JPH0927665A - 定抵抗可撓性回路基板及びその製造方法 - Google Patents
定抵抗可撓性回路基板及びその製造方法Info
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- JPH0927665A JPH0927665A JP17355895A JP17355895A JPH0927665A JP H0927665 A JPH0927665 A JP H0927665A JP 17355895 A JP17355895 A JP 17355895A JP 17355895 A JP17355895 A JP 17355895A JP H0927665 A JPH0927665 A JP H0927665A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 可撓性回路基板の導電パターンの定抵抗化を
図る。 【解決手段】 可撓性を有する絶縁性基材２１の両面に
導電パターン３０１，３０２が形成され、両面の導電パ
ターン３０１，３０２が電解メッキの施されたスルーホ
ール部２４を介して電気的に接続され、導電パターンが
電解メッキの施されない導電層２２のみで形成された構
成とする。
図る。 【解決手段】 可撓性を有する絶縁性基材２１の両面に
導電パターン３０１，３０２が形成され、両面の導電パ
ターン３０１，３０２が電解メッキの施されたスルーホ
ール部２４を介して電気的に接続され、導電パターンが
電解メッキの施されない導電層２２のみで形成された構
成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電パターンの抵
抗値がばらつくことなく所要値に定められた定抵抗可撓
性回路基板及びその製造方法に関する。
抗値がばらつくことなく所要値に定められた定抵抗可撓
性回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の可撓性回路基板及びその製造例を
図９及び図１０に示す。まず、図９Ａに示すように、可
撓性を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基板１の両
面に例えば厚さ１８μｍ、３５μｍ等の銅箔２を貼り合
わせた銅張り基板３を用意し、ＮＣ加工によって所要部
分にスルーホール部４を穿設する。
図９及び図１０に示す。まず、図９Ａに示すように、可
撓性を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基板１の両
面に例えば厚さ１８μｍ、３５μｍ等の銅箔２を貼り合
わせた銅張り基板３を用意し、ＮＣ加工によって所要部
分にスルーホール部４を穿設する。
【０００３】次に、図９Ｂに示すように、無電解メッキ
処理によって、スルーホール部４内壁を含む両面全面に
パラジウム下地膜とその上の銅膜にる無電解メッキ膜５
を形成する。この無電解メッキ膜５の膜厚は１〜２μｍ
程度である。
処理によって、スルーホール部４内壁を含む両面全面に
パラジウム下地膜とその上の銅膜にる無電解メッキ膜５
を形成する。この無電解メッキ膜５の膜厚は１〜２μｍ
程度である。
【０００４】次に、図９Ｃに示すように、電解銅メッキ
処理を施して、無電解メッキ膜５上に例えば厚さ９μｍ
±６μｍ程度の電解銅メッキ膜６を被着形成する。これ
ら無電解メッキ及び電解メッキはいわゆるスルーホール
メッキと呼ばれる。
処理を施して、無電解メッキ膜５上に例えば厚さ９μｍ
±６μｍ程度の電解銅メッキ膜６を被着形成する。これ
ら無電解メッキ及び電解メッキはいわゆるスルーホール
メッキと呼ばれる。
【０００５】次に、図９Ｄに示すように、感光性のドラ
イフィルム７を基板３の両面に被着した後、所定パター
ンのマスクを介してドライフィルム７を露光し、現像し
てスルーホール部分８Ｓ及び導電パターンを形成すべき
部分８Ｐ上にドライフィルムによるエッチング用マスク
７１を形成する（図１０Ｅ）。
イフィルム７を基板３の両面に被着した後、所定パター
ンのマスクを介してドライフィルム７を露光し、現像し
てスルーホール部分８Ｓ及び導電パターンを形成すべき
部分８Ｐ上にドライフィルムによるエッチング用マスク
７１を形成する（図１０Ｅ）。
【０００６】次に、図１０Ｆに示すように、エッチング
用マスク７１を介して他部の銅箔２とその上の無電解メ
ッキ膜５及び電解メッキ膜６をエッチング除去する。
用マスク７１を介して他部の銅箔２とその上の無電解メ
ッキ膜５及び電解メッキ膜６をエッチング除去する。
【０００７】然る後、エッチング用マスク７１を剥離す
ることにより、図１０Ｇに示すように、両面に所要の導
電パターン９１及び９２を有し、両導電パターン９１及
び９２がスルーホール部４を介して電気的に接続された
可撓性回路基板１０が得られる。
ることにより、図１０Ｇに示すように、両面に所要の導
電パターン９１及び９２を有し、両導電パターン９１及
び９２がスルーホール部４を介して電気的に接続された
可撓性回路基板１０が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時、可撓
性回路基板は、各種の用途に利用されつつあるが、用途
によっては回路（いわゆる導電パターン）の抵抗値が一
定の範囲内に納まっていることが要求される。例えば可
撓性回路基板をスピーカのボイスコイルに応用した場
合、その回路（コイルを構成する導電パターン）の抵抗
値として７±０．５Ωが要求される。
性回路基板は、各種の用途に利用されつつあるが、用途
によっては回路（いわゆる導電パターン）の抵抗値が一
定の範囲内に納まっていることが要求される。例えば可
撓性回路基板をスピーカのボイスコイルに応用した場
合、その回路（コイルを構成する導電パターン）の抵抗
値として７±０．５Ωが要求される。
【０００９】しかし乍ら、上述の従来の可撓性回路基板
１０においては、導電パターン９１，９２の抵抗値を管
理することが困難であった。その理由は、スルーホール
メッキを施したとき、導電パターン９１，９２上にもメ
ッキ膜５及び６が施され、特に電解メッキでは、基板全
面に電流密度を均一にすることが困難なことから、電解
メッキ膜６の膜厚の制御が前述のように難しく、導電パ
ターン９１及び９２の抵抗値が大きくばらついてしま
う。
１０においては、導電パターン９１，９２の抵抗値を管
理することが困難であった。その理由は、スルーホール
メッキを施したとき、導電パターン９１，９２上にもメ
ッキ膜５及び６が施され、特に電解メッキでは、基板全
面に電流密度を均一にすることが困難なことから、電解
メッキ膜６の膜厚の制御が前述のように難しく、導電パ
ターン９１及び９２の抵抗値が大きくばらついてしま
う。
【００１０】本発明は、上述の点に鑑み、導電パターン
の定抵抗化を可能にした定抵抗可撓性回路基板及びその
製造方法を提供するものである。
の定抵抗化を可能にした定抵抗可撓性回路基板及びその
製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る定抵抗可撓
性回路基板は、可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電
パターンが形成され、この両面の導電パターンが電解メ
ッキの施されたスルーホール部を介して電気的に接続さ
れ、導電パターンが電解メッキの施されない導電層のみ
で形成された構成とする。
性回路基板は、可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電
パターンが形成され、この両面の導電パターンが電解メ
ッキの施されたスルーホール部を介して電気的に接続さ
れ、導電パターンが電解メッキの施されない導電層のみ
で形成された構成とする。
【００１２】本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の製造
方法は、可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電層を有
し所要部分にスルーホール部が形成されてなる基体のス
ルーホール部の内壁のみに導電膜を形成する工程と、導
電層の導電パターンを形成すべき部分上に設けたメッキ
用マスクを介してスルーホール部内を含んで電解メッキ
を施す工程と、導電パターンとスルーホール部分以外
の、導電層及び電解メッキ膜を選択的に除去する工程を
有する。
方法は、可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電層を有
し所要部分にスルーホール部が形成されてなる基体のス
ルーホール部の内壁のみに導電膜を形成する工程と、導
電層の導電パターンを形成すべき部分上に設けたメッキ
用マスクを介してスルーホール部内を含んで電解メッキ
を施す工程と、導電パターンとスルーホール部分以外
の、導電層及び電解メッキ膜を選択的に除去する工程を
有する。
【００１３】メッキ用マスクとしてメッキレジストイン
クを用いることができる。
クを用いることができる。
【００１４】本発明の定抵抗可撓性回路基板によれば、
導電パターンが電解メッキの施されない導電層、即ち抵
抗値が制御された導電層のみで形成されることにより、
導電パターンの定抵抗化が図れる。
導電パターンが電解メッキの施されない導電層、即ち抵
抗値が制御された導電層のみで形成されることにより、
導電パターンの定抵抗化が図れる。
【００１５】また、本発明の製造方法によれば、スルー
ホール部の内壁のみに導電膜を形成し、導電層の導電パ
ターンを形成すべき部分上に設けたメッキ用マスクを介
してスルーホール部内を含んで電解メッキを施し、しか
る後、導電パターンとスルーホール部分以外の、導電層
及び電解メッキ膜を選択的に除去することにより、導電
パターンは導電層のみで形成され、抵抗値が制御、管理
された導電パターンを有する可撓性回路基板が製造され
る。
ホール部の内壁のみに導電膜を形成し、導電層の導電パ
ターンを形成すべき部分上に設けたメッキ用マスクを介
してスルーホール部内を含んで電解メッキを施し、しか
る後、導電パターンとスルーホール部分以外の、導電層
及び電解メッキ膜を選択的に除去することにより、導電
パターンは導電層のみで形成され、抵抗値が制御、管理
された導電パターンを有する可撓性回路基板が製造され
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００１７】本例においては、まず、図１Ａに示すよう
に、可撓性を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基
板、ガラスエポキシ基板、本例ではポリイミド基板２１
の両面に所定の厚さ、例えば１８μｍ、３５μｍ等の銅
箔２２を貼り合わせた銅張り基板２３を用意し、ＮＣ加
工によって所要部分にスルーホール部２４を穿設する。
に、可撓性を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基
板、ガラスエポキシ基板、本例ではポリイミド基板２１
の両面に所定の厚さ、例えば１８μｍ、３５μｍ等の銅
箔２２を貼り合わせた銅張り基板２３を用意し、ＮＣ加
工によって所要部分にスルーホール部２４を穿設する。
【００１８】銅箔２２の厚みは要求される導電パターン
の抵抗値に応じて設定することができる。銅箔２２はそ
の厚みが制御されているので、抵抗値も制御することが
でき、銅箔２２としての抵抗値管理が可能となる。
の抵抗値に応じて設定することができる。銅箔２２はそ
の厚みが制御されているので、抵抗値も制御することが
でき、銅箔２２としての抵抗値管理が可能となる。
【００１９】次に、図１Ｂに示すように、基板２３をカ
ーボンの浴槽にディッピングしてスルーホール部２４の
内壁及び両面の銅箔２２上の全面にカーボン膜２５を被
着形成する。
ーボンの浴槽にディッピングしてスルーホール部２４の
内壁及び両面の銅箔２２上の全面にカーボン膜２５を被
着形成する。
【００２０】次に、エッチング液として例えばＨ2 ＳＯ
4 とＨ2 Ｏ2 を主体とする混液を用いたソフトエッチン
グ処理によって、銅箔２２を１μｍ程度エッチング除去
して銅箔２２上のカーボン膜２５を除去する。この処理
によって、図１Ｃに示すように、スルーホール部２４の
内壁、特にそのポリイミド基板２４の内壁のみにカーボ
ン膜２５を残す。
4 とＨ2 Ｏ2 を主体とする混液を用いたソフトエッチン
グ処理によって、銅箔２２を１μｍ程度エッチング除去
して銅箔２２上のカーボン膜２５を除去する。この処理
によって、図１Ｃに示すように、スルーホール部２４の
内壁、特にそのポリイミド基板２４の内壁のみにカーボ
ン膜２５を残す。
【００２１】次に、図１Ｄに示すように、スルーホール
部分を除いて導電パターンを形成すべき部分の銅箔２２
上にメッキ用マスク２６を形成する。このメッキ用マス
ク２６は、例えば耐メッキ性レジストインクによる塗
布、又は感光性ドライフィルムを用いて露光、現像する
等して形成することができる。
部分を除いて導電パターンを形成すべき部分の銅箔２２
上にメッキ用マスク２６を形成する。このメッキ用マス
ク２６は、例えば耐メッキ性レジストインクによる塗
布、又は感光性ドライフィルムを用いて露光、現像する
等して形成することができる。
【００２２】次に、図２Ｅに示すように、硫酸銅メッキ
浴中で電解銅メッキ処理を施し、メッキ用マスク２６で
覆われないスルーホール部２４を含む部分に、即ちスル
ーホール部２４の内壁及び導電パターンとならない部分
の銅箔２２上に電解銅メッキ膜２７を形成する。この電
解銅メッキは、いわゆるスルーホールメッキと呼ばれ
る。
浴中で電解銅メッキ処理を施し、メッキ用マスク２６で
覆われないスルーホール部２４を含む部分に、即ちスル
ーホール部２４の内壁及び導電パターンとならない部分
の銅箔２２上に電解銅メッキ膜２７を形成する。この電
解銅メッキは、いわゆるスルーホールメッキと呼ばれ
る。
【００２３】次に、メッキ用マスク２６を剥離した後
（図２Ｆ参照）、図２Ｇに示すように、感光性のドライ
フィルム２８を基板２３の両面に被着する。そして、所
定パターンのマスクを介してドライフィルム２８を露光
し、現像してスルーホール部分２９Ｓ及び導電パターン
を形成すべき部分２９Ｐ上にドライフィルムによるエッ
チング用マスク２８１を形成する（図３Ｈ参照）。
（図２Ｆ参照）、図２Ｇに示すように、感光性のドライ
フィルム２８を基板２３の両面に被着する。そして、所
定パターンのマスクを介してドライフィルム２８を露光
し、現像してスルーホール部分２９Ｓ及び導電パターン
を形成すべき部分２９Ｐ上にドライフィルムによるエッ
チング用マスク２８１を形成する（図３Ｈ参照）。
【００２４】次に、図３Ｉに示すように、エッチング用
マスク２８１を介して他部の銅箔２２とその上の電解銅
メッキ膜２７を選択的にエッチング除去する。
マスク２８１を介して他部の銅箔２２とその上の電解銅
メッキ膜２７を選択的にエッチング除去する。
【００２５】然る後、エッチング用マスク２８１を剥離
し、図３Ｊに示すように、両面に銅箔２２のみからなる
所要の導電パターン３０１及び３０２を有し、両導電パ
ターン３０１及び３０２がスルーホール部２４の電解銅
メッキ膜２７を介して電気的に接続された目的の定抵抗
可撓性回路基板３２を得る。
し、図３Ｊに示すように、両面に銅箔２２のみからなる
所要の導電パターン３０１及び３０２を有し、両導電パ
ターン３０１及び３０２がスルーホール部２４の電解銅
メッキ膜２７を介して電気的に接続された目的の定抵抗
可撓性回路基板３２を得る。
【００２６】この定抵抗可撓性回路基板３２では、可撓
性を有するポリイミド基板２１の両面に銅箔２２のみか
らなる導電パターン３０１及び３０２が形成され、スル
ーホール２４の部分のみ、即ちスルーホール部２４の内
壁及びスルーホール部２４のまわり（近辺）のみに電解
銅メッキ膜２７が形成された構成となる。
性を有するポリイミド基板２１の両面に銅箔２２のみか
らなる導電パターン３０１及び３０２が形成され、スル
ーホール２４の部分のみ、即ちスルーホール部２４の内
壁及びスルーホール部２４のまわり（近辺）のみに電解
銅メッキ膜２７が形成された構成となる。
【００２７】銅箔２２の厚み自体は、銅厚±１０％にて
制御されているため、導電パターン３０１及び３０２に
おける厚みのばらつきはなく、導電パターンの抵抗値は
一定の範囲内に制御される。
制御されているため、導電パターン３０１及び３０２に
おける厚みのばらつきはなく、導電パターンの抵抗値は
一定の範囲内に制御される。
【００２８】上述した本実施例の定抵抗可撓性回路基板
３２によれば、スルーホールメッキである電解銅メッキ
が全体に施されず、スルーホール部分にのみ施されるの
で、導電パターン３０１及び３０２においては、スルー
ホールメッキでの厚みのばらつきの影響がなくなり、導
電パターン３０１及び３０２の定抵抗化を図ることがで
きる。例えば３００ｍｍ×２４０ｍｍ角の基板内で導電
パターン３０１及び３０２の抵抗値が７Ω±０．５Ωに
制御された定抵抗可撓性回路基板が得られる。
３２によれば、スルーホールメッキである電解銅メッキ
が全体に施されず、スルーホール部分にのみ施されるの
で、導電パターン３０１及び３０２においては、スルー
ホールメッキでの厚みのばらつきの影響がなくなり、導
電パターン３０１及び３０２の定抵抗化を図ることがで
きる。例えば３００ｍｍ×２４０ｍｍ角の基板内で導電
パターン３０１及び３０２の抵抗値が７Ω±０．５Ωに
制御された定抵抗可撓性回路基板が得られる。
【００２９】また、製造に際して、図１Ｄ〜図２Ｅの工
程で銅箔２２の導電パターンとなるべき部分上にメッキ
用マスク２６を設け、このメッキ用マスク２６を介して
スルーホールメッキ（電解銅メッキ）を施すことによ
り、電解銅メッキ膜２７が導電パターン部分には被着さ
れずにスルーホール部分のみに形成することができる。
その後、銅箔２２をパターニングして導電パターン３０
１，３０２を形成するので、銅箔２２によって抵抗値が
制御、管理された定抵抗可撓性回路基板３２を製造する
ことができる。
程で銅箔２２の導電パターンとなるべき部分上にメッキ
用マスク２６を設け、このメッキ用マスク２６を介して
スルーホールメッキ（電解銅メッキ）を施すことによ
り、電解銅メッキ膜２７が導電パターン部分には被着さ
れずにスルーホール部分のみに形成することができる。
その後、銅箔２２をパターニングして導電パターン３０
１，３０２を形成するので、銅箔２２によって抵抗値が
制御、管理された定抵抗可撓性回路基板３２を製造する
ことができる。
【００３０】また、メッキ用マスク２６として、耐メッ
キ性レジストインクを用いて銅箔２２上に密着塗布する
ときには、図４に示すように、スルーホールメッキであ
る電解銅メッキ膜２７がメッキ用マスク２６下に入り込
むことがなく、急峻な段差をもって形成することがで
き、導電パターン３０１，３０２の抵抗値のばらつきを
確実に回避できる。
キ性レジストインクを用いて銅箔２２上に密着塗布する
ときには、図４に示すように、スルーホールメッキであ
る電解銅メッキ膜２７がメッキ用マスク２６下に入り込
むことがなく、急峻な段差をもって形成することがで
き、導電パターン３０１，３０２の抵抗値のばらつきを
確実に回避できる。
【００３１】本実施例の定抵抗可撓性回路基板３２は、
例えば図５に示す低音用スピーカ（ウーハー）５１、高
音用スピーカ（ツイーター）５２等のボイスコイルに応
用することができる。
例えば図５に示す低音用スピーカ（ウーハー）５１、高
音用スピーカ（ツイーター）５２等のボイスコイルに応
用することができる。
【００３２】スピーカに用いられるボイスコイルは、一
定のインピーダンスを有することが要求されるが、本実
施例の可撓性回路基板３２は導電パターン（即ちコイル
パターン）の抵抗値が一定に制御されているので、十分
ボイスコイルとして使用することができる。その他、本
実施例の定抵抗可撓性回路基板３２は、例えばデューセ
ンサ（湿度センサ）等にも適用できる。
定のインピーダンスを有することが要求されるが、本実
施例の可撓性回路基板３２は導電パターン（即ちコイル
パターン）の抵抗値が一定に制御されているので、十分
ボイスコイルとして使用することができる。その他、本
実施例の定抵抗可撓性回路基板３２は、例えばデューセ
ンサ（湿度センサ）等にも適用できる。
【００３３】図６〜図８は定抵抗可撓性回路基板の比較
例を示す。この比較例は、図６Ａに示すように、可撓性
を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基板２１の両面
に所定の厚さ、例えば１８μｍ、３５μｍ等の銅箔２２
を張り合わせた銅張り基板２３を用意し、ＮＣ加工によ
って所要部分にスルーホール部２４を穿設する。
例を示す。この比較例は、図６Ａに示すように、可撓性
を有する絶縁性基板、例えばポリイミド基板２１の両面
に所定の厚さ、例えば１８μｍ、３５μｍ等の銅箔２２
を張り合わせた銅張り基板２３を用意し、ＮＣ加工によ
って所要部分にスルーホール部２４を穿設する。
【００３４】次に、図６Ｂに示すように、無電解メッキ
によってスルーホール部２４の内壁を含む基板２３の表
面全面に１μｍ〜２μｍ程度の無電解メッキ膜４１を被
着形成する。この無電解メッキ膜４１は、下地のパラジ
ウム膜上に銅膜を被着した２層構造膜である。無電解メ
ッキ膜４１が１μｍ〜２μｍ程度では、抵抗値のばらつ
きの影響は小さい。
によってスルーホール部２４の内壁を含む基板２３の表
面全面に１μｍ〜２μｍ程度の無電解メッキ膜４１を被
着形成する。この無電解メッキ膜４１は、下地のパラジ
ウム膜上に銅膜を被着した２層構造膜である。無電解メ
ッキ膜４１が１μｍ〜２μｍ程度では、抵抗値のばらつ
きの影響は小さい。
【００３５】これ以後の工程は、前述の実施例の工程と
同じである。即ち、図６Ｃに示すように、スルーホール
部分を除いて導電パターンを形成すべき部分上にメッキ
用マスク２６を形成する。次に、図７Ｄに示すように、
電解銅メッキを施し、メッキ用マスク２６で覆われない
スルーホール部２４を含む部分に電解銅メッキ膜２７を
形成する。
同じである。即ち、図６Ｃに示すように、スルーホール
部分を除いて導電パターンを形成すべき部分上にメッキ
用マスク２６を形成する。次に、図７Ｄに示すように、
電解銅メッキを施し、メッキ用マスク２６で覆われない
スルーホール部２４を含む部分に電解銅メッキ膜２７を
形成する。
【００３６】次に、図７Ｅに示すように、メッキ用マス
ク２６を剥離した後、図７Ｆに示すように、感光性のド
ライフィルム２８を基板２３の両面に被着する。そし
て、所定パターンのマスクを介してドライフィルム２８
を露光し、現像してスルーホール部分２９Ｓ及び導電パ
ターンを形成すべき部分２９Ｐ上にドライフィルムによ
るエッチング用マスク２８１を形成する（図８Ｇ参
照）。
ク２６を剥離した後、図７Ｆに示すように、感光性のド
ライフィルム２８を基板２３の両面に被着する。そし
て、所定パターンのマスクを介してドライフィルム２８
を露光し、現像してスルーホール部分２９Ｓ及び導電パ
ターンを形成すべき部分２９Ｐ上にドライフィルムによ
るエッチング用マスク２８１を形成する（図８Ｇ参
照）。
【００３７】次に、図８Ｈに示すように、エッチング用
マスク２８１を介して他部の銅箔２２、無電解メッキ膜
４１及びその上の電解銅メッキ膜２７を選択的にエッチ
ング除去する。然る後、エッチング用マスク２８１を剥
離し、図８Ｉに示すように、両面に銅箔２２と無電解メ
ッキ膜４１からなる所要の導電パターン４２０１及び４
２０２を有し、両導電パターン４２０１及び４２０２が
スルーホール部２４のメッキ膜４１及び２７を介して電
気的に接続された可撓性回路基板４３を得る。
マスク２８１を介して他部の銅箔２２、無電解メッキ膜
４１及びその上の電解銅メッキ膜２７を選択的にエッチ
ング除去する。然る後、エッチング用マスク２８１を剥
離し、図８Ｉに示すように、両面に銅箔２２と無電解メ
ッキ膜４１からなる所要の導電パターン４２０１及び４
２０２を有し、両導電パターン４２０１及び４２０２が
スルーホール部２４のメッキ膜４１及び２７を介して電
気的に接続された可撓性回路基板４３を得る。
【００３８】この可撓性回路基板４３においては、導電
パターン４２０１，４２０２が銅箔２２と薄い無電解メ
ッキ膜４１で形成されているため、導電パターン４２０
１，４２０２の抵抗値のばらつきは少ないものの、しか
し前述の実施例の可撓性回路基板３２に比べて抵抗値ば
らつきは大きい、また、無電解メッキ膜４１自体が不安
定となるので、剥離、腐蝕等が生じる恐れがある。従っ
て、この可撓性回路基板４３に比べて、本実施例の定抵
抗可撓性回路基板３２の方が優れるものである。
パターン４２０１，４２０２が銅箔２２と薄い無電解メ
ッキ膜４１で形成されているため、導電パターン４２０
１，４２０２の抵抗値のばらつきは少ないものの、しか
し前述の実施例の可撓性回路基板３２に比べて抵抗値ば
らつきは大きい、また、無電解メッキ膜４１自体が不安
定となるので、剥離、腐蝕等が生じる恐れがある。従っ
て、この可撓性回路基板４３に比べて、本実施例の定抵
抗可撓性回路基板３２の方が優れるものである。
【００３９】
【発明の効果】本発明の定抵抗可撓性回路基板によれ
ば、両面に形成されている導電パターンの抵抗値を制
御、管理することができ、導電パターンの定抵抗化が可
能となる。従って、用途に応じて所定抵抗値の導電パタ
ーンを有する可撓性回路基板を提供することができる。
ば、両面に形成されている導電パターンの抵抗値を制
御、管理することができ、導電パターンの定抵抗化が可
能となる。従って、用途に応じて所定抵抗値の導電パタ
ーンを有する可撓性回路基板を提供することができる。
【００４０】また、本発明の定抵抗可撓性回路基板の製
造方法によれば、導電パターン上に電解メッキが施され
ないので、導電パターンの膜厚のばらつきが低減し、抵
抗値ばらつきのない定抵抗化された可撓性回路基板を製
造することができる。
造方法によれば、導電パターン上に電解メッキが施され
ないので、導電パターンの膜厚のばらつきが低減し、抵
抗値ばらつきのない定抵抗化された可撓性回路基板を製
造することができる。
【００４１】また、製造に際して、メッキ用マスクとし
てメッキレジストインクを用いるときは、メッキレジス
トインクが被着された部分下には電解メッキが侵入され
ず、導電パターン上への電解メッキの付着が確実に阻止
され、導電パターンの定抵抗化をより確実にすることが
できる。
てメッキレジストインクを用いるときは、メッキレジス
トインクが被着された部分下には電解メッキが侵入され
ず、導電パターン上への電解メッキの付着が確実に阻止
され、導電パターンの定抵抗化をより確実にすることが
できる。
【図１】Ａ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施
例の製造工程図である。 Ｂ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｃ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｄ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
例の製造工程図である。 Ｂ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｃ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｄ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
【図２】Ｅ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施
例の製造工程図である。 Ｆ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｇ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
例の製造工程図である。 Ｆ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｇ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
【図３】Ｈ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施
例の製造工程図である。 Ｉ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｊ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
例の製造工程図である。 Ｉ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。 Ｊ 本発明に係る定抵抗可撓性回路基板の実施例の製造
工程図である。
【図４】本発明の説明に供する要部の断面図である。
【図５】本発明の定抵抗可撓性回路基板を適用し得るス
ピーカの例を示す斜視図である。
ピーカの例を示す斜視図である。
【図６】Ａ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図
である。 Ｂ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｃ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
である。 Ｂ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｃ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
【図７】Ｄ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図
である。 Ｅ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｆ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
である。 Ｅ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｆ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
【図８】Ｇ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図
である。 Ｈ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｉ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
である。 Ｈ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。 Ｉ 可撓性回路基板の比較例を示す製造工程図である。
【図９】Ａ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程
図である。 Ｂ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｃ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｄ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。
図である。 Ｂ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｃ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｄ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。
【図１０】Ｅ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工
程図である。 Ｆ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｇ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。
程図である。 Ｆ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。 Ｇ 従来の可撓性回路基板の例を示す製造工程図であ
る。
２１ 可撓性を有する絶縁性基材 ２２ 銅箔 ２３ 基板 ２４ スルーホール部 ２５ 導電膜（カーボン膜） ２６ メッキ用マスク ２７ 電解銅メッキ膜 ２８ 感光性ドライフィルム ２８１ エッチング用マスク ２９ｓ スルーホール部分 ２９ｐ 導電パターンを形成すべき部分 ３０１，３０２ 導電パターン ３２ 定抵抗可撓性回路基板
Claims (3)
- 【請求項１】 可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電
パターンが形成され、 該両面の導電パターンが電解メッキの施されたスルーホ
ール部を介して電気的に接続され、 前記導電パターンが前記電解メッキの施されない導電層
のみで形成されて成ることを特徴とする定抵抗可撓性回
路基板。 - 【請求項２】 可撓性を有する絶縁性基材の両面に導電
層を有し、所要部分にスルーホール部が形成されてなる
基体の該スルーホール部の内壁のみに導電膜を形成する
工程と、 前記導電層の導電パターンを形成すべき部分上に設けた
メッキ用マスクを介して前記スルーホール部内を含んで
電解メッキを施す工程と、 前記導電パターンとスルーホール部分以外の、前記導電
層及び電解メッキ膜を選択的に除去する工程とを有する
ことを特徴とする定抵抗可撓性回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記メッキ用マスクとしてメッキレジス
トインクを用いることを特徴とする請求項２に記載の定
抵抗可撓性回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355895A JPH0927665A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 定抵抗可撓性回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355895A JPH0927665A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 定抵抗可撓性回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927665A true JPH0927665A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15962782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17355895A Pending JPH0927665A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 定抵抗可撓性回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7181966B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-02-27 | Nippon Soken, Inc. | Physical quantity sensor and method for manufacturing the same |
| US7726016B2 (en) | 2003-05-07 | 2010-06-01 | International Business Machines Corporation | Manufacturing method of printed circuit board |
| WO2020037829A1 (zh) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 一种电容触摸屏 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17355895A patent/JPH0927665A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7726016B2 (en) | 2003-05-07 | 2010-06-01 | International Business Machines Corporation | Manufacturing method of printed circuit board |
| US7181966B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-02-27 | Nippon Soken, Inc. | Physical quantity sensor and method for manufacturing the same |
| WO2020037829A1 (zh) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 一种电容触摸屏 |
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