JPH09199038A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネル - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH09199038A JPH09199038A JP8027291A JP2729196A JPH09199038A JP H09199038 A JPH09199038 A JP H09199038A JP 8027291 A JP8027291 A JP 8027291A JP 2729196 A JP2729196 A JP 2729196A JP H09199038 A JPH09199038 A JP H09199038A
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Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおい
て、透明導電膜の変色を防止し、発光効率を向上させる
ことを目的としている。 【解決手段】 ＡＣ型プラズマディスプレイパネルであ
って、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、
一対の基板の内の表示面側の基板上に設けられた電極
と、電極を被覆する誘電体とを有し、電極は、表示面側
の基板上に形成された幅の狭いアルミニウム又はアルミ
ニウム合金からなる金属膜と、金属膜を被覆する幅の広
い透明導電膜とから構成されていることを特徴とする。
て、透明導電膜の変色を防止し、発光効率を向上させる
ことを目的としている。 【解決手段】 ＡＣ型プラズマディスプレイパネルであ
って、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、
一対の基板の内の表示面側の基板上に設けられた電極
と、電極を被覆する誘電体とを有し、電極は、表示面側
の基板上に形成された幅の狭いアルミニウム又はアルミ
ニウム合金からなる金属膜と、金属膜を被覆する幅の広
い透明導電膜とから構成されていることを特徴とする。
Description
【０００２】
【０００１】
【０００３】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネルに関する。
スプレイパネルに関する。
【０００４】
【０００２】
【０００５】
【従来の技術】近年、大型で且つ薄型のカラー表示装置
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。
【０００６】プラズマディスプレイパネルとしての面放
電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の一例を
図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネルにおい
て、表示面側となるガラス基板１には、対をなす電極
２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜厚で
形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２０〜
３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆してＭｇ
Ｏからなる保護層４が形成されている。
電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の一例を
図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネルにおい
て、表示面側となるガラス基板１には、対をなす電極
２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜厚で
形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２０〜
３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆してＭｇ
Ｏからなる保護層４が形成されている。
【０００７】サスティン電極２は、幅の広い透明導電膜
からなる透明電極２ａとその導電性を補う幅の狭い金属
膜からなる金属補助電極２ｂとから構成されている。
からなる透明電極２ａとその導電性を補う幅の狭い金属
膜からなる金属補助電極２ｂとから構成されている。
【０００８】一方、背面側のガラス基板５には、電極６
がアドレス電極として形成され、電極６を被覆して蛍光
体層７が形成されている。基板１の電極２と基板５の電
極６とが対向して互いに直交するように、基板１，５が
離間配置されて放電空間８が形成され、基板１，５が封
着された後の放電空間８の排気後に希ガスが封入され
る。このように、基板１の電極２と基板５の電極６の交
点を中心として画素セルが形成されるので、プラズマデ
ィスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画像の表示
が可能となる。
がアドレス電極として形成され、電極６を被覆して蛍光
体層７が形成されている。基板１の電極２と基板５の電
極６とが対向して互いに直交するように、基板１，５が
離間配置されて放電空間８が形成され、基板１，５が封
着された後の放電空間８の排気後に希ガスが封入され
る。このように、基板１の電極２と基板５の電極６の交
点を中心として画素セルが形成されるので、プラズマデ
ィスプレイパネルは複数の画素セルを有し、画像の表示
が可能となる。
【０００９】上述のＰＤＰの表示面側のガラス基板は以
下のように製造される。
下のように製造される。
【００１０】まず、ガラス基板１上にＳｎＯ2 （酸化
錫）やＩＴＯ（酸化インジウム）等からなる透明導電膜
を蒸着又はスパッタリングにより形成し、その上にフォ
トレジスト層を形成し、電極形成用マスクを介して露光
現像し、露光現像されたフォトレジスト層をマスクとし
て透明導電膜をエッチングする、いわゆるフォトリソ法
によって透明電極が形成される。
錫）やＩＴＯ（酸化インジウム）等からなる透明導電膜
を蒸着又はスパッタリングにより形成し、その上にフォ
トレジスト層を形成し、電極形成用マスクを介して露光
現像し、露光現像されたフォトレジスト層をマスクとし
て透明導電膜をエッチングする、いわゆるフォトリソ法
によって透明電極が形成される。
【００１１】次に、透明電極上にＡｌ，Ａｌ合金からな
る金属膜を蒸着又はスパッタリングにより形成し、同様
にフォトリソ法でパターンニングして、金属補助電極が
形成される。
る金属膜を蒸着又はスパッタリングにより形成し、同様
にフォトリソ法でパターンニングして、金属補助電極が
形成される。
【００１２】次に、透明電極及び金属補助電極からなる
サスティン電極を被覆するように、低融点ガラスペース
トを塗布し、焼成することにより、誘電体層が形成さ
れ、さらにその上にＭｇＯを蒸着することにより保護層
が形成される。
サスティン電極を被覆するように、低融点ガラスペース
トを塗布し、焼成することにより、誘電体層が形成さ
れ、さらにその上にＭｇＯを蒸着することにより保護層
が形成される。
【００１３】
【０００３】
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のように
透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金から
なる金属膜を形成する工程でアルカリ溶液によりフォト
レジストの現像又は剥離除去を行うと、透明導電膜が腐
食し、変色（黒化）してしまうという問題があった。こ
れは、透明導電膜−金属膜の積層膜がレジスト剥離液の
ようなアルカリ溶液に浸されると、透明導電膜／アルカ
リ溶液／金属膜からなる一種の局部電池系が形成され、
透明導電膜を構成するＩＴＯ，ＳｎＯ2 膜の還元反応が
生じることにより発生するものと考えられる。本発明は
上述の問題に鑑み、透明導電膜の変色を防止し、発光効
率を向上させることを目的としている。
透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金から
なる金属膜を形成する工程でアルカリ溶液によりフォト
レジストの現像又は剥離除去を行うと、透明導電膜が腐
食し、変色（黒化）してしまうという問題があった。こ
れは、透明導電膜−金属膜の積層膜がレジスト剥離液の
ようなアルカリ溶液に浸されると、透明導電膜／アルカ
リ溶液／金属膜からなる一種の局部電池系が形成され、
透明導電膜を構成するＩＴＯ，ＳｎＯ2 膜の還元反応が
生じることにより発生するものと考えられる。本発明は
上述の問題に鑑み、透明導電膜の変色を防止し、発光効
率を向上させることを目的としている。
【００１５】
【０００４】
【００１６】
【課題を解決するための手段】ＡＣ型プラズマディスプ
レイパネルであって、放電空間を介して対向配置された
一対の基板と、一対の基板の内の表示面側の基板上に設
けられた電極と、電極を被覆する誘電体層とを有し、電
極は、表示面側の基板上に形成された幅の狭いアルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる金属膜と、金属膜を
被覆する幅の広い透明導電膜とから構成されていること
を特徴とする。
レイパネルであって、放電空間を介して対向配置された
一対の基板と、一対の基板の内の表示面側の基板上に設
けられた電極と、電極を被覆する誘電体層とを有し、電
極は、表示面側の基板上に形成された幅の狭いアルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる金属膜と、金属膜を
被覆する幅の広い透明導電膜とから構成されていること
を特徴とする。
【００１７】
【０００５】
【００１８】
【作用】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで
は、表示面側の基板上に形成される電極を、金属膜を透
明導電膜で被覆して構成したので、金属膜形成時のアル
カリ溶液処理過程における透明導電膜、アルカリ溶液、
金属膜で構成される局部電池の発生がなく、透明導電膜
が変色する現象を防止でき、発光効率を向上することが
できる。
は、表示面側の基板上に形成される電極を、金属膜を透
明導電膜で被覆して構成したので、金属膜形成時のアル
カリ溶液処理過程における透明導電膜、アルカリ溶液、
金属膜で構成される局部電池の発生がなく、透明導電膜
が変色する現象を防止でき、発光効率を向上することが
できる。
【００１９】
【０００６】
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。
【００２１】図１は、３電極構造を採る面放電型交流型
プラズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セル
のうちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示
面となる透明な表示面側のガラス基板１と、背面側のガ
ラス基板５とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介し
て互いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラ
ス基板１と背面側のガラス基板５との間隙を保持するた
めに背面側のガラス基板５に隔壁（図示せず）が形成さ
れ、表示面側のガラス基板１と背面側のガラス基板５と
の間に放電空間８が形成される。
プラズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セル
のうちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示
面となる透明な表示面側のガラス基板１と、背面側のガ
ラス基板５とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介し
て互いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラ
ス基板１と背面側のガラス基板５との間隙を保持するた
めに背面側のガラス基板５に隔壁（図示せず）が形成さ
れ、表示面側のガラス基板１と背面側のガラス基板５と
の間に放電空間８が形成される。
【００２２】
【０００７】表示面側のガラス基板１には、背面側のガ
ラス基板５と対向する面に、対をなすサスティン電極
２，２が形成されている。サスティン電極２は、例えば
アルミニウム（Ａｌ）などからなる幅の狭い金属膜（金
属補助電極）２ｂと、この金属膜２ｂを覆うように、例
えばＩＴＯや酸化錫（ＳｎＯ2 ）などの蒸着によりおよ
そ数千オングストロームの膜厚で形成された透明導電膜
（透明電極）２ａとから構成されている。
ラス基板５と対向する面に、対をなすサスティン電極
２，２が形成されている。サスティン電極２は、例えば
アルミニウム（Ａｌ）などからなる幅の狭い金属膜（金
属補助電極）２ｂと、この金属膜２ｂを覆うように、例
えばＩＴＯや酸化錫（ＳｎＯ2 ）などの蒸着によりおよ
そ数千オングストロームの膜厚で形成された透明導電膜
（透明電極）２ａとから構成されている。
【００２３】このようにして形成されたサスティン電極
対２，２を被覆するように誘電体層３が２０〜５０μｍ
の膜厚で形成され、誘電体層３の上に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）からなる保護層４がおよそ数百オングストロ
ームの膜厚で積層形成されている。
対２，２を被覆するように誘電体層３が２０〜５０μｍ
の膜厚で形成され、誘電体層３の上に酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）からなる保護層４がおよそ数百オングストロ
ームの膜厚で積層形成されている。
【００２４】
【０００８】上記誘電体層３は、軟化点が６５０℃以下
であり且つ誘電率が１０〜１２程度の酸化鉛を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラス又は、軟化点が６５０℃以下で
あり且つ比誘電率が８以下の酸化ナトリウム（Ｎａ
2 Ｏ）を含むアルカリ系の低融点ガラスを塗布し、５０
０〜６００℃で焼成することにより形成される。
であり且つ誘電率が１０〜１２程度の酸化鉛を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラス又は、軟化点が６５０℃以下で
あり且つ比誘電率が８以下の酸化ナトリウム（Ｎａ
2 Ｏ）を含むアルカリ系の低融点ガラスを塗布し、５０
０〜６００℃で焼成することにより形成される。
【００２５】尚、誘電体層３として、アルカリ系の低融
点ガラスを用いる場合、誘電体層３と透明導電膜２ａと
の間に例えば非アルカリ系の低融点ガラスなどからなる
電極保護層を設けることが好ましい。これにより、アル
カリ系ガラスに含まれるナトリウムによる透明導電膜２
ａの腐食、変色が抑制されることになる。
点ガラスを用いる場合、誘電体層３と透明導電膜２ａと
の間に例えば非アルカリ系の低融点ガラスなどからなる
電極保護層を設けることが好ましい。これにより、アル
カリ系ガラスに含まれるナトリウムによる透明導電膜２
ａの腐食、変色が抑制されることになる。
【００２６】
【０００９】一方、背面側のガラス基板５では、表示面
側のガラス基板１と対向する面に、アドレス電極６が形
成されている。このアドレス電極６は、例えばＡｌやＡ
ｌ合金からなり、サスティン電極２と対向しながらサス
ティン電極２の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍ
の膜厚で伸長して形成されている。また、アドレス電極
６はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成さ
れているので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおい
て、８０％以上の反射率を有している。
側のガラス基板１と対向する面に、アドレス電極６が形
成されている。このアドレス電極６は、例えばＡｌやＡ
ｌ合金からなり、サスティン電極２と対向しながらサス
ティン電極２の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍ
の膜厚で伸長して形成されている。また、アドレス電極
６はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成さ
れているので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおい
て、８０％以上の反射率を有している。
【００２７】
【００１０】さらに、背面側のガラス基板５のアドレス
電極６を覆うように蛍光体層７が形成される。上記プラ
ズマディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合
は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂ
の蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光体層として形
成される。
電極６を覆うように蛍光体層７が形成される。上記プラ
ズマディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合
は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂ
の蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光体層として形
成される。
【００２８】このようにして、サスティン電極対２，２
とアドレス電極６との交点を中心とする発光領域の１つ
が放電空間８に形成されて画素セルが構成される。そし
て、プラズマディスプレイパネルのカラー表示を行う場
合、各画素セルが蛍光体の３色のうちの対応する色に発
光する。
とアドレス電極６との交点を中心とする発光領域の１つ
が放電空間８に形成されて画素セルが構成される。そし
て、プラズマディスプレイパネルのカラー表示を行う場
合、各画素セルが蛍光体の３色のうちの対応する色に発
光する。
【００２９】
【００１１】上述の如く、サスティン電極対２，２及び
アドレス電極６がそれぞれ形成された表示面側のガラス
基板１及び背面側のガラス基板５は封着されて放電空間
８の排気が行われ、さらにベーキングにより保護層４
（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次に、放電空間８
に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１〜１０％含
む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ封入され
る。
アドレス電極６がそれぞれ形成された表示面側のガラス
基板１及び背面側のガラス基板５は封着されて放電空間
８の排気が行われ、さらにベーキングにより保護層４
（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次に、放電空間８
に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１〜１０％含
む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ封入され
る。
【００３０】
【００１２】上述の如く形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、サスティン電極対２，２には画素セ
ルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス
電圧が印加され、アドレス電極６には各画素セルの画像
データパルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、
維持及び消去が行われる。
イパネルにおいて、サスティン電極対２，２には画素セ
ルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス
電圧が印加され、アドレス電極６には各画素セルの画像
データパルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、
維持及び消去が行われる。
【００３１】
【００１３】次に、図２により表示面側のガラス基板１
の側の基板の製造方法について説明する。図２（ａ）で
は、ガラス基板２０３上に金属膜２０７をＡｌ等の蒸着
により形成した上に、フォトレジスト（ポジ型）を塗布
し、フォトリソ法に従って金属補助電極パターン形成用
マスク２０５ａを介してフォトレジスト層２０１を露光
し現像する。現像されると露光された部分が除去され、
現像されたフォトレジスト層をマスクとして金属膜にエ
ッチング処理を行う。その後、フォトレジスト層を除去
し図２（ｂ）のように金属膜からなる金属補助電極２０
８が得られる。図２（ｃ）では、図２（ｂ）の上に、透
明導電膜２０２を蒸着し、フォトレジスト層２０６を塗
布した上に透明電極パターン形成用マスク２０５ｂを介
して前述したと同様にフォトリソ法により処理し、図２
（ｄ）のように金属補助電極を覆うように透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。
の側の基板の製造方法について説明する。図２（ａ）で
は、ガラス基板２０３上に金属膜２０７をＡｌ等の蒸着
により形成した上に、フォトレジスト（ポジ型）を塗布
し、フォトリソ法に従って金属補助電極パターン形成用
マスク２０５ａを介してフォトレジスト層２０１を露光
し現像する。現像されると露光された部分が除去され、
現像されたフォトレジスト層をマスクとして金属膜にエ
ッチング処理を行う。その後、フォトレジスト層を除去
し図２（ｂ）のように金属膜からなる金属補助電極２０
８が得られる。図２（ｃ）では、図２（ｂ）の上に、透
明導電膜２０２を蒸着し、フォトレジスト層２０６を塗
布した上に透明電極パターン形成用マスク２０５ｂを介
して前述したと同様にフォトリソ法により処理し、図２
（ｄ）のように金属補助電極を覆うように透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。
【００３２】図２（ｅ）では、図２（ｄ）で得られた基
板の上に誘電体層２１０が低融点ガラスペーストを塗布
した後焼成することにより形成される。
板の上に誘電体層２１０が低融点ガラスペーストを塗布
した後焼成することにより形成される。
【００３３】図２（ｆ）では、図２（ｅ）で得られた誘
電体層２１０の上に保護層２０９がＭｇＯ層の蒸着によ
り形成される。
電体層２１０の上に保護層２０９がＭｇＯ層の蒸着によ
り形成される。
【００３４】
【００１４】なお、上記発明の実施の形態は、表示面側
の基板にサスティン電極を設け、且つ背面基板にアドレ
ス電極及び蛍光体層を設けた反射型と呼称されるＡＣ型
ＰＤＰについて説明した。しかしながら、本発明は、上
記構成に限らず、表示面側の基板に設けられた電極が誘
電体で覆われている全ての表示素子に適用でき、上記発
明の実施の形態と同様な効果を奏ずるものである。
の基板にサスティン電極を設け、且つ背面基板にアドレ
ス電極及び蛍光体層を設けた反射型と呼称されるＡＣ型
ＰＤＰについて説明した。しかしながら、本発明は、上
記構成に限らず、表示面側の基板に設けられた電極が誘
電体で覆われている全ての表示素子に適用でき、上記発
明の実施の形態と同様な効果を奏ずるものである。
【００３５】
【００１５】
【００３６】
【発明の効果】本発明によるＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルは、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る金属膜を透明導電膜で被覆することにより、透明導電
膜の形成過程で局部電池系が形成されないので透明導電
膜の還元反応が生じない。従って、透明導電膜の黒化現
象を防止でき、発光効率を向上することができる。
イパネルは、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る金属膜を透明導電膜で被覆することにより、透明導電
膜の形成過程で局部電池系が形成されないので透明導電
膜の還元反応が生じない。従って、透明導電膜の黒化現
象を防止でき、発光効率を向上することができる。
【００３７】又、金属膜と透明導電膜の選択エッチング
性を考慮することなく、金属膜及びそのエッチング液を
選択できるので、製造工程の自由度が増える。
性を考慮することなく、金属膜及びそのエッチング液を
選択できるので、製造工程の自由度が増える。
【図１】本発明の実施の形態によるＡＣ型ＰＤＰの構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態によるＡＣ型ＰＤＰの製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図３】従来のＡＣ型ＰＤＰの構造を示す図である。
１ ・・・・・ 表示面側のガラス基板 ２ ・・・・・ サスティン電極 ２ａ ・・・・・ 透明導電膜 ２ｂ ・・・・・ 金属膜 ３ ・・・・・ 誘電体層 ４ ・・・・・ 保護層 ５ ・・・・・ 背面側のガラス基板 ６ ・・・・・ アドレス電極 ７ ・・・・・ 蛍光体層 ８ ・・・・・ 放電空間 ２０１ ・・・・・ フォトレジスト層 ２０２ ・・・・・ 透明導電膜 ２０３ ・・・・・ ガラス基板 ２０４ ・・・・・ 透明電極 ２０５ ・・・・・ マスク ２０６ ・・・・・ フォトレジスト層 ２０７ ・・・・・ 金属膜 ２０８ ・・・・・ 金属補助電極 ２０９ ・・・・・ 保護層 ２１０ ・・・・・ 誘電体層
【手続補正書】
【提出日】平成８年１２月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネルに関する。
スプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大型で且つ薄型のカラー表示装置
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。プラズマディスプレイパネルとして
の面放電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の
一例を図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネル
において、表示面側となるガラス基板１には、対をなす
電極２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜
厚で形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２
０〜３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆して
ＭｇＯからなる保護層４が形成されている。サスティン
電極２は、幅の広い透明導電膜からなる透明電極２ａと
その導電性を補う幅の狭い金属膜からなる金属補助電極
２ｂとから構成されている。一方、背面側のガラス基板
５には、電極６がアドレス電極として形成され、電極６
を被覆して蛍光体層７が形成されている。基板１の電極
２と基板５の電極６とが対向して互いに直交するよう
に、基板１，５が離間配置されて放電空間８が形成さ
れ、基板１，５が封着された後の放電空間８の排気後に
希ガスが封入される。このように、基板１の電極２と基
板５の電極６の交点を中心として画素セルが形成される
ので、プラズマディスプレイパネルは複数の画素セルを
有し、画像の表示が可能となる。上述のＰＤＰの表示面
側のガラス基板は以下のように製造される。まず、ガラ
ス基板１上にＳｎＯ２（酸化錫）やＩＴＯ（酸化インジ
ウム）等からなる透明導電膜を蒸着又はスパッタリング
により形成し、その上にフォトレジスト層を形成し、電
極形成用マスクを介して露光現像し、露光現像されたフ
ォトレジスト層をマスクとして透明導電膜をエッチング
する、いわゆるフォトリソ法によって透明電極が形成さ
れる。次に、透明電極上にＡｌ，Ａｌ合金からなる金属
膜を蒸着又はスパッタリングにより形成し、同様にフォ
トリソ法でパターンニングして、金属補助電極が形成さ
れる。次に、透明電極及び金属補助電極からなるサステ
ィン電極を被覆するように、低融点ガラスペーストを塗
布し、焼成することにより、誘電体層が形成され、さら
にその上にＭｇＯを蒸着することにより保護層が形成さ
れる。
としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実用化
が期待されている。プラズマディスプレイパネルとして
の面放電型交流型プラズマディスプレイパネルの構造の
一例を図３に示す。図３のプラズマディスプレイパネル
において、表示面側となるガラス基板１には、対をなす
電極２、２の複数がサスティン電極として数百ｎｍの膜
厚で形成され、さらに電極２を被覆して誘電体層３が２
０〜３０μｍの膜厚で形成され、誘電体層３を被覆して
ＭｇＯからなる保護層４が形成されている。サスティン
電極２は、幅の広い透明導電膜からなる透明電極２ａと
その導電性を補う幅の狭い金属膜からなる金属補助電極
２ｂとから構成されている。一方、背面側のガラス基板
５には、電極６がアドレス電極として形成され、電極６
を被覆して蛍光体層７が形成されている。基板１の電極
２と基板５の電極６とが対向して互いに直交するよう
に、基板１，５が離間配置されて放電空間８が形成さ
れ、基板１，５が封着された後の放電空間８の排気後に
希ガスが封入される。このように、基板１の電極２と基
板５の電極６の交点を中心として画素セルが形成される
ので、プラズマディスプレイパネルは複数の画素セルを
有し、画像の表示が可能となる。上述のＰＤＰの表示面
側のガラス基板は以下のように製造される。まず、ガラ
ス基板１上にＳｎＯ２（酸化錫）やＩＴＯ（酸化インジ
ウム）等からなる透明導電膜を蒸着又はスパッタリング
により形成し、その上にフォトレジスト層を形成し、電
極形成用マスクを介して露光現像し、露光現像されたフ
ォトレジスト層をマスクとして透明導電膜をエッチング
する、いわゆるフォトリソ法によって透明電極が形成さ
れる。次に、透明電極上にＡｌ，Ａｌ合金からなる金属
膜を蒸着又はスパッタリングにより形成し、同様にフォ
トリソ法でパターンニングして、金属補助電極が形成さ
れる。次に、透明電極及び金属補助電極からなるサステ
ィン電極を被覆するように、低融点ガラスペーストを塗
布し、焼成することにより、誘電体層が形成され、さら
にその上にＭｇＯを蒸着することにより保護層が形成さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のように
透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金から
なる金属膜を形成する工程でアルカリ溶液によりフォト
レジストの現像又は剥離除去を行うと、透明導電膜が腐
食し、変色（黒化）してしまうという問題があった。こ
れは、透明導電膜−金属膜の積層膜がレジスト剥離液の
ようなアルカリ溶液に浸されると、透明導電膜／アルカ
リ溶液／金属膜からなる一種の局部電池系が形成され、
透明導電膜を構成するＩＴＯ，ＳｎＯ２膜の還元反応が
生じることにより発生するものと考えられる。本発明は
上述の問題に鑑み、透明導電膜の変色を防止し、発光効
率を向上させることを目的としている。
透明導電膜上にアルミニウム又はアルミニウム合金から
なる金属膜を形成する工程でアルカリ溶液によりフォト
レジストの現像又は剥離除去を行うと、透明導電膜が腐
食し、変色（黒化）してしまうという問題があった。こ
れは、透明導電膜−金属膜の積層膜がレジスト剥離液の
ようなアルカリ溶液に浸されると、透明導電膜／アルカ
リ溶液／金属膜からなる一種の局部電池系が形成され、
透明導電膜を構成するＩＴＯ，ＳｎＯ２膜の還元反応が
生じることにより発生するものと考えられる。本発明は
上述の問題に鑑み、透明導電膜の変色を防止し、発光効
率を向上させることを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ＡＣ型プラズマディスプ
レイパネルであって、放電空間を介して対向配置された
一対の基板と、一対の基板の内の表示面側の基板上に設
けられた電極と、電極を被覆する誘電体層とを有し、電
極は、表示面側の基板上に形成された幅の狭いアルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる金属膜と、金属膜を
被覆する幅の広い透明導電膜とから構成されていること
を特徴とする。
レイパネルであって、放電空間を介して対向配置された
一対の基板と、一対の基板の内の表示面側の基板上に設
けられた電極と、電極を被覆する誘電体層とを有し、電
極は、表示面側の基板上に形成された幅の狭いアルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる金属膜と、金属膜を
被覆する幅の広い透明導電膜とから構成されていること
を特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明のＡＣ型プラズマディスプレイパネルで
は、表示面側の基板上に形成される電極を、金属膜を透
明導電膜で被覆して構成したので、金属膜形成時のアル
カリ溶液処理過程における透明導電膜、アルカリ溶液、
金属膜で構成される局部電池の発生がなく、透明導電膜
が変色する現象を防止でき、発光効率を向上することが
できる。
は、表示面側の基板上に形成される電極を、金属膜を透
明導電膜で被覆して構成したので、金属膜形成時のアル
カリ溶液処理過程における透明導電膜、アルカリ溶液、
金属膜で構成される局部電池の発生がなく、透明導電膜
が変色する現象を防止でき、発光効率を向上することが
できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明によるプラズマディスプレ
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。図１は、３電極構造を採る面放電型交流型プラ
ズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セルのう
ちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示面と
なる透明な表示面側のガラス基板１と、背面側のガラス
基板５とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介して互
いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラス基
板１と背面側のガラス基板５との間隙を保持するために
背面側のガラス基板５に隔壁（図示せず）が形成され、
表示面側のガラス基板１と背面側のガラス基板５との間
に放電空間８が形成される。
イパネルの実施の形態を図１及び図２を参照しながら説
明する。図１は、３電極構造を採る面放電型交流型プラ
ズマディスプレイパネルを構成する複数の画素セルのう
ちの１つの断面構造を示す。この画素セルは、表示面と
なる透明な表示面側のガラス基板１と、背面側のガラス
基板５とが例えば１００〜２００μｍの間隙を介して互
いに平行に対向している。さらに、表示面側のガラス基
板１と背面側のガラス基板５との間隙を保持するために
背面側のガラス基板５に隔壁（図示せず）が形成され、
表示面側のガラス基板１と背面側のガラス基板５との間
に放電空間８が形成される。
【０００７】表示面側のガラス基板１には、背面側のガ
ラス基板５と対向する面に、対をなすサスティン電極
２，２が形成されている。サスティン電極２は、例えば
アルミニウム（Ａｌ）などからなる幅の狭い金属膜（金
属補助電極）２ｂと、この金属膜２ｂを覆うように、例
えばＩＴＯや酸化錫（ＳｎＯ２）などの蒸着によりおよ
そ数千オングストロームの膜厚で形成された透明導電膜
（透明電極）２ａとから構成されている。このようにし
て形成されたサスティン電極対２，２を被覆するように
誘電体層３が２０〜５０μｍの膜厚で形成され、誘電体
層３の上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層
４がおよそ数百オングストロームの膜厚で積層形成され
ている。
ラス基板５と対向する面に、対をなすサスティン電極
２，２が形成されている。サスティン電極２は、例えば
アルミニウム（Ａｌ）などからなる幅の狭い金属膜（金
属補助電極）２ｂと、この金属膜２ｂを覆うように、例
えばＩＴＯや酸化錫（ＳｎＯ２）などの蒸着によりおよ
そ数千オングストロームの膜厚で形成された透明導電膜
（透明電極）２ａとから構成されている。このようにし
て形成されたサスティン電極対２，２を被覆するように
誘電体層３が２０〜５０μｍの膜厚で形成され、誘電体
層３の上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層
４がおよそ数百オングストロームの膜厚で積層形成され
ている。
【０００８】上記誘電体層３は、軟化点が６５０℃以下
であり且つ誘電率が１０〜１２程度の酸化鉛を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラス又は、軟化点が６５０℃以下で
あり且つ比誘電率が８以下の酸化ナトリウム（Ｎａ
２Ｏ）を含むアルカリ系の低融点ガラスを塗布し、５０
０〜６００℃で焼成することにより形成される。尚、誘
電体層３として、アルカリ系の低融点ガラスを用いる場
合、誘電体層３と透明導電膜２ａとの間に例えば非アル
カリ系の低融点ガラスなどからなる電極保護層を設ける
ことが好ましい。これにより、アルカリ系ガラスに含ま
れるナトリウムによる透明導電膜２ａの腐食、変色が抑
制されることになる。
であり且つ誘電率が１０〜１２程度の酸化鉛を含む非ア
ルカリ系の低融点ガラス又は、軟化点が６５０℃以下で
あり且つ比誘電率が８以下の酸化ナトリウム（Ｎａ
２Ｏ）を含むアルカリ系の低融点ガラスを塗布し、５０
０〜６００℃で焼成することにより形成される。尚、誘
電体層３として、アルカリ系の低融点ガラスを用いる場
合、誘電体層３と透明導電膜２ａとの間に例えば非アル
カリ系の低融点ガラスなどからなる電極保護層を設ける
ことが好ましい。これにより、アルカリ系ガラスに含ま
れるナトリウムによる透明導電膜２ａの腐食、変色が抑
制されることになる。
【０００９】一方、背面側のガラス基板５では、表示面
側のガラス基板１と対向する面に、アドレス電極６が形
成されている。このアドレス電極６は、例えばＡｌやＡ
ｌ合金からなり、サスティン電極２と対向しながらサス
ティン電極２の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍ
の膜厚で伸長して形成されている。また、アドレス電極
６はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成さ
れているので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおい
て、８０％以上の反射率を有している。
側のガラス基板１と対向する面に、アドレス電極６が形
成されている。このアドレス電極６は、例えばＡｌやＡ
ｌ合金からなり、サスティン電極２と対向しながらサス
ティン電極２の伸長方向と直交する方向におよそ１μｍ
の膜厚で伸長して形成されている。また、アドレス電極
６はＡｌやＡｌ合金などの反射率の高い金属にて形成さ
れているので、波長帯域：３８０〜６５０ｎｍにおい
て、８０％以上の反射率を有している。
【００１０】さらに、背面側のガラス基板５のアドレス
電極６を覆うように蛍光体層７が形成される。上記プラ
ズマディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合
は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂ
の蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光体層として形
成される。このようにして、サスティン電極対２，２と
アドレス電極６との交点を中心とする発光領域の１つが
放電空間８に形成されて画素セルが構成される。そし
て、プラズマディスプレイパネルのカラー表示を行う場
合、各画素セルが蛍光体の３色のうちの対応する色に発
光する。
電極６を覆うように蛍光体層７が形成される。上記プラ
ズマディスプレイパネルにおいてカラー表示を行う場合
は、例えばアドレス電極毎に３色、すなわちＲ，Ｇ，Ｂ
の蛍光体のうちの１つが順に対応して蛍光体層として形
成される。このようにして、サスティン電極対２，２と
アドレス電極６との交点を中心とする発光領域の１つが
放電空間８に形成されて画素セルが構成される。そし
て、プラズマディスプレイパネルのカラー表示を行う場
合、各画素セルが蛍光体の３色のうちの対応する色に発
光する。
【００１１】上述の如く、サスティン電極対２，２及び
アドレス電極６がそれぞれ形成された表示面側のガラス
基板１及び背面側のガラス基板５は封着されて放電空間
８の排気が行われ、さらにベーキングにより保護層４
（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次に、放電空間８
に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１〜１０％含
む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ封入され
る。
アドレス電極６がそれぞれ形成された表示面側のガラス
基板１及び背面側のガラス基板５は封着されて放電空間
８の排気が行われ、さらにベーキングにより保護層４
（ＭｇＯ層）の表面が活性化される。次に、放電空間８
に希ガスとして例えばキセノン（Ｘｅ）を１〜１０％含
む不活性混合ガスが２００〜６００ｔｏｒｒ封入され
る。
【００１２】上述の如く形成されたプラズマディスプレ
イパネルにおいて、サスティン電極対２，２には画素セ
ルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス
電圧が印加され、アドレス電極６には各画素セルの画像
データパルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、
維持及び消去が行われる。
イパネルにおいて、サスティン電極対２，２には画素セ
ルの発光開始、発光維持及び消去を駆動制御するパルス
電圧が印加され、アドレス電極６には各画素セルの画像
データパルスが印加されて、各画素セルの発光の開始、
維持及び消去が行われる。
【００１３】次に、図２により表示面側のガラス基板１
の側の基板の製追方法について説明する。図２（ａ）で
は、ガラス基板２０３上に金属膜２０７をＡｌ等の蒸着
により形成した上に、フォトレジスト（ポジ型）を塗布
し、フォトリソ法に従って金属補助電極パターン形成用
マスク２０５ａを介してフォトレジスト層２０１を露光
し現像する。現像されると露光された部分が除去され、
現像されたフォトレジスト層をマスクとして金属膜にエ
ッチング処理を行う。その後、フォトレジスト層を除去
し図２（ｂ）のように金属膜からなる金属補助電極２０
８が得られる。図２（ｃ）では、図２（ｂ）の上に、透
明導電膜２０２を蒸着し、フォトレジスト層２０６を塗
布した上に透明電極パターン形成用マスク２０５ｂを介
して前述したと同様にフォトリソ法により処理し、図２
（ｄ）のように金属補助電極を覆うように透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。図２（ｅ）では、
図２（ｄ）で得られた基板の上に誘電体層２１０が低融
点ガラスペーストを塗布した後焼成することにより形成
される。図２（ｆ）では、図２（ｅ）で得られた誘電体
層２１０の上に保護層２０９がＭｇＯ層の蒸着により形
成される。
の側の基板の製追方法について説明する。図２（ａ）で
は、ガラス基板２０３上に金属膜２０７をＡｌ等の蒸着
により形成した上に、フォトレジスト（ポジ型）を塗布
し、フォトリソ法に従って金属補助電極パターン形成用
マスク２０５ａを介してフォトレジスト層２０１を露光
し現像する。現像されると露光された部分が除去され、
現像されたフォトレジスト層をマスクとして金属膜にエ
ッチング処理を行う。その後、フォトレジスト層を除去
し図２（ｂ）のように金属膜からなる金属補助電極２０
８が得られる。図２（ｃ）では、図２（ｂ）の上に、透
明導電膜２０２を蒸着し、フォトレジスト層２０６を塗
布した上に透明電極パターン形成用マスク２０５ｂを介
して前述したと同様にフォトリソ法により処理し、図２
（ｄ）のように金属補助電極を覆うように透明導電膜か
らなる透明電極２０４が形成される。図２（ｅ）では、
図２（ｄ）で得られた基板の上に誘電体層２１０が低融
点ガラスペーストを塗布した後焼成することにより形成
される。図２（ｆ）では、図２（ｅ）で得られた誘電体
層２１０の上に保護層２０９がＭｇＯ層の蒸着により形
成される。
【００１４】なお、上記発明の実施の形態は、表示面側
の基板にサスティン電極を設け、且つ背面基板にアドレ
ス電極及び蛍光体層を設けた反射型と呼称されるＡＣ型
ＰＤＰについて説明した。しかしながら、本発明は、上
記構成に限らず、表示面側の基板に設けられた電極が誘
電体で覆われている全ての表示素子に適用でき、上記発
明の実施の形態と同様な効果を奏ずるものである。
の基板にサスティン電極を設け、且つ背面基板にアドレ
ス電極及び蛍光体層を設けた反射型と呼称されるＡＣ型
ＰＤＰについて説明した。しかしながら、本発明は、上
記構成に限らず、表示面側の基板に設けられた電極が誘
電体で覆われている全ての表示素子に適用でき、上記発
明の実施の形態と同様な効果を奏ずるものである。
【００１５】
【発明の効果】本発明によるＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルは、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る金属膜を透明導電膜で被覆することにより、透明導電
膜の形成過程で局部電池系が形成されないので透明導電
膜の還元反応が生じない。従って、透明導電膜の黒化現
象を防止でき、発光効率を向上することができる。又、
金属膜と透明導電膜の選択エッチング性を考慮すること
なく、金属膜及びそのエッチング液を選択できるので、
製造工程の自由度が増える。
イパネルは、アルミニウム又はアルミニウム合金からな
る金属膜を透明導電膜で被覆することにより、透明導電
膜の形成過程で局部電池系が形成されないので透明導電
膜の還元反応が生じない。従って、透明導電膜の黒化現
象を防止でき、発光効率を向上することができる。又、
金属膜と透明導電膜の選択エッチング性を考慮すること
なく、金属膜及びそのエッチング液を選択できるので、
製造工程の自由度が増える。
Claims (1)
- 【請求項１】 放電空間を介して対向配置された一対の
基板と、前記一対の基板の内の表示面側の基板上に設け
られた電極と、前記電極を被覆する誘電体層とを有した
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルであって、前記電極
は、前記表示面側の基板上に形成された幅の狭いアルミ
ニウム又はアルミニウム合金からなる金属膜と、 前記金属膜を被覆する幅の広い透明導電膜とから構成さ
れていることを特徴とするＡＣ型プラズマディスプレイ
パネル。 【０００１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027291A JPH09199038A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027291A JPH09199038A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199038A true JPH09199038A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12216985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027291A Pending JPH09199038A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199038A (ja) |
-
1996
- 1996-01-22 JP JP8027291A patent/JPH09199038A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040420 |