JPH0925561A - 金属多層膜蒸着用メタルマスク - Google Patents
金属多層膜蒸着用メタルマスクInfo
- Publication number
- JPH0925561A JPH0925561A JP17372595A JP17372595A JPH0925561A JP H0925561 A JPH0925561 A JP H0925561A JP 17372595 A JP17372595 A JP 17372595A JP 17372595 A JP17372595 A JP 17372595A JP H0925561 A JPH0925561 A JP H0925561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- substrate
- vapor deposition
- thermal expansion
- multilayer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 25
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属多層膜蒸着用メタルマスクの蒸着中の熱
膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板上
パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成位
置のずれによるパターン不良の発生を防止する。 【解決手段】 基板５のウェーハパターン面と対向する
メタルマスク１の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂４
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂３を、そ
れぞれコーティングする。合成樹脂４の中央部が基板５
に接触しないように、メタルマスク１を基板５上に配置
し、メタルマスク１及び基板５の各両端をクリップ６で
固定する。
膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板上
パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成位
置のずれによるパターン不良の発生を防止する。 【解決手段】 基板５のウェーハパターン面と対向する
メタルマスク１の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂４
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂３を、そ
れぞれコーティングする。合成樹脂４の中央部が基板５
に接触しないように、メタルマスク１を基板５上に配置
し、メタルマスク１及び基板５の各両端をクリップ６で
固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、予め形成された金
属薄膜の上に部分的に薄膜を追加させ、多層膜構造を形
成する際に用いられるメタルマスクに関するものであ
る。
属薄膜の上に部分的に薄膜を追加させ、多層膜構造を形
成する際に用いられるメタルマスクに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスクの金属膜多層蒸着におい
て、ステンレス鋼などのメタルマスクが使用されてい
る。金属多層膜の形成は、予め形成された基板上のパタ
ーンに基板温度が１５０℃程度以上の高温で蒸着される
ため、蒸着装置内も高温となる。蒸着が高温中で行われ
るため、使用されるメタルマスクは、熱膨張を起こして
しまう。熱膨張による位置ずれを防止するため、メタル
マスクには予め反りが入れられている。図３に示すよう
に、予め反りの入ったメタルマスク１は、中央付近が１
ｍｍ程度浮いた状態で、基板５上に配置され、両端をク
リップ６等で固定されている。
て、ステンレス鋼などのメタルマスクが使用されてい
る。金属多層膜の形成は、予め形成された基板上のパタ
ーンに基板温度が１５０℃程度以上の高温で蒸着される
ため、蒸着装置内も高温となる。蒸着が高温中で行われ
るため、使用されるメタルマスクは、熱膨張を起こして
しまう。熱膨張による位置ずれを防止するため、メタル
マスクには予め反りが入れられている。図３に示すよう
に、予め反りの入ったメタルマスク１は、中央付近が１
ｍｍ程度浮いた状態で、基板５上に配置され、両端をク
リップ６等で固定されている。
【０００３】なお、その他の従来の技術としては、次の
ものを挙げることができる。
ものを挙げることができる。
【０００４】（１）熱膨張係数が基板の熱膨張係数とほ
ぼ等しい材料で形成されてなる薄膜形成用マスク（特開
平２−７７５７１号公報）。
ぼ等しい材料で形成されてなる薄膜形成用マスク（特開
平２−７７５７１号公報）。
【０００５】（２）所定形状の開口を有し、基板上に設
置されて該基板上に該所定形状の皮膜を形成するために
用いられる皮膜用マイクにおいて、成膜中の温度差によ
る反りを補償すべく、熱膨張率の異なる複数の材質の層
から構成すること（実開昭５７−１１３４３７号公
報）。
置されて該基板上に該所定形状の皮膜を形成するために
用いられる皮膜用マイクにおいて、成膜中の温度差によ
る反りを補償すべく、熱膨張率の異なる複数の材質の層
から構成すること（実開昭５７−１１３４３７号公
報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の反りの入っただ
けのメタルマスクでは、メタルマスク固定時又は高温蒸
着中の反りの増大により、メタルマスク中央部が基板に
接触し、そのためすでに基板上に形成された薄膜パター
ン面にキズをつけてしまい、不良チップが増大する欠点
がある。また高温蒸着中の反りの増大により、多層膜形
成の位置ずれが発生する問題がある。
けのメタルマスクでは、メタルマスク固定時又は高温蒸
着中の反りの増大により、メタルマスク中央部が基板に
接触し、そのためすでに基板上に形成された薄膜パター
ン面にキズをつけてしまい、不良チップが増大する欠点
がある。また高温蒸着中の反りの増大により、多層膜形
成の位置ずれが発生する問題がある。
【０００７】そこで、本発明は、前記従来の金属多層膜
蒸着用メタルマスクを形成する技術を改良し、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止しようとす
るものである。
蒸着用メタルマスクを形成する技術を改良し、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止しようとす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の金属多層膜蒸着
用メタルマスクは、従来の基板のウェーハパターン面と
対向するメタルマスクの面側に熱膨張率が小さい合成樹
脂（フッ素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等）
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂（カーボ
ン系樹脂等）を、それぞれコーティングする。本発明
は、前記のような手段を採用することにより、蒸着中の
メタルマスクの熱膨張による反りの増大を抑制する。
用メタルマスクは、従来の基板のウェーハパターン面と
対向するメタルマスクの面側に熱膨張率が小さい合成樹
脂（フッ素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等）
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂（カーボ
ン系樹脂等）を、それぞれコーティングする。本発明
は、前記のような手段を採用することにより、蒸着中の
メタルマスクの熱膨張による反りの増大を抑制する。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１０】図１は、本発明の一実施の形態の金属多層
膜蒸着用メタルマスクの平面図である。金属多層膜蒸着
用メタルマスク１には、多層膜形成位置に蒸着位置穴２
が開けられている。
膜蒸着用メタルマスクの平面図である。金属多層膜蒸着
用メタルマスク１には、多層膜形成位置に蒸着位置穴２
が開けられている。
【００１１】図２は、金属多層膜蒸着用メタルマスク１
の基板５上に配置固定されたときの断面図である。
の基板５上に配置固定されたときの断面図である。
【００１２】基板５のウェーハパターン面と対向するメ
タルマスク１の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂（フッ
素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等）４を、そ
の反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂（カーボン系樹
脂）３を、それぞれコーティングする。合成樹脂４の中
央部が基板５に接触しないように、メタルマスク１を基
板５上に配置し、メタルマスク１及び基板５の各両端を
クリップ６で固定する。
タルマスク１の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂（フッ
素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等）４を、そ
の反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂（カーボン系樹
脂）３を、それぞれコーティングする。合成樹脂４の中
央部が基板５に接触しないように、メタルマスク１を基
板５上に配置し、メタルマスク１及び基板５の各両端を
クリップ６で固定する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の金属多層
膜蒸着用メタルマスクを使用することにより、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止する。ま
た、本発明は、摩耗性を減少させることにより、メタル
マスクの基板上固定時の接触によるキズの増大を防止す
る。
膜蒸着用メタルマスクを使用することにより、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止する。ま
た、本発明は、摩耗性を減少させることにより、メタル
マスクの基板上固定時の接触によるキズの増大を防止す
る。
【図１】本発明の一実施の形態の金属多層膜蒸着用メタ
ルマスクの平面図。
ルマスクの平面図。
【図２】本発明の一実施の形態の金属多層膜蒸着用メタ
ルマスクの基板固定時の断面図。
ルマスクの基板固定時の断面図。
【図３】従来の金属多層膜蒸着用メタルマスクの基板固
定時の断面図。
定時の断面図。
１ メタルマスク ２ 蒸着位置穴 ３ 熱膨張率が大きい合成樹脂 ４ 熱膨張率が小さい合成樹脂 ５ 基板 ６ クリップ
Claims (3)
- 【請求項１】 マスク両面に、熱膨張率を異にする合成
樹脂をコーティングすることを特徴とする金属多層膜蒸
着用メタルマスク。 - 【請求項２】 前記合成樹脂の一方がフッ素系樹脂で、
他方がカーボン系樹脂であることを特徴とする請求項１
記載の金属多層膜蒸着用メタルマスク。 - 【請求項３】 前記合成樹脂の一方がポリイミド又はポ
リイミドアミドで、他方がカーボン系樹脂であることを
特徴とする請求項１記載の金属多層膜蒸着用メタルマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17372595A JPH0925561A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 金属多層膜蒸着用メタルマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17372595A JPH0925561A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 金属多層膜蒸着用メタルマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925561A true JPH0925561A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15965992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17372595A Pending JPH0925561A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 金属多層膜蒸着用メタルマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925561A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6679997B2 (en) * | 1998-08-12 | 2004-01-20 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Organic insulation film formation method |
| JP2004300495A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 |
| JP2007051342A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toyota Industries Corp | フレーム |
| US8815015B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-08-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for fabricating organic light emitting diode display device |
| KR20200011859A (ko) * | 2018-07-25 | 2020-02-04 | 주식회사 야스 | 유리 마스크 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17372595A patent/JPH0925561A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6679997B2 (en) * | 1998-08-12 | 2004-01-20 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Organic insulation film formation method |
| JP2004300495A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Seiki Co Ltd | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 |
| JP2007051342A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toyota Industries Corp | フレーム |
| US8815015B2 (en) | 2008-05-15 | 2014-08-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for fabricating organic light emitting diode display device |
| KR20200011859A (ko) * | 2018-07-25 | 2020-02-04 | 주식회사 야스 | 유리 마스크 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6942817B2 (en) | Method of manufacturing wireless suspension blank | |
| CN108385058B (zh) | 掩膜板和掩膜板的制造方法 | |
| US7487675B2 (en) | Micro-heater and sensor | |
| JPH0850706A (ja) | フォトレジスト膜形成方法 | |
| US8168312B2 (en) | Magnetic recording medium and a method of manufacturing the same | |
| CN100358011C (zh) | 磁复制用主载体 | |
| JPH0617250A (ja) | エキスパンダーロール | |
| JP4007598B2 (ja) | サセプタおよびその製造方法 | |
| JP3007086U (ja) | 絶縁基板 | |
| JP2758868B2 (ja) | 電極兼基板加熱装置 | |
| JP2621647B2 (ja) | 磁気ディスクの成膜用保持具 | |
| JP2510127Y2 (ja) | 磁気ディスクの成膜用保持具 | |
| JP2007283442A (ja) | プレーナー型アクチュエータ | |
| JPS6053036A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS62166934A (ja) | 浮動形ヘツドの製造方法 | |
| KR100650264B1 (ko) | 반도체소자의 금속절연막 형성방법 | |
| JP2006059497A (ja) | マスター担体製造方法 | |
| JP2765624B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2557908B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| CN120099474A (zh) | 一种光学镜片镀膜用承载治具 | |
| JPWO2024203737A5 (ja) | ||
| JPS61107749A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60197866A (ja) | 連続成膜用マスク | |
| JPH01258448A (ja) | 半導体ペレット | |
| JPS61184814A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981111 |