JPH09194748A - 光学的記録媒体及び情報記録方法 - Google Patents
光学的記録媒体及び情報記録方法Info
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- JPH09194748A JPH09194748A JP8006084A JP608496A JPH09194748A JP H09194748 A JPH09194748 A JP H09194748A JP 8006084 A JP8006084 A JP 8006084A JP 608496 A JP608496 A JP 608496A JP H09194748 A JPH09194748 A JP H09194748A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的短波長のレーザー光により記録、再生
可能な光学的記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
ベンゾピラン系化合物を含有する有機色素層を設けてな
る光学的記録媒体。 【化１】
可能な光学的記録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に下記一般式〔Ｉ〕で表わされる
ベンゾピラン系化合物を含有する有機色素層を設けてな
る光学的記録媒体。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光により記
録可能な光記録媒体及びそれを用いた情報記録方法に関
する。
録可能な光記録媒体及びそれを用いた情報記録方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録のためレーザー光の発
振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍ
よりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体
が求められている。かかる状況において提案されている
光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒
体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録
媒体等がある。これらの中で、安価でプロセス上容易で
あるという点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有す
るものと考えられる。
振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎｍ
よりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒体
が求められている。かかる状況において提案されている
光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒
体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録
媒体等がある。これらの中で、安価でプロセス上容易で
あるという点で、有機色素系光記録媒体は優位性を有す
るものと考えられる。
【０００３】ところで、有機色素系光記録媒体には、記
録可能なコンパクトディスクとして、反射率の高い金属
層を薄い有機色素層の上に積層したタイプのものが広く
知られているが、この層構成では、記録感度が悪く、高
い線速度での記録には不利である。また、記録時に色素
以外に基板も変形するため、ビット長再生方式において
はビットの長さのばらつきが多くなり、ジッターが大き
くなるという問題がある。
録可能なコンパクトディスクとして、反射率の高い金属
層を薄い有機色素層の上に積層したタイプのものが広く
知られているが、この層構成では、記録感度が悪く、高
い線速度での記録には不利である。また、記録時に色素
以外に基板も変形するため、ビット長再生方式において
はビットの長さのばらつきが多くなり、ジッターが大き
くなるという問題がある。
【０００４】それに対し、有機色素単層での記録方式に
関しては、記録再生光の膜面入射方式を含め、非常に多
くの研究がなされ、一部は、７８０ｎｍ用光記録媒体と
して実用化されている。しかしながら、短波長用途につ
いては、特開平４−７４６９０号公報、特開平４−２３
８０３６号公報、特開平５−３８８７８号公報等の各種
の提案がなされているものの、耐光性、耐環境性等は全
く不十分であり、また短波長用途に固有の問題について
は何ら解決されていないのが現状である。
関しては、記録再生光の膜面入射方式を含め、非常に多
くの研究がなされ、一部は、７８０ｎｍ用光記録媒体と
して実用化されている。しかしながら、短波長用途につ
いては、特開平４−７４６９０号公報、特開平４−２３
８０３６号公報、特開平５−３８８７８号公報等の各種
の提案がなされているものの、耐光性、耐環境性等は全
く不十分であり、また短波長用途に固有の問題について
は何ら解決されていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来より有機色素系光
記録媒体に対して、記録により生じるリムの形成が短波
長用途、すなわち短ビット記録による高密度記録には不
利であるという問題があった。また、１０ｍ／ｓ以上の
高線速記録において、十分な記録密度と記録特性を得る
ことが困難であった。
記録媒体に対して、記録により生じるリムの形成が短波
長用途、すなわち短ビット記録による高密度記録には不
利であるという問題があった。また、１０ｍ／ｓ以上の
高線速記録において、十分な記録密度と記録特性を得る
ことが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、高密度記録
を実現するためにリムを持たない良好な微小記録部を形
成し、かつまた、高線速記録でも十分な特性を有する波
長６２０〜６９０ｎｍの短波長記録に好適な媒体と条件
を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨
は、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生す
るための基板上に有機色素層を有する光記録媒体であっ
て、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕で表わされるベ
ンゾピラン系化合物を特徴とする短波長記録用光学的記
録媒体に存する。
を実現するためにリムを持たない良好な微小記録部を形
成し、かつまた、高線速記録でも十分な特性を有する波
長６２０〜６９０ｎｍの短波長記録に好適な媒体と条件
を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明の要旨
は、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生す
るための基板上に有機色素層を有する光記録媒体であっ
て、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕で表わされるベ
ンゾピラン系化合物を特徴とする短波長記録用光学的記
録媒体に存する。
【０００７】
【化４】
【０００８】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換されていてもよ
いアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を示
し、Ｒ1 とＲ2 は窒素原子と一緒になって複素環を形成
していてもよい。Ｘは水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または置換さ
れていてもよいカルバモイル基、スルファモイル基もし
くはカルボアルコキシ基を示し、Ｙは酸素原子、硫黄原
子、ＮＲを示し、Ｒは水素原子、置換されていてもよい
炭化水素基、アシル基またはスルフォニル基を示す。環
Ａは置換されていてもよい芳香族炭素環または芳香族複
素環を示す。）
いアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を示
し、Ｒ1 とＲ2 は窒素原子と一緒になって複素環を形成
していてもよい。Ｘは水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基または置換さ
れていてもよいカルバモイル基、スルファモイル基もし
くはカルボアルコキシ基を示し、Ｙは酸素原子、硫黄原
子、ＮＲを示し、Ｒは水素原子、置換されていてもよい
炭化水素基、アシル基またはスルフォニル基を示す。環
Ａは置換されていてもよい芳香族炭素環または芳香族複
素環を示す。）
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、基板上に有機色素層を設けた構
成からなるが、目的に応じて、有機色素層の上に薄いセ
ラミック層を成膜したり、紫外線硬化性樹脂を積層して
もよい。また、基板上に有機色素層を設けた２枚の媒体
をその有機色素層を対向させスペーサーを介して貼り合
わせる、いわゆるエアーサンドイッチ方式の貼合わせを
してもよい。
本発明の光記録媒体は、基板上に有機色素層を設けた構
成からなるが、目的に応じて、有機色素層の上に薄いセ
ラミック層を成膜したり、紫外線硬化性樹脂を積層して
もよい。また、基板上に有機色素層を設けた２枚の媒体
をその有機色素層を対向させスペーサーを介して貼り合
わせる、いわゆるエアーサンドイッチ方式の貼合わせを
してもよい。
【００１０】基板としては、ポリカーボネート基板、非
晶質ポリオレフィン基板、ガラス基板等、公知の透明で
複屈折の小さいものが好ましく用いられる。有機色素層
は、通常、有機色素を溶媒に溶解したものを基板上に塗
布乾燥するか、有機色素を基板上に真空蒸着することに
より形成する。塗布法の場合の溶媒としては、例えば、
ポリカーボネート基板の場合は、エタノール、３−ヒド
ロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコ
ール、フッ素系アルコール等のポリカーボネート基板を
侵さないものが好ましく使用され、ポリオレフィン基板
の場合には、クロロホルム、メチルエチルケトン等の極
性溶媒が好ましく使用される。
晶質ポリオレフィン基板、ガラス基板等、公知の透明で
複屈折の小さいものが好ましく用いられる。有機色素層
は、通常、有機色素を溶媒に溶解したものを基板上に塗
布乾燥するか、有機色素を基板上に真空蒸着することに
より形成する。塗布法の場合の溶媒としては、例えば、
ポリカーボネート基板の場合は、エタノール、３−ヒド
ロキシ−３−メチル−２−ブタノン、ジアセトンアルコ
ール、フッ素系アルコール等のポリカーボネート基板を
侵さないものが好ましく使用され、ポリオレフィン基板
の場合には、クロロホルム、メチルエチルケトン等の極
性溶媒が好ましく使用される。
【００１１】有機色素層は、その分光吸収極大が５１０
ｎｍ〜７３０ｎｍの範囲にあることが必要である。５１
０ｎｍよりも短波長領域に吸収極大があると、本発明の
層構成においては十分な感度が得られない。あるいは、
良好な再生信号が得られない。また、７３０ｎｍより長
波長側に吸収極大を有する有機色素層においても同様で
ある。
ｎｍ〜７３０ｎｍの範囲にあることが必要である。５１
０ｎｍよりも短波長領域に吸収極大があると、本発明の
層構成においては十分な感度が得られない。あるいは、
良好な再生信号が得られない。また、７３０ｎｍより長
波長側に吸収極大を有する有機色素層においても同様で
ある。
【００１２】また、有機色素層の膜厚は２０〜１００ｎ
ｍの範囲にあることが好ましい。有機色素層の膜厚が２
０ｎｍ未満になると塗膜が溝にのみ形成され、溝間記録
が困難となる。一方、１００ｎｍを超えると、リムが厚
くなったり、記録部のレーザー光走査方向の非対称性が
強調されるため、ビット長記録においてジッターが悪く
なり易くなる。本発明では有機色素として前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるベンゾピラン系色素を用いる。
ｍの範囲にあることが好ましい。有機色素層の膜厚が２
０ｎｍ未満になると塗膜が溝にのみ形成され、溝間記録
が困難となる。一方、１００ｎｍを超えると、リムが厚
くなったり、記録部のレーザー光走査方向の非対称性が
強調されるため、ビット長記録においてジッターが悪く
なり易くなる。本発明では有機色素として前記一般式
〔Ｉ〕で表わされるベンゾピラン系色素を用いる。
【００１３】前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 、Ｒ2 と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘ
プチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキ
ル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好
ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のア
リール基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、イ
ソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニ
ル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニ
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアリールアルキル
基；またはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シ
クロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロアルキル基
が挙げられる。また、Ｒ1 とＲ2 は環化してピペリジン
環、モルホリン環等の複素環を形成してもよい。Ｘは水
素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等の炭
素数１〜２０のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ニ
トロ基；カルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチ
ルカルバモイル基等の置換されていてもよいカルバモイ
ル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｎ−プロポキシカルボニル基等の置換されていてもよい
カルボアルコキシ基；スルファモイル基、メチルスルフ
ァモイル基、エチルスルファモイル基、ｎ−プロピルス
ルファモイル基等の置換されていてもよいスルファモイ
ル基が挙げられる。Ｙは酸素原子、硫黄原子、イミノ
基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−ブチルアミ
ノ基、フェニルアミノ基、ベンジルアミノ基、アセチル
アミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、ベンジルカルボニルアミノ基、メチルスルフォニル
アミノ基、エチルスルフォニルアミノ基等が挙げられ
る。
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘ
プチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシ
ル基、ｎ−オクタデシル基等の炭素数１〜２０のアルキ
ル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好
ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のア
リール基；ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、イ
ソプロペニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニ
ル基、２−ペンテニル基等の炭素数２〜１０のアルケニ
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアリールアルキル
基；またはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シ
クロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロアルキル基
が挙げられる。また、Ｒ1 とＲ2 は環化してピペリジン
環、モルホリン環等の複素環を形成してもよい。Ｘは水
素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基等の炭
素数１〜２０のアルコキシ基；塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ニ
トロ基；カルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチ
ルカルバモイル基等の置換されていてもよいカルバモイ
ル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、
ｎ−プロポキシカルボニル基等の置換されていてもよい
カルボアルコキシ基；スルファモイル基、メチルスルフ
ァモイル基、エチルスルファモイル基、ｎ−プロピルス
ルファモイル基等の置換されていてもよいスルファモイ
ル基が挙げられる。Ｙは酸素原子、硫黄原子、イミノ
基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−ブチルアミ
ノ基、フェニルアミノ基、ベンジルアミノ基、アセチル
アミノ基、プロピオニルアミノ基、ベンゾイルアミノ
基、ベンジルカルボニルアミノ基、メチルスルフォニル
アミノ基、エチルスルフォニルアミノ基等が挙げられ
る。
【００１４】環Ａとしては、フェニル環、ナフチル環等
の芳香族炭素環またはチオフェン環、ベンゾチオフェン
環等の芳香族複素環が挙げられ、環Ａで置換していても
よい置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチル
オキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭
素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜
１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメト
キシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシ
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキ
シ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフ
チルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；
シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリ
ル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルア
ミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピ
ルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブ
チルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミ
ノ基、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜
６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル
基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ
基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニ
ルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル
オキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペ
ンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオ
キシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ
基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプ
ロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキ
シカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル
オキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキ
シ基等が挙げられる。これらのうち、本発明おける好ま
しいベンゾピラン系化合物としては、下記一般式〔II〕
で表わされる化合物が挙げられる。
の芳香族炭素環またはチオフェン環、ベンゾチオフェン
環等の芳香族複素環が挙げられ、環Ａで置換していても
よい置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プ
ロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチル
オキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭
素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エ
トキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエ
トキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メ
トキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜
１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメト
キシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキ
シメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシ
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エ
トキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ
基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキ
シ基；アリルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフ
チルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；
シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリ
ル基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルア
ミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピ
ルスルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ
基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブ
チルスルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミ
ノ基、ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜
６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル
基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボ
ニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブ
トキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル
基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７
のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ
基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニ
ルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブ
チルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル
オキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペ
ンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオ
キシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ
基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニル
オキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプ
ロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニル
オキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓ
ｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキ
シカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル
オキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキ
シ基等が挙げられる。これらのうち、本発明おける好ま
しいベンゾピラン系化合物としては、下記一般式〔II〕
で表わされる化合物が挙げられる。
【００１５】
【化５】
【００１６】（式中、Ｒ3 、Ｒ4 はＣ1-12の直鎖状ない
し分岐状のアルキル基を示し、Ｒ5 は酸素原子、硫黄原
子、イミノ基またはＮＲ8 を示し、Ｒ8 はＣ1-12の直鎖
状ないし分岐状のアルキル基またはアシル基を示す。Ｒ
6 、Ｒ7 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基または置換されていても
よいカルバモイル基、スルファモイル基もしくはカルボ
アルコキシ基を示す。） 特に、好ましいベンゾピラン系化合物としては、下記一
般式〔III 〕で表わされる化合物が挙げられる。
し分岐状のアルキル基を示し、Ｒ5 は酸素原子、硫黄原
子、イミノ基またはＮＲ8 を示し、Ｒ8 はＣ1-12の直鎖
状ないし分岐状のアルキル基またはアシル基を示す。Ｒ
6 、Ｒ7 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基または置換されていても
よいカルバモイル基、スルファモイル基もしくはカルボ
アルコキシ基を示す。） 特に、好ましいベンゾピラン系化合物としては、下記一
般式〔III 〕で表わされる化合物が挙げられる。
【００１７】
【化６】
【００１８】（式中、Ｒ9 、Ｒ10はＣ1-6 の直鎖状ない
し分岐状の低級アルキル基を示し、Ｒ 11は酸素原子、硫
黄原子またはイミノ基を示す。） 本発明で用いられるベンゾピラン系化合物の具体例とし
ては、例えば下記の化合物が挙げられる。
し分岐状の低級アルキル基を示し、Ｒ 11は酸素原子、硫
黄原子またはイミノ基を示す。） 本発明で用いられるベンゾピラン系化合物の具体例とし
ては、例えば下記の化合物が挙げられる。
【００１９】
【化７】
【００２０】
【化８】
【００２１】
【化９】
【００２２】
【化１０】
【００２３】
【化１１】
【００２４】
【化１２】
【００２５】
【化１３】
【００２６】これらの色素は単独で用いてもよいし、２
種以上混合して用いてもよい。本発明の光記録媒体を用
いて記録、再生を行うには、基板側から波長６２０〜６
９０ｎｍのレーザー光を入射して行う。入射されたレー
ザー光を有機色素層が吸収し発熱し、主減量開始温度を
超える温度に達した時に低分子量のフラグメントに分解
し始め、その結果凹部が形成される。この凹部には色素
が若干残っているか殆どないため、再生光を照射した時
に反射率が低下し、記録部として検知される。
種以上混合して用いてもよい。本発明の光記録媒体を用
いて記録、再生を行うには、基板側から波長６２０〜６
９０ｎｍのレーザー光を入射して行う。入射されたレー
ザー光を有機色素層が吸収し発熱し、主減量開始温度を
超える温度に達した時に低分子量のフラグメントに分解
し始め、その結果凹部が形成される。この凹部には色素
が若干残っているか殆どないため、再生光を照射した時
に反射率が低下し、記録部として検知される。
【００２７】記録部の形状は使用する色素により大きく
異なり、膜厚を薄くするとリムは薄くなるが、記録部の
非対称性は改善されるとは限らない。その中で、特に前
記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕で示されるベンゾピ
ラン系色素により構成された有機色素層を有する光記録
媒体では、リムがほとんど形成されず、高線速記録にお
いても良好なジッター特性を示すため好ましい。
異なり、膜厚を薄くするとリムは薄くなるが、記録部の
非対称性は改善されるとは限らない。その中で、特に前
記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III 〕で示されるベンゾピ
ラン系色素により構成された有機色素層を有する光記録
媒体では、リムがほとんど形成されず、高線速記録にお
いても良好なジッター特性を示すため好ましい。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明をより具体的に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に周期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１２０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。有機
色素層は、前記構造式（Ａ−１１）で示されるベンゾピ
ラン系化合物を２．５重量％の濃度でテトラフルオロプ
ロパノールに溶解して、濾過した後、前記基板上にスピ
ンコート法により成膜した。色素塗布の後、色素層中の
溶媒を完全に蒸発させるために１００℃のオーブン中で
３０分間乾燥を行った。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 透明基板として、記録可能コンパクトディスク用に周期
的に蛇行したトラッキング溝を設けた直径１２０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板を用いた。有機
色素層は、前記構造式（Ａ−１１）で示されるベンゾピ
ラン系化合物を２．５重量％の濃度でテトラフルオロプ
ロパノールに溶解して、濾過した後、前記基板上にスピ
ンコート法により成膜した。色素塗布の後、色素層中の
溶媒を完全に蒸発させるために１００℃のオーブン中で
３０分間乾燥を行った。
【００２９】次いで、光吸収層の上に光反射層として、
平均厚さ１００ｎｍの金をＤＣマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
ＳＤ−３１８ (大日本インキ化学（株）製）をスピンコ
ート法により４μｍの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。得ら
れた記録可能コンパクトディスクについて、６３５ｎｍ
の半導体レーザーでＦＥＭ信号の記録及び初期特性評価
を行ったところビット長ジッターは良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度９０％
の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロックエ
ラーレートの変化を測定したところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
平均厚さ１００ｎｍの金をＤＣマグネトロンスパッタ法
により形成した。さらに、光反射層の上に紫外線硬化剤
ＳＤ−３１８ (大日本インキ化学（株）製）をスピンコ
ート法により４μｍの厚さで塗布し、紫外線照射装置で
紫外線を照射して硬化させて、保護層を形成した。得ら
れた記録可能コンパクトディスクについて、６３５ｎｍ
の半導体レーザーでＦＥＭ信号の記録及び初期特性評価
を行ったところビット長ジッターは良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度９０％
の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロックエ
ラーレートの変化を測定したところ、わずかなエラーの
増加が見られるだけであった。
【００３０】なお、本評価で使用したドライブは、基本
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを６３５ｎｍレーザーに変更
したものである。ＥＦＭ信号変調方式等は現行コンパク
トディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこの
変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパクト
ディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチをあ
げることにより、現行のコンパクトディスクの約半分の
ピッチ（０．８μｍ）、半分のマーク長でも良好な特性
が得られた。
的に現行のコンパクトディスク規格に基づいた評価可能
なドライブの光ヘッドのみを６３５ｎｍレーザーに変更
したものである。ＥＦＭ信号変調方式等は現行コンパク
トディスクと同様であり、ブロックエラーレートもこの
変調方式にのっとって評価した。さらに、本コンパクト
ディスクでは、クロック周波数及びトラックピッチをあ
げることにより、現行のコンパクトディスクの約半分の
ピッチ（０．８μｍ）、半分のマーク長でも良好な特性
が得られた。
【００３１】実施例２ 前記構造式（Ａ−１２）で示されるベンゾピラン系化合
物を２．４重量％の濃度でオクタフルオロペンタノール
に溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同
様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得
られたディスクについて、実施例１と同様に試験したと
ころ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記
録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であ
り、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例
１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加
が見られるだけであった。
物を２．４重量％の濃度でオクタフルオロペンタノール
に溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同
様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得
られたディスクについて、実施例１と同様に試験したと
ころ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記
録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であ
り、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例
１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加
が見られるだけであった。
【００３２】実施例３ 前記構造式（Ｂ−５）で示されるベンゾピラン系化合物
を２．６重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに
溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様
にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得ら
れたディスクについて、実施例１と同様に試験したとこ
ろ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録
及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、
良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と
同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見
られるだけであった。
を２．６重量％の濃度でオクタフルオロペンタノールに
溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様
にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得ら
れたディスクについて、実施例１と同様に試験したとこ
ろ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録
及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、
良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例１と
同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見
られるだけであった。
【００３３】実施例４ 前記構造式（Ｂ−１０）で示されるベンゾピラン系化合
物を１．２重量％の濃度で３−ヒドロキシ−３−メチル
−２−ブタノンに溶解して塗布液を調製したこと以外
は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディス
クを作製した。得られたディスクについて、実施例１と
同様に試験したところ、６３５ｎｍの半導体レーザー
で、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッ
ター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られ
た。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わず
かなエラーの増加が見られるだけであった。
物を１．２重量％の濃度で３−ヒドロキシ−３−メチル
−２−ブタノンに溶解して塗布液を調製したこと以外
は、実施例１と同様にして記録可能なコンパクトディス
クを作製した。得られたディスクについて、実施例１と
同様に試験したところ、６３５ｎｍの半導体レーザー
で、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価（ビット長ジッ
ター）は良好であり、良好なリム形状の記録部が得られ
た。また、実施例１と同様に試験を行ったところ、わず
かなエラーの増加が見られるだけであった。
【００３４】実施例５ 前記構造式（Ｃ−１０）で示されるベンゾピラン系化合
物を２．４重量％の濃度でテトラフルオロプロパノール
に溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同
様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得
られたディスクについて、実施例１と同様に試験したと
ころ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記
録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であ
り、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例
１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加
が見られるだけであった。
物を２．４重量％の濃度でテトラフルオロプロパノール
に溶解して塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同
様にして記録可能なコンパクトディスクを作製した。得
られたディスクについて、実施例１と同様に試験したと
ころ、６３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記
録及び初期特性評価（ビット長ジッター）は良好であ
り、良好なリム形状の記録部が得られた。また、実施例
１と同様に試験を行ったところ、わずかなエラーの増加
が見られるだけであった。
【００３５】実施例６ 前記構造式（Ｄ−３）で示されるベンゾピラン系化合物
を２．２重量％の濃度でジアセトンアルコールに溶解し
て塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして
記録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたデ
ィスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６
３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初
期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に
試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られる
だけであった。
を２．２重量％の濃度でジアセトンアルコールに溶解し
て塗布液を調製したこと以外は、実施例１と同様にして
記録可能なコンパクトディスクを作製した。得られたデ
ィスクについて、実施例１と同様に試験したところ、６
３５ｎｍの半導体レーザーで、ＥＦＭ信号の記録及び初
期特性評価（ビット長ジッター）は良好であり、良好な
リム形状の記録部が得られた。また、実施例１と同様に
試験を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られる
だけであった。
【００３６】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、リムがほとんど
ない良好微小記録部が形成され、ビット長ジッターが小
さく、高線速度短波長記録用光記録媒体として十分な記
録感度と記録特性を達成することができるため、非常に
有用であり、いわゆるＳＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒといわれる
規格に好適に用いることができる。
ない良好微小記録部が形成され、ビット長ジッターが小
さく、高線速度短波長記録用光記録媒体として十分な記
録感度と記録特性を達成することができるため、非常に
有用であり、いわゆるＳＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒといわれる
規格に好適に用いることができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に有機色素層を有する光学的記録
媒体において、該有機色素層が、下記一般式〔Ｉ〕で表
わされるベンゾピラン系化合物を含有することを特徴と
する波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光で記録再生す
るための短波長記録用光学的記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換されていてもよいアルキル
基、シクロアルキル基またはアリール基を示し、Ｒ1 と
Ｒ2 は窒素原子と一緒になって複素環を形成していても
よい。Ｘは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基または置換されていても
よいカルバモイル基、スルファモイル基もしくはカルボ
アルコキシ基を示し、Ｙは酸素原子、硫黄原子またはＮ
Ｒを示し、Ｒは水素原子、置換されていてもよい炭化水
素基、アシル基またはスルフォニル基を示す。環Ａは置
換されていてもよい芳香族炭素環または芳香族複素環を
示す。） - 【請求項２】 請求項１に記載されている光学的記録媒
体において、ベンゾピラン系化合物が下記一般式〔II〕
で表わされる化合物であることを特徴とする光学的記録
媒体。 【化２】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 はＣ1-12の直鎖状ないし分岐状のア
ルキル基を示し、Ｒ5 は酸素原子、硫黄原子、イミノ基
またはＮＲ8 を示し、Ｒ8 はＣ1-12の直鎖状ないし分岐
状のアルキル基、アシル基を示す。Ｒ6 、Ｒ7 は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基または置換されていてもよいカルバモイル
基、スルファモイル基もしくはカルボアルコキシ基を示
す。） - 【請求項３】 請求項１に記載されている光学的記録媒
体においてベンゾピラン系化合物が、下記一般式〔III
〕で表わされる化合物であることを特徴とする光学的
記録媒体。 【化３】 （式中、Ｒ9 、Ｒ10はＣ1-6 の直鎖状ないし分岐状の低
級アルキル基を示し、Ｒ 11は酸素原子、硫黄原子または
イミノ基を示す。） - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
学的記録媒体において、有機色素上に金属反射層および
保護層を設けたことを特徴とする光学的記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の光
学的記録媒体に波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光を
照射して記録部を形成させることを特徴とする情報記録
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006084A JPH09194748A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006084A JPH09194748A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194748A true JPH09194748A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11628687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006084A Pending JPH09194748A (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 光学的記録媒体及び情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09194748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP8006084A patent/JPH09194748A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
| US6355327B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-03-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051018 |