JPH09283745A - 高電子移動度トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＨＥＭＴにおいて高移動度かつ高密度の２Ｄ
ＥＧを発生させる。 【解決手段】 下地１０として半絶縁性ＧａＡｓ基板１
２、ｉ−ＧａＡｓバッファ層１４およびｉ−ＡｌＧａＡ
ｓバッファ層１６を具え、この上側にｎ−ＡｌＧａＡｓ
キャリア供給層１８、ｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層２
０、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層２２、ｉ−ＧａＡｓチ
ャネル層２４およびｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２
６を積層させてダブルヘテロ構造型ＨＥＭＴを構成して
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、化合物半導体素
子、特に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】高電子移動度トランジスタ（以下、ＨＥ
ＭＴと称する。）は、２次元電子ガス（2 dimensional
electron gas；以下、２ＤＥＧと称する場合がある。）
を利用する素子であり、ヘテロ構造を有した化合物半導
体素子である。従来のＨＥＭＴの構造は、例えば文献
「Properties of Lattice-Matched and Strained Indiu
mGallium Arsenide,p290,INSPEC(1993)」に開示されて
いる通りである。この文献の構成例は、半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板に歪ＩｎＧａＡｓ量子井戸層をチャネルとする歪
格子（Pseudomorphic ）ＨＥＭＴ構造である。ＩｎＧａ
Ａｓチャネル層の上にはノンドープＡｌＧａＡｓ（ｉ−
ＡｌＧａＡｓ）スペーサ層およびＳｉドープＡｌＧａＡ
ｓ（ｎ−ＡｌＧａＡｓ）キャリア供給層が順次に設けら
れており、通常、このような構造のＨＥＭＴは順構造型
ＨＥＭＴと呼ばれている。この他に、チャネル層の下に
キャリア供給層が設けられた構造の逆構造型ＨＥＭＴ
や、チャネル層の上下にキャリア供給層が設けられた構
造のダブルヘテロ型ＨＥＭＴ（ダブルドープ型ＨＥＭＴ
とも呼ばれる。）等が知られている。一般に逆構造型Ｈ
ＥＭＴはピンチオフ特性が優れており、ダブルヘテロ型
ＨＥＭＴはキャリアの密度が高いから高出力用に向いて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ＨＥＭＴを構成するキ
ャリア供給層とチャネル層との間には、２次元電子の移
動度を高めるためにスペーサ層が挿入されて設けられて
いることが多い。例えば、キャリア供給層をｎ−ＡｌＧ
ａＡｓ層とし、チャネル層をｉ−ＩｎＧａＡｓ層とする
文献の構成例の場合には、キャリア供給層とチャネル層
とのＳｉ不純物のドーピングの選択性をより効果的にす
るために、スペーサ層としてｉ−ＡｌＧａＡｓ層が設け
られる。このように、スペーサ層を設けることにより、
キャリア供給層の不純物に伴うクーロン散乱の影響をさ
らに低減させることができるから、チャネル層を移動す
る２次元電子の移動度を高めることになる。一般に２次
元電子の移動度は、スペーサ層の厚さに伴い増大するこ
とが知られている。

【０００４】しかしながら、２次元電子の移動度を高め
る目的でスペーサ層を厚くすると２ＤＥＧ密度が減少し
てしまうといった問題があった。このことは、理論的に
も実験的にも判明している。これは障壁となるキャリア
供給層の伝導帯（およびこれに付随するドナー準位）
が、スペーサ層中のフェルミ準位に近づく（または交差
する）ために生じるものである。よって、高い移動度を
利用しようとしても２ＤＥＧ密度が低ければ、オーミッ
クコンタクトを形成するのも難しく、デバイスに応用す
ることが困難である。

【０００５】従って、従来より、２ＤＥＧ密度が高く、
かつ、高い移動度を示すＨＥＭＴの出現が望まれてい
た。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の高電子移動度
トランジスタによれば、キャリア供給層および第１チャ
ネル層を具える高電子移動度トランジスタにおいて、前
記キャリア供給層と前記第１チャネル層との間に第２チ
ャネル層を具え、前記キャリア供給層のコンダクション
バンド端をＥ_C1とし、前記第１チャネル層のコンダクシ
ョンバンド端をＥ_C2とするとき、前記第２チャネル層の
コンダクションバンド端Ｅ_C3を、Ｅ_C1＞Ｅ_C3＞Ｅ_C2とな
るように設定してあることを特徴とする。

【０００７】ここでコンダクションバンド端とは、各層
における伝導帯の下端（底）のエネルギレベルのことを
いう。このように、キャリア供給層および第１チャネル
層のそれぞれのコンダクションバンド端Ｅ_C1およびＥ_C2
のレベル間にコンダクションバンド端Ｅ_C3があるような
第２チャネル層を、キャリア供給層および第１チャネル
層間に設けている。キャリア供給層への不純物ドープを
予め適当量だけ行うことにより、フェルミエネルギより
下側のレベルにコンダクションバンド端Ｅ_C3（全体また
は一部）がなるようにすることができる。キャリア供給
層のドナー不純物から発生した電子は、電子親和力によ
り第１チャネル層に移り、コンダクションバンド端Ｅ_C2
上に形成されたポテンシャルの井戸にたまり、２ＤＥＧ
を形成する。また、第２チャネル層のコンダクションバ
ンド端Ｅ_C3にもポテンシャル井戸が形成されているか
ら、キャリア供給層から発生した電子は第２チャネル層
にも移って２ＤＥＧを形成することになる。よって、全
体の２次元電子数が増加したことになり、従って２ＤＥ
Ｇの密度が増加する。

【０００８】また、この発明のＨＥＭＴの好適な構成例
によれば、前記キャリア供給層をｎ−ＡｌＧａＡｓ層と
し、前記第１チャネル層を歪量子井戸構造のｉ−ＩｎＧ
ａＡｓ層とし、および前記第２チャネル層をｉ−ＧａＡ
ｓ層とすることを特徴とする。

【０００９】このように、キャリア供給層としてｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層を設け、第１チャネル層としてｉ−ＩｎＧ
ａＡｓチャネル層を設けたとき、この間に第２チャネル
層としてｉ−ＧａＡｓ層を設けることにより、キャリア
供給層および第１チャネル層のそれぞれのコンダクショ
ンバンド端Ｅ_C1およびＥ_C2のレベル間に第２チャネル層
のコンダクションバンド端Ｅ_C3があるような、エネルギ
状態が得られる。さらに、この場合、前記第２チャネル
層の膜厚を１０〜１００Åとするのが好適である。

【００１０】第１チャネル層に形成される２ＤＥＧは、
第２チャネル層によってキャリア供給層のイオン化した
ドナー不純物と空間的に分離されているため、イオン化
した不純物散乱の影響を受けることが少なく、従来通り
の高い移動度を示す。しかし、第２チャネル層に形成さ
れる２ＤＥＧは、キャリア供給層に近い領域に発生する
ため不純物との空間的な分離が不十分であり、比較的低
い移動度を示す。また、物性からいっても、電子移動度
はＧａＡｓの方がＩｎＧａＡｓよりも低いため、第２チ
ャネル層に形成される２ＤＥＧは、第１チャネル層に形
成される２ＤＥＧより低い移動度を示す。全体の２ＤＥ
Ｇの移動度はこれらの平均で表され、第２チャネル層の
膜厚の増加に伴い、第１チャネル層の２ＤＥＧはますま
す不純物の影響を受けることがなくなるから全体の２Ｄ
ＥＧの移動度が増大するが、第２チャネル層の２ＤＥＧ
は不純物の影響を強く感じるようになるので、第２チャ
ネル層の膜厚がある程度以上になると全体の２ＤＥＧの
移動度が減少し始める。従って、第２チャネル層（ｉ−
ＧａＡｓ層）の膜厚を適当（１０〜１００Å）に設定す
ることにより、所望の移動度と密度を得ることが可能で
ある。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明の構成
の形状、大きさおよび配置関係が理解できる程度に概略
的に示しているに過ぎず、また、以下に記載する数値条
件等は単なる一例であり、従って、この発明は、この実
施の形態に何ら限定されることはない。

【００１２】図１は、この実施の形態の構成を示す断面
図である。この実施の形態の構成例はダブルヘテロ構造
のＨＥＭＴであり、二層のキャリア供給層を具えてい
る。下地１０として、半絶縁性ＧａＡｓ基板１２、ｉ−
ＧａＡｓバッファ層１４およびｉ−ＡｌＧａＡｓバッフ
ァ層１６が順次に積層された構造を具えており、この下
地１０の上側にＨＥＭＴ構造が形成されている。先ず、
ｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層１６の上にはｎ−ＡｌＧａ
Ａｓキャリア供給層１８が積層されており、以下、ｉ−
ＡｌＧａＡｓスペーサ層２０、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネ
ル層２２、ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４およびｎ−Ａｌ
ＧａＡｓキャリア供給層２６が順次に積層されている。
このように、この実施の形態の構成例は、第１チャネル
層としてｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層２２を、第２チャ
ネル層としてｉ−ＧａＡｓチャネル層２４を、およびキ
ャリア供給層としてｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２
６を具えた構成である。尚、第１および第２チャネル層
２２および２４は、歪量子井戸構造としてある。

【００１３】上述の各層は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１２
の上側に分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法によって形成さ
れる。また、各層の膜厚は下記の通りに設定されてい
る。

【００１４】 ｉ−ＧａＡｓバッファ層１４ １０００Å ｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層１６ １０００Å ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層１８ １００Å ｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層２０ ４０Å ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層２２ １００Å ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４ ５０Å ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２６ ５００Å 尚、ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層１８およびｎ−Ａ
ｌＧａＡｓキャリア供給層２６の不純物ドープ量は３×
１０¹⁸ｃｍ^-3としてある。また、上述の各ＡｌＧａＡｓ
層１６、１８、２０および２６のＡｌ組成はＤＸセンタ
ーの制限によりＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓと表したときにｘ＝
０．２８であり、ＩｎＧａＡｓ層２２のＩｎ組成は格子
整合の関係からＩｎ_x Ｇａ_1-x Ａｓと表したときにｘ＝
０．２としてある。

【００１５】ここで、ＤＸセンターとはＡｌ_x Ｇａ_1-x
ＡｓにＳｉなどの不純物をドーピングしてｎ型半導体を
作るとき、ｘ＝０．３より大きいｘの範囲では、ｘの増
大とともにドナーレベルが次第に伝導帯底のエネルギレ
ベルから見て、深くなってゆく現象をいう。

【００１６】このように組成を設定したときに、ミスフ
ィット転移を生じさせずにＩｎＧａＡｓ層２２を良好な
結晶状態で成長させるために、ＩｎＧａＡｓ層２２の膜
厚は上述の通りに１００Åとしている（１５０Åが限界
である。）。さらに、ｉ−ＧａＡｓバッファ層１４には
２ＤＥＧが発生しないようにするために、ｉ−ＡｌＧａ
Ａｓバッファ層１６の膜厚は１０００Åと十分に厚く形
成しており、ｉ−ＧａＡｓ層１４とｎ−ＡｌＧａＡｓ層
１８との距離を十分に取っている。

【００１７】また、ソース電極２８およびドレイン電極
３０をオーミックコンタクトとなるように形成するた
め、これら電極２８および３０とｎ−ＡｌＧａＡｓキャ
リア供給層２６との間に１０００Åのｎ⁺ −ＧａＡｓキ
ャップ層３２を挿入してある。このｎ⁺ −ＧａＡｓキャ
ップ層３２には、４×１０¹⁸ｃｍ^-3の不純物をドープし
てある。電極２８および３０は、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ
層（ＡｕＧｅ、ＮｉおよびＡｕがこの順に積層された
層）を用いている。また、所望のしきい値で動作するＨ
ＥＭＴを構成するために、ソース電極２８およびドレイ
ン電極３０間の領域に、ｎ⁺ −ＧａＡｓキャップ層３２
からｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２６の中途にかけ
てリセス構造を形成しており、そこにゲート電極３４と
してＴｉ／Ａｌ層（ＴｉおよびＡｌがこの順に積層され
た層）が設けられている。

【００１８】図２は、この実施の形態の構成例のエネル
ギ状態を示す図である。図は、図中の縦方向にエネルギ
の高さを取ってあり、図中の横方向にＨＥＭＴを構成す
る各層１２〜２６の領域を取ってある。実線ａは、各層
１２〜２６のコンダクションバンド端Ｅ_C を表してお
り、破線ｂはフェルミレベルＥ_F を表している。特に、
ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２６のコンダクション
バンド端をＥ_C1で表し、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層２
２のコンダクションバンド端をＥ_C2で表し、およびｉ−
ＧａＡｓチャネル層２４のコンダクションバンド端をＥ
_C3で表している。破線ｃは第１チャネル層２２において
発生した２ＤＥＧの密度を図中の縦方向の高さで表して
おり、破線ｄは第２チャネル層２４において発生した２
ＤＥＧの密度を図中の縦方向の高さで表している。

【００１９】このように、第２チャネル層２４のコンダ
クションバンド端Ｅ_C3を、Ｅ_C1＞Ｅ_C3＞Ｅ_C2となるよう
に設定してあることにより、第２チャネル層であるｉ−
ＧａＡｓチャネル層２４にも２ＤＥＧが形成されるよう
になる。２ＤＥＧが形成されやすくするためには、Ｅ_C1
およびＥ_C3（およびＥ_C2）間のエネルギ差を大きく設定
しておきたいが、このためには、ｉ−ＩｎＧａＡｓ層の
Ｉｎの組成比ｘを高く取ればよい。しかし、前述したよ
うにミスフィット転移の問題があるためにｘ＝０．２〜
０．３の範囲に設定しておくのがよい。

【００２０】図３は、この実施の形態において発生した
２ＤＥＧの移動度および密度のｉ−ＧａＡｓチャネル層
２４の膜厚依存性を示すグラフである。図の横軸にはｉ
−ＧａＡｓチャネル層２４の膜厚をÅ単位で０〜１００
の範囲で取ってあり、図の左側の縦軸には移動度を１０
³ ｃｍ² ・Ｖ^-1・ｓ^-1単位で０〜１０の範囲で取ってあ
り、図の右側の縦軸には密度を１０¹²ｃｍ^-2単位で０〜
４の範囲で取ってある。実施の形態の構成例の各データ
は、移動度を記号○で、および密度を記号□でグラフ上
にプロットしている。尚、図中には比較のために、従来
の構成例（すなわち、実施の形態の構成例においてｉ−
ＧａＡｓチャネル層２４の代わりにｉ−ＡｌＧａＡｓス
ペーサ層を設けた構成例）における２ＤＥＧの移動度お
よび密度のｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層の膜厚依存性を
示してある。従来の構成例の各データは、移動度を記号
△で、および密度を記号▽でグラフ上にプロットしてい
る。これらの測定は、室温（２５℃）で行われた。ま
た、測定値を、ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４またはｉ−
ＡｌＧａＡｓスペーサ層の膜厚と移動度および密度との
関係として表１に示してある。尚、測定は、ｉ−ＧａＡ
ｓチャネル層２４の膜厚を５０Åおよび１００Åに設定
して行い、また、ｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層の膜厚を
１０Å、２０Åおよび４０Åに設定して行った。また、
ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４またはｉ−ＡｌＧａＡｓス
ペーサ層を設けていない場合についても移動度および密
度の測定を行い、その結果を膜厚が０Åの場合の測定結
果として表１および図３に示している。

【００２１】

【表１】

【００２２】図３および表１から明らかなように、ｉ−
ＧａＡｓチャネル層２４の膜厚が０〜５０Åのときには
２ＤＥＧの移動度が５．６６×１０³ ｃｍ² ・Ｖ^-1・ｓ
^-1から６．９３×１０³ ｃｍ² ・Ｖ^-1・ｓ^-1にまで増加
しており、従来の構成におけるｉ−ＡｌＧａＡｓスペー
サ層の膜厚依存性と同様の傾向が現れていることが理解
される。一方、２ＤＥＧの密度について実施の形態例
（記号□）と従来（記号▽）とを比較した場合に、例え
ば、ｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層の膜厚が４０Åのとき
には密度が３．０１×１０¹²ｃｍ^-2であるのに対し、ｉ
−ＧａＡｓチャネル層２４の膜厚が５０Åのときには
３．３１×１０¹²ｃｍ^-2となっており、実施の形態例の
方が密度の減少が小さいことが分かる。

【００２３】図３（および表１）の測定結果は、定性的
に以下のように説明される。この実施の形態では、ｎ−
ＡｌＧａＡｓキャリア供給層２６とｉ−ＩｎＧａＡｓチ
ャネル層２２との間に、両者の伝導帯のバンド不連続間
に伝導帯があるようなｉ−ＧａＡｓチャネル層２４を従
来のｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層の代わりに設けた。こ
のｉ−ＧａＡｓチャネル層２４は、ｉ−ＩｎＧａＡｓチ
ャネル層２２にとっては従来のスペーサ層のように働
く。従って、ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４の膜厚の増加
に伴って２ＤＥＧの移動度は高くなる。しかしながら、
ｉ−ＧａＡｓチャネル層２４にも２ＤＥＧが形成される
ため、この層の膜厚を大きくし過ぎると（この実施の形
態では５０Å以上にすると）、ｉ−ＧａＡｓチャネル層
２４に形成された比較的低い移動度の２ＤＥＧが全体の
移動度に反映して、全２ＤＥＧの移動度が低くなってし
まう。

【００２４】一方、従来のｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層
には２ＤＥＧが形成されないが、この実施の形態の構成
例のｉ−ＧａＡｓチャネル層２４には２ＤＥＧが形成さ
れているため、従来の構成例に比べて２ＤＥＧの密度が
高くなっている。このように、キャリアとしての２ＤＥ
Ｇの密度が増大するため、ＨＥＭＴ素子の高周波特性が
増大し、高出力用としての使用に供することが可能にな
る。前述の移動度との兼ね合いから、この実施の形態の
構成例においてはｉ−ＧａＡｓチャネル層２４の膜厚を
１０〜１００Åの範囲に設定したときが好適であり、例
えば、膜厚が５０Åのときには移動度が６．９３×１０
³ ｃｍ² ・Ｖ^-1・ｓ^-1であり、密度が３．３１×１０¹²
ｃｍ^-2である。

【００２５】この実施の形態では、ＨＥＭＴの構成例と
して、ダブルヘテロ構造を用いて説明したが、これに限
られることなく、順構造型や逆構造型であっても同様の
効果を奏する。

【００２６】図４は、順構造型のＨＥＭＴの構成を示す
断面図である。この構成例は、キャリア供給層がｎ−Ａ
ｌＧａＡｓキャリア供給層２６の一層だけであり、この
キャリア供給層２６の下側にｉ−ＧａＡｓチャネル層２
４があり、その下にｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層２２が
設けられている構成となっている。また、ｉ−ＩｎＧａ
Ａｓチャネル層２２は、ｉ−ＧａＡｓバッファ層１４の
上に形成されている。さらに、ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリ
ア供給層２６の上にはｎ⁺ −ＧａＡｓキャップ層３２を
介してソース電極２８およびドレイン電極３０が設けら
れており、これらの電極２８および３０間のリセス構造
が形成されている領域にゲート電極３４がｎ−ＡｌＧａ
Ａｓキャリア供給層２６の一部に接して設けられてい
る。以上説明した構造は、半絶縁性ＧａＡｓ基板１２の
上側に形成されている。

【００２７】先に説明したダブルヘテロ構造型のＨＥＭ
Ｔの構成例に比べれば、キャリア供給層が一層少ないの
でその分だけ２ＤＥＧの密度が小さくなることが予測さ
れる。しかしながら、従来の順構造型のＨＥＭＴ（ｉ−
ＧａＡｓチャネル層２４の代わりにｉ−ＡｌＧａＡｓス
ペーサ層が設けられた構成のＨＥＭＴ。）と比べてみれ
ば、この構成例の場合にはｉ−ＧａＡｓチャネル層２４
にも２ＤＥＧが形成されるから、その分だけ全体の２Ｄ
ＥＧの密度は高くなっている。

【００２８】また、図５は、逆構造型のＨＥＭＴの構成
を示す断面図である。この構成例は、下地１０（半絶縁
性ＧａＡｓ基板１２、ｉ−ＧａＡｓバッファ層１４およ
びｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層１６）の上にｎ−ＡｌＧ
ａＡｓキャリア供給層２６を形成しており、その上にｉ
−ＧａＡｓチャネル層２４およびｉ−ＩｎＧａＡｓチャ
ネル層２２およびｎ−ＧａＡｓショットキーコンタクト
層２１を、この順に設けた構成である。そして、ｎ−Ｇ
ａＡｓショットキーコンタクト層２１の上にはｎ⁺ −Ｇ
ａＡｓキャップ層３２を介して、ソース電極２８および
ドレイン電極３０が設けられており、また、これらの電
極２８および３０間のリセス構造が形成されている領域
にゲート電極３４がｎ−ＧａＡｓショットキーコンタク
ト層２１の一部に接して設けられている。

【００２９】このように、逆構造型にした場合には、一
般にピンチオフ特性が優れていることが知られている。
逆構造型にした場合にも、従来ではｉ−ＡｌＧａＡｓス
ペーサ層が設けられるべき箇所にｉ−ＧａＡｓチャネル
層２４を設けることによって、このｉ−ＧａＡｓチャネ
ル層２４に２ＤＥＧを発生することができるから全体の
２ＤＥＧの密度を増大させることが可能である。

【００３０】

【発明の効果】この発明のＨＥＭＴによれば、従来のス
ペーサ層の代わりに第２チャネル層を設けることによ
り、この層にも２ＤＥＧが形成される結果、全体の２Ｄ
ＥＧの密度を従来に比べて高めることが可能になる。ま
た、第２チャネル層の膜厚の範囲を適当に設定すること
により、高移動度でかつ高密度の２ＤＥＧが得られる。
従って、ＨＥＭＴの素子特性（例えば高周波特性）が向
上するといった顕著な効果を奏するようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態の構成を示す図である。

【図２】実施の形態のエネルギ状態を示す図である。

【図３】２ＤＥＧの移動度および密度のｉ−ＧａＡｓチ
ャネル層２４の膜厚依存性を示す図である。

【図４】実施の形態の構成を示す図である。

【図５】実施の形態の構成を示す図である。

【符号の説明】

１０：下地 １２：半絶縁性ＧａＡｓ基板 １４：ｉ−ＧａＡｓバッファ層 １６：ｉ−ＡｌＧａＡｓバッファ層 １８：ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層 ２０：ｉ−ＡｌＧａＡｓスペーサ層 ２１：ｎ−ＧａＡｓショットキーコンタクト層 ２２：ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層 ２４：ｉ−ＧａＡｓチャネル層 ２６：ｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層 ２８：ソース電極 ３０：ドレイン電極 ３２：ｎ⁺ −ＧａＡｓキャップ層 ３４：ゲート電極

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 キャリア供給層および第１チャネル層を
   具える高電子移動度トランジスタにおいて、 前記キャリア供給層と前記第１チャネル層との間に第２
   チャネル層を具え、 前記キャリア供給層のコンダクションバンド端をＥ_C1と
   し、前記第１チャネル層のコンダクションバンド端をＥ
   _C2とするとき、 前記第２チャネル層のコンダクションバンド端Ｅ_C3を、
   Ｅ_C1＞Ｅ_C3＞Ｅ_C2となるように設定してあることを特徴
   とする高電子移動度トランジスタ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の高電子移動度トランジ
   スタにおいて、 前記キャリア供給層をｎ−ＡｌＧａＡｓ層とし、前記第
   １チャネル層を歪量子井戸構造のｉ−ＩｎＧａＡｓ層と
   し、および前記第２チャネル層をｉ−ＧａＡｓ層とする
   ことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の高電子移動度トランジ
   スタにおいて、 前記第２チャネル層の膜厚を１０〜１００Åとすること
   を特徴とする高電子移動度トランジスタ。