JPH09232703A - チップ実装プリント配線板 - Google Patents
チップ実装プリント配線板Info
- Publication number
- JPH09232703A JPH09232703A JP8065358A JP6535896A JPH09232703A JP H09232703 A JPH09232703 A JP H09232703A JP 8065358 A JP8065358 A JP 8065358A JP 6535896 A JP6535896 A JP 6535896A JP H09232703 A JPH09232703 A JP H09232703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- conductor circuit
- chip
- wiring board
- printed wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 MCM−Lの製造において、ベアチップの
はんだバンプや金バンプと積層板上の導体回路間の接続
や、ベアチップを封止剤で被覆する際の加熱・冷却によ
り、樹脂に収縮応力が残り、MCM自体にそり・ねじれ
が発生し、樹脂にクラックが生じ易くなる。またバンプ
接続部分にも応力が集中し破損し易くなることからベア
チップ実装の信頼性が十分に得られないという問題点が
あった。 【解決手段】 表面に導体回路を有する樹脂含浸ガラス
クロス積層板からなる内層基板の片面または両面に、加
熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層を形成し、該絶
縁性樹脂の層の上に表面の導体回路を形成し、該絶縁性
樹脂の層を貫通して内層基板上の導体回路と表面の導体
回路とをめっきで接続させてなり、かつ表面の導体回路
の電極にチップ部品のバンプを接続してなるブラインド
バイアホールを有するチップ実装プリント配線板。
はんだバンプや金バンプと積層板上の導体回路間の接続
や、ベアチップを封止剤で被覆する際の加熱・冷却によ
り、樹脂に収縮応力が残り、MCM自体にそり・ねじれ
が発生し、樹脂にクラックが生じ易くなる。またバンプ
接続部分にも応力が集中し破損し易くなることからベア
チップ実装の信頼性が十分に得られないという問題点が
あった。 【解決手段】 表面に導体回路を有する樹脂含浸ガラス
クロス積層板からなる内層基板の片面または両面に、加
熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層を形成し、該絶
縁性樹脂の層の上に表面の導体回路を形成し、該絶縁性
樹脂の層を貫通して内層基板上の導体回路と表面の導体
回路とをめっきで接続させてなり、かつ表面の導体回路
の電極にチップ部品のバンプを接続してなるブラインド
バイアホールを有するチップ実装プリント配線板。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高密度実装に適した
チップ実装プリント配線板に関するものである。特に半
導体ベアチップ実装時の加熱による熱応力を緩和し、半
導体チップの接続信頼性に優れたプリント配線板を提供
するものである。
チップ実装プリント配線板に関するものである。特に半
導体ベアチップ実装時の加熱による熱応力を緩和し、半
導体チップの接続信頼性に優れたプリント配線板を提供
するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
現在プリント配線板はより高密度化の方向に進んでい
る。例えば、導体回路の細線化、高多層化;スルーバイ
アホール、ブラインドバイアホールまたはバリードバイ
アホール等のインタースティシャルバイアホールを含む
スルーホールの小径化;小型チップ部品の表面実装によ
る高密度実装等が挙げられる。
現在プリント配線板はより高密度化の方向に進んでい
る。例えば、導体回路の細線化、高多層化;スルーバイ
アホール、ブラインドバイアホールまたはバリードバイ
アホール等のインタースティシャルバイアホールを含む
スルーホールの小径化;小型チップ部品の表面実装によ
る高密度実装等が挙げられる。
【0003】高密度化実装としては、有機材料を使用し
たマルチチップモジュールMCM−L、さらに高密度化
実装になるとセラミックを使用したMCM−C、また基
板材料を問わず、セラミック、シリコンウエハ、金属板
上に回路を多層化させたMCM−D等が多く使用され
る。これらは高密度の必要度と経済性を考慮して選択し
設計されている。つまりMCM−L、MCM−C、MC
M−Dになるに従って実装密度は大きくなる反面高価に
なっている。
たマルチチップモジュールMCM−L、さらに高密度化
実装になるとセラミックを使用したMCM−C、また基
板材料を問わず、セラミック、シリコンウエハ、金属板
上に回路を多層化させたMCM−D等が多く使用され
る。これらは高密度の必要度と経済性を考慮して選択し
設計されている。つまりMCM−L、MCM−C、MC
M−Dになるに従って実装密度は大きくなる反面高価に
なっている。
【0004】価格を重視する場合にはMCM−Lを使用
するのが好ましい。その場合MCM−Lは通常ベース材
料に汎用性のあるガラスエポキシ積層板、ガラスクロス
ポリイミド積層板またはビスマレイミド積層板等の樹脂
含浸ガラスクロス積層板を使用する。しかしながら、半
導体ベアチップと上記の積層板は熱膨張、収縮率に整合
性がない。例えばガラスエポキシ基材の熱膨張係数は
1.5×10-5/℃でシリコンでは2.6×10-4/℃
となり1桁違うことになり、収縮時の応力も大きくな
る。
するのが好ましい。その場合MCM−Lは通常ベース材
料に汎用性のあるガラスエポキシ積層板、ガラスクロス
ポリイミド積層板またはビスマレイミド積層板等の樹脂
含浸ガラスクロス積層板を使用する。しかしながら、半
導体ベアチップと上記の積層板は熱膨張、収縮率に整合
性がない。例えばガラスエポキシ基材の熱膨張係数は
1.5×10-5/℃でシリコンでは2.6×10-4/℃
となり1桁違うことになり、収縮時の応力も大きくな
る。
【0005】MCM−Lの代表的なものは、ベアチップ
のはんだバンプや金バンプと積層板上の導体回路間を接
続し、ベアチップを封止剤で被覆している。この工程に
おいて140℃〜170℃で数十分加熱すると冷却後樹
脂には収縮応力が残り、MCMとしてそり・ねじれが発
生し樹脂にクラックが生じやすくなる。またバンプ接続
部分にも応力が集中し破損しやすくなることからベアチ
ップ実装の信頼性が十分に得られなかった。
のはんだバンプや金バンプと積層板上の導体回路間を接
続し、ベアチップを封止剤で被覆している。この工程に
おいて140℃〜170℃で数十分加熱すると冷却後樹
脂には収縮応力が残り、MCMとしてそり・ねじれが発
生し樹脂にクラックが生じやすくなる。またバンプ接続
部分にも応力が集中し破損しやすくなることからベアチ
ップ実装の信頼性が十分に得られなかった。
【0006】一方、一般に絶縁性樹脂を難燃化する場合
には、通常臭素化化合物を添加する。その場合該樹脂中
には臭素イオンや臭素化化合物製造時に混入する塩素イ
オン等のイオン性不純物が存在し、高温吸湿化でイオン
が移行して半導体ベアチップのアルミ配線の腐食という
問題も発生していた。
には、通常臭素化化合物を添加する。その場合該樹脂中
には臭素イオンや臭素化化合物製造時に混入する塩素イ
オン等のイオン性不純物が存在し、高温吸湿化でイオン
が移行して半導体ベアチップのアルミ配線の腐食という
問題も発生していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来法の
欠点をなくし、信頼性の高いチップ実装プリント配線板
を提供するものである。
欠点をなくし、信頼性の高いチップ実装プリント配線板
を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂含浸ガラ
スクロス積層板の片面または両面に、加熱時にゴム弾性
を有する絶縁性樹脂の層を形成し、該絶縁性樹脂の層の
上に導体回路を形成し、該導体回路のパッドにチップ部
品のバンプを接続してなるチップ実装プリント配線板に
より、第一の目的であるベアチップと樹脂含浸ガラスク
ロス積層板との応力緩和を達成するものである。
スクロス積層板の片面または両面に、加熱時にゴム弾性
を有する絶縁性樹脂の層を形成し、該絶縁性樹脂の層の
上に導体回路を形成し、該導体回路のパッドにチップ部
品のバンプを接続してなるチップ実装プリント配線板に
より、第一の目的であるベアチップと樹脂含浸ガラスク
ロス積層板との応力緩和を達成するものである。
【0009】すなわち、はんだや金めっき等のバンプを
有するベアチップをプリント配線板の導体回路からなる
パッドに実装する場合にはバンプを加熱および加圧して
接続する。その場合、加熱した状態で加圧すると絶縁性
樹脂がゴム状となるため、バンプの高さのばらつきがあ
っても導体回路の各パッドが追随し、冷却後も応力が集
中することがなくなり、バンプの接続信頼性が向上する
ことになる。また、ベアチップ実装後、封止剤で被覆す
るときに150℃程度まで加熱した場合、積層板上に加
熱時にゴム状となる絶縁性樹脂の層が存在し、その絶縁
性樹脂の層の上の導体回路からなるパッドには加熱中の
応力集中はなく、冷却時にも絶縁性樹脂により応力が分
散され、封止剤にはクラックが入り難く、バンプ接続部
分へ応力集中による破損も防止できる。
有するベアチップをプリント配線板の導体回路からなる
パッドに実装する場合にはバンプを加熱および加圧して
接続する。その場合、加熱した状態で加圧すると絶縁性
樹脂がゴム状となるため、バンプの高さのばらつきがあ
っても導体回路の各パッドが追随し、冷却後も応力が集
中することがなくなり、バンプの接続信頼性が向上する
ことになる。また、ベアチップ実装後、封止剤で被覆す
るときに150℃程度まで加熱した場合、積層板上に加
熱時にゴム状となる絶縁性樹脂の層が存在し、その絶縁
性樹脂の層の上の導体回路からなるパッドには加熱中の
応力集中はなく、冷却時にも絶縁性樹脂により応力が分
散され、封止剤にはクラックが入り難く、バンプ接続部
分へ応力集中による破損も防止できる。
【0010】加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂と
は、常温では固体状であり、140℃以上でその動的粘
弾性率E’が1×109 dyn/cm2 以下となるもの
である。
は、常温では固体状であり、140℃以上でその動的粘
弾性率E’が1×109 dyn/cm2 以下となるもの
である。
【0011】第二の本発明は、表面に導体回路を有する
樹脂含浸ガラスクロス積層板からなる内層基板の片面ま
たは両面に、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層
を形成し、該絶縁性樹脂の層の上に表面の導体回路を形
成し、該絶縁性樹脂の層を貫通して内層基板上の導体回
路と表面の導体回路とをめっきで接続させてなり、かつ
表面の導体回路の電極にチップ部品のバンプを接続して
なるブラインドバイアホールを有するチップ実装プリン
ト配線板である。
樹脂含浸ガラスクロス積層板からなる内層基板の片面ま
たは両面に、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層
を形成し、該絶縁性樹脂の層の上に表面の導体回路を形
成し、該絶縁性樹脂の層を貫通して内層基板上の導体回
路と表面の導体回路とをめっきで接続させてなり、かつ
表面の導体回路の電極にチップ部品のバンプを接続して
なるブラインドバイアホールを有するチップ実装プリン
ト配線板である。
【0012】上記のブラインドバイアホールを設けた高
密度多層プリント配線板は、ベアチップ実装が可能であ
り、かつ前述と同様層間の絶縁性樹脂の応力緩和効果に
より、バンプの接続信頼性が向上することになる。
密度多層プリント配線板は、ベアチップ実装が可能であ
り、かつ前述と同様層間の絶縁性樹脂の応力緩和効果に
より、バンプの接続信頼性が向上することになる。
【0013】第三の本発明は、第一または第二の本発明
を構成する、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂とし
て、(1) アクリル酸および/またはメタクリル酸(以下
「(メタ)アクリル酸」と称する。)と、(メタ)アク
リル酸エステルとを主成分とする線状重合体(以下「未
変性アクリル系ポリマー」と称する。)であって、その
構成成分である(メタ)アクリル酸に由来するカルボキ
シル基の一部にグリシジル基およびC=C不飽和二重結
合を有する化合物を付加させた重合物(以下「第1成
分」と称する。)、(2) 末端にC=C不飽和二重結合を
有する重合性化合物(以下「第2成分」と称する。)、
並びに(3) 加熱および/または活性エネルギー線の照射
によりC=C不飽和二重結合の重合を開始させ得る重合
開始剤(以下「第3成分」と称する。)からなるアルカ
リ可溶性の樹脂組成物を使用するものであり、これによ
りブラインドバイアホールの形成が、後述のとおり該樹
脂組成物をアルカリ溶解する方法で極めて容易になさ
れ、しかも応力緩和が可能で、信頼性の高いブラインド
バイアホールを有するチップ実装プリント配線板が得ら
れる。
を構成する、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂とし
て、(1) アクリル酸および/またはメタクリル酸(以下
「(メタ)アクリル酸」と称する。)と、(メタ)アク
リル酸エステルとを主成分とする線状重合体(以下「未
変性アクリル系ポリマー」と称する。)であって、その
構成成分である(メタ)アクリル酸に由来するカルボキ
シル基の一部にグリシジル基およびC=C不飽和二重結
合を有する化合物を付加させた重合物(以下「第1成
分」と称する。)、(2) 末端にC=C不飽和二重結合を
有する重合性化合物(以下「第2成分」と称する。)、
並びに(3) 加熱および/または活性エネルギー線の照射
によりC=C不飽和二重結合の重合を開始させ得る重合
開始剤(以下「第3成分」と称する。)からなるアルカ
リ可溶性の樹脂組成物を使用するものであり、これによ
りブラインドバイアホールの形成が、後述のとおり該樹
脂組成物をアルカリ溶解する方法で極めて容易になさ
れ、しかも応力緩和が可能で、信頼性の高いブラインド
バイアホールを有するチップ実装プリント配線板が得ら
れる。
【0014】第四の本発明は、第一または第二の本発明
の加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂として、(1) 前
記未変性アクリル系ポリマーであってその構成成分であ
る(メタ)アクリル酸に由来するカルボキシル基の一部
にグリシジル基およびC=C不飽和二重結合を有する化
合物と、グリシジル基を有するハロゲン化フェニル化合
物とを付加させた重合体(以下「第1’成分」と称す
る。)、(2) 前記第2成分、(3) 前記第3成分、並びに
(4) −OH基を有する無機イオン交換体(以下「第4成
分」と称する。)からなるアルカリ可溶性の樹脂組成物
を使用するものである。第四の本発明では難燃化組成で
しかもベアチップの腐食防止が可能となり、信頼性の高
いブラインドバイアホールを有するチップ実装プリント
配線板が得られる。
の加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂として、(1) 前
記未変性アクリル系ポリマーであってその構成成分であ
る(メタ)アクリル酸に由来するカルボキシル基の一部
にグリシジル基およびC=C不飽和二重結合を有する化
合物と、グリシジル基を有するハロゲン化フェニル化合
物とを付加させた重合体(以下「第1’成分」と称す
る。)、(2) 前記第2成分、(3) 前記第3成分、並びに
(4) −OH基を有する無機イオン交換体(以下「第4成
分」と称する。)からなるアルカリ可溶性の樹脂組成物
を使用するものである。第四の本発明では難燃化組成で
しかもベアチップの腐食防止が可能となり、信頼性の高
いブラインドバイアホールを有するチップ実装プリント
配線板が得られる。
【0015】第1’成分を選択して絶縁性樹脂組成物に
難燃性を付与した場合に、ハロゲン等が不純物として混
入されるため該組成物の純度が低下し、絶縁信頼性や導
体の腐食等の問題が発生し易くなる。そこで−OH基を
有する無機イオン交換体をさらに添加して不純物イオン
を捕捉することにより該問題を解決することができる。
難燃性を付与した場合に、ハロゲン等が不純物として混
入されるため該組成物の純度が低下し、絶縁信頼性や導
体の腐食等の問題が発生し易くなる。そこで−OH基を
有する無機イオン交換体をさらに添加して不純物イオン
を捕捉することにより該問題を解決することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】第三または第四の本発明における
未変性アクリル系ポリマーは、例えばメチルアクリレー
トおよび/またはメチルメタクリレート(以下「アクリ
レートおよび/またはメタクリレート」を「(メタ)ア
クリレート」と称する。)、ブチル(メタ)アクリレー
ト、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)ア
クリレートまたはテトラヒドロフルフリル(メタ)アク
リレート等の(メタ)アクリル酸エステル、並びに(メ
タ)アクリル酸を、所望の組成比率で、溶媒、好ましく
はイソプロピルアルコール、エチレングリコールモノエ
チルエーテルまたはプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル等のアルコール系溶媒に溶解し、アゾビスイソブ
チロニトリルまたはベンゾイルパーオキサイド等を開始
剤とし、共重合させることにより得ることができる。
未変性アクリル系ポリマーは、例えばメチルアクリレー
トおよび/またはメチルメタクリレート(以下「アクリ
レートおよび/またはメタクリレート」を「(メタ)ア
クリレート」と称する。)、ブチル(メタ)アクリレー
ト、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル
(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)ア
クリレートまたはテトラヒドロフルフリル(メタ)アク
リレート等の(メタ)アクリル酸エステル、並びに(メ
タ)アクリル酸を、所望の組成比率で、溶媒、好ましく
はイソプロピルアルコール、エチレングリコールモノエ
チルエーテルまたはプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル等のアルコール系溶媒に溶解し、アゾビスイソブ
チロニトリルまたはベンゾイルパーオキサイド等を開始
剤とし、共重合させることにより得ることができる。
【0017】未変性アクリル系ポリマーには、(メタ)
アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステル以外の単
量体として、これら以外のスチレンまたはアクリロニト
リル等のビニル系単量体を、未変性アクリル系ポリマー
を構成する全モノマーのうち25モル%以下の割合で共
重合させることも可能であり、ビニル系単量体のうちス
チレンを使用すると耐熱性が上がるので好ましい。
アクリル酸および(メタ)アクリル酸エステル以外の単
量体として、これら以外のスチレンまたはアクリロニト
リル等のビニル系単量体を、未変性アクリル系ポリマー
を構成する全モノマーのうち25モル%以下の割合で共
重合させることも可能であり、ビニル系単量体のうちス
チレンを使用すると耐熱性が上がるので好ましい。
【0018】未変性アクリル系ポリマーの好ましい分子
量(ゲルパーミュエーションクロマトグラフによるスチ
レン換算重量平均分子量)は、10,000〜100,
000で、より好ましくは20,000〜70,000
である。分子量が小さ過ぎると耐熱性および耐湿性等が
低下し、分子量が大き過ぎるとアルカリ溶解性が低下す
る。
量(ゲルパーミュエーションクロマトグラフによるスチ
レン換算重量平均分子量)は、10,000〜100,
000で、より好ましくは20,000〜70,000
である。分子量が小さ過ぎると耐熱性および耐湿性等が
低下し、分子量が大き過ぎるとアルカリ溶解性が低下す
る。
【0019】また、(メタ)アクリル酸と(メタ)アク
リル酸エステルの比率は、アルカリ可溶性の点で最終の
樹脂組成物としての酸価が0.5〜3.0の範囲内とな
る値に調整することが好ましく、酸の一部がグリシジル
基を有するエチレン性不飽和化合物およびグリシジル基
を有するハロゲン化フェニル化合物との付加に利用され
ることを考慮すると、(メタ)アクリル酸は未変性アク
リル系ポリマーを構成する全モノマーのうち25〜60
モル%であることが好ましい。なお、第三または第四の
本発明の樹脂組成物において、アルカリ可溶性とは、通
常のソルダーレジストの除去等に使用する条件、すなわ
ち0.1〜1重量%の炭酸ソーダ水溶液を用いて30〜
40℃で、溶解することを指す。
リル酸エステルの比率は、アルカリ可溶性の点で最終の
樹脂組成物としての酸価が0.5〜3.0の範囲内とな
る値に調整することが好ましく、酸の一部がグリシジル
基を有するエチレン性不飽和化合物およびグリシジル基
を有するハロゲン化フェニル化合物との付加に利用され
ることを考慮すると、(メタ)アクリル酸は未変性アク
リル系ポリマーを構成する全モノマーのうち25〜60
モル%であることが好ましい。なお、第三または第四の
本発明の樹脂組成物において、アルカリ可溶性とは、通
常のソルダーレジストの除去等に使用する条件、すなわ
ち0.1〜1重量%の炭酸ソーダ水溶液を用いて30〜
40℃で、溶解することを指す。
【0020】第三または第四の本発明の第1成分は、未
変性アクリル系ポリマー中に共重合させた(メタ)アク
リル酸に由来するカルボキシル基に、グリシジル基およ
びC=C不飽和二重結合を有する化合物を付加させたも
のである。さらに難燃性を必要とする場合は、前記化合
物に加えグリシジル基を有するハロゲン化フェニル化合
物を付加させて、前記第1’成分とすることが好まし
い。以下これら化合物について説明する。
変性アクリル系ポリマー中に共重合させた(メタ)アク
リル酸に由来するカルボキシル基に、グリシジル基およ
びC=C不飽和二重結合を有する化合物を付加させたも
のである。さらに難燃性を必要とする場合は、前記化合
物に加えグリシジル基を有するハロゲン化フェニル化合
物を付加させて、前記第1’成分とすることが好まし
い。以下これら化合物について説明する。
【0021】グリシジル基およびC=C不飽和二重結合
を有する化合物としては、グリシジル(メタ)アクリレ
ート、アリルグリシジルエーテル、ビニルベンジルグリ
シジルエーテルおよび4−グリシジルオキシ−3,5−
ジメチルベンジルアクリルアミド等が挙げられ、これら
の中では、酸への付加反応が容易な点からグリシジル
(メタ)アクリレートが好ましい。本発明ではこの化合
物が未変性アクリル系ポリマーに付加した状態で第2成
分と架橋を起こすため、耐熱性および耐湿性が大幅に向
上するものと考えられる。
を有する化合物としては、グリシジル(メタ)アクリレ
ート、アリルグリシジルエーテル、ビニルベンジルグリ
シジルエーテルおよび4−グリシジルオキシ−3,5−
ジメチルベンジルアクリルアミド等が挙げられ、これら
の中では、酸への付加反応が容易な点からグリシジル
(メタ)アクリレートが好ましい。本発明ではこの化合
物が未変性アクリル系ポリマーに付加した状態で第2成
分と架橋を起こすため、耐熱性および耐湿性が大幅に向
上するものと考えられる。
【0022】グリシジル基およびC=C不飽和二重結合
を有する化合物の付加量は、未変性アクリル系ポリマー
を構成する全モノマーの10〜25モル%とすることが
好ましい。10モル%未満では、耐熱性や耐湿性が充分
に発揮されず、また25モル%を超えると、未変性アク
リル系ポリマー中に(メタ)アクリル酸が多過ぎること
になり、該ポリマーの物性が低下するため、いずれも好
ましくない。
を有する化合物の付加量は、未変性アクリル系ポリマー
を構成する全モノマーの10〜25モル%とすることが
好ましい。10モル%未満では、耐熱性や耐湿性が充分
に発揮されず、また25モル%を超えると、未変性アク
リル系ポリマー中に(メタ)アクリル酸が多過ぎること
になり、該ポリマーの物性が低下するため、いずれも好
ましくない。
【0023】グリシジル基を有するハロゲン化フェニル
化合物の付加量は、未変性アクリル系ポリマーを構成す
る全モノマーの5〜25モル%とすることが好ましい。
5モル%未満では、難燃性が充分に発揮されず、また2
5モル%を超えると、はんだ耐熱性が悪くなり、いずれ
も好ましくない。
化合物の付加量は、未変性アクリル系ポリマーを構成す
る全モノマーの5〜25モル%とすることが好ましい。
5モル%未満では、難燃性が充分に発揮されず、また2
5モル%を超えると、はんだ耐熱性が悪くなり、いずれ
も好ましくない。
【0024】グリシジル基を有するハロゲン化フェニル
化合物としては、ジブロモフェニルグリシジルエーテ
ル、トリブロモフェニルグリシジルエーテル、ジクロロ
フェニルグリシジルエーテルおよびジブロモクレジルグ
リシジルエーテル等1分子中にグリシジル基を2個以上
有する化合物、並びにテトラブロモビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル等のように、1分子中にグリシジ
ル基を2個以上有する化合物が挙げられるが、後者の化
合物は(メタ)アクリル酸への付加反応プロセスにおい
て、1分子中の複数のグリシジル基が反応することによ
りゲル化が起こり易く、反応のコントロールが困難なた
め、前者の化合物の使用がより好ましい。またハロゲン
原子としては少量でも良好な難燃性が得られる点で臭素
が好ましい。
化合物としては、ジブロモフェニルグリシジルエーテ
ル、トリブロモフェニルグリシジルエーテル、ジクロロ
フェニルグリシジルエーテルおよびジブロモクレジルグ
リシジルエーテル等1分子中にグリシジル基を2個以上
有する化合物、並びにテトラブロモビスフェノールAの
ジグリシジルエーテル等のように、1分子中にグリシジ
ル基を2個以上有する化合物が挙げられるが、後者の化
合物は(メタ)アクリル酸への付加反応プロセスにおい
て、1分子中の複数のグリシジル基が反応することによ
りゲル化が起こり易く、反応のコントロールが困難なた
め、前者の化合物の使用がより好ましい。またハロゲン
原子としては少量でも良好な難燃性が得られる点で臭素
が好ましい。
【0025】本発明の絶縁性樹脂に難燃性を付与するた
めには、前記第1’成分を用いる代わりに、前記第1成
分に臭素化フェノール化合物のグリシジルエーテルと
(メタ)アクリル酸との反応物を配合して使用すること
もできるが、樹脂への相溶性が悪いとの理由から、第
1’成分の使用の方がより好ましい。なお、該反応物を
第1’成分を用いた絶縁性樹脂に配合して、さらに難燃
性を高めることも可能である。
めには、前記第1’成分を用いる代わりに、前記第1成
分に臭素化フェノール化合物のグリシジルエーテルと
(メタ)アクリル酸との反応物を配合して使用すること
もできるが、樹脂への相溶性が悪いとの理由から、第
1’成分の使用の方がより好ましい。なお、該反応物を
第1’成分を用いた絶縁性樹脂に配合して、さらに難燃
性を高めることも可能である。
【0026】次に、第2成分としての末端にC=C不飽
和二重結合を有する重合性化合物について説明する。こ
れは、末端にアクリロイル基および/またはメタクリロ
イル基(以下「(メタ)アクリロイル基」と称す
る。)、アリル基或いはビニル基等を有し、紫外線等の
活性エネルギー線の照射および/または加熱により重合
(架橋)を起こし得る化合物である。
和二重結合を有する重合性化合物について説明する。こ
れは、末端にアクリロイル基および/またはメタクリロ
イル基(以下「(メタ)アクリロイル基」と称す
る。)、アリル基或いはビニル基等を有し、紫外線等の
活性エネルギー線の照射および/または加熱により重合
(架橋)を起こし得る化合物である。
【0027】具体的には二重結合が1個のメチル(メ
タ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−
エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチ
ル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)
アクリレートまたは2−ヒドロキシ−3−フェノキシプ
ロピル(メタ)アクリレート等の単官能(メタ)アクリ
レート類;スチレンまたはアクリロニトリル等のビニル
基を有する化合物が挙げられる。二重結合が2個のもの
では、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェ
ノールA型エポキシのジ(メタ)アクリレートまたはウ
レタン(メタ)アクリレート等のジ(メタ)アクリレー
ト類;ジアリルフタレートまたはビスフェノールAのジ
アリルエーテル等アリル化合物類が挙げられる。また、
二重結合が3個以上のものでは、トリメチロールプロパ
ントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールト
リ(メタ)アクリレートまたはジペンタエリスリトール
ヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
タ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−
エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチ
ル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)
アクリレートまたは2−ヒドロキシ−3−フェノキシプ
ロピル(メタ)アクリレート等の単官能(メタ)アクリ
レート類;スチレンまたはアクリロニトリル等のビニル
基を有する化合物が挙げられる。二重結合が2個のもの
では、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポ
リエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプ
ロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェ
ノールA型エポキシのジ(メタ)アクリレートまたはウ
レタン(メタ)アクリレート等のジ(メタ)アクリレー
ト類;ジアリルフタレートまたはビスフェノールAのジ
アリルエーテル等アリル化合物類が挙げられる。また、
二重結合が3個以上のものでは、トリメチロールプロパ
ントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールト
リ(メタ)アクリレートまたはジペンタエリスリトール
ヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
【0028】上記重合性化合物のうち、二重結合が3個
以上の化合物を使用すると、架橋密度が高くなり、耐熱
性は増すが硬化後の樹脂は硬くて脆く、銅はくや基板へ
の密着性が悪くなる。一方、二重結合が2個以下の化合
物ではこの逆で、密着性は良くなるが、耐熱性が悪くな
る。従って、3個以上の化合物と2個以下の化合物を3
0重量部/70重量部〜70重量部/30重量部の範囲
で混合・配合するのが好ましい。また第1成分または第
1’成分との相溶性の点から、二重結合2個の化合物と
してはウレタン(メタ)アクリレートまたはポリエチレ
ングリコールジ(メタ)アクリレートが、3個の化合物
としてはトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレ
ートまたはペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレ
ートが好ましい。第2成分の配合量は、第1成分または
第1’成分並びに第2成分の合計量を基準として、20
〜50重量%の範囲が耐熱性と密着性の点から好まし
い。
以上の化合物を使用すると、架橋密度が高くなり、耐熱
性は増すが硬化後の樹脂は硬くて脆く、銅はくや基板へ
の密着性が悪くなる。一方、二重結合が2個以下の化合
物ではこの逆で、密着性は良くなるが、耐熱性が悪くな
る。従って、3個以上の化合物と2個以下の化合物を3
0重量部/70重量部〜70重量部/30重量部の範囲
で混合・配合するのが好ましい。また第1成分または第
1’成分との相溶性の点から、二重結合2個の化合物と
してはウレタン(メタ)アクリレートまたはポリエチレ
ングリコールジ(メタ)アクリレートが、3個の化合物
としてはトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレ
ートまたはペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレ
ートが好ましい。第2成分の配合量は、第1成分または
第1’成分並びに第2成分の合計量を基準として、20
〜50重量%の範囲が耐熱性と密着性の点から好まし
い。
【0029】第3成分である重合開始剤のうち、活性エ
ネルギー線による重合開始剤としては、芳香族ケトンの
ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、キサントン、チオキ
サントンまたは2−エチルアントラキノン;アセトフェ
ノン類としてアセトフェノン、トリクロロアセトフェノ
ン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、1
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイ
ンイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ルまたは2,2−ジエトキシアセトフェノン等;ジケト
ン類としてベンジルまたはメチルベンゾイルフォルメー
ト等が挙げられ、その配合量は第1成分または第1’成
分並びに第2成分の合計量100重量部に対して0.5
〜10重量部が好ましい。0.5重量部未満では硬化が
不十分となり耐熱性が劣り、10重量部を超えると組成
物中に分解物が多く残り可塑剤的な効果が発現してやは
り耐熱性が劣り易くなる。なお活性エネルギー線のうち
電子線を用いて硬化させる場合はこの重合開始剤を省い
てもよい。
ネルギー線による重合開始剤としては、芳香族ケトンの
ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、キサントン、チオキ
サントンまたは2−エチルアントラキノン;アセトフェ
ノン類としてアセトフェノン、トリクロロアセトフェノ
ン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、1
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイ
ンイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテ
ルまたは2,2−ジエトキシアセトフェノン等;ジケト
ン類としてベンジルまたはメチルベンゾイルフォルメー
ト等が挙げられ、その配合量は第1成分または第1’成
分並びに第2成分の合計量100重量部に対して0.5
〜10重量部が好ましい。0.5重量部未満では硬化が
不十分となり耐熱性が劣り、10重量部を超えると組成
物中に分解物が多く残り可塑剤的な効果が発現してやは
り耐熱性が劣り易くなる。なお活性エネルギー線のうち
電子線を用いて硬化させる場合はこの重合開始剤を省い
てもよい。
【0030】加熱による開始剤としては、有機過酸化物
系またはアゾビス系が挙げられ、保存安定性を得るため
には分解開始温度が高いものが好ましい。例としてジク
ミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイ
ド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオ
キシ)ヘキサンまたは2,5−ジメチル−2,5−ジ
(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン等が挙げられる。そ
の配合量は、第1成分または第1’成分並びに第2成分
の合計量100重量部に対して0.5〜10重量部が好
ましい。0.5重量部未満では硬化が不十分となり耐熱
性が劣り、10重量部を超えると組成物中に分解物が多
く残り可塑剤的な効果が発現してやはり耐熱性が劣り易
くなる。
系またはアゾビス系が挙げられ、保存安定性を得るため
には分解開始温度が高いものが好ましい。例としてジク
ミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイ
ド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオ
キシ)ヘキサンまたは2,5−ジメチル−2,5−ジ
(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン等が挙げられる。そ
の配合量は、第1成分または第1’成分並びに第2成分
の合計量100重量部に対して0.5〜10重量部が好
ましい。0.5重量部未満では硬化が不十分となり耐熱
性が劣り、10重量部を超えると組成物中に分解物が多
く残り可塑剤的な効果が発現してやはり耐熱性が劣り易
くなる。
【0031】絶縁性樹脂組成物を硬化させるには活性エ
ネルギー線または加熱のいずれの手段を用いてもよい
が、活性エネルギー線だけでは耐熱性が十分に上がらな
い場合が多いので、加熱による硬化を併用することが好
ましい。
ネルギー線または加熱のいずれの手段を用いてもよい
が、活性エネルギー線だけでは耐熱性が十分に上がらな
い場合が多いので、加熱による硬化を併用することが好
ましい。
【0032】本発明の絶縁性樹脂組成物に難燃性を持た
せるには、グリシジル基を有するハロゲン化フェニル化
合物を側鎖に導入した重合体を主成分とするのに加え
て、リンまたはリン系難燃剤を少量配合することが好ま
しい。本来は難燃化機能に乏しいリンまたはリン系難燃
剤を少量配合することによって、難燃性に関する相乗効
果が生じ、ハロゲン化フェニル化合物の必要導入量が低
減されて、樹脂組成物の耐熱性および電気的な絶縁性を
損なうことなく、良好な難燃性を具備させ得ることがで
きる。
せるには、グリシジル基を有するハロゲン化フェニル化
合物を側鎖に導入した重合体を主成分とするのに加え
て、リンまたはリン系難燃剤を少量配合することが好ま
しい。本来は難燃化機能に乏しいリンまたはリン系難燃
剤を少量配合することによって、難燃性に関する相乗効
果が生じ、ハロゲン化フェニル化合物の必要導入量が低
減されて、樹脂組成物の耐熱性および電気的な絶縁性を
損なうことなく、良好な難燃性を具備させ得ることがで
きる。
【0033】ここでリン系難燃剤とは、通常、難燃性を
付与するための添加剤として多用されているリン化合物
であり、リン酸エステル系として、トリフェニルホスフ
ェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェートまたはトリブチルホスフェート等、また
含ハロゲンリン酸エステルとしてトリスクロロエチルエ
チルホスフェート、トリスジクロロプロピルホスフェー
トまたはトリス(トリブロモフェニル)ホスフェート等
が挙げられる。さらに化合物ではなく、純粋なリンその
ものである赤リンも使用可能である。
付与するための添加剤として多用されているリン化合物
であり、リン酸エステル系として、トリフェニルホスフ
ェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェートまたはトリブチルホスフェート等、また
含ハロゲンリン酸エステルとしてトリスクロロエチルエ
チルホスフェート、トリスジクロロプロピルホスフェー
トまたはトリス(トリブロモフェニル)ホスフェート等
が挙げられる。さらに化合物ではなく、純粋なリンその
ものである赤リンも使用可能である。
【0034】本発明に使用する絶縁性樹脂組成物におけ
るハロゲンおよびリンの総含有量は、第1成分または第
1’成分、第2成分、第3成分並びにリンまたはリン系
難燃剤の合計量を基準にして、ハロゲンが2〜20重量
%で、リンが0.2〜5重量%が好ましい。ハロゲンの
含有量が2重量%未満では難燃性が不十分であり、20
重量%を超えるとはんだ耐熱性が悪くなる。またリンの
含有量が0.2重量%未満では同様に難燃性が不十分に
なり、5重量%を超えると耐熱性、耐湿性および電気絶
縁性が悪くなる。またより好ましいハロゲンの含有量は
8〜15重量%で、より好ましいリンの含有量は0.5
〜2重量%である。なおハロゲンの中では、前記のよう
に難燃性の効果の点で臭素が最も好ましい。
るハロゲンおよびリンの総含有量は、第1成分または第
1’成分、第2成分、第3成分並びにリンまたはリン系
難燃剤の合計量を基準にして、ハロゲンが2〜20重量
%で、リンが0.2〜5重量%が好ましい。ハロゲンの
含有量が2重量%未満では難燃性が不十分であり、20
重量%を超えるとはんだ耐熱性が悪くなる。またリンの
含有量が0.2重量%未満では同様に難燃性が不十分に
なり、5重量%を超えると耐熱性、耐湿性および電気絶
縁性が悪くなる。またより好ましいハロゲンの含有量は
8〜15重量%で、より好ましいリンの含有量は0.5
〜2重量%である。なおハロゲンの中では、前記のよう
に難燃性の効果の点で臭素が最も好ましい。
【0035】さらに本発明に使用する絶縁性樹脂組成物
には、通常使用されるようなタルク、炭カル等の無機充
填材、或いはレベリング剤、消泡剤等の添加剤を追加し
てもよい。
には、通常使用されるようなタルク、炭カル等の無機充
填材、或いはレベリング剤、消泡剤等の添加剤を追加し
てもよい。
【0036】第4の本発明では前記第1’成分、第2成
分および第3成分からなる絶縁性樹脂組成物中に第4成
分として−OH基を有する無機イオン交換体を配合させ
ることにより、金属導体の腐食による故障を防止する効
果を好ましく付加することができる。
分および第3成分からなる絶縁性樹脂組成物中に第4成
分として−OH基を有する無機イオン交換体を配合させ
ることにより、金属導体の腐食による故障を防止する効
果を好ましく付加することができる。
【0037】イオン交換体としては、全イオン交換体、
有機イオン交換体または無機イオン交換体等があるが、
耐熱性に優れた−OH基を有する無機イオン交換体が適
している。さらに詳しくは−OH基を有する無機陽イオ
ン交換体および−OH基を有する無機陰イオン交換体を
併せて含有させることにより、イオン不純物の影響をよ
り効果的に防止することができる。−OH基を有する無
機イオン交換体によるイオン捕捉作用は下記の通りであ
る。
有機イオン交換体または無機イオン交換体等があるが、
耐熱性に優れた−OH基を有する無機イオン交換体が適
している。さらに詳しくは−OH基を有する無機陽イオ
ン交換体および−OH基を有する無機陰イオン交換体を
併せて含有させることにより、イオン不純物の影響をよ
り効果的に防止することができる。−OH基を有する無
機イオン交換体によるイオン捕捉作用は下記の通りであ
る。
【0038】金属イオン捕捉用の無機陽イオン交換体を
RO- H+ 、金属イオンをM+ OH- の水酸基型で表す
と、イオン交換は次のようになり、結果として水を生成
する。 RO- H+ +M+ OH- →RO- M+ +H2 O …(a) 上記のイオンを捕捉する反応は、イオン交換反応である
が、無機イオン交換体の特徴として、逆反応は起こり難
く、一般には一度捕捉されたイオンは遊離し難い。これ
はRO- H+ の結合がRO- M+ になった後のO−M間
の結合は共有結合性が強いためと思われる。
RO- H+ 、金属イオンをM+ OH- の水酸基型で表す
と、イオン交換は次のようになり、結果として水を生成
する。 RO- H+ +M+ OH- →RO- M+ +H2 O …(a) 上記のイオンを捕捉する反応は、イオン交換反応である
が、無機イオン交換体の特徴として、逆反応は起こり難
く、一般には一度捕捉されたイオンは遊離し難い。これ
はRO- H+ の結合がRO- M+ になった後のO−M間
の結合は共有結合性が強いためと思われる。
【0039】ハロゲン等のイオン性不純物に対しては。
−OH基を有する無機陰イオン交換体をR’+ OH- 、
ハロゲンイオンをH+ X- の酸型で表すと次のような反
応となり、結果として水を生成する。 R’+ OH- +H+ X- →R’+ X- +H2 O …(b) 中性塩の場合には、上記の(a)(b)の反応が同時に起こ
る。
−OH基を有する無機陰イオン交換体をR’+ OH- 、
ハロゲンイオンをH+ X- の酸型で表すと次のような反
応となり、結果として水を生成する。 R’+ OH- +H+ X- →R’+ X- +H2 O …(b) 中性塩の場合には、上記の(a)(b)の反応が同時に起こ
る。
【0040】第四の本発明の絶縁性樹脂組成物に配合さ
せる無機イオン交換体の量は、該樹脂組成物に対して、
0.1〜15重量%が好ましく、より好ましくは0.1
〜10重量%である。無機イオン交換体の粒度は、イオ
ン捕捉速度や目的とする捕捉イオン交換体との接触を大
きくするために細かい方が望ましく、好ましい平均粒度
は10μm以下であり、より好ましくは5μm以下であ
る。
せる無機イオン交換体の量は、該樹脂組成物に対して、
0.1〜15重量%が好ましく、より好ましくは0.1
〜10重量%である。無機イオン交換体の粒度は、イオ
ン捕捉速度や目的とする捕捉イオン交換体との接触を大
きくするために細かい方が望ましく、好ましい平均粒度
は10μm以下であり、より好ましくは5μm以下であ
る。
【0041】用いられる無機イオン交換体としては、
金、銀、銅、鉛、白金およびカドミウム等の金属イオン
に高選択性を有するアンチモン酸(Sb2 O5 ・nH2
O)、ニオブ酸(Nb2 O5 ・nH2 O)並びにタンタ
ル酸に代表される五価金属の含水酸化物;銅およびアル
ミニウム等に高選択性を有するリン酸ジルコニウムに代
表される不溶性四価金属リン酸塩;ハロゲンイオンに高
選択性を有する含水酸化硝酸ビスマスおよび含水酸化鉛
で代表される含水金属酸化物、鉛ヒドロキシアパタイト
含水酸化硝酸ビスマスで代表されるアパタイト類並びに
ハイドロタルサイト類等が挙げられる。
金、銀、銅、鉛、白金およびカドミウム等の金属イオン
に高選択性を有するアンチモン酸(Sb2 O5 ・nH2
O)、ニオブ酸(Nb2 O5 ・nH2 O)並びにタンタ
ル酸に代表される五価金属の含水酸化物;銅およびアル
ミニウム等に高選択性を有するリン酸ジルコニウムに代
表される不溶性四価金属リン酸塩;ハロゲンイオンに高
選択性を有する含水酸化硝酸ビスマスおよび含水酸化鉛
で代表される含水金属酸化物、鉛ヒドロキシアパタイト
含水酸化硝酸ビスマスで代表されるアパタイト類並びに
ハイドロタルサイト類等が挙げられる。
【0042】金属イオン捕捉用としては、その他タリウ
ム酸、モリブデン酸およびタングステン酸等、ハロゲン
イオン捕捉用としては、含水酸化鉄、含水酸化スズ、含
水酸化アルミニウム、含水酸化ジルコニウムおよび含水
酸化チタン等が挙げられる。これらの無機イオン交換体
のうち、アンチモン酸で代表される五価金属の含水酸化
物は、銀、銅、カドミウム、鉛、金および白金のイオ
ン、特に銀イオンの捕捉に優れている。また、亜ヒ酸ジ
ルコニウムで代表される四価金属の亜ヒ酸塩は銅イオン
の捕捉に優れている。
ム酸、モリブデン酸およびタングステン酸等、ハロゲン
イオン捕捉用としては、含水酸化鉄、含水酸化スズ、含
水酸化アルミニウム、含水酸化ジルコニウムおよび含水
酸化チタン等が挙げられる。これらの無機イオン交換体
のうち、アンチモン酸で代表される五価金属の含水酸化
物は、銀、銅、カドミウム、鉛、金および白金のイオ
ン、特に銀イオンの捕捉に優れている。また、亜ヒ酸ジ
ルコニウムで代表される四価金属の亜ヒ酸塩は銅イオン
の捕捉に優れている。
【0043】一方、ハロゲンイオン捕捉用としては、含
水酸化硝酸ビスマス、含水酸化鉛、鉛ヒドロキシアパタ
イトおよび水酸化リン酸鉛が有用であり、中でも−OH
基を一部NO3 基に置換したものは、特に優れている。
これら無機イオン交換体は、金属イオン捕捉用のものを
単独に使用しても良く、ハロゲンイオン捕捉用のものと
併用しても良い。しかしながら黒化処理した内層基板上
の絶縁樹脂組成物に使用する場合は、金属イオン捕捉剤
が黒化処理上の酸化銅への腐食等の影響を及ぼすことも
あり、ハロゲンイオン捕捉剤のみの方が好ましい。ま
た、−OH基を有する無機イオン交換体としては、2種
以上の金属元素を含む複合物(例えばアンチモン酸マン
ガンやアンチモン酸スズ等)やそれらの混合物も使用可
能である。
水酸化硝酸ビスマス、含水酸化鉛、鉛ヒドロキシアパタ
イトおよび水酸化リン酸鉛が有用であり、中でも−OH
基を一部NO3 基に置換したものは、特に優れている。
これら無機イオン交換体は、金属イオン捕捉用のものを
単独に使用しても良く、ハロゲンイオン捕捉用のものと
併用しても良い。しかしながら黒化処理した内層基板上
の絶縁樹脂組成物に使用する場合は、金属イオン捕捉剤
が黒化処理上の酸化銅への腐食等の影響を及ぼすことも
あり、ハロゲンイオン捕捉剤のみの方が好ましい。ま
た、−OH基を有する無機イオン交換体としては、2種
以上の金属元素を含む複合物(例えばアンチモン酸マン
ガンやアンチモン酸スズ等)やそれらの混合物も使用可
能である。
【0044】本発明のチップ実装プリント配線板におい
て、樹脂含浸ガラスクロス積層板または該積層板からな
る内層基板に、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の
層を形成する方法としては、前記積層板または前記内層
基板に絶縁性樹脂を塗布し乾燥後銅はくを積層する方法
と、絶縁性樹脂を銅はくに塗布した銅張絶縁シートを作
成し、該シートを前記積層板または前記内層基板に積層
する方法が挙げられるが、工程が簡略なことから後者の
方法が好ましい。
て、樹脂含浸ガラスクロス積層板または該積層板からな
る内層基板に、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の
層を形成する方法としては、前記積層板または前記内層
基板に絶縁性樹脂を塗布し乾燥後銅はくを積層する方法
と、絶縁性樹脂を銅はくに塗布した銅張絶縁シートを作
成し、該シートを前記積層板または前記内層基板に積層
する方法が挙げられるが、工程が簡略なことから後者の
方法が好ましい。
【0045】本発明のチップ実装プリント配線板におけ
る、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層の厚みは
30〜70μmが好ましい。30μm未満では絶縁性が
不十分で、70μmを超えるとはんだ耐熱性が悪くなり
いずれも好ましくない。なお、樹脂性樹脂を銅はくに塗
布した銅張絶縁シートを作成し、該シートを樹脂含浸ガ
ラスクロス積層板または該積層板からなる内層基板に積
層する際の、該絶縁性樹脂の銅はくへの塗布厚は、40
〜100μm(乾燥後の厚み)が適当である。
る、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層の厚みは
30〜70μmが好ましい。30μm未満では絶縁性が
不十分で、70μmを超えるとはんだ耐熱性が悪くなり
いずれも好ましくない。なお、樹脂性樹脂を銅はくに塗
布した銅張絶縁シートを作成し、該シートを樹脂含浸ガ
ラスクロス積層板または該積層板からなる内層基板に積
層する際の、該絶縁性樹脂の銅はくへの塗布厚は、40
〜100μm(乾燥後の厚み)が適当である。
【0046】第二、第三および第四の本発明のブライン
ドバイアホールを有するチップ実装プリント配線板の製
造方法において、ブラインドバイアホールは種々の方法
で設けることができるが、絶縁性樹脂がアルカリ可溶性
の場合は次の方法が工程が簡略で好ましい。すなわち、
内層基板に絶縁性樹脂を介して表面銅はくを積層した銅
張積層板パネルを作成し、選択エッチングで表面の銅は
くの所定の位置に微細穴を設け、該微細穴の下の樹脂組
成物をアルカリ溶解してブラインドバイアホールを形成
する方法である。なお、第二の本発明で絶縁性樹脂がア
ルカリ不溶性の場合は、通常のドリル加工によりブライ
ンドバイアホールを形成することができる。
ドバイアホールを有するチップ実装プリント配線板の製
造方法において、ブラインドバイアホールは種々の方法
で設けることができるが、絶縁性樹脂がアルカリ可溶性
の場合は次の方法が工程が簡略で好ましい。すなわち、
内層基板に絶縁性樹脂を介して表面銅はくを積層した銅
張積層板パネルを作成し、選択エッチングで表面の銅は
くの所定の位置に微細穴を設け、該微細穴の下の樹脂組
成物をアルカリ溶解してブラインドバイアホールを形成
する方法である。なお、第二の本発明で絶縁性樹脂がア
ルカリ不溶性の場合は、通常のドリル加工によりブライ
ンドバイアホールを形成することができる。
【0047】ブラインドバイアホールにめっきを形成す
る方法としては、通常の無電解銅めっきおよび電気銅め
っきを施す方法が挙げられるが、ダイレクトプレーティ
ング法も使用できる。
る方法としては、通常の無電解銅めっきおよび電気銅め
っきを施す方法が挙げられるが、ダイレクトプレーティ
ング法も使用できる。
【0048】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明する。なお、チップ実装プリント配線板の製造方法
の説明のために、図1〜図3を掲げた。
説明する。なお、チップ実装プリント配線板の製造方法
の説明のために、図1〜図3を掲げた。
【0049】実施例1 (第1成分の合成)n−ブチルメタクリレート40重量
部、メチルメタクリレート15重量部、スチレン15重
量部、ヒドロキシエチルメタクリレート10重量部、メ
タクリル酸20重量部およびアゾビスイソブチルニトリ
ル2重量部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下で温度
80℃に保持したプロピレングリコールモノメチルエー
テル120重量部中に5時間かけて滴下した。1時間熟
成後、さらにアゾビスイソブチルニトリル0.5重量部
を加えて2時間熟成することによりカルボキシル基含有
メタクリル樹脂を合成した。次に空気を吹き込みなが
ら、グリシジルメタクリレート20重量部、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイド1.5重量部、さらに重合禁
止剤としてハイドロキノン0.15重量部を加えて温度
80℃で8時間反応させて分子量50,000〜70,
000、酸価1.8meq/g、不飽和基濃度1.14
モル/kgのカルボキシル基を有するベースレジンを合
成した。
部、メチルメタクリレート15重量部、スチレン15重
量部、ヒドロキシエチルメタクリレート10重量部、メ
タクリル酸20重量部およびアゾビスイソブチルニトリ
ル2重量部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下で温度
80℃に保持したプロピレングリコールモノメチルエー
テル120重量部中に5時間かけて滴下した。1時間熟
成後、さらにアゾビスイソブチルニトリル0.5重量部
を加えて2時間熟成することによりカルボキシル基含有
メタクリル樹脂を合成した。次に空気を吹き込みなが
ら、グリシジルメタクリレート20重量部、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイド1.5重量部、さらに重合禁
止剤としてハイドロキノン0.15重量部を加えて温度
80℃で8時間反応させて分子量50,000〜70,
000、酸価1.8meq/g、不飽和基濃度1.14
モル/kgのカルボキシル基を有するベースレジンを合
成した。
【0050】(絶縁性樹脂組成物Aの調製)上記第1成
分を50重量部、第2成分としてポリエチレングリコー
ルジアクリレート(東亞合成(株)製アロニックスM−
260)20重量部およびウレタンアクリレート(東亞
合成(株)製アロニックスM−1600)20重量部、
第3成分のうち熱重合開始剤としてジクミルパーオキサ
イド(日本油脂(株)製パークミルD)1.5重量部、
光重合開始剤として2−メチル−〔4−(メチルチオ)
フェニル〕−2−モリフォリノ−1−プロパノン(チバ
ガイギー社製イルガキュア907)3重量部、並びに光
重合促進剤p−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化
薬(株)製カヤキュアEPA)2重量部をよく混合し
て、絶縁性樹脂組成物Aを調製した。該組成物の動的粘
弾性スペクトルを測定したところ、図4のとおりとな
り、140℃でE’=108.5 dyn/cm2 であっ
た。なお、図4の動的粘弾性スペクトルは、岩本製作所
(株)製粘弾性スペクトロメーターVES−FIIIを
用い、初期加重30g、周波数10Hzの条件で測定し
たものである。
分を50重量部、第2成分としてポリエチレングリコー
ルジアクリレート(東亞合成(株)製アロニックスM−
260)20重量部およびウレタンアクリレート(東亞
合成(株)製アロニックスM−1600)20重量部、
第3成分のうち熱重合開始剤としてジクミルパーオキサ
イド(日本油脂(株)製パークミルD)1.5重量部、
光重合開始剤として2−メチル−〔4−(メチルチオ)
フェニル〕−2−モリフォリノ−1−プロパノン(チバ
ガイギー社製イルガキュア907)3重量部、並びに光
重合促進剤p−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化
薬(株)製カヤキュアEPA)2重量部をよく混合し
て、絶縁性樹脂組成物Aを調製した。該組成物の動的粘
弾性スペクトルを測定したところ、図4のとおりとな
り、140℃でE’=108.5 dyn/cm2 であっ
た。なお、図4の動的粘弾性スペクトルは、岩本製作所
(株)製粘弾性スペクトロメーターVES−FIIIを
用い、初期加重30g、周波数10Hzの条件で測定し
たものである。
【0051】(プリント配線板の作成)上記の絶縁性樹
脂組成物Aを18μm厚の銅はくのマット面にバーコー
ターにより印刷し、90℃オーブン中で10分乾燥させ
て70μmの厚さの樹脂層3を形成した銅張絶縁シート
を作成した。
脂組成物Aを18μm厚の銅はくのマット面にバーコー
ターにより印刷し、90℃オーブン中で10分乾燥させ
て70μmの厚さの樹脂層3を形成した銅張絶縁シート
を作成した。
【0052】アンクラッドの0.6mm厚ガラスエポキ
シ積層板1に上記銅張絶縁シートの樹脂側を重ね、80
℃のメタルロールによりラミネートを行って銅張積層板
パネルを作成した。銅はくを選択エッチングした後、無
電解金めっきを施して導体回路パターンおよびピッチ8
0μmのバンプ接続用の電極4を設けたプリント配線板
を作成した(図2)。
シ積層板1に上記銅張絶縁シートの樹脂側を重ね、80
℃のメタルロールによりラミネートを行って銅張積層板
パネルを作成した。銅はくを選択エッチングした後、無
電解金めっきを施して導体回路パターンおよびピッチ8
0μmのバンプ接続用の電極4を設けたプリント配線板
を作成した(図2)。
【0053】(プリント配線板の作成)半導体チップ5
に松下電器産業(株)製のバンプボンダーPanase
rtASTBで80μmピッチの金からなるスタッドバ
ンプ6を形成した。次にフリップチップボンダーPan
asert FCB−Sで上記スタッドバンプに導電性
接着剤9を転写した後に上記プリント配線板の電極4に
位置合わせを行った後マウントして、半導体チップを実
装したプリント配線板を作成した。
に松下電器産業(株)製のバンプボンダーPanase
rtASTBで80μmピッチの金からなるスタッドバ
ンプ6を形成した。次にフリップチップボンダーPan
asert FCB−Sで上記スタッドバンプに導電性
接着剤9を転写した後に上記プリント配線板の電極4に
位置合わせを行った後マウントして、半導体チップを実
装したプリント配線板を作成した。
【0054】次にプリント配線板と半導体チップの隙間
に球状のシリカフィラーを充填した熱硬化性エポキシ樹
脂からなる封止剤7を毛細管現象により充填させた。そ
の後、150℃30分間の加熱を行い該封止剤を硬化さ
せた。
に球状のシリカフィラーを充填した熱硬化性エポキシ樹
脂からなる封止剤7を毛細管現象により充填させた。そ
の後、150℃30分間の加熱を行い該封止剤を硬化さ
せた。
【0055】作成した半導体チップ5を実装したプリン
ト配線板を温度サイクル125℃30分、−65℃30
分を1サイクルとして500サイクルまで試験を行った
がバンプ接続部の電気導通は正常であった。121℃9
7%、2気圧のプレッシャークッカーテスト(以下「P
CT」と称する。)を行った結果、半導体バンプの周辺
のアルミニウム配線には異常が見られなかった。UL9
4の燃焼試験を行うと94V−1であった。
ト配線板を温度サイクル125℃30分、−65℃30
分を1サイクルとして500サイクルまで試験を行った
がバンプ接続部の電気導通は正常であった。121℃9
7%、2気圧のプレッシャークッカーテスト(以下「P
CT」と称する。)を行った結果、半導体バンプの周辺
のアルミニウム配線には異常が見られなかった。UL9
4の燃焼試験を行うと94V−1であった。
【0056】実施例2 実施例1で作成した絶縁性樹脂組成物Aを18μm厚の
銅はくのマット面にバーコーターにより印刷し、90℃
オーブン中で10分乾燥させて70μmの厚さの樹脂層
3を形成した銅張絶縁シートを作成した。
銅はくのマット面にバーコーターにより印刷し、90℃
オーブン中で10分乾燥させて70μmの厚さの樹脂層
3を形成した銅張絶縁シートを作成した。
【0057】35μm導体回路2を有する0.6mm厚
のガラスエポキシ積層板の内層基板1を用意し、前記導
体回路に通常の方法で黒化処理を行った。次にこの内層
基板の片面に前記の銅張絶縁シートの樹脂側を重ね、8
0℃のメタルロールによりラミネートを行って銅張積層
板パネルを作成した。選択エッチングで表面の銅はくの
所定の位置に微細穴を設け、該微細穴の下の樹脂組成物
を0.1重量%の炭酸ソーダを用い40℃でアルカリ溶
解してブラインドバイアホールを形成した。次に無電解
銅めっきおよび電気銅めっきを施してめっきブラインド
バイアホール8を形成した。次いで表面の銅はくを選択
エッチングした後無電解金めっきを施して導体回路パタ
ーンおよびピッチ80μmのバンプ接続用の電極4を設
けたプリント配線板を作成した(図3)。
のガラスエポキシ積層板の内層基板1を用意し、前記導
体回路に通常の方法で黒化処理を行った。次にこの内層
基板の片面に前記の銅張絶縁シートの樹脂側を重ね、8
0℃のメタルロールによりラミネートを行って銅張積層
板パネルを作成した。選択エッチングで表面の銅はくの
所定の位置に微細穴を設け、該微細穴の下の樹脂組成物
を0.1重量%の炭酸ソーダを用い40℃でアルカリ溶
解してブラインドバイアホールを形成した。次に無電解
銅めっきおよび電気銅めっきを施してめっきブラインド
バイアホール8を形成した。次いで表面の銅はくを選択
エッチングした後無電解金めっきを施して導体回路パタ
ーンおよびピッチ80μmのバンプ接続用の電極4を設
けたプリント配線板を作成した(図3)。
【0058】実施例1と同様の方法で半導体チップを本
実施例のプリント配線板にマウントして図1に示すよう
な半導体チップを実装したプリント配線板を作成した。
実施例のプリント配線板にマウントして図1に示すよう
な半導体チップを実装したプリント配線板を作成した。
【0059】該配線板を温度サイクル125℃30分、
−65℃30分を1サイクルとして500サイクルまで
試験を行ったがバンプ接続部の電気導通は正常であっ
た。そして、内層基板の導体回路と外層電極間に直流電
圧50ボルトを印可して85℃、相対湿度85%の条件
で3,000時間処理したが絶縁抵抗の劣化は殆どなく
1012〜1013Ωあった。121℃97%、2気圧のP
CTを行った結果、半導体バンプの周辺のアルミニウム
配線には異常が見られなかった。UL94の燃焼試験を
行うと94V−1レベルであった。
−65℃30分を1サイクルとして500サイクルまで
試験を行ったがバンプ接続部の電気導通は正常であっ
た。そして、内層基板の導体回路と外層電極間に直流電
圧50ボルトを印可して85℃、相対湿度85%の条件
で3,000時間処理したが絶縁抵抗の劣化は殆どなく
1012〜1013Ωあった。121℃97%、2気圧のP
CTを行った結果、半導体バンプの周辺のアルミニウム
配線には異常が見られなかった。UL94の燃焼試験を
行うと94V−1レベルであった。
【0060】実施例3 (第1’成分の合成)n−ブチルメタクリレート30重
量部、メチルメタクリレート13重量部、スチレン10
重量部、ヒドロキシエチルメタクリレート5重量部、メ
タクリル酸42重量部およびアゾビスイソブチルニトリ
ル1重量部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下で温度
80℃に保持したプロピレングリコールモノメチルエー
テル120重量部中に5時間かけて滴下した。1時間熟
成後、アゾビスイソブチルニトリル0.5重量部を加え
て2時間熟成することにより分子量50,000〜7
0,000のカルボキシル基含有メタクリル樹脂を合成
した。次に空気を吹き込みながら、ジブロモフェニルグ
リシジルエーテルおよびジブロモクレジルグリシジルエ
ーテルの混合物(日本化薬(株)製Broc−C)50
重量部、グリシジルメタクリレート20重量部、テトラ
ブチルアンモニウムブロマイド1.5重量部、さらに重
合禁止剤としてハイドロキノン0.15重量部を加えて
80℃で8時間反応させて、酸価2.0meq/g、不
飽和当量0.83モル/kgのカルボキシル基を有する
第1’成分を合成した。
量部、メチルメタクリレート13重量部、スチレン10
重量部、ヒドロキシエチルメタクリレート5重量部、メ
タクリル酸42重量部およびアゾビスイソブチルニトリ
ル1重量部からなる混合物を、窒素ガス雰囲気下で温度
80℃に保持したプロピレングリコールモノメチルエー
テル120重量部中に5時間かけて滴下した。1時間熟
成後、アゾビスイソブチルニトリル0.5重量部を加え
て2時間熟成することにより分子量50,000〜7
0,000のカルボキシル基含有メタクリル樹脂を合成
した。次に空気を吹き込みながら、ジブロモフェニルグ
リシジルエーテルおよびジブロモクレジルグリシジルエ
ーテルの混合物(日本化薬(株)製Broc−C)50
重量部、グリシジルメタクリレート20重量部、テトラ
ブチルアンモニウムブロマイド1.5重量部、さらに重
合禁止剤としてハイドロキノン0.15重量部を加えて
80℃で8時間反応させて、酸価2.0meq/g、不
飽和当量0.83モル/kgのカルボキシル基を有する
第1’成分を合成した。
【0061】この第1’成分を構成するモノマーのう
ち、メタクリル酸の量は全モノマーの50.7モル%で
あり、このうち14.6モル%にグリシジルメタクリレ
ートを付加させ、16.1モル%にジブロモフェニルグ
リシジルエーテルおよびジブロモクレジルグリシジルエ
ーテルを付加させ、残る20.0モル%が未変成の酸と
して存在していることになる。
ち、メタクリル酸の量は全モノマーの50.7モル%で
あり、このうち14.6モル%にグリシジルメタクリレ
ートを付加させ、16.1モル%にジブロモフェニルグ
リシジルエーテルおよびジブロモクレジルグリシジルエ
ーテルを付加させ、残る20.0モル%が未変成の酸と
して存在していることになる。
【0062】(絶縁性樹脂組成物Bの調製)上記第1’
成分を50重量部、第2成分としてポリエチレングリコ
ールジアクリレート(東亞合成(株)製アロニックスM
−260)20重量部およびウレタンアクリレート(東
亞合成(株)製アロニックスM−1600)20重量
部、第3成分のうち熱重合開始剤としてジクミルパーオ
キサイド(日本油脂(株)製パークミルD)1.5重量
部、光重合開始剤として2−メチル−〔4−(メチルチ
オ)フェニル〕−2−モリフォリノ−1−プロパノン
(チバガイギー社製イルガキュア907)3重量部、並
びにリン系難燃剤としてトリフェニルホスフェート1
4.4重量部をよく混合して、難燃性を有する絶縁性樹
脂組成物を調製した。この組成物の臭素含有量は8.4
重量%、リン含有量は1.0重量%である。−OHを有
する無機イオン交換体としてアンチモン酸チタンおよび
ハロゲンイオン捕捉用として水酸化リン酸鉛からなる混
合物(重量比6:4)1.0重量部を予めペンタエリス
トールトリアクリレートに添加し、3本ロール等により
十分に混合して絶縁性樹脂組成物を調製した。該絶縁性
樹脂組成物の動的粘弾性スペクトルを測定したところ、
前記絶縁性樹脂組成物Aより低く、130℃において
E’=108.5 dyn/cm2 、140℃においてE’
=108.3 dyn/cm2 であった。
成分を50重量部、第2成分としてポリエチレングリコ
ールジアクリレート(東亞合成(株)製アロニックスM
−260)20重量部およびウレタンアクリレート(東
亞合成(株)製アロニックスM−1600)20重量
部、第3成分のうち熱重合開始剤としてジクミルパーオ
キサイド(日本油脂(株)製パークミルD)1.5重量
部、光重合開始剤として2−メチル−〔4−(メチルチ
オ)フェニル〕−2−モリフォリノ−1−プロパノン
(チバガイギー社製イルガキュア907)3重量部、並
びにリン系難燃剤としてトリフェニルホスフェート1
4.4重量部をよく混合して、難燃性を有する絶縁性樹
脂組成物を調製した。この組成物の臭素含有量は8.4
重量%、リン含有量は1.0重量%である。−OHを有
する無機イオン交換体としてアンチモン酸チタンおよび
ハロゲンイオン捕捉用として水酸化リン酸鉛からなる混
合物(重量比6:4)1.0重量部を予めペンタエリス
トールトリアクリレートに添加し、3本ロール等により
十分に混合して絶縁性樹脂組成物を調製した。該絶縁性
樹脂組成物の動的粘弾性スペクトルを測定したところ、
前記絶縁性樹脂組成物Aより低く、130℃において
E’=108.5 dyn/cm2 、140℃においてE’
=108.3 dyn/cm2 であった。
【0063】上記の絶縁性樹脂組成物Bを、マット処理
した18μm厚の銅はくのマット面にスクリーン印刷に
より印刷し、90℃オーブン中で10分乾燥させて70
μmの厚さの樹脂層2を形成した銅張絶縁シートを作成
した。
した18μm厚の銅はくのマット面にスクリーン印刷に
より印刷し、90℃オーブン中で10分乾燥させて70
μmの厚さの樹脂層2を形成した銅張絶縁シートを作成
した。
【0064】次に実施例2と同様にプリント配線板を作
成し、かつ実施例1と同様の半導体チップ5をマウント
して、半導体チップを実装したプリント配線板を作成さ
せた。
成し、かつ実施例1と同様の半導体チップ5をマウント
して、半導体チップを実装したプリント配線板を作成さ
せた。
【0065】該プリント配線板を温度サイクル125℃
30分、−65℃30分を1サイクルとして500サイ
クルまで試験を行ったがバンプ接続部の電気導通は正常
であった。そして、内層基板の導体回路と外層電極間に
直流電圧50ボルトを印可して85℃、相対湿度85%
の条件で2,000時間処理したが絶縁抵抗の劣化は殆
どなく1012〜1013Ωあった。121℃97%、2気
圧のPCTを行った結果、半導体バンプ間には異常が見
られなかった。UL94の燃焼試験を行うと94V−0
であった。
30分、−65℃30分を1サイクルとして500サイ
クルまで試験を行ったがバンプ接続部の電気導通は正常
であった。そして、内層基板の導体回路と外層電極間に
直流電圧50ボルトを印可して85℃、相対湿度85%
の条件で2,000時間処理したが絶縁抵抗の劣化は殆
どなく1012〜1013Ωあった。121℃97%、2気
圧のPCTを行った結果、半導体バンプ間には異常が見
られなかった。UL94の燃焼試験を行うと94V−0
であった。
【0066】比較例1 35μmの銅はく回路を有するの0.6mm厚ガラスエ
ポキシ積層板の銅はくに無電解金めっきを施して導体回
路パターンおよびピッチ80μmのバンプ接続用の電極
を設けたプリント配線板を作成した。
ポキシ積層板の銅はくに無電解金めっきを施して導体回
路パターンおよびピッチ80μmのバンプ接続用の電極
を設けたプリント配線板を作成した。
【0067】実施例2と同様に本比較例の上記プリント
配線板に半導体チップをマウントして、半導体チップを
実装したプリント配線板を作成した。該プリント配線板
を温度サイクル125℃30分、−65℃30分を1サ
イクルとして100サイクルまで試験を行ったがバンプ
接続部の電気導通不良が発生した。
配線板に半導体チップをマウントして、半導体チップを
実装したプリント配線板を作成した。該プリント配線板
を温度サイクル125℃30分、−65℃30分を1サ
イクルとして100サイクルまで試験を行ったがバンプ
接続部の電気導通不良が発生した。
【0068】比較例2 実施例3の絶縁性樹脂組成物Bのうち第4成分の−OH
基を有する無機イオン交換体を除いた絶縁性樹脂組成物
Cを作成し、18μm銅はくのマット面に塗布して90
℃10分で乾燥させて銅張絶縁シートを作成した。
基を有する無機イオン交換体を除いた絶縁性樹脂組成物
Cを作成し、18μm銅はくのマット面に塗布して90
℃10分で乾燥させて銅張絶縁シートを作成した。
【0069】実施例2と同様にピッチ80μmのバンプ
接続用の電極を設けたプリント配線板を作成した。そし
て、実施例1と同様に本比較例の上記プリント配線板に
半導体チップをマウントして、半導体チップを実装した
プリント配線板を作成した。
接続用の電極を設けたプリント配線板を作成した。そし
て、実施例1と同様に本比較例の上記プリント配線板に
半導体チップをマウントして、半導体チップを実装した
プリント配線板を作成した。
【0070】該プリント配線板を温度サイクル125℃
30分、−65℃30分を1サイクルとして500サイ
クルまで試験を行ったがバンプ接続部の電気導通の異常
はなかった。しかしながら、内層基板の導体回路と外層
電極間に直流電圧50ボルトを印可して85℃、相対湿
度85%の条件で500時間処理したした結果、層間の
絶縁抵抗は初期1013〜1014Ωが1011〜1012Ωま
で下がった。また、121℃97%、2気圧のPCTを
行った結果、半導体バンプ周辺のアルミニウム配線には
樹枝状のデンドライトが観察された。
30分、−65℃30分を1サイクルとして500サイ
クルまで試験を行ったがバンプ接続部の電気導通の異常
はなかった。しかしながら、内層基板の導体回路と外層
電極間に直流電圧50ボルトを印可して85℃、相対湿
度85%の条件で500時間処理したした結果、層間の
絶縁抵抗は初期1013〜1014Ωが1011〜1012Ωま
で下がった。また、121℃97%、2気圧のPCTを
行った結果、半導体バンプ周辺のアルミニウム配線には
樹枝状のデンドライトが観察された。
【0071】
【発明の効果】上記のように本発明のプリント配線板に
使用する絶縁性樹脂は、加熱残留応力が小さいので半導
体チップ実装時に熱膨張係数の違う無機材料からなる半
導体と有機材料であるプリント配線板の接続信頼性が高
く、しかも半導体のアルミニウム配線を腐食させない。
このため、信頼性の高いプリント配線板が得られること
から工業上利用価値の高いものである。
使用する絶縁性樹脂は、加熱残留応力が小さいので半導
体チップ実装時に熱膨張係数の違う無機材料からなる半
導体と有機材料であるプリント配線板の接続信頼性が高
く、しかも半導体のアルミニウム配線を腐食させない。
このため、信頼性の高いプリント配線板が得られること
から工業上利用価値の高いものである。
【図1】本発明の実施例2におけるチップ実装プリント
配線板を示す概略断面図である。
配線板を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施例1における導体回路パターンお
よびバンプ接続用の電極を設けたプリント配線板を示す
概略断面図である。
よびバンプ接続用の電極を設けたプリント配線板を示す
概略断面図である。
【図3】本発明の実施例2における導体回路パターンお
よびバンプ接続用の電極を設けたプリント配線板を示す
概略断面図である。
よびバンプ接続用の電極を設けたプリント配線板を示す
概略断面図である。
【図4】本発明の実施例1における絶縁性樹脂組成物を
測定した、動的粘弾性スペクトル図である。
測定した、動的粘弾性スペクトル図である。
1 内装基板 2 導体回路 3 樹脂層 4 電極 5 半導体チップ 6 バンプ 7 封止剤 8 めっきブラインドバイアホール 9 導電接着剤
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/18 H01L 23/14 R (72)発明者 平岡 秀樹 愛知県名古屋市港区船見町1番地の1 東 亞合成株式会社名古屋総合研究所内 (72)発明者 藤原 正裕 愛知県名古屋市港区船見町1番地の1 東 亞合成株式会社名古屋総合研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 樹脂含浸ガラスクロス積層板の片面また
は両面に、加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層を
形成し、該絶縁性樹脂の層の上に導体回路を形成し、該
導体回路の電極にチップ部品のバンプを接続してなるチ
ップ実装プリント配線板。 - 【請求項2】 表面に導体回路を有する樹脂含浸ガラス
クロス積層板からなる内層基板の片面または両面に、加
熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂の層を形成し、該絶
縁性樹脂の層の上に表面の導体回路を形成し、該絶縁性
樹脂の層を貫通して内層基板上の導体回路と表面の導体
回路とをめっきで接続させてなり、かつ表面の導体回路
の電極にチップ部品のバンプを接続してなるブラインド
バイアホールを有するチップ実装プリント配線板。 - 【請求項3】 加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂
が、(1) アクリル酸および/またはメタクリル酸と、ア
クリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステル
とを主成分とする線状重合体であって、その構成成分で
あるアクリル酸および/またはメタクリル酸に由来する
カルボキシル基の一部に、グリシジル基およびC=C不
飽和二重結合を有する化合物を付加させた重合体、(2)
末端にC=C不飽和二重結合を有する重合性化合物、並
びに(3) 加熱および/または活性エネルギー線の照射に
よりC=C不飽和二重結合の重合を開始させ得る重合開
始剤、からなるアルカリ可溶性の樹脂組成物であること
を特徴とする請求項1または請求項2のチップ実装プリ
ント配線板。 - 【請求項4】 加熱時にゴム弾性を有する絶縁性樹脂
が、(1) アクリル酸および/またはメタクリル酸と、ア
クリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステル
とを主成分とする線状重合体であって、その構成成分で
あるアクリル酸および/またはメタクリル酸に由来する
カルボキシル基の一部に、グリシジル基およびC=C不
飽和二重結合を有する化合物と、グリシジル基を有する
ハロゲン化フェニル化合物とを付加させた重合体、(2)
末端にC=C不飽和二重結合を有する重合性化合物、
(3) 加熱および/または活性エネルギー線の照射により
C=C不飽和二重結合の重合を開始させ得る重合開始
剤、並びに(4) −OH基を有する無機イオン交換体、か
らなるアルカリ可溶性の樹脂組成物であることを特徴と
する請求項1または請求項2のチップ実装プリント配線
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065358A JPH09232703A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | チップ実装プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065358A JPH09232703A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | チップ実装プリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232703A true JPH09232703A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=13284666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065358A Pending JPH09232703A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | チップ実装プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012067306A (ja) * | 2011-10-13 | 2012-04-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| WO2025052547A1 (ja) * | 2023-09-05 | 2025-03-13 | 株式会社レゾナック | 半導体パッケージの製造方法 |
-
1996
- 1996-02-27 JP JP8065358A patent/JPH09232703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012067306A (ja) * | 2011-10-13 | 2012-04-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
| WO2025052547A1 (ja) * | 2023-09-05 | 2025-03-13 | 株式会社レゾナック | 半導体パッケージの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3190044B2 (ja) | 接着剤、接着フィルム及び接着剤付き金属箔 | |
| KR100547454B1 (ko) | 이방도전성 접착필름 | |
| JPWO1996031574A1 (ja) | 接着剤、接着フィルム及び接着剤付き金属箔 | |
| CN101601171A (zh) | 各向异性导电膜和其制造方法以及接合体 | |
| JP3978623B2 (ja) | 多層配線板 | |
| JP4644692B2 (ja) | 電極間接続体の製造方法 | |
| JPH1126945A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001115127A (ja) | 導電性接着剤とそれを用いた配線板 | |
| JPH09232703A (ja) | チップ実装プリント配線板 | |
| JP2008174662A (ja) | 樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置 | |
| JP2000332393A (ja) | 厚さ方向導電シート | |
| JP2000186217A (ja) | 絶縁用樹脂組成物およびこれを用いた多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP5055668B2 (ja) | プリント配線板用熱硬化性樹脂組成物 | |
| JPH1154919A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JPH0786756A (ja) | 層間絶縁材料用難燃性樹脂組成物 | |
| JPH10147685A (ja) | 絶縁材料用樹脂組成物 | |
| JP4254034B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3433611B2 (ja) | プリプレグ及び積層板 | |
| JP2000017133A (ja) | 絶縁用樹脂組成物およびこれを用いた多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH1154936A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2560952B2 (ja) | 樹脂組成物、樹脂付き銅はくおよびブラインドバイアホールを有する多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2004307627A (ja) | アクリル樹脂、これを用いた難燃性接着剤及び接着フィルム | |
| JP3430617B2 (ja) | 層間絶縁材料用難燃性樹脂組成物 | |
| JP2000082878A (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH10182758A (ja) | 絶縁用樹脂組成物およびこれを用いた多層プリント配線板の製造方法 |