,Cu,Cr,Al,Fe,Sn等で
ある。合金は、Niが70%、Cuが30%のモネル等
である。
さくすることができ、しかも製造コストが安価な圧電共
振子を得る。 【解決手段】 圧電共振子1は、圧電体基板2と振動電
極3〜5とで構成されている。振動電極3〜5は、固有
抵抗が3×10-6Ωcm以上の導電体からなる。導電体
は、安価でマイグレーションが生じにくい卑金属単体又
は卑金属を主成分とした合金が好ましい。具体的には、
卑金属はAu,Ag,Pt,Pd等の貴金属を除いた金
属群、例えばNi,Cu,Cr,Al,Fe,Sn等で
ある。合金は、Niが70%、Cuが30%のモネル等
である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電共振子、特に
フィルタ回路等を構成する際に使用される圧電共振子に
関する。
フィルタ回路等を構成する際に使用される圧電共振子に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、圧電体基板の表面に振動電極
を設けた圧電共振子が知られている。そして、振動電極
の材料としては、一般に、Ag,Ag−Pd,Au等が
使用されている。
を設けた圧電共振子が知られている。そして、振動電極
の材料としては、一般に、Ag,Ag−Pd,Au等が
使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ag,
Ag−Pd,Au等の貴金属は高価であるため、製造コ
ストがアップするという問題があった。さらに、Agの
場合は、マイグレーションの問題がある。また、フィル
タ回路の場合、圧電共振子のQm(機械的品質係数)の
値が大きいと、リップルが発生したり、GDT(群遅延
時間)が悪化する等の不具合が生じるため、他の物性を
変更しないでQmだけを小さくすることが要求されるこ
とがある。しかしながら、従来の圧電共振子は、振動電
極の材料として、Ag,Ag−Pd,Au等の固有抵抗
の低いものしか用いないため、Qm値の選択できる範囲
は狭く、上記要求に応じることができなかった。
Ag−Pd,Au等の貴金属は高価であるため、製造コ
ストがアップするという問題があった。さらに、Agの
場合は、マイグレーションの問題がある。また、フィル
タ回路の場合、圧電共振子のQm(機械的品質係数)の
値が大きいと、リップルが発生したり、GDT(群遅延
時間)が悪化する等の不具合が生じるため、他の物性を
変更しないでQmだけを小さくすることが要求されるこ
とがある。しかしながら、従来の圧電共振子は、振動電
極の材料として、Ag,Ag−Pd,Au等の固有抵抗
の低いものしか用いないため、Qm値の選択できる範囲
は狭く、上記要求に応じることができなかった。
【0004】そこで、本発明の目的は、マイグレーショ
ンの心配がなく、Qm値を任意に選択することができ、
しかも製造コストが安価な圧電共振子を提供することに
ある。
ンの心配がなく、Qm値を任意に選択することができ、
しかも製造コストが安価な圧電共振子を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る圧電共振子は、圧電体基板とこの圧電
体基板の表面に設けた振動電極とを備え、前記振動電極
が3×10-6Ωcm以上の固有抵抗を有する導電体から
なることを特徴とする。導電体は、卑金属単体又は卑金
属を主成分とした合金が好ましい。卑金属は、Au,A
g,Pt,Pd等の貴金属を除いた金属群、例えばN
i,Cu,Cr,Al,Ti,Fe,Sn等を意味す
る。
め、本発明に係る圧電共振子は、圧電体基板とこの圧電
体基板の表面に設けた振動電極とを備え、前記振動電極
が3×10-6Ωcm以上の固有抵抗を有する導電体から
なることを特徴とする。導電体は、卑金属単体又は卑金
属を主成分とした合金が好ましい。卑金属は、Au,A
g,Pt,Pd等の貴金属を除いた金属群、例えばN
i,Cu,Cr,Al,Ti,Fe,Sn等を意味す
る。
【0006】
【作用】振動電極が3×10-6Ωcm以上の比較的高い
固有抵抗を有する導電体からなるため、Qm値が小さく
なり、選択できるQm値の範囲が従来より広くなる。ま
た、振動電極の膜厚が厚くなるにつれてQm値が小さく
なるという性質を利用することにより、必要なQm値が
容易に得られる。そして、振動電極の材料として安価な
卑金属単体又は卑金属を主成分とした合金を用いるた
め、圧電共振子の製造コストが安価になる。
固有抵抗を有する導電体からなるため、Qm値が小さく
なり、選択できるQm値の範囲が従来より広くなる。ま
た、振動電極の膜厚が厚くなるにつれてQm値が小さく
なるという性質を利用することにより、必要なQm値が
容易に得られる。そして、振動電極の材料として安価な
卑金属単体又は卑金属を主成分とした合金を用いるた
め、圧電共振子の製造コストが安価になる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る圧電共振子の
実施形態について添付図面を参照して説明する。 [第1実施形態、図1〜図4]図1及び図2に示すよう
に、圧電共振子1は、圧電体基板2と、この圧電体基板
2の表裏面に設けた振動電極3,4,5とで構成されて
いる。圧電体基板2はPZT等のセラミックや水晶、L
iTaO3等の単結晶からなる。
実施形態について添付図面を参照して説明する。 [第1実施形態、図1〜図4]図1及び図2に示すよう
に、圧電共振子1は、圧電体基板2と、この圧電体基板
2の表裏面に設けた振動電極3,4,5とで構成されて
いる。圧電体基板2はPZT等のセラミックや水晶、L
iTaO3等の単結晶からなる。
【0008】振動電極3,4は圧電体基板2の表面中央
部に対向して設けられている。振動電極3の引出し部3
aは圧電体基板2の左側端部に延在し、振動電極4の引
出し部4aは右側端部に延在している。振動電極5は圧
電体基板2の裏面中央部に設けられている。振動電極3
〜5は、固有抵抗が3×10-6Ωcm以上の導電体から
なる。導電体は、安価でマイグレーションが生じにくい
卑金属単体又は卑金属を主成分とした合金が好ましい。
具体的には、卑金属はAu,Ag,Pt,Pd等の貴金
属を除いた金属群、例えばNi,Cu,Cr,Al,T
i,Fe,Sn等である。合金は、Niが70%、Cu
が30%のモネル等である。モネルは耐食性に優れ、か
つ、導電性にも優れており、固有抵抗は約20×10-6
Ωcmとなる。
部に対向して設けられている。振動電極3の引出し部3
aは圧電体基板2の左側端部に延在し、振動電極4の引
出し部4aは右側端部に延在している。振動電極5は圧
電体基板2の裏面中央部に設けられている。振動電極3
〜5は、固有抵抗が3×10-6Ωcm以上の導電体から
なる。導電体は、安価でマイグレーションが生じにくい
卑金属単体又は卑金属を主成分とした合金が好ましい。
具体的には、卑金属はAu,Ag,Pt,Pd等の貴金
属を除いた金属群、例えばNi,Cu,Cr,Al,T
i,Fe,Sn等である。合金は、Niが70%、Cu
が30%のモネル等である。モネルは耐食性に優れ、か
つ、導電性にも優れており、固有抵抗は約20×10-6
Ωcmとなる。
【0009】また、振動電極3〜5は、物理気相法(以
下、PVD法とする)により形成される。PVD法採用
が好ましいのは、圧電共振子に与える熱ストレスが少な
いため、予め分極処理した圧電体基板上に振動電極を形
成することができ、製造工程を簡略化できるからであ
る。具体的には、導電体として単一金属を用いた場合は
真空蒸着法等の手段にて形成され、導電体として合金を
用いた場合はスパッタリング法等の手段にて形成され
る。
下、PVD法とする)により形成される。PVD法採用
が好ましいのは、圧電共振子に与える熱ストレスが少な
いため、予め分極処理した圧電体基板上に振動電極を形
成することができ、製造工程を簡略化できるからであ
る。具体的には、導電体として単一金属を用いた場合は
真空蒸着法等の手段にて形成され、導電体として合金を
用いた場合はスパッタリング法等の手段にて形成され
る。
【0010】そして、Qm値は振動電極3〜5の膜厚が
厚くなるにつれて小さくなる性質を有するため、振動電
極3〜5の厚みを調整して所望のQm値を容易に設定す
ることができる。以上の構造からなる圧電共振子1はエ
ネルギー閉じ込め型の圧電共振子であり、厚みすべり振
動を主振動としている。次に、図3に示すように、この
圧電共振子1の振動電極3,4の引出し部3a,4aに
金属端子6,7がそれぞれ半田付けされ、振動電極5に
金属端子8が半田付けされる。次に、振動電極3〜5及
びその近傍にワックスが塗布された後、絶縁性樹脂浴に
圧電共振子1をディッピングし、この絶縁性樹脂を硬化
して外装材9を形成すると共に、ワックスを融解させて
外装材に吸収させることにより振動電極3〜5及びその
近傍に振動空間を形成する。こうして、3端子の圧電フ
ィルタが得られる。図4は、この圧電フィルタの電気等
価回路図である。
厚くなるにつれて小さくなる性質を有するため、振動電
極3〜5の厚みを調整して所望のQm値を容易に設定す
ることができる。以上の構造からなる圧電共振子1はエ
ネルギー閉じ込め型の圧電共振子であり、厚みすべり振
動を主振動としている。次に、図3に示すように、この
圧電共振子1の振動電極3,4の引出し部3a,4aに
金属端子6,7がそれぞれ半田付けされ、振動電極5に
金属端子8が半田付けされる。次に、振動電極3〜5及
びその近傍にワックスが塗布された後、絶縁性樹脂浴に
圧電共振子1をディッピングし、この絶縁性樹脂を硬化
して外装材9を形成すると共に、ワックスを融解させて
外装材に吸収させることにより振動電極3〜5及びその
近傍に振動空間を形成する。こうして、3端子の圧電フ
ィルタが得られる。図4は、この圧電フィルタの電気等
価回路図である。
【0011】以上のように、振動電極3〜5は、3×1
0-6Ωcm以上の比較的高い固有抵抗を有する導電体か
らなるので、Qm値を小さくすることができ、選択でき
るQm値の範囲を従来より広くできる。この結果、リッ
プルやGDT改善のためにQm値を小さくした圧電共振
子を製作することができる。
0-6Ωcm以上の比較的高い固有抵抗を有する導電体か
らなるので、Qm値を小さくすることができ、選択でき
るQm値の範囲を従来より広くできる。この結果、リッ
プルやGDT改善のためにQm値を小さくした圧電共振
子を製作することができる。
【0012】[第2実施形態、図5〜図7]図5に示す
ように、圧電共振子11は、圧電体基板12と、この圧
電体基板12の表裏面に設けた振動電極13,14,1
5とで構成されている。振動電極13は圧電体基板12
の表面中央部に設けられ、振動電極14は表面外周部に
設けられている。振動電極15は圧電体基板12の裏面
全面に設けられている。振動電極13〜15は、固有抵
抗が3×10-6Ωcm以上の導電体からなる。導電体
は、安価でマイグレーションが生じにくい卑金属単体又
は卑金属を主成分とした合金が好ましい。
ように、圧電共振子11は、圧電体基板12と、この圧
電体基板12の表裏面に設けた振動電極13,14,1
5とで構成されている。振動電極13は圧電体基板12
の表面中央部に設けられ、振動電極14は表面外周部に
設けられている。振動電極15は圧電体基板12の裏面
全面に設けられている。振動電極13〜15は、固有抵
抗が3×10-6Ωcm以上の導電体からなる。導電体
は、安価でマイグレーションが生じにくい卑金属単体又
は卑金属を主成分とした合金が好ましい。
【0013】以上の構造からなる圧電共振子11は面積
振動を主振動としている。この圧電共振子11は金属端
子16,17,18にて挟持される。すなわち、金属端
子16は先端部に設けた突起16aが弾性的に振動電極
13に接点接触し、金属端子17は二つの腕部17aに
それぞれ設けた突起17bが弾性的に振動電極14に接
点接触し、金属端子18は上方に凸状に湾曲した電極部
18aに設けた突起18bが振動電極15に接点接触し
ている。
振動を主振動としている。この圧電共振子11は金属端
子16,17,18にて挟持される。すなわち、金属端
子16は先端部に設けた突起16aが弾性的に振動電極
13に接点接触し、金属端子17は二つの腕部17aに
それぞれ設けた突起17bが弾性的に振動電極14に接
点接触し、金属端子18は上方に凸状に湾曲した電極部
18aに設けた突起18bが振動電極15に接点接触し
ている。
【0014】次に、金属端子16〜18に挟持された状
態の圧電共振子11は、図6に示すように、略箱形状の
ケース20に収容された後、樹脂にて封止される。こう
して、3端子の圧電フィルタが得られる。図7はこの圧
電フィルタの電気等価回路図である。以上のように、振
動電極13〜15は、3×10-6Ωcm以上の比較的高
い固有抵抗を有する導電体からなるので、Qm値を小さ
くすることができ、選択できるQm値の範囲を従来より
広くできる。この結果、リップルやGDT改善のために
Qm値を小さくした圧電共振子を製作することができ
る。
態の圧電共振子11は、図6に示すように、略箱形状の
ケース20に収容された後、樹脂にて封止される。こう
して、3端子の圧電フィルタが得られる。図7はこの圧
電フィルタの電気等価回路図である。以上のように、振
動電極13〜15は、3×10-6Ωcm以上の比較的高
い固有抵抗を有する導電体からなるので、Qm値を小さ
くすることができ、選択できるQm値の範囲を従来より
広くできる。この結果、リップルやGDT改善のために
Qm値を小さくした圧電共振子を製作することができ
る。
【0015】[他の実施形態]なお、本発明に係る圧電
共振子は前記実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、圧電
共振子は3端子のものに限る必要はなく、ラダー型フィ
ルタに供される圧電共振子等であってもよい。
共振子は前記実施形態に限定するものではなく、その要
旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、圧電
共振子は3端子のものに限る必要はなく、ラダー型フィ
ルタに供される圧電共振子等であってもよい。
【0016】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、振動電極の材料として3×10-6Ωcm以上の
固有抵抗を有する導電体を用いて振動電極の固有抵抗を
従来の振動電極と比較して高くしたので、Qm値を小さ
くすることができ、選択できるQm値の範囲を従来より
広くできる。この結果、リップルやGDT改善のために
Qm値を小さくした圧電共振子を製作することができ
る。
よれば、振動電極の材料として3×10-6Ωcm以上の
固有抵抗を有する導電体を用いて振動電極の固有抵抗を
従来の振動電極と比較して高くしたので、Qm値を小さ
くすることができ、選択できるQm値の範囲を従来より
広くできる。この結果、リップルやGDT改善のために
Qm値を小さくした圧電共振子を製作することができ
る。
【0017】さらに、Qm値は振動電極の膜厚が厚くな
るにつれて小さくなる性質を有するため、振動電極の厚
みを調整して所望のQm値を容易に設定することができ
る。また、導電体として、卑金属単体又は卑金属を主成
分とした合金を用いることにより、安価でマイグレーシ
ョンが生じにくく、また、耐食性に優れた材料の選定が
容易となり、製造コストが安価で信頼性の高い圧電共振
子が得られる。
るにつれて小さくなる性質を有するため、振動電極の厚
みを調整して所望のQm値を容易に設定することができ
る。また、導電体として、卑金属単体又は卑金属を主成
分とした合金を用いることにより、安価でマイグレーシ
ョンが生じにくく、また、耐食性に優れた材料の選定が
容易となり、製造コストが安価で信頼性の高い圧電共振
子が得られる。
【図1】本発明に係る圧電共振子の第1実施形態を示す
斜視図。
斜視図。
【図2】図1のII−II断面図。
【図3】図1に示した圧電共振子を用いた圧電フィルタ
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図4】図3に示した圧電フィルタの電気等価回路図。
【図5】本発明に係る圧電共振子の第2実施形態を示す
斜視図。
斜視図。
【図6】図5に示した圧電共振子を用いた圧電フィルタ
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図7】図6に示した圧電フィルタの電気等価回路図。
1…圧電共振子 2…圧電体基板 3,4,5…振動電極 11…圧電共振子 12…圧電体基板 13,14,15…振動電極
Claims (3)
- 【請求項1】 圧電体基板とこの圧電体基板の表面に設
けた振動電極とを備え、前記振動電極が3×10-6Ωc
m以上の固有抵抗を有する導電体からなることを特徴と
する圧電共振子。 - 【請求項2】 前記導電体が卑金属単体または卑金属を
主成分とした合金であることを特徴とする請求項1記載
の圧電共振子。 - 【請求項3】 前記卑金属は、Ni,Cu,Cr,A
l,Ti,Fe,Snから少なくとも一つ選択されるも
のであることを特徴とする請求項1記載の圧電共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31772795A JPH09162682A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31772795A JPH09162682A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 圧電共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162682A true JPH09162682A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18091370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31772795A Pending JPH09162682A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 圧電共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6700311B2 (en) * | 2000-02-12 | 2004-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Piezoelectric ceramic body having silver-containing internal electrodes |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31772795A patent/JPH09162682A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6700311B2 (en) * | 2000-02-12 | 2004-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Piezoelectric ceramic body having silver-containing internal electrodes |
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