JPH09289404A - リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ - Google Patents
リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージInfo
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- Waveguides (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＭＩＣの高周波特性を可変できるリボン、
ボンディングワイヤ、および、マイクロ波回路用パッケ
ージを提供する。 【解決手段】 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接
続するリボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボ
ンの幅またはボンディングワイヤの太さを接着部分以外
の部分で変化させた。金属製基板３を備え、この金属製
基板３上にモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
Ｃ）１１，１２を取り付けて封止した構造のマイクロ波
回路用パッケージ１０において、上記のリボン１１Ｅ，
１２Ｅを備えた。
ボンディングワイヤ、および、マイクロ波回路用パッケ
ージを提供する。 【解決手段】 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接
続するリボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボ
ンの幅またはボンディングワイヤの太さを接着部分以外
の部分で変化させた。金属製基板３を備え、この金属製
基板３上にモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
Ｃ）１１，１２を取り付けて封止した構造のマイクロ波
回路用パッケージ１０において、上記のリボン１１Ｅ，
１２Ｅを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モノリシックマイ
クロ波集積回路（ＭＭＩＣ）等を使用したマイクロ波回
路を封止するマイクロ波回路用パッケージ、および、マ
イクロ波回路用のリボンとボンディングワイヤに関す
る。
クロ波集積回路（ＭＭＩＣ）等を使用したマイクロ波回
路を封止するマイクロ波回路用パッケージ、および、マ
イクロ波回路用のリボンとボンディングワイヤに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波デバイス等の実装では、均
一な太さのボンディングワイヤまたは均一な厚さのリボ
ンが用いられてきた。あるいは、メッシュ状にしたリボ
ンが用いられてきた。
一な太さのボンディングワイヤまたは均一な厚さのリボ
ンが用いられてきた。あるいは、メッシュ状にしたリボ
ンが用いられてきた。
【０００３】一方、特開平１−３００５４６号公報で
は、金属製基板とバイアス供給用直流端子（ＤＣ端子）
間に誘電体層を形成することにより、ＭＭＩＣチップの
領域外に静電容量を形成したマイクロ波回路用パッケー
ジが開示されている。
は、金属製基板とバイアス供給用直流端子（ＤＣ端子）
間に誘電体層を形成することにより、ＭＭＩＣチップの
領域外に静電容量を形成したマイクロ波回路用パッケー
ジが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マイクロ波回路用パッ
ケージ内のリボンやボンディングワイヤは、マイクロ波
回路の中でインピーダンスの不連続を生じさせる箇所に
なっている。そのため、ＭＭＩＣ等の被実装物の裸特性
に対し、実装後の特性が変化して劣化することがある。
ケージ内のリボンやボンディングワイヤは、マイクロ波
回路の中でインピーダンスの不連続を生じさせる箇所に
なっている。そのため、ＭＭＩＣ等の被実装物の裸特性
に対し、実装後の特性が変化して劣化することがある。
【０００５】一方、金属製基板、ＭＭＩＣ、ボンディン
グワイヤ、リボン等の材料を変えてマイクロ波回路用パ
ッケージを製造した場合に、ＭＭＩＣ等の実装後の高周
波特性を変化させることで、これらの材料を変える前に
製造したマイクロ波回路用パッケージとの互換性を持た
せたいことがある。
グワイヤ、リボン等の材料を変えてマイクロ波回路用パ
ッケージを製造した場合に、ＭＭＩＣ等の実装後の高周
波特性を変化させることで、これらの材料を変える前に
製造したマイクロ波回路用パッケージとの互換性を持た
せたいことがある。
【０００６】ボンディングワイヤやリボンの長さを可変
することによってＭＭＩＣ等の実装後の高周波特性を可
変することも考えられるが、ボンディングワイヤで接続
するにはゆるい適切なカーブが必要であり、また、マイ
クロ波回路用パッケージ内の空間からの制限によりボン
ディングワイヤの長さを可変することには限度がある。
ＭＭＩＣ等の被実装物の間隔を可変してリボンの長さを
可変することも考えられるが、この間隔を可変すること
にも限度がある。
することによってＭＭＩＣ等の実装後の高周波特性を可
変することも考えられるが、ボンディングワイヤで接続
するにはゆるい適切なカーブが必要であり、また、マイ
クロ波回路用パッケージ内の空間からの制限によりボン
ディングワイヤの長さを可変することには限度がある。
ＭＭＩＣ等の被実装物の間隔を可変してリボンの長さを
可変することも考えられるが、この間隔を可変すること
にも限度がある。
【０００７】そこで本発明は、マイクロ波回路内の高周
波入出力間を接続するリボンまたはボンディングワイヤ
において、マイクロ波回路の周波数特性を意図的に可変
できるようにしたリボンまたはボンディングワイヤを提
供することを目的とする。
波入出力間を接続するリボンまたはボンディングワイヤ
において、マイクロ波回路の周波数特性を意図的に可変
できるようにしたリボンまたはボンディングワイヤを提
供することを目的とする。
【０００８】また、金属製基板を備え、この金属製基板
上にＭＭＩＣ等を取り付けて封止した構造のマイクロ波
回路用パッケージにおいて、回路または回路素子を意図
的に組み込んだリボンやボンディングワイヤを用いて、
マイクロ波回路の周波数特性を意図的に可変できるよう
にしたマイクロ波回路用パッケージを提供することを目
的とする。
上にＭＭＩＣ等を取り付けて封止した構造のマイクロ波
回路用パッケージにおいて、回路または回路素子を意図
的に組み込んだリボンやボンディングワイヤを用いて、
マイクロ波回路の周波数特性を意図的に可変できるよう
にしたマイクロ波回路用パッケージを提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るリボンお
よびボンディングワイヤは、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを少なくとも接着部分以外の部分で変
化させたことを特徴とする。請求項２では、請求項１記
載のリボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボン
の幅またはボンディングワイヤの太さを連続して変化さ
せたことを特徴とする。請求項３では、請求項１記載の
リボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボンの幅
またはボンディングワイヤの太さを不連続に変化させた
ことを特徴とする。
よびボンディングワイヤは、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを少なくとも接着部分以外の部分で変
化させたことを特徴とする。請求項２では、請求項１記
載のリボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボン
の幅またはボンディングワイヤの太さを連続して変化さ
せたことを特徴とする。請求項３では、請求項１記載の
リボンおよびボンディングワイヤにおいて、リボンの幅
またはボンディングワイヤの太さを不連続に変化させた
ことを特徴とする。
【００１０】請求項４に係るマイクロ波回路用パッケー
ジは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリ
ボンまたはボンディングワイヤを備え、リボンの幅また
はボンディングワイヤの太さを少なくとも接着部分以外
の部分で変化させたことを特徴とする。
ジは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリ
ボンまたはボンディングワイヤを備え、リボンの幅また
はボンディングワイヤの太さを少なくとも接着部分以外
の部分で変化させたことを特徴とする。
【００１１】請求項１の構成または請求項４の構成に基
づく作用は、以下のように説明される。リボンやボンデ
ィングワイヤは抵抗ＲとリアクタンスＸの各成分を有
し、それ自体でインピーダンスＺを持っており、その抵
抗ＲとリアクタンスＸを用いて、Ｚ＝（Ｒ2＋Ｘ2）1/2
と表わされる。なお、リアクタンスＸの大きさは、イン
ダクタンスＬに対してはＸ＝ωＬと表わされ、キャパシ
タンスＣに対してはＸ＝１／ωＣと表わされる。
づく作用は、以下のように説明される。リボンやボンデ
ィングワイヤは抵抗ＲとリアクタンスＸの各成分を有
し、それ自体でインピーダンスＺを持っており、その抵
抗ＲとリアクタンスＸを用いて、Ｚ＝（Ｒ2＋Ｘ2）1/2
と表わされる。なお、リアクタンスＸの大きさは、イン
ダクタンスＬに対してはＸ＝ωＬと表わされ、キャパシ
タンスＣに対してはＸ＝１／ωＣと表わされる。
【００１２】リアクタンスＸは周波数ｆ（または角周波
数ω＝２πｆ）の関数であり、マイクロ波回路等の高い
周波数（１〜１００ＧＨｚ）の回路では、リボンの幅ま
たはボンディングワイヤの太さを変化させてインダクタ
ンスＬなどを少し変化させることで、リアクタンスＸを
大きく変化させることができ、そのインピーダンスＺを
変化させることができる。
数ω＝２πｆ）の関数であり、マイクロ波回路等の高い
周波数（１〜１００ＧＨｚ）の回路では、リボンの幅ま
たはボンディングワイヤの太さを変化させてインダクタ
ンスＬなどを少し変化させることで、リアクタンスＸを
大きく変化させることができ、そのインピーダンスＺを
変化させることができる。
【００１３】従って、リボンの幅またはボンディングワ
イヤの太さを接着部分以外の部分で変化させることで、
マイクロ波回路の中でインピーダンスの不連続を意図的
に変化させることができ、マイクロ波回路の周波数特性
をリボンやボンディングワイヤで意図的に変化させるこ
とができる。
イヤの太さを接着部分以外の部分で変化させることで、
マイクロ波回路の中でインピーダンスの不連続を意図的
に変化させることができ、マイクロ波回路の周波数特性
をリボンやボンディングワイヤで意図的に変化させるこ
とができる。
【００１４】請求項５では、請求項４記載のマイクロ波
回路用パッケージにおいて、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを連続して変化させたことを特徴とす
る。
回路用パッケージにおいて、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを連続して変化させたことを特徴とす
る。
【００１５】請求項２の構成または請求項５の構成は、
リボンまたはボンディングワイヤの各微小部分における
インピーダンスを徐々に（あるいは連続的に）変化させ
る場合に有効である。
リボンまたはボンディングワイヤの各微小部分における
インピーダンスを徐々に（あるいは連続的に）変化させ
る場合に有効である。
【００１６】請求項６では、請求項４記載のマイクロ波
回路用パッケージにおいて、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを不連続に変化させたことを特徴とす
る。
回路用パッケージにおいて、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを不連続に変化させたことを特徴とす
る。
【００１７】請求項３の構成または請求項６の構成は、
リボンまたはボンディングワイヤの各微小部分における
インピーダンスを急激に（あるいは段階的に）変化させ
る場合に有効である。
リボンまたはボンディングワイヤの各微小部分における
インピーダンスを急激に（あるいは段階的に）変化させ
る場合に有効である。
【００１８】請求項７では、請求項４〜請求項６記載の
マイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波入出力を
行うＭＭＩＣに、リボンまたはボンディングワイヤの接
着箇所に近接する高周波補償回路を設けたことを特徴と
する。
マイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波入出力を
行うＭＭＩＣに、リボンまたはボンディングワイヤの接
着箇所に近接する高周波補償回路を設けたことを特徴と
する。
【００１９】リボンまたはボンディングワイヤによりマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できるが、この高周波
補償回路を用いることでもインピーダンスを調整してマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できる。従って、異な
る特性を有する高周波補償回路とリボンまたはボンディ
ングワイヤとにより、マイクロ波回路の周波数特性を微
妙に変化させることができる。
イクロ波回路の周波数特性を可変できるが、この高周波
補償回路を用いることでもインピーダンスを調整してマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できる。従って、異な
る特性を有する高周波補償回路とリボンまたはボンディ
ングワイヤとにより、マイクロ波回路の周波数特性を微
妙に変化させることができる。
【００２０】請求項８に係るマイクロ波回路用パッケー
ジは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリ
ボンを備え、リボンの厚さを少なくとも接着部分以外の
部分で変化させたことを特徴とする。
ジは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリ
ボンを備え、リボンの厚さを少なくとも接着部分以外の
部分で変化させたことを特徴とする。
【００２１】請求項４〜請求項６ではリボンの幅を変化
させる場合を述べたが、この請求項ではリボンの厚さを
変化させる場合を述べたものである。リボンの厚さを接
着部分以外の部分で変化させることで、マイクロ波回路
の中でインピーダンスの不連続を意図的に変化させるこ
とができ、マイクロ波回路の周波数特性をリボンで意図
的に変化させることができる。
させる場合を述べたが、この請求項ではリボンの厚さを
変化させる場合を述べたものである。リボンの厚さを接
着部分以外の部分で変化させることで、マイクロ波回路
の中でインピーダンスの不連続を意図的に変化させるこ
とができ、マイクロ波回路の周波数特性をリボンで意図
的に変化させることができる。
【００２２】請求項９に係るマイクロ波回路用パッケー
ジでは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続する
リボンを備え、リボンの幅を少なくとも接着部分以外の
部分で変化させると共に、リボンの両端における幅をリ
ボンが接着される高周波入出力端の幅より狭くしたこと
を特徴とする。
ジでは、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続する
リボンを備え、リボンの幅を少なくとも接着部分以外の
部分で変化させると共に、リボンの両端における幅をリ
ボンが接着される高周波入出力端の幅より狭くしたこと
を特徴とする。
【００２３】リボンの幅を接着部分以外の部分で変化さ
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
【００２４】また、リボンの両端における幅をリボンが
接着される高周波入出力端の幅より狭くすることで、リ
ボンを接着する際の位置合わせが容易になり、ひいては
マイクロ波回路用パッケージの製品コストを下げること
ができる。
接着される高周波入出力端の幅より狭くすることで、リ
ボンを接着する際の位置合わせが容易になり、ひいては
マイクロ波回路用パッケージの製品コストを下げること
ができる。
【００２５】請求項１０では、請求項８または請求項９
記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、リボンを
支持する台座を金属製基板上に設けたことを特徴とす
る。
記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、リボンを
支持する台座を金属製基板上に設けたことを特徴とす
る。
【００２６】請求項８ではリボンの厚さを少なくとも接
着部分以外の部分で変化させた場合を述べており、請求
項９ではリボンの両端における幅をリボンが接着される
高周波入出力端の幅より狭くした場合を述べており、こ
れらの場合について、リボンを支持する台座を金属製基
板上に設けることで、リボンの機械的強度を高めること
ができ、この点でマイクロ波回路の信頼性を高めること
ができる。
着部分以外の部分で変化させた場合を述べており、請求
項９ではリボンの両端における幅をリボンが接着される
高周波入出力端の幅より狭くした場合を述べており、こ
れらの場合について、リボンを支持する台座を金属製基
板上に設けることで、リボンの機械的強度を高めること
ができ、この点でマイクロ波回路の信頼性を高めること
ができる。
【００２７】また、高周波入出力を行うＭＭＩＣ等の間
に高度差がある場合は、この高度差に対応した斜面を台
座に設けることでリボンを斜面に沿って配置でき、この
高度差を補償することができる。
に高度差がある場合は、この高度差に対応した斜面を台
座に設けることでリボンを斜面に沿って配置でき、この
高度差を補償することができる。
【００２８】更に、台座の材質を変化させることでリボ
ンと金属製基板間のキャパシタンスを変化させることが
でき、これを利用してマイクロ波回路の周波数特性を変
化させることもできる。
ンと金属製基板間のキャパシタンスを変化させることが
でき、これを利用してマイクロ波回路の周波数特性を変
化させることもできる。
【００２９】請求項１１に係るマイクロ波回路用パッケ
ージは、ストリップ導体を備えた誘電体基板を金属製基
板上に取り付けて封止すると共に、マイクロ波回路内の
高周波入出力間を接続するリボンを備え、リボンの両端
における幅をＭＭＩＣ側ではＭＭＩＣの高周波入出力端
の幅と略同一とし、誘電体基板側ではそのストリップ導
体の幅と略同一とし、リボンの幅をＭＭＩＣの縁でスト
リップ導体の幅に広げたことを特徴とする。
ージは、ストリップ導体を備えた誘電体基板を金属製基
板上に取り付けて封止すると共に、マイクロ波回路内の
高周波入出力間を接続するリボンを備え、リボンの両端
における幅をＭＭＩＣ側ではＭＭＩＣの高周波入出力端
の幅と略同一とし、誘電体基板側ではそのストリップ導
体の幅と略同一とし、リボンの幅をＭＭＩＣの縁でスト
リップ導体の幅に広げたことを特徴とする。
【００３０】リボンの幅を接着部分以外の部分で変化さ
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
【００３１】特に、リボンの幅をＭＭＩＣの縁でストリ
ップ導体の幅に広げることで、ストリップ導体がＭＭＩ
Ｃの高周波入出力端まで伸びている構成と類似させるこ
とができ、少なくともＭＭＩＣの高周波入出力端の幅で
均一に構成したリボンで接続した場合よりもＭＭＩＣの
実装後の高周波特性を向上させることができる。
ップ導体の幅に広げることで、ストリップ導体がＭＭＩ
Ｃの高周波入出力端まで伸びている構成と類似させるこ
とができ、少なくともＭＭＩＣの高周波入出力端の幅で
均一に構成したリボンで接続した場合よりもＭＭＩＣの
実装後の高周波特性を向上させることができる。
【００３２】請求項１２では、請求項１１記載のマイク
ロ波回路用パッケージにおいて、誘電体基板に、リボン
の接着箇所に近接する高周波補償回路を設けたことを特
徴とする。
ロ波回路用パッケージにおいて、誘電体基板に、リボン
の接着箇所に近接する高周波補償回路を設けたことを特
徴とする。
【００３３】リボンによりマイクロ波回路の周波数特性
を可変できるが、この高周波補償回路を用いることでも
インピーダンスを調整してマイクロ波回路の周波数特性
を可変できる。従って、異なる特性を有する高周波補償
回路とリボンとにより、マイクロ波回路の周波数特性を
微妙に変化させることができる。
を可変できるが、この高周波補償回路を用いることでも
インピーダンスを調整してマイクロ波回路の周波数特性
を可変できる。従って、異なる特性を有する高周波補償
回路とリボンとにより、マイクロ波回路の周波数特性を
微妙に変化させることができる。
【００３４】請求項１３では、請求項７または請求項１
２記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波
補償回路はインピーダンス調整用スタブからなることを
特徴とする。
２記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波
補償回路はインピーダンス調整用スタブからなることを
特徴とする。
【００３５】高周波補償回路をインピーダンス調整用ス
タブで構成し、リボンの接着箇所またはボンディングワ
イヤの接着箇所に近接して設けることで、高周波入出力
を行うＭＭＩＣ側でも誘電体基板側でも容易にインピー
ダンス調整を行うことができる。
タブで構成し、リボンの接着箇所またはボンディングワ
イヤの接着箇所に近接して設けることで、高周波入出力
を行うＭＭＩＣ側でも誘電体基板側でも容易にインピー
ダンス調整を行うことができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施形
態に基づいて説明する。
態に基づいて説明する。
【００３７】図１は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの説明的平面図である。図２は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的断面図である。図２におい
てフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図が図１
に対応し、図１のＡ−Ａ矢視断面図が図２に対応してい
る。図２では、ＤＣ端子３４とボンディングワイヤ４４
を省略して描いている。
ージの説明的平面図である。図２は、本発明のマイクロ
波回路用パッケージの説明的断面図である。図２におい
てフレーム５と上蓋６を取り除いた場合の平面図が図１
に対応し、図１のＡ−Ａ矢視断面図が図２に対応してい
る。図２では、ＤＣ端子３４とボンディングワイヤ４４
を省略して描いている。
【００３８】図１と図２に示すマイクロ波回路用パッケ
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなし
ている。金属製基板３上に誘電体基板１７を取り付けて
封止すると共に、この誘電体基板１７上にストリップ導
体（不図示）を備え、金属製基板３と誘電体基板１７と
ストリップ導体（不図示）とでマイクロストリップ線路
を構成している。
ージ１０は、金属製基板３を備え、この金属製基板３上
にＭＭＩＣ１１，１２を取り付けて封止した構造をなし
ている。金属製基板３上に誘電体基板１７を取り付けて
封止すると共に、この誘電体基板１７上にストリップ導
体（不図示）を備え、金属製基板３と誘電体基板１７と
ストリップ導体（不図示）とでマイクロストリップ線路
を構成している。
【００３９】金属製基板３はコバール（ｋｏｖａｒ）等
で形成され、ヒートシンクとしても作用する。上蓋６
は、誘電体等で形成される。ＭＭＩＣ１１，１２はＧａ
Ａｓ等で形成され、誘電体基板１７はアルミナ磁器やセ
ラミック等で形成される。
で形成され、ヒートシンクとしても作用する。上蓋６
は、誘電体等で形成される。ＭＭＩＣ１１，１２はＧａ
Ａｓ等で形成され、誘電体基板１７はアルミナ磁器やセ
ラミック等で形成される。
【００４０】ＭＭＩＣ１１の一端には、金属製基板３を
絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス
供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４
４，４５によって接続されている。
絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス
供給用のＤＣ端子３４，３５とボンディングワイヤ４
４，４５によって接続されている。
【００４１】ＭＭＩＣ１２の一端には、金属製基板３を
絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス
供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４
６，４７によって接続されている。
絶縁して貫通し所定のバイアス電圧を供給するバイアス
供給用のＤＣ端子３６，３７とボンディングワイヤ４
６，４７によって接続されている。
【００４２】ＭＭＩＣ１１の高周波入力端は、誘電体基
板１７上のストリップ導体（不図示）とリボン１１Ｅに
よって接続されている。ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出
力端は、各々ＲＦ端子１１Ｆ，１１Ｇとボンディングワ
イヤによって接続されている。
板１７上のストリップ導体（不図示）とリボン１１Ｅに
よって接続されている。ＭＭＩＣ１１の２つの高周波出
力端は、各々ＲＦ端子１１Ｆ，１１Ｇとボンディングワ
イヤによって接続されている。
【００４３】ＭＭＩＣ１２の高周波入力端は、誘電体基
板１７上のストリップ導体（不図示）とリボン１２Ｅに
よって接続されている。ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出
力端は、各々ＲＦ端子１２Ｆ，１２Ｇとボンディングワ
イヤによって接続されている。
板１７上のストリップ導体（不図示）とリボン１２Ｅに
よって接続されている。ＭＭＩＣ１２の２つの高周波出
力端は、各々ＲＦ端子１２Ｆ，１２Ｇとボンディングワ
イヤによって接続されている。
【００４４】また、誘電体基板１７上のストリップ導体
（不図示）は、ＲＦ端子１７Ａとボンディングワイヤに
よって接続されている。このマイクロストリップ線路に
より種々の回路や回路素子を形成してもよいし、例え
ば、高周波信号を分配する分配器を形成して、ＲＦ端子
数を削減してもよい。
（不図示）は、ＲＦ端子１７Ａとボンディングワイヤに
よって接続されている。このマイクロストリップ線路に
より種々の回路や回路素子を形成してもよいし、例え
ば、高周波信号を分配する分配器を形成して、ＲＦ端子
数を削減してもよい。
【００４５】ＤＣ端子３４〜３７を金属製基板３面の垂
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｆ，１１Ｇ，１２Ｆ，１
２Ｇ，１７Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属
製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすこと
で、このマイクロ波回路用パッケージ１０を隣接配置し
高密度実装できるようにしている。
直方向に伸ばし、ＲＦ端子１１Ｆ，１１Ｇ，１２Ｆ，１
２Ｇ，１７Ａを金属製基板３の対向する辺に設けて金属
製基板３面の水平方向または略水平方向に伸ばすこと
で、このマイクロ波回路用パッケージ１０を隣接配置し
高密度実装できるようにしている。
【００４６】図３は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの要部拡大図である。図３［Ａ］は、ＭＭＩＣ１１
の高周波入力端１１Ｓと誘電体基板１７上のストリップ
導体１７Ｓとを接続するリボン１１Ｅとその周辺の説明
的平面図である。図３［Ｂ］は、リボン１１Ｅとその周
辺の説明的断面図である。
ージの要部拡大図である。図３［Ａ］は、ＭＭＩＣ１１
の高周波入力端１１Ｓと誘電体基板１７上のストリップ
導体１７Ｓとを接続するリボン１１Ｅとその周辺の説明
的平面図である。図３［Ｂ］は、リボン１１Ｅとその周
辺の説明的断面図である。
【００４７】高周波入力端１１Ｓを線路で形成してい
る。また、リボン１１Ｅを支持する台座１８を樹脂等で
形成し、これを金属製基板３上に設けている。リボン１
１Ｅの両端は、それぞれ高周波入力端１１Ｓとストリッ
プ導体１７Ｓとに熱圧着または超音波圧着されて接着さ
れている。
る。また、リボン１１Ｅを支持する台座１８を樹脂等で
形成し、これを金属製基板３上に設けている。リボン１
１Ｅの両端は、それぞれ高周波入力端１１Ｓとストリッ
プ導体１７Ｓとに熱圧着または超音波圧着されて接着さ
れている。
【００４８】リボン１１Ｅの両端における幅をＭＭＩＣ
１１側では高周波入力端１１Ｓの幅と略同一とし、誘電
体基板１７側ではそのストリップ導体１７Ｓの幅と略同
一とし、リボン１１Ｅの幅をＭＭＩＣ１１の縁でストリ
ップ導体１７Ｓの幅に広げている。リボン１１Ｅの幅を
接着部分以外の部分で変化させている。
１１側では高周波入力端１１Ｓの幅と略同一とし、誘電
体基板１７側ではそのストリップ導体１７Ｓの幅と略同
一とし、リボン１１Ｅの幅をＭＭＩＣ１１の縁でストリ
ップ導体１７Ｓの幅に広げている。リボン１１Ｅの幅を
接着部分以外の部分で変化させている。
【００４９】リボン１１Ｅの両端における幅をＭＭＩＣ
１１側では高周波入力端１１Ｓの幅より狭くし、誘電体
基板１７側ではそのストリップ導体１７Ｓの幅より狭く
してもよい。つまり、リボン１１Ｅの両端における幅
を、リボン１１Ｅが接着される高周波入出力端の幅より
狭くしてもよい。
１１側では高周波入力端１１Ｓの幅より狭くし、誘電体
基板１７側ではそのストリップ導体１７Ｓの幅より狭く
してもよい。つまり、リボン１１Ｅの両端における幅
を、リボン１１Ｅが接着される高周波入出力端の幅より
狭くしてもよい。
【００５０】図４は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの要部拡大図である。図４［Ａ］は、ＭＭＩＣ１１
の高周波入力端１１Ｓと誘電体基板１７上のストリップ
導体１７Ｓとを接続するリボン１１Ｅとその周辺の説明
的平面図である。図４［Ｂ］は、リボン１１Ｅとその周
辺の説明的断面図である。図３［Ａ］，［Ｂ］で示され
るマイクロ波回路用パッケージにおいて、誘電体基板１
７に高周波補償回路であるインピーダンス調整用スタブ
１７Ｚを設けたものである。
ージの要部拡大図である。図４［Ａ］は、ＭＭＩＣ１１
の高周波入力端１１Ｓと誘電体基板１７上のストリップ
導体１７Ｓとを接続するリボン１１Ｅとその周辺の説明
的平面図である。図４［Ｂ］は、リボン１１Ｅとその周
辺の説明的断面図である。図３［Ａ］，［Ｂ］で示され
るマイクロ波回路用パッケージにおいて、誘電体基板１
７に高周波補償回路であるインピーダンス調整用スタブ
１７Ｚを設けたものである。
【００５１】高周波入出力を行うマイクロストリップ線
路１７Ｍの誘電体基板１７上に、リボン１１Ｅの接着箇
所に近接する高周波補償回路を設けたものである。高周
波補償回路は、ボンディングパッドで形成してもよい。
また、ＭＭＩＣ１１側に設けてもよい。
路１７Ｍの誘電体基板１７上に、リボン１１Ｅの接着箇
所に近接する高周波補償回路を設けたものである。高周
波補償回路は、ボンディングパッドで形成してもよい。
また、ＭＭＩＣ１１側に設けてもよい。
【００５２】図５［Ａ］，［Ｂ］，［Ｃ］は、本発明の
マイクロ波回路用リボンの説明的平面図である。図５
［Ｄ］は本発明のマイクロ波回路用リボンの説明的側面
図である。図５［Ａ］は、図１〜図４で用いたリボン１
１Ｅ，１２Ｅを示しており、リボンの幅を不連続に変化
させたものである。
マイクロ波回路用リボンの説明的平面図である。図５
［Ｄ］は本発明のマイクロ波回路用リボンの説明的側面
図である。図５［Ａ］は、図１〜図４で用いたリボン１
１Ｅ，１２Ｅを示しており、リボンの幅を不連続に変化
させたものである。
【００５３】図５［Ｂ］のリボンは、図５［Ａ］のリボ
ンとその両端の幅が同一であるが、中央部の幅を広く
し、いわば翼（ウイング）を設けたものであり、リボン
の幅を不連続に変化させたものである。
ンとその両端の幅が同一であるが、中央部の幅を広く
し、いわば翼（ウイング）を設けたものであり、リボン
の幅を不連続に変化させたものである。
【００５４】図５［Ｃ］のリボンは、図５［Ａ］のリボ
ンとその両端の幅が同一で台形とし、リボンの幅を連続
して変化させたものである。
ンとその両端の幅が同一で台形とし、リボンの幅を連続
して変化させたものである。
【００５５】図５［Ａ］，［Ｂ］，［Ｃ］のリボンを、
図５［Ｄ］のように厚さを変化させて段差を設けてもよ
いし、均一な厚さとしてもよい。このように、リボンの
厚さを少なくとも接着部分以外の部分で変化させて段差
を設けることで、リボンの接着時におけるリボン長手方
向の位置合わせの容易化を図ってもよい。
図５［Ｄ］のように厚さを変化させて段差を設けてもよ
いし、均一な厚さとしてもよい。このように、リボンの
厚さを少なくとも接着部分以外の部分で変化させて段差
を設けることで、リボンの接着時におけるリボン長手方
向の位置合わせの容易化を図ってもよい。
【００５６】図６は、本発明のマイクロ波回路用パッケ
ージの要部拡大図である。図６は、ＭＭＩＣ１１の高周
波出力端とＲＦ端子１１Ｆとを接続するボンディングワ
イヤ４０とその周辺の説明的側面図である。このよう
に、ＭＭＩＣの高周波入出力端とＲＦ端子とを接続する
ことも、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続する
ことに含まれ、以下にボンディングワイヤで接続する場
合について述べる。
ージの要部拡大図である。図６は、ＭＭＩＣ１１の高周
波出力端とＲＦ端子１１Ｆとを接続するボンディングワ
イヤ４０とその周辺の説明的側面図である。このよう
に、ＭＭＩＣの高周波入出力端とＲＦ端子とを接続する
ことも、マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続する
ことに含まれ、以下にボンディングワイヤで接続する場
合について述べる。
【００５７】図６では、ボンディングワイヤ４０の太さ
を接着部分以外の部分で徐々に変化させている。例え
ば、ボンディングワイヤ４０を細いピンセットで挟ん
で、その箇所を偏平にし、または、その断面をほぼ楕円
にしたものである。
を接着部分以外の部分で徐々に変化させている。例え
ば、ボンディングワイヤ４０を細いピンセットで挟ん
で、その箇所を偏平にし、または、その断面をほぼ楕円
にしたものである。
【００５８】図７に示すように、ボンディングワイヤ４
０を２箇所挟んで、その形状を変化させてもよい。
０を２箇所挟んで、その形状を変化させてもよい。
【００５９】図８に示すように、ボンディングワイヤ４
０のカーブをギザギザにしてその太さを変化させてもよ
い。例えば、ボンディングワイヤ４０を細いピンセット
の鋸歯状の先端部で挟んで、その形状を変化させてもよ
い。ピンセットの先端部の片面を鋸歯状とし、他の片面
を平面状とし、このピンセットで挟むことで太さを不連
続に変化させてもよい（図１０参照）。
０のカーブをギザギザにしてその太さを変化させてもよ
い。例えば、ボンディングワイヤ４０を細いピンセット
の鋸歯状の先端部で挟んで、その形状を変化させてもよ
い。ピンセットの先端部の片面を鋸歯状とし、他の片面
を平面状とし、このピンセットで挟むことで太さを不連
続に変化させてもよい（図１０参照）。
【００６０】また、図９に示すように、ボンディングワ
イヤ４０を２箇所挟んで、図６と図８のボンディングワ
イヤ４０の変形箇所を合わせた形状としてもよい。
イヤ４０を２箇所挟んで、図６と図８のボンディングワ
イヤ４０の変形箇所を合わせた形状としてもよい。
【００６１】ＭＭＩＣ１１，１２の高周波出力端とＲＦ
端子１１Ｆ，１１Ｇ，１２Ｆ，１２Ｇとを金等のビーム
リードや本発明のリボンで接続してもよい。ＭＭＩＣ１
１，１２の高周波出力端とストリップ導体とを本発明の
ボンディングワイヤで接続してもよい。ＲＦ端子１１
Ｇ，１１Ｆ，１２Ｇ，１１Ｆ，１７Ａは、ＤＣ端子３４
〜３７と同様に、金属製基板３面の垂直方向に伸ばして
もよい。
端子１１Ｆ，１１Ｇ，１２Ｆ，１２Ｇとを金等のビーム
リードや本発明のリボンで接続してもよい。ＭＭＩＣ１
１，１２の高周波出力端とストリップ導体とを本発明の
ボンディングワイヤで接続してもよい。ＲＦ端子１１
Ｇ，１１Ｆ，１２Ｇ，１１Ｆ，１７Ａは、ＤＣ端子３４
〜３７と同様に、金属製基板３面の垂直方向に伸ばして
もよい。
【００６２】本発明を特願平７−２３９３１１号にて提
案しているレーダーモジュール及びアンテナ装置に適用
してもよい。例えば、ＭＭＩＣ中に４個の高周波数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と２個のミキサーを備
え、このＭＭＩＣをマイクロ波回路用パッケージに複数
取り付けてマルチチップ回路を構成してもよい。
案しているレーダーモジュール及びアンテナ装置に適用
してもよい。例えば、ＭＭＩＣ中に４個の高周波数の電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と２個のミキサーを備
え、このＭＭＩＣをマイクロ波回路用パッケージに複数
取り付けてマルチチップ回路を構成してもよい。
【００６３】なお、上記実施形態は本発明の一例であ
り、本発明は上記実施形態に限定されない。
り、本発明は上記実施形態に限定されない。
【００６４】
【発明の効果】請求項１に係るリボンおよびボンディン
グワイヤによれば、または、請求項４に係るマイクロ波
回路用パッケージによれば、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを接着部分以外の部分で変化させるこ
とで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不連続を
意図的に変化させることができ、マイクロ波回路の周波
数特性をリボンやボンディングワイヤで意図的に変化さ
せることができる。
グワイヤによれば、または、請求項４に係るマイクロ波
回路用パッケージによれば、リボンの幅またはボンディ
ングワイヤの太さを接着部分以外の部分で変化させるこ
とで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不連続を
意図的に変化させることができ、マイクロ波回路の周波
数特性をリボンやボンディングワイヤで意図的に変化さ
せることができる。
【００６５】請求項２に係るリボンおよびボンディング
ワイヤによれば、または、請求項５に係るマイクロ波回
路用パッケージによれば、リボンまたはボンディングワ
イヤの各微小部分におけるインピーダンスを徐々に（あ
るいは連続的に）変化させる場合に有効である。
ワイヤによれば、または、請求項５に係るマイクロ波回
路用パッケージによれば、リボンまたはボンディングワ
イヤの各微小部分におけるインピーダンスを徐々に（あ
るいは連続的に）変化させる場合に有効である。
【００６６】請求項３に係るリボンおよびボンディング
ワイヤによれば、または、請求項６に係るマイクロ波回
路用パッケージによれば、リボンまたはボンディングワ
イヤの各微小部分におけるインピーダンスを急激に（あ
るいは段階的に）変化させる場合に有効である。
ワイヤによれば、または、請求項６に係るマイクロ波回
路用パッケージによれば、リボンまたはボンディングワ
イヤの各微小部分におけるインピーダンスを急激に（あ
るいは段階的に）変化させる場合に有効である。
【００６７】請求項７に係るマイクロ波回路用パッケー
ジによれば、リボンまたはボンディングワイヤによりマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できるが、この高周波
補償回路を用いることでもインピーダンスを調整してマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できる。従って、異な
る特性を有する高周波補償回路とリボンまたはボンディ
ングワイヤとにより、マイクロ波回路の周波数特性を微
妙に変化させることができる。
ジによれば、リボンまたはボンディングワイヤによりマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できるが、この高周波
補償回路を用いることでもインピーダンスを調整してマ
イクロ波回路の周波数特性を可変できる。従って、異な
る特性を有する高周波補償回路とリボンまたはボンディ
ングワイヤとにより、マイクロ波回路の周波数特性を微
妙に変化させることができる。
【００６８】請求項８に係るマイクロ波回路用パッケー
ジによれば、リボンの厚さを接着部分以外の部分で変化
させることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの
不連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回
路の周波数特性をリボンで意図的に変化させることがで
きる。
ジによれば、リボンの厚さを接着部分以外の部分で変化
させることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの
不連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回
路の周波数特性をリボンで意図的に変化させることがで
きる。
【００６９】請求項９に係るマイクロ波回路用パッケー
ジによれば、リボンの幅を接着部分以外の部分で変化さ
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
ジによれば、リボンの幅を接着部分以外の部分で変化さ
せることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの不
連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回路
の周波数特性をリボンで意図的に変化させることができ
る。
【００７０】また、リボンの両端における幅をリボンが
接着される高周波入出力端の幅より狭くすることで、リ
ボンを接着する際の位置合わせが容易になり、ひいては
マイクロ波回路用パッケージの製品コストを下げること
ができる。
接着される高周波入出力端の幅より狭くすることで、リ
ボンを接着する際の位置合わせが容易になり、ひいては
マイクロ波回路用パッケージの製品コストを下げること
ができる。
【００７１】請求項１０に係るマイクロ波回路用パッケ
ージによれば、リボンを支持する台座を金属製基板上に
設けることで、リボンの機械的強度を高めることがで
き、この点でマイクロ波回路の信頼性を高めることがで
きる。
ージによれば、リボンを支持する台座を金属製基板上に
設けることで、リボンの機械的強度を高めることがで
き、この点でマイクロ波回路の信頼性を高めることがで
きる。
【００７２】また、高周波入出力を行うＭＭＩＣ等の間
に高度差がある場合は、この高度差に対応した斜面を台
座に設けることでリボンを斜面に沿って配置でき、この
高度差を補償することができる。
に高度差がある場合は、この高度差に対応した斜面を台
座に設けることでリボンを斜面に沿って配置でき、この
高度差を補償することができる。
【００７３】更に、台座の材質を変化させることでリボ
ンと金属製基板間のキャパシタンスを変化させることが
でき、これを利用してマイクロ波回路の周波数特性を変
化させることもできる。
ンと金属製基板間のキャパシタンスを変化させることが
でき、これを利用してマイクロ波回路の周波数特性を変
化させることもできる。
【００７４】請求項１１に係るマイクロ波回路用パッケ
ージによれば、リボンの幅を接着部分以外の部分で変化
させることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの
不連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回
路の周波数特性をリボンで意図的に変化させることがで
きる。
ージによれば、リボンの幅を接着部分以外の部分で変化
させることで、マイクロ波回路の中でインピーダンスの
不連続を意図的に変化させることができ、マイクロ波回
路の周波数特性をリボンで意図的に変化させることがで
きる。
【００７５】特に、リボンの幅をＭＭＩＣの縁でストリ
ップ導体の幅に広げることで、ストリップ導体がＭＭＩ
Ｃの高周波入出力端まで伸びている構成と類似させるこ
とができ、少なくともＭＭＩＣの高周波入出力端の幅で
均一に構成したリボンで接続した場合よりもＭＭＩＣの
実装後の高周波特性を向上させることができる。
ップ導体の幅に広げることで、ストリップ導体がＭＭＩ
Ｃの高周波入出力端まで伸びている構成と類似させるこ
とができ、少なくともＭＭＩＣの高周波入出力端の幅で
均一に構成したリボンで接続した場合よりもＭＭＩＣの
実装後の高周波特性を向上させることができる。
【００７６】請求項１２に係るマイクロ波回路用パッケ
ージによれば、リボンによりマイクロ波回路の周波数特
性を可変できるが、この高周波補償回路を用いることで
もインピーダンスを調整してマイクロ波回路の周波数特
性を可変できる。従って、異なる特性を有する高周波補
償回路とリボンとにより、マイクロ波回路の周波数特性
を微妙に変化させることができる。
ージによれば、リボンによりマイクロ波回路の周波数特
性を可変できるが、この高周波補償回路を用いることで
もインピーダンスを調整してマイクロ波回路の周波数特
性を可変できる。従って、異なる特性を有する高周波補
償回路とリボンとにより、マイクロ波回路の周波数特性
を微妙に変化させることができる。
【００７７】請求項１３では、請求項７または請求項１
２記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波
補償回路はインピーダンス調整用スタブからなることを
特徴とする。
２記載のマイクロ波回路用パッケージにおいて、高周波
補償回路はインピーダンス調整用スタブからなることを
特徴とする。
【００７８】高周波補償回路をインピーダンス調整用ス
タブで構成し、リボンの接着箇所またはボンディングワ
イヤの接着箇所に近接して設けることで、高周波入出力
を行うＭＭＩＣ側でも誘電体基板側でも容易にインピー
ダンス調整を行うことができる。
タブで構成し、リボンの接着箇所またはボンディングワ
イヤの接着箇所に近接して設けることで、高周波入出力
を行うＭＭＩＣ側でも誘電体基板側でも容易にインピー
ダンス調整を行うことができる。
【図１】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
平面図
平面図
【図２】本発明のマイクロ波回路用パッケージの説明的
断面図
断面図
【図３】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図４】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図５】本発明のマイクロ波回路用リボン
【図６】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図７】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図８】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図９】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部拡
大図
大図
【図１０】本発明のマイクロ波回路用パッケージの要部
拡大図
拡大図
３…金属製基板、５…フレーム、６…上蓋、１０…マイ
クロ波回路用パッケージ、１１…ＭＭＩＣ、１１Ｅ…リ
ボン、１１Ｆ，１１Ｇ…高周波端子（ＲＦ端子）、１１
Ｓ…高周波入力端、１２…ＭＭＩＣ、１２Ｅ…リボン、
１２Ｆ，１２Ｇ…高周波端子（ＲＦ端子）、１７…誘電
体基板、１７Ａ…高周波端子（ＲＦ端子）、１７Ｍ…マ
イクロストリップ線路、１７Ｓ…ストリップ導体、１７
Ｚ…インピーダンス調整用スタブ、１８…台座、１９…
誘電体、３４〜３７…直流端子（ＤＣ端子）、４０，４
４〜４７…ボンディングワイヤ。
クロ波回路用パッケージ、１１…ＭＭＩＣ、１１Ｅ…リ
ボン、１１Ｆ，１１Ｇ…高周波端子（ＲＦ端子）、１１
Ｓ…高周波入力端、１２…ＭＭＩＣ、１２Ｅ…リボン、
１２Ｆ，１２Ｇ…高周波端子（ＲＦ端子）、１７…誘電
体基板、１７Ａ…高周波端子（ＲＦ端子）、１７Ｍ…マ
イクロストリップ線路、１７Ｓ…ストリップ導体、１７
Ｚ…インピーダンス調整用スタブ、１８…台座、１９…
誘電体、３４〜３７…直流端子（ＤＣ端子）、４０，４
４〜４７…ボンディングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 3/08 Ｈ０１Ｐ 3/08
Claims (13)
- 【請求項１】 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接
続するリボンおよびボンディングワイヤにおいて、 リボンの幅またはボンディングワイヤの太さを少なくと
も接着部分以外の部分で変化させたことを特徴とするリ
ボンおよびボンディングワイヤ。 - 【請求項２】 リボンの幅またはボンディングワイヤの
太さを連続して変化させたことを特徴とする請求項１記
載のリボンおよびボンディングワイヤ。 - 【請求項３】 リボンの幅またはボンディングワイヤの
太さを不連続に変化させたことを特徴とする請求項１記
載のリボンおよびボンディングワイヤ。 - 【請求項４】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
パッケージにおいて、 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリボンま
たはボンディングワイヤを備え、リボンの幅またはボン
ディングワイヤの太さを少なくとも接着部分以外の部分
で変化させたことを特徴とするマイクロ波回路用パッケ
ージ。 - 【請求項５】 リボンの幅またはボンディングワイヤの
太さを連続して変化させたことを特徴とする請求項４記
載のマイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項６】 リボンの幅またはボンディングワイヤの
太さを不連続に変化させたことを特徴とする請求項４記
載のマイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項７】 高周波入出力を行うＭＭＩＣに、リボン
またはボンディングワイヤの接着箇所に近接する高周波
補償回路を設けたことを特徴とする請求項４〜請求項６
記載のマイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項８】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
パッケージにおいて、 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリボンを
備え、リボンの厚さを少なくとも接着部分以外の部分で
変化させたことを特徴とするマイクロ波回路用パッケー
ジ。 - 【請求項９】 金属製基板を備え、この金属製基板上に
ＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路用
パッケージにおいて、 マイクロ波回路内の高周波入出力間を接続するリボンを
備え、リボンの幅を少なくとも接着部分以外の部分で変
化させると共に、 リボンの両端における幅をリボンが接着される高周波入
出力端の幅より狭くしたことを特徴とするマイクロ波回
路用パッケージ。 - 【請求項１０】 リボンを支持する台座を金属製基板上
に設けたことを特徴とする請求項８または請求項９記載
のマイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項１１】 金属製基板を備え、この金属製基板上
にＭＭＩＣを取り付けて封止した構造のマイクロ波回路
用パッケージにおいて、 ストリップ導体を備えた誘電体基板を金属製基板上に取
り付けて封止すると共に、マイクロ波回路内の高周波入
出力間を接続するリボンを備え、 リボンの両端における幅をＭＭＩＣ側ではＭＭＩＣの高
周波入出力端の幅と略同一とし、誘電体基板側ではその
ストリップ導体の幅と略同一とし、リボンの幅をＭＭＩ
Ｃの縁でストリップ導体の幅に広げたことを特徴とする
マイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項１２】 誘電体基板に、リボンの接着箇所に近
接する高周波補償回路を設けたことを特徴とする請求項
１１記載のマイクロ波回路用パッケージ。 - 【請求項１３】 高周波補償回路はインピーダンス調整
用スタブからなることを特徴とする請求項７または請求
項１２記載のマイクロ波回路用パッケージ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102814A JPH09289404A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ |
| DE69738340T DE69738340T2 (de) | 1996-04-24 | 1997-04-08 | Verfahren zur Impedanzregelung einer Mikrowellenschaltungsvorrichtung |
| EP97105797A EP0803907B1 (en) | 1996-04-24 | 1997-04-08 | Method of regulating the impedance of a microwave circuit package |
| US08/844,921 US5936492A (en) | 1996-04-24 | 1997-04-22 | Ribbon, bonding wire and microwave circuit package |
| US09/354,213 US6331806B1 (en) | 1996-04-24 | 1999-07-15 | Microwave circuit package and edge conductor structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102814A JPH09289404A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289404A true JPH09289404A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14337510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8102814A Pending JPH09289404A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | リボンとボンディングワイヤとマイクロ波回路用パッケージ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5936492A (ja) |
| EP (1) | EP0803907B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09289404A (ja) |
| DE (1) | DE69738340T2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0803907B1 (en) | 2007-12-05 |
| US6331806B1 (en) | 2001-12-18 |
| EP0803907A3 (en) | 1999-07-28 |
| DE69738340T2 (de) | 2008-04-03 |
| US5936492A (en) | 1999-08-10 |
| DE69738340D1 (de) | 2008-01-17 |
| EP0803907A2 (en) | 1997-10-29 |
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