JPH09231336A

JPH09231336A - カード型回路モジュール

Info

Publication number: JPH09231336A
Application number: JP8177665A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kitahara; 孝志北原; Tadayoshi Shimanuki; 忠好島貫
Original assignee: PFU Ltd
Current assignee: PFU Ltd
Priority date: 1995-12-20
Filing date: 1996-07-08
Publication date: 1997-09-05
Anticipated expiration: 2016-07-08
Also published as: JP3289263B2

Abstract

(57)【要約】【課題】カード型回路モジュールに関し、放熱性能を向
上させることを目的とする。【解決手段】硬質カバー１０を備えたケース１内に実装
基板１１を収納してなるカード型回路モジュールであっ
て、前記硬質カバー１０の裏面には、実装基板１１上の
発熱素子１２による発熱を拡散する高熱伝導層２を形成
して構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣメモリカードをはじめと
するカード型回路モジュールは、その携帯性、増設作業
の容易性等が着目されてメモリカード以外の用途に使用
されるに到っているが、この場合、カード型回路モジュ
ールの消費電力量が増加するために、効率的な冷却手段
が求められる。

【０００２】なお、本明細書においてカード型回路モジ
ュールとは、米国ＰＣＭＣＩＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＣ
ｏｍｐｕｔｅｒＭｅｍｏｒｙＣａｒｄＩｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）あるいは
ＪＥＩＤＡ（日本電子工業振興協会）の標準仕様に準拠
するクレジット・カード・サイズのＩＣカード、および
これに類似するコンパクトサイズのカード状電子部品
（ＰＣカード）を始めとして、回路素子を実装した実装
基板を硬質カバー、あるいはフレーム等の外郭構成部材
により密閉し、コネクタ等を介して他の回路モジュール
に接続して使用する回路モジュールをいい、プリント基
板等の実装基板上に回路素子を実装した外気開放型の回
路モジュールを含まない。

【０００３】

【従来の技術】従来カード型回路モジュールは、図１７
に示すように、半導体素子（発熱素子１２）を実装した
実装基板１１を硬質のカバー１０によって覆って形成さ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方、カード型回路モ
ジュール、特にＰＣカードは一般にポケットや鞄に入れ
て持ち運ばれることが多く、さらに装置本体への挿抜作
業は、カード型回路モジュールを指で挟んで行われるた
めに、所定の強度が要求され、このため、硬質カバー１
０には、通常ステンレス材等が多用される。

【０００５】しかし、ステンレスをはじめとする硬質カ
バー１０の素材は、一般的に熱伝導性が低いために放熱
効果が低いという欠点を有する。本発明は、以上の欠点
を解消すべくなされたもので、放熱性能に優れたカード
型回路モジュールを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば上記目的
は、硬質カバー１０を備えたケース１内に実装基板１１
を収納してなるカード型回路モジュールであって、前記
硬質カバー１０の裏面には、実装基板１１上の発熱素子
１２による発熱を拡散する高熱伝導層２が形成されるカ
ード型回路モジュールを提供することにより達成され
る。

【０００７】ここで、「高熱伝導」とは熱伝導率が少な
くともステンレス鋼等の硬質カバー１０の素材よりも高
く、望ましくは、銅、あるいはアルミニウム等と同等で
あることをいうもので、高熱伝導層２の形成は、請求項
３記載のように、硬質カバー１０の裏面に箔を接着した
り、あるいは請求項４記載のように、高熱伝導材料薄膜
層を成膜することにより形成可能である。

【０００８】ここで、「成膜」とは、予め別体で形成さ
れた膜を接着等の手段により貼着することに対応する概
念で、硬質カバー１０の裏面に上記材料を溶射、転写、
蒸着、あるいはメッキすることにより薄膜層を形成する
ことを指し、膜材料には、銅等が使用可能である。成膜
により形成された高熱伝導層２は、硬質カバー１０との
密着性が接着による場合に比して良好なために、硬質カ
バー１０への熱伝導性を向上させることができる上に、
硬質カバー１０の製造効率をも向上させることができ
る。

【０００９】なお、箔としては、アルミニウム箔、ある
いは銅箔が使用可能であり、箔の厚さを１２μｍ〜３５
μｍ程度とした場合には、硬質カバー１０への密着性が
向上する。

【００１０】したがって本発明において、発熱素子１２
からの発熱は、先ず硬質カバー１０裏面の高熱伝導層２
に伝熱される。高熱伝導層２に伝熱した熱は、速やかに
高熱伝導層２全体に広がった後、硬質カバー１０全体に
拡散され、硬質カバー１０表面から放熱される。

【００１１】この結果、熱伝導性が悪いために、発熱素
子１２に対応する部位のみがスポット的に温度上昇し、
該スポット部のみから放熱される従来例に比して、飛躍
的な放熱性能の向上が図られる。

【００１２】また、請求項２記載の発明のように、硬質
カバー１０の表面にも高熱伝導層２を形成する場合に
は、より熱吸収容量が向上するために、放熱効果が向上
する。さらに、請求項５記載の発明のように、高熱伝導
層２の表面に酸化防止膜２’を形成した場合には、高熱
伝導層２の酸化による熱伝導性の低下を防止することが
できる。この場合、請求項６記載の発明のように、硬質
カバー１０の表面に銅メッキをして高熱伝導層２を形成
し、さらに、その上にニッケルメッキをして酸化防止膜
２’とした場合には、製造効率を飛躍的に向上させるこ
とが可能になる上に、ニッケルメッキ層は伝熱性に優れ
ているために、高熱伝導層２との界面における熱抵抗を
減少させることが可能になる。

【００１３】また、請求項７記載の発明のように、高熱
伝導層２の表面を絶縁膜３で覆うことにより、実装基板
１１上に搭載されるディスクリート部品等との短絡が確
実に防止され、信頼性をより向上させることが可能にな
る。

【００１４】絶縁膜３は、カード型回路モジュールの内
部空間側に形成されていれば足り、上記酸化防止膜２’
を兼ねることも可能である。絶縁層３は高熱伝導層２へ
の伝熱を阻害しない程度の厚さに形成され、絶縁性を有
するシート体を高熱伝導層２の表面に貼着したり、ある
いは絶縁塗料を塗布することによっても形成可能であ
る。また、酸化防止膜２’がニッケルメッキ等、絶縁性
を有しない材料により形成される場合には、絶縁膜３は
酸化防止膜２’を覆うように別途形成される。

【００１５】絶縁膜３の形成により、実装基板１１上の
ディスクリート部品等との短絡が確実に防止されるため
に、高熱伝導層２を可及的に広い範囲、例えば硬質カバ
ー１０の全面に渡って形成することが可能となり、放熱
効率の向上をもたらす。

【００１６】また、請求項８に記載するように、発熱素
子１２と高熱伝導層２の間に柔軟な伝熱体４を介装した
場合には、発熱素子１２からの発熱は速やかに高熱伝導
層２に伝達されるために、より効率的な冷却が行われ
る。

【００１７】ここで「柔軟な伝熱体４」とは、発熱素子
１２の実装高さのばらつき等を吸収して発熱素子１２が
高熱伝導層２に密着できる程度に高さ方向に弾性変形可
能な熱伝導性に優れたものをいい、伝熱コンパウンド、
伝熱シートの他に、伝熱シートと金属製プレートの積層
体の使用も可能である。

【００１８】請求項９ないし１３に記載の発明におい
て、実装基板１１上の特定の発熱素子１２を効率的に冷
却する構成が提案される。すなわち、請求項９記載の発
明は、硬質カバー１０を備えたケース１内に実装基板１
１を収納してなるカード型回路モジュールであって、前
記硬質カバー１０の上面には、熱伝導性の良好な材料に
より形成され、硬質カバー１０を貫通して実装基板１１
上の発熱素子１２に当接する接触部５０を有するヒート
シンク５を搭載して構成され、当該発明に使用される硬
質カバーに高熱伝導層２、酸化防止膜２’、あるいは絶
縁膜３を付加することにより請求項１０記載の発明が得
られる。

【００１９】したがってこれら請求項９、１０記載の発
明において、ターゲットとなる発熱素子１２からの熱
は、直ちに接触部５０を介してヒートシンク５に伝達さ
れることから、効率的な冷却が行われる。

【００２０】ヒートシンク５の硬質カバー１０への装着
は、ネジ等を使用する以外に、請求項１１に記載される
ように、硬質カバー１０にスポット溶接したり、あるい
は請求項１２のように、ヒートシンク５を硬質カバー１
０に対して相対的に回転させたり、あるいはスライドさ
せることにより硬質カバー１０に対して着脱可能に装着
することができる。

【００２１】また、請求項１３に示すように、接触部５
０と発熱素子１２との間に柔軟な伝熱体４を介装した場
合には、接触部５０を発熱素子１２に確実に圧接させる
ことが可能となるために、信頼性を向上させることがで
きる。

【００２２】請求項１４以下において、取扱性の優れた
カード型回路モジュールが提案される。すなわち、請求
項１４または１５記載の発明において、カード型回路モ
ジュールの外表面７は、低熱伝導性材料により形成され
る接触防護体６により覆われる。

【００２３】接触防護体６は、該接触防護体６の設置領
域からの放熱を確保した状態で、放熱面、すなわち、カ
ード型回路モジュールの外表面７への指触れを防止する
ために設けられるもので、少なくとも、「接触防護体６
の設置領域に、前記外表面７の露出部位を形成可能で、
かつ、指が前記露出部位の外表面７に直接接触すること
を禁止するように」設けられる必要がある。

【００２４】「指が前記露出部位の外表面７に直接接触
することを禁止する」状態とは、図１３に示すように、
カード型回路モジュールの装置本体への挿抜時に指でカ
ード型回路モジュールを挟んだ際に指とカード型回路モ
ジュールの外表面７との間に適宜の隙間δが形成され、
指がカード型回路モジュールに直接触れるのが規制され
た状態を指す。

【００２５】また、接触防護体６は、高温部を指で直接
触れることを防止するために設けられるものであるか
ら、カード型回路モジュールの外表面７のうち、少なく
ともカードコネクタへの挿抜時に指が触れる高温の領域
に設ければ足りる。

【００２６】さらに、接触防護体６は温度上昇したカー
ド型回路モジュールの外表面７を指で直接触れるのを防
止するためのものであるから、実装基板１１上に発熱素
子１２が片面実装されており、温度上昇面が片面のみで
ある場合には、当該温度上昇面のみに限って設ければ足
りる。

【００２７】ここで「外表面」とはカード型回路モジュ
ールの表面部を指すもので、硬質カバー１０により覆わ
れているものは硬質カバー１０表面部を、上述したよう
に表面にヒートシンク５が装着されるものは、ヒートシ
ンク５の表面も含まれる。

【００２８】したがって、本発明において、装置本体か
らカード型回路モジュールを抜き取るときなどに、カー
ド型回路モジュールを指で挟んでも、カード型回路モジ
ュールの加熱面（外表面７）には直接触れることがない
ために、操作性を向上させることができる上に、カード
型回路モジュールの外表面７は網目間から外部に露出状
態となっているために、外表面７からの放熱効果も低下
することがない。

【００２９】放熱性を確保しながら指の接触を防止する
接触防護体６は、例えば図１５（ａ）に示すように、硬
質カバー１０、あるいはヒートシンク５の上面に複数の
線状体を所定ピッチで配置する等、種々の手段により形
成することが可能であり、請求項１６、および請求項１
７においてその例が示される。

【００３０】すなわち、請求項１６において、接触防護
体６は、多数の網目を有するメッシュ体として形成され
る。接触防護体６の網目の大きさＬ、および接触防護体
６のカード型回路モジュールの外表面７からの突出高さ
Ｈは、上記目的を勘案して適宜決定可能であり、さら
に、網目の形状も種々選択可能であり、図１２に示すよ
うな碁盤目状以外に、３角形、６角形等が採用可能であ
る。

【００３１】接触防護体６をメッシュ体として形成する
ことにより、接触防護体６は連続した一体物となるため
に、カード型回路モジュールの外表面７への接着作業等
が容易になる上に、カード型回路モジュールの外表面７
への接合力を高めることが可能になるが、請求項１７に
示すように、円錐形状を有して散点状に配置することも
可能であり（図１５（ｂ）、（ｃ）参照）、この場合、
各接触防護体６間の間隔δ、および高さＨは本発明の目
的に適応するように適宜決定される。

【００３２】カード型回路モジュールの外表面７上への
接触防護体６の形成は、予め別体で形成した接触防護体
６を接着することにより達成可能であるが、このほか
に、請求項１８に記載のように、形成対象面に低熱伝導
性材料を溶着しても形成可能である。

【００３３】形成対象面への溶着は、形成対象面上に型
を載置し、その空間に低熱伝導性材料としての合成樹脂
を流し込んだり、ディスペンダで所定の位置に模様を形
成したり、あるいは合成樹脂でメッシュ体を形成し、形
成対象面に溶着、接着することにより達成可能である。

【００３４】請求項１９記載の発明において、形成対象
面上への他の接触防護体６の形成方法が提供される。す
なわち、本発明において、接触防護体６はフレーム部６
０を有する網状体として形成され、ケース１に着脱可能
に装着される。

【００３５】ケース１への接触防護体６の装着は、例え
ば図１６に示すように、接触防護体６側に係止フック６
２を形成しておき、該係止フック６２をケース１に弾発
的に係止することにより達成可能である。

【００３６】この場合、請求項２０に記載されるよう
に、接触防護体６を、網状体のグリッドから形成対象面
側に接触突起６１を突設して形成することが可能であ
る。かかる構成においては、接触突起６１の先端のみが
形成対象面に接触し、網状体は接触対象面から浮いた状
態で配置されるために、カード型回路モジュールの外表
面７に直接触れる面積が減少することから放熱有効面積
が増加するという効果がある。

【００３７】

【発明の実施の形態】図１、２に本発明をＰＣカードに
適用した第１の実施の形態を示す。図において１１は複
数の半導体素子（発熱素子１２）を搭載した実装基板、
１３は図示しない装置本体のコネクタにプラグイン接続
するためのコネクタ、１０は硬質カバーである。

【００３８】硬質カバー１０は、表裏面に配置されて実
装基板１１を覆い、フレーム等の他の外郭構成部材と協
働して実装基板１１を密閉状に収容するケース１を構成
している。この硬質カバー１０は、持ち運び、あるいは
図示しない装置本体への挿抜時における変形を防止する
ために、ステンレス薄板により形成される。

【００３９】２は高熱伝導層であり、アルミニウム、銅
等の高熱伝道性材料をメッキ等の手段で硬質カバー１０
裏面に成膜して形成されるが、これ以外に、１２μｍ〜
３５μｍ程度の厚さの銅箔を硬質カバー１０の裏面に接
着して形成することもできる。

【００４０】２’は高熱伝導層２の酸化を防止するため
の酸化防止膜であり、高熱伝導層２の表面にニッケルメ
ッキを施して形成される。実装基板１１上に多数の高背
のディスクリート部品等が実装されており、該ディスク
リート部品と硬質カバー１０との短絡のおそれがある場
合には、酸化防止膜２’の裏面に絶縁シートを高熱伝導
層２上に接着して絶縁膜３が形成される（図２（ｂ）参
照）。絶縁シートは伝熱性の優れた材料により形成する
のが望ましいが、熱伝達を阻害しない程度に可及的に薄
く形成するならば、伝熱性に劣る材料の使用も可能であ
る。また、絶縁膜３は、高熱伝導層２上に絶縁塗料を塗
布することによっても形成できる。なお、絶縁膜３は酸
化防止膜２’を兼ねることも可能であり、この場合は、
酸化防止膜２’を別途設ける必要はない。

【００４１】発熱素子１２からの発熱を速やかに高熱伝
導層２に伝達するために、発熱素子１２と硬質カバー１
０との間には柔軟な伝熱体４が介装される。伝熱体４に
は図２（ａ）に示すように、伝熱シート体４０を使用し
たり、図３に示すように、ヒートシンクとなる金属板材
４１の裏面に伝熱シート体４０を貼着した複層体を使用
することができる。なお、図３において４２は伝熱体４
を硬質カバー１０に固定するための接着層を示す。

【００４２】したがってこの実施の形態において、先
ず、硬質カバー１０の裏面であって、冷却ターゲットと
なる発熱素子１２に対応する位置に伝熱体４を接合して
おき、硬質カバー１０により実装基板１１を覆うと、伝
熱体４はやや縦方向に弾性変形しながら発熱素子１２の
ヒートシンク５面に圧接し、発熱素子１２と高熱伝導層
２との間に良好な熱パスが形成される。

【００４３】なお、以上においては硬質カバー１０側に
伝熱体４を固定した場合を示したが、発熱素子１２側に
固定しておくことも可能である。また、以上の説明にお
いては、高熱伝導層２は硬質カバー１０の裏面、正確に
は発熱素子１２に対峙する面のみに形成する場合を示し
たが、図２（ｃ）に示すように、硬質カバー１０の表裏
面に形成することも可能である。この場合、硬質カバー
１０の表層面には絶縁膜３を形成する必要はなく、酸化
防止膜２’のみが形成される。

【００４４】図４、５に本発明の第２の実施の形態を示
す。なお、以下の説明において、上述した実施の形態と
同一の構成要素は図中に同一の符号を付して説明を省略
する。

【００４５】本形態において硬質カバー１０上にはヒー
トシンク５が搭載される。ヒートシンク５はアルミニウ
ム等、伝熱性の良好な材料により形成されており、矩形
の放熱部５１と、放熱部５１の裏面中央に突出する矩形
の接触部５０とからなる。

【００４６】接触部５０は、図４においてハッチングを
施して示されるターゲットとなる発熱素子１２の面積よ
りやや面積に形成されており、その端面には柔軟な伝熱
体４が固定される。

【００４７】一方、硬質カバー１０には、図５に示すよ
うに、上記ヒートシンク５の接触部５０が挿入可能な貫
通口１４が開設されており、ヒートシンク５は接触部５
０を上記貫通口１４に挿通させた後、裏面をネジ止め、
あるいはリベット止めして硬質カバー１０に固定され
る。なお、図４（ｃ）において１６はヒートシンク５を
硬質カバー１０に固定するためのビス、図５において１
５は硬質カバー１０に穿孔されるネジ挿通孔を示す。

【００４８】ヒートシンク５の固定方法は、ネジ、ある
いはリベットを使用する以外に、溶接によるのも可能で
あり、この場合、図６に示すように、ヒートシンク５上
面にスポット溶接の電極が挿入する電極収納孔５２を開
設しておくのが望ましい。

【００４９】さらに、ヒートシンク５は硬質カバー１０
に対して着脱自在に装着することも可能であり、その一
例を図７ないし図９に示す。この変形例において、硬質
カバー１０には、図８に詳細を示すように、該硬質カバ
ー１０の中心線Ｃ上にほぼ位置する位置決め孔１７と、
中心線Ｃ上に中心が位置し、該中心線に対して角度θだ
け傾いた貫通口１４とが開設される。

【００５０】一方、ヒートシンク５には、図９に示すよ
うに、側面にガイド溝５０ａが切り込まれた接触部５０
と、位置決め孔１７に挿通可能な位置決めボス５０ｂと
が中心線上に突設される。ガイド溝は、図９（ｃ）に示
すように、接触部５０の断面中心に対して点対称形状を
有しており、その壁面は、接触部５０の断面中心を中心
とする円弧部５３と、稜線に対してθだけ傾いた直線部
５４とからなる。また、ガイド溝５０ａの底壁面は、側
方から見た際に、図９（ｂ）に示すように、中心に行く
にしたがって幅狭となるように、湾曲面とされており、
その頂部におけるガイド溝の幅ｗが硬質カバー１０の板
厚よりやや小さくされている。

【００５１】したがってこの変形例において、接触部５
０を貫通口１４に挿通させた状態では、位置決めボス５
０ｂが硬質カバー１０に乗り上がった状態にあり、この
状態からヒートシンク５を図９（ａ）において矢印方向
に回転させると、貫通口１４の辺縁が接触部５０のガイ
ド溝５０ａ内に入り込んで回転を許容する。回転操作時
には、位置決めボス５０ｂは硬質カバー１０の表面を押
し付けた状態であり、やがてヒートシンク５が図７に示
す位置まで回転されると、位置決めボス５０ｂが位置決
め孔１７内に嵌合して位置決めされる。

【００５２】この状態において、ガイド溝５０ａ内に硬
質カバー１０が進入し、かつ、位置決めボス５０ｂが位
置決め孔１７に嵌合しているために、ヒートシンク５は
硬質カバー１０上に強固に固定されることとなる。

【００５３】図１０、１１に他の変形例を示す。この変
形例において、ヒートシンク５には側方に押圧片５５が
突設された接触部５０と、位置決めボス５０ｂが設けら
れる。押圧片５５は、位置決めボス５０ｂ側に行くにし
たがって厚さが薄くなるキー断面形状を有しており、厚
さが一番厚い部位における押圧片５５と放熱部５１裏面
との間隔ｗは硬質カバー１０の板厚よりやや小さくされ
ている。

【００５４】一方、硬質カバー１０には、上記接触部５
０が挿入可能な貫通口１４と、位置決め孔１７とが開設
される。また、貫通口１４と位置決め孔１７との間隔
は、接触部５０と位置決めボス５０ｂとの間隔よりやや
長くされている。

【００５５】したがってこの変形例において、接触部５
０を貫通口１４に挿通させた後、ヒートシンク５を図１
０において矢印方向に移動させると、貫通口１４の周縁
の肉質部は押圧片５５と放熱部５１の裏面との隙間に収
納され、ヒートシンク５の移動を許容し、位置決めボス
５０ｂが位置決め孔１７に嵌合した状態で固定される。

【００５６】なお、本実施の形態において、硬質カバー
１０はステンレス薄板等により形成されるが、第１の実
施の形態において採用された硬質カバー１０の変形、す
なわち、図２に示すように、表裏面、あるいは裏面に高
熱伝導層２を形成したり、高熱伝導２を酸化防止膜
２’、絶縁膜３で覆う構成はそのまま採用可能である。

【００５７】図１２に本発明の第３の実施の形態を示
す。この実施の形態において、硬質カバー１０の上面に
はメッシュ状の接触防護体６が固定される。接触防護体
６は、ＡＢＳ樹脂等の合成樹脂材を成型した碁盤目のメ
ッシュ体であり、各網目のグリッドからは接触突起６１
が突設され、該接触突起６１の先端を硬質カバー１０の
外表面７に接着することにより、硬質カバー１０上に固
定される。接着は、接触防護体６に接触する部位以外が
接着剤層により覆われることなく、放熱面として外方に
完全に露出した状態とするために、接触突起６１側に接
着剤を供給して行うのが望ましい。

【００５８】接触防護体６の網目の大きさＬ、および硬
質カバー１０からの突出高さＨは、上述したように、指
で接触防護体６を押し付けた際に、指が硬質カバー１０
に触れない程度とされるが、接触防護体６の材料として
ゴムのような軟質材を使用する場合には、指での押しつ
けによる接触防護体６の変形を考慮して、硬質材料で形
成するよりも突出高さＨを高くしたり、あるいは網目Ｌ
を細かくする必要がある。

【００５９】なお、図示の例は、実装基板１１上に両面
実装される半導体素子のうち、上部に実装される半導体
素子の中に発熱素子１２が含まれており、ケース１の上
半分の温度上昇が高い場合を想定した実施の形態を示す
ものであるが、上下の硬質カバー１０がともに温度上昇
する場合には、接触防護体６は表裏の硬質カバー１０、
１０に装着される。

【００６０】また、接触防護体６の形成部位も、硬質カ
バー１０の全面に形成する以外に、硬質カバー１０の一
部にのみ形成することも可能であり、この場合、カード
型回路モジュールを装置本体から引き抜く際に指により
挟む領域、例えば、図１４に示すように、カード型回路
モジュールの引き抜き側の半分の領域に形成するのが望
ましい。

【００６１】さらに、図示しないが、図４に示すよう
に、ヒートシンク５を硬質カバー１０から露出させるよ
うな場合には、該ヒートシンク５の上面を接触防護体６
で覆うことも可能であり、以下に示す変形はヒートシン
ク５上面への形成に全て適用可能である。

【００６２】なお、接触突起６１による接着のみでは接
着強度が弱い場合には、接触突起６１を取り去り、接触
防護体６全体を硬質カバー１０上に接着することももち
ろん可能である。

【００６３】図１５に接触防護体６の変形例を示す。図
１５（ａ）に示す接触防護体６は所定高さを有して直線
状に形成されており、硬質カバー１０上に並設される。
また、図１５（ｂ）、（ｃ）に示す変形例において、接
触防護体６は先端に球面を備えたコーン形状に形成さ
れ、硬質カバー１０上に散点状に配置される。接触防護
体６の間隔Ｌ、および高さＨ等は、上述したように、指
で押さえた際に指が硬質カバー１０に触れないように設
定される。

【００６４】これら接触防護体６が一体化されない場合
には、各々の接触防護体６を個別に硬質カバー１０上に
接着するのは手間がかかるために、接触防護体６は硬質
カバー１０上に直接形成するのが望ましく、この場合、
硬質カバー１０の上に型をおいて樹脂を流し込む方法、
ディスペンダで所定の形状に模様を形成する方法が採用
可能である。

【００６５】図１６に接触防護体６の装着方法の変形を
示す。この変形例において、接触防護体６は最外周にフ
レーム部６０を有する網状体として形成され、フレーム
部６０には係止フック６２が形成され、網状体の各グリ
ッドには接触突起６１が突設されている。

【００６６】一方、硬質カバー１０の側壁部には、上記
係止フックが弾発的に係止可能な凹部が形成されてお
り、接触防護体６をカード型回路モジュールに被せるだ
けで接触防護体６の装着が完了するようにされる。

【００６７】なお、図１２ないし図１６に示した実施の
形態においては、ケース１内の構造、特に、発熱素子１
２と硬質カバー１０との熱的な接続の構造は示されてい
ないが、この部位に、図１、図２で示した構造を適用す
ることはもちろん可能であり、さらに、ケース内に絶縁
性のある伝熱体を充填する等、他の伝熱構造を採用する
ことも可能である。

【００６８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、カード型回路モジュールの冷却効果を飛躍的
に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は
側面図である。

【図２】図１の要部断面図で、（ａ）は発熱素子との接
触状態を示す図、（ｂ）は絶縁膜を設けた硬質カバーを
示す図、（ｃ）は表裏両面に高熱伝導層を形成した硬質
カバーを示す図である。

【図３】伝熱体の変形例を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態を示す図で、（ａ）
は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線
断面図である。

【図５】硬質カバーを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図６】図４の変形例を示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図７】図４の他の変形例を示す図で、（ａ）は裏面
図、（ｂ）は側面図である。

【図８】硬質カバーを示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は側面図である。

【図９】ヒートシンクを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は拡大側面図、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図
である。

【図１０】図７の変形例を示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図１１】ヒートシンクを示す図で、（ａ）は裏面図、
（ｂ）は側面図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。

【図１３】接触防護体の作用を示す図である。

【図１４】図１２の変形例を示す図である。

【図１５】図１２の他の変形例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）はさらに他の変形例を示す平面図、（ｃ）
は（ｂ）の拡大側面図である。

【図１６】図１２のさらに他の変形例を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ｂ）の要
部拡大図である。

【図１７】従来例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図である。

【符号の説明】

１ケース１０硬質カバー１１実装基板１２発熱素子２高熱伝導層２’ 酸化防止膜３絶縁膜４伝熱体５ヒートシンク５０接触部６接触防護体６０フレーム部６１接触突起７外表面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】硬質カバーを備えたケース内に実装基板を
収納してなるカード型回路モジュールであって、前記硬質カバーの裏面には、実装基板上の発熱素子によ
る発熱を拡散する高熱伝導層が形成されるカード型回路
モジュール。
【請求項２】硬質カバーを備えたケース内に実装基板を
収納してなるカード型回路モジュールであって、前記硬質カバーの表裏面には、実装基板上の発熱素子に
よる発熱を拡散する高熱伝導層が形成されるカード型回
路モジュール。
【請求項３】前記高熱伝導層は、硬質カバーの裏面に高
熱伝導材料により形成される箔を接着して形成される請
求項１または２記載のカード型回路モジュール。
【請求項４】前記高熱伝導層は、硬質カバーの裏面に高
熱伝導材料薄膜層を成膜して形成される請求項１または
２記載のカード型回路モジュール。
【請求項５】前記高熱伝導層の表面には高熱伝導層の酸
化を防止する酸化防止膜が形成される請求項１ないし４
のいずれかに記載のカード型回路モジュール。
【請求項６】硬質カバーに銅メッキを施して形成された
高熱伝導層の表面にニッケルメッキを施して酸化防止膜
とした請求項５記載のカード型回路モジュール。
【請求項７】前記高熱伝導層は、絶縁膜により覆われる
請求項１ないし６のいずれかに記載のカード型回路モジ
ュール。
【請求項８】前記発熱素子と高熱伝導層の間には、柔軟
な伝熱体が介装される請求項１ないし７のいずれかに記
載のカード型回路モジュール。
【請求項９】硬質カバーを備えたケース内に実装基板を
収納してなるカード型回路モジュールであって、前記硬質カバーの上面には、熱伝導性の良好な材料によ
り形成され、硬質カバーを貫通して実装基板上の発熱素
子に当接する接触部を有するヒートシンクが搭載される
カード型回路モジュール。
【請求項１０】請求項１ないし７のいずれかに記載のカ
ード型回路モジュールにおいて、前記硬質カバーの上面には、熱伝導性の良好な材料によ
り形成され、硬質カバーを貫通して実装基板上の発熱素
子に当接する接触部を有するヒートシンクが搭載される
カード型回路モジュール。
【請求項１１】前記ヒートシンクは、硬質カバーにスポ
ット溶接される請求項９、または１０記載のカード型回
路モジュール。
【請求項１２】前記ヒートシンクは硬質カバーに対して
着脱可能である請求項９、または１０記載のカード型回
路モジュール。
【請求項１３】前記接触部と発熱素子との間には、柔軟
な伝熱体が介装される請求項９ないし１２のいずれかに
記載のカード型回路モジュール。
【請求項１４】少なくともカードコネクタへの挿抜時に
指が触れる外表面を接触防護体により覆ったカード型回
路モジュールであって、前記接触防護体は、該接触防護体の設置領域に、前記外
表面の露出部位を形成可能で、かつ、指が前記露出部位の外表面に直接接触することを
禁止するように設けられるカード型回路モジュール。
【請求項１５】請求項１ないし１３のいずれかに記載の
カード型回路モジュールにおいて、カードコネクタへの挿抜時に指が触れる外表面は接触防
護体により覆われており、かつ、前記接触防護体は、該接触防護体の設置領域に、
前記外表面の露出部位を形成可能で、指が前記露出部位の外表面に直接接触することを禁止す
るカード型回路モジュール。
【請求項１６】前記接触防護体は、多数の網目を有する
メッシュ体である請求項１４または１５記載のカード型
回路モジュール。
【請求項１７】前記接触防護体は、円錐形状を有して散
点状に配置される請求項１４または１５記載のカード型
回路モジュール。
【請求項１８】前記接触防護体は、形成対象面に低熱伝
導性材料を溶着して形成される請求項１４、１５、１６
または１７記載のカード型回路モジュール。
【請求項１９】前記接触防護体は、ケースに着脱可能に
装着されるフレーム部を有する網状体である請求項１４
または１５記載のカード型回路モジュール。
【請求項２０】前記接触防護体は、外表面から適宜の距
離にあるメッシュのグリッドから外表面側に突出する接
触突起を有し、該接触突起を外表面に接触させて取り付けられる請求項
１９記載のカード型回路モジュール。