JPH0917054A - 光磁気記録素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】磁界依存性における立ち上がり磁界Ｈｏを小さ
くするとともに、Ｃ／Ｎを高め、オーバーライトに適し
た高性能な光磁気記録素子を提供する。 【構成】基板１上に第１誘電体層５、光磁気記録層６、
第２誘電体層７および反射層８を順次積層し、第２誘電
体層７が窒化シリコンからなり、かつ反射層８へ向けて
窒素含有比率を漸次高めた光磁気ディスクＭ

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は遷移金属と希土類金属と
の組み合わせから成る非晶質金属合金により記録層を形
成した光磁気記録素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、上記記録層からなる光磁気記録素
子が市場に出回っているが、このような光磁気記録素子
の層構成は、プラスチック基板上にＳｉＮの第１誘電体
層、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ等の光磁気記録層、Ｓ
ｉＮの第２誘電体層およびＡｌ等の反射層を順次形成し
たものである。

【０００３】かかる光磁気記録素子において、オーバー
ライトやＣ／Ｎのアーカイバル（繰り返し再生したとき
のＣ／Ｎの耐久性評価）における安定性の面で、磁界依
存性における立ち上がり磁界Ｈｏを小さくすることが望
まれる。

【０００４】このような要求に対して、特開平６−１１
１４０５号では、光磁気記録層を成膜した直後に、オゾ
ンと酸素とアルゴンの混合気体を導入し、その光磁気記
録層の表面にオゾンを接触させることで、酸化層を形成
し、次いでＳｉＮの誘電体層を形成する構成が記載され
ている。

【０００５】また、特開平６−２８１１４１号（特公平
７−７５３２号）には、基板上にＳｉＮの中間層（誘電
体層）と光磁気記録層とを順次形成し、その中間層にお
ける基板側の窒素含有量を光磁気記録層側のそれと比べ
大きくする構成が記載されている。

【０００６】

【従来技術の問題点】しかしながら、特開平６−１１１
４０５号の技術においては、酸化層に起因して、キュリ
ー点温度が２０〜３０℃低くなり、保磁力が１〜２ＫＯ
ｅ低くなり、更にＣ／Ｎが低下するという問題点があっ
た。

【０００７】また、特開平７−７５３２号の技術によれ
ば、ＳｉＮの中間層（誘電体層）が基板と光磁気記録層
との間に介在しているので、しかも、レーザー光を基板
と中間層とを通して光磁気記録層に投光するために、そ
の反射率については、製造プロセス上、成膜ロット間の
バラツキおよびロット内のバラツキが大きくなり、製造
コントロールすることが難しいという問題点がある。

【０００８】したがって、本発明の目的は、磁界依存性
における立ち上がり磁界Ｈｏを小さくするとともに、Ｃ
／Ｎを高め、そして、オーバーライトに適した光磁気記
録素子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録素子
は、基体上に第１誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体
層および反射層を順次積層し、しかも、第２誘電体層が
窒化シリコンからなり、かつ上記反射層へ向けて漸次窒
素含有比率を高めたことを特徴とする。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の光磁気記録素子を図１〜図３
で示す実施例の光磁気ディスクＭでもって説明する。図
１はこの光磁気ディスクＭの平面図であり、図２は図１
に示す切断面線Ｘ−Ｘの断面図である。図３は光磁気デ
ィスクＭに成膜した層構成を示す。

【００１１】この光磁気ディスクＭは３．５インチの直
径であり、前記基体としてのポリカーボネート等の樹脂
から成る基板１の片面側にトラッキング用溝２が同心円
状に多数形成され、その中心部にはハブ装着用の穴３が
設けられ、トラッキング用溝２が形成された面上には、
各種層が順次積層された光磁気層４が被覆されている。

【００１２】この光磁気層４は基板１上に厚みが８００
ÅであるＳｉＮから成る第１誘電体層５、厚みが３００
ÅであるＴｂo.25Ｆｅ0.65Ｃｏ0.10合金から成る光磁気
記録層６、厚みが３００Åである第２誘電体層７および
厚みが５００ÅであるＡｌの反射層８を順次積層してい
る。

【００１３】上記第１誘電体層５と光磁気記録層６と第
２誘電体層７はマグネトロンスパッタリング装置を用い
て、順次積層形成し、次いでＡｌ反射層８を蒸着装置を
用いて、成膜した。

【００１４】この第２誘電体層７をマグネトロンスパッ
タリング装置を用いて作製するに当たっては、窒化珪素
のターゲットを配して、それにアルゴンと窒素の両ガス
を導入するとともに、その窒素導入量を適当に変えるこ
とで、所要の原子組成の膜を形成した。

【００１５】（例１）本発明者は、上述にしたがって、
表１に示すような幾通りもの種類の第２誘電体層７を形
成し、これによって試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．１０を作
製した。この成膜条件は、いずれもアルゴンガス圧が
１．０Ｐａ、アルゴンガス流量２００ＳＣＣＭ、成膜速
度１０Å／秒、成膜パワー（電力）５ＫＷであって、更
に窒素ガス流量を同表に示すように「 → 」の両側の
数値の間で漸次変えている。

【００１６】かくして得られた各試料において、その第
２誘電体層７の窒素含有量を電子分光法（ＥＳＣＡ）に
より測定したところ、表１に示す通りの変動数値が得ら
れた。

【００１７】

【表１】

【００１８】そして、各試料の立ち上がり磁界Ｈｏとク
ラックの発生状況とを測定したところ、表１に示す通り
の結果が得られた。

【００１９】立ち上がり磁界Ｈｏの測定条件は、レーザ
ー光の再生パワー１．５ｍＷ、記録周波数４．６４ＭＨ
ｚ、パルス巾４７ｎｓｅｃであって、測定部位は光磁気
ディスクＭの半径２４ｍｍの位置である。

【００２０】また、クラック発生状況は光磁気ディスク
Ｍを温度８０℃、湿度９０％Ｒ．Ｈ．の環境下に５００
時間放置し、これによる第２誘電体層７におけるクラッ
ク発生の有無を測定した。

【００２１】表１に示す結果から明らかな通り、窒素ガ
ス流量が大きくなるほどに立ち上がり磁界Ｈｏが大きく
なって、書き込み時のＣ／Ｎが低下することになるが、
すべての試料にクラックが発生しなかった。また、試料
Ｎｏ．１０では、立ち上がり磁界Ｈｏが２４０Ｏｅにま
で大きくなったが、実用上支障がないことを確認した。

【００２２】（例２）本例においても、（例１）にした
がって作製するが、第２誘電体層７をマグネトロンスパ
ッタリング装置を用いて作製するに当たっては、窒素ガ
ス流量を表２に示すように一定にして５種類の試料Ｎ
ｏ．１１〜Ｎｏ．１５を作成した。

【００２３】かくして得られた各試料において、その第
２誘電体層７の窒素含有量、ならびに各試料の立ち上が
り磁界Ｈｏとクラックの発生状況とを測定したところ、
表２に示す通りの結果が得られた。

【００２４】

【表２】

【００２５】表２に示す結果から明らかな通り、試料Ｎ
ｏ．１１〜試料Ｎｏ．１４においては、クラックが発生
した。そして、クラックが発生しなかった試料Ｎｏ．１
５においては、立ち上がり磁界Ｈｏが３５０Ｏｅにまで
大きくなり、実用上支障が生じた。

【００２６】なお、本実施例においては、光磁気記録層
６をＴｂＦｅＣｏ合金により形成し、また、反射層８を
アルミニウムにより形成したが、それに代わって光磁気
記録層６をＧａＤｙＦｅ合金、ＤｙＦｅＣｏ合金、Ｓｍ
ＴｂＦｅＣｏ合金、ＳｍＤｙＦｅＣｏ合金など、反射層
８をアルミニウムにチタン、ニッケル、クロム、タンタ
ルなどを少なくとも１種含むような合金により形成して
もよい。

【００２７】

【発明の効果】以上の通り、本発明の光磁気記録素子に
よれば、光磁気記録層と反射層との間に設けた第２誘電
体層が窒化シリコンからなり、この第２誘電体層の窒素
含有比率を反射層へ向けて漸次高めた構成にすること
で、クラックの発生もなく、しかも、磁界依存性におけ
る立ち上がり磁界Ｈｏを小さくするとともに、Ｃ／Ｎを
高め、その結果、オーバーライトに適した高性能な光磁
気記録素子が提供できる。

【００２８】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の光磁気ディスクＭの平面図である。

【図２】実施例の光磁気ディスクＭの断面図である。

【図３】実施例の光磁気ディスクＭに係る層構成を示す
断面図である。

【符号の説明】

Ｍ 光磁気ディスク １ 基板 ４ 光磁気層 ５ 第１誘電体層 ６ 光磁気記録層 ７ 第２誘電体層 ８ 反射層 ９ 保護樹脂層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上に第１誘電体層、光磁気記録層、
   第２誘電体層および反射層を順次積層した光磁気記録素
   子において、上記第２誘電体層が窒化シリコンからな
   り、かつ上記反射層へ向けて窒素含有比率を漸次高めた
   ことを特徴とする光磁気記録素子。