JPH09293810A - 回路モジュール - Google Patents
回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH09293810A JPH09293810A JP8105470A JP10547096A JPH09293810A JP H09293810 A JPH09293810 A JP H09293810A JP 8105470 A JP8105470 A JP 8105470A JP 10547096 A JP10547096 A JP 10547096A JP H09293810 A JPH09293810 A JP H09293810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- wiring board
- circuit module
- heat dissipation
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】配線基板に搭載された半導体チップで発生する
熱を効率よく放熱でき、且つ、部品の実装密度を向上し
た回路モジュールを提供する。 【解決手段】配線基板と、配線基板上に搭載された半導
体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、半導
体ベアチップの電子回路の形成された面の側面に当接し
て放熱手段が設けられている。
熱を効率よく放熱でき、且つ、部品の実装密度を向上し
た回路モジュールを提供する。 【解決手段】配線基板と、配線基板上に搭載された半導
体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、半導
体ベアチップの電子回路の形成された面の側面に当接し
て放熱手段が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に搭載され
た半導体ベアチップの放熱効果を高め、且つ、基板の実
装密度を向上した回路モジュールに関する。
た半導体ベアチップの放熱効果を高め、且つ、基板の実
装密度を向上した回路モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器を小型化する目的でリード端子
の引き出されていない半導体ベアチップを直接配線基板
上に搭載し、チップと配線基板間をワイヤボンディング
により接続して、他の電子部品とともに電子回路を構成
した回路モジュールが用いられている。チップが高密度
集積回路、半導体素子（パワートランジスタ等）である
場合には、チップ内部で発生する熱でチップの温度が上
昇して回路モジュールが正常に動作できなくなるのを防
止するために、放熱板を使用してチップで発生した熱を
外部に逃がすようしている。
の引き出されていない半導体ベアチップを直接配線基板
上に搭載し、チップと配線基板間をワイヤボンディング
により接続して、他の電子部品とともに電子回路を構成
した回路モジュールが用いられている。チップが高密度
集積回路、半導体素子（パワートランジスタ等）である
場合には、チップ内部で発生する熱でチップの温度が上
昇して回路モジュールが正常に動作できなくなるのを防
止するために、放熱板を使用してチップで発生した熱を
外部に逃がすようしている。
【０００３】図４は従来の回路モジュールの構成を説明
するための断面図である。以下、図を用いて説明する。
９１はシリコン基板上に集積回路または半導体素子の形
成されたチップで、チップ９１の周辺部には配線基板９
２と接続するためのボンディングパッド９１ａが設けら
れている。９２は半導体のチップ９１及び図示しない電
子部品等を搭載し回路を構成するガラスエポキシ樹脂等
で形成された配線基板で、チップ９１のボンディングパ
ッド９１ａと対応する位置にはボンディングパッド９２
ａが設けられている。９３はチップ９１と配線基板９２
の両ボンディングパッド９１ａ、９２ａ間をワイヤボン
ディングにより接続する金、アルミニウム等のワイヤで
ある。９４はチップ９１で発生した熱を放出する放熱板
で、アルミニウム等の熱伝導のよい材料で、放熱効果を
高めるために表面積が大きくなるように襞が形成されて
いる。
するための断面図である。以下、図を用いて説明する。
９１はシリコン基板上に集積回路または半導体素子の形
成されたチップで、チップ９１の周辺部には配線基板９
２と接続するためのボンディングパッド９１ａが設けら
れている。９２は半導体のチップ９１及び図示しない電
子部品等を搭載し回路を構成するガラスエポキシ樹脂等
で形成された配線基板で、チップ９１のボンディングパ
ッド９１ａと対応する位置にはボンディングパッド９２
ａが設けられている。９３はチップ９１と配線基板９２
の両ボンディングパッド９１ａ、９２ａ間をワイヤボン
ディングにより接続する金、アルミニウム等のワイヤで
ある。９４はチップ９１で発生した熱を放出する放熱板
で、アルミニウム等の熱伝導のよい材料で、放熱効果を
高めるために表面積が大きくなるように襞が形成されて
いる。
【０００４】次に、回路モジュールの製作工程について
述べる。配線基板９２上に接着剤等を用いてチップ９１
の集積回路部を上面にして接着する。次に、チップ９１
のボンディングパッド９１ａと配線基板９２のボンディ
ングパッド９２ａ間をワイヤ９３を用いて超音波ボンデ
ィングする。続いて、チップ９１及びボンディング部
（ボンディングパッド９１ａ、９２ａ、ワイヤ９３部）
を保護するために樹脂等でコーティングする。さらに、
配線基板９２上に図示しない回路部品等を搭載して半田
付けし、チップ９１に対応する配線基板９２の裏面に放
熱板９４を接着して回路モジュールが完成する。
述べる。配線基板９２上に接着剤等を用いてチップ９１
の集積回路部を上面にして接着する。次に、チップ９１
のボンディングパッド９１ａと配線基板９２のボンディ
ングパッド９２ａ間をワイヤ９３を用いて超音波ボンデ
ィングする。続いて、チップ９１及びボンディング部
（ボンディングパッド９１ａ、９２ａ、ワイヤ９３部）
を保護するために樹脂等でコーティングする。さらに、
配線基板９２上に図示しない回路部品等を搭載して半田
付けし、チップ９１に対応する配線基板９２の裏面に放
熱板９４を接着して回路モジュールが完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法では、チッ
プの搭載された配線基板の裏面に放熱板を取り付けるた
めに、チップに対応した配線基板の裏面には他の部品が
搭載できず、電子機器の高密度実装が困難になる。ま
た、熱の発生するチップと放熱板の間に熱伝導の悪いガ
ラスエポキシ樹脂で形成された配線基板が介在している
ために放熱効果が低下するという問題が生ずる。
プの搭載された配線基板の裏面に放熱板を取り付けるた
めに、チップに対応した配線基板の裏面には他の部品が
搭載できず、電子機器の高密度実装が困難になる。ま
た、熱の発生するチップと放熱板の間に熱伝導の悪いガ
ラスエポキシ樹脂で形成された配線基板が介在している
ために放熱効果が低下するという問題が生ずる。
【０００６】この対策として、チップを搭載する配線基
板全体をセラミック等の熱伝導のよい材料に変更する等
の方法もあるが、配線基板のコストアップ、配線基板形
状の自由度の低下及び耐衝撃性の点で実用化には設計、
製造上の制約が多い。本発明は、配線基板に搭載された
半導体チップで発生する熱を効率よく放熱でき、且つ、
部品の実装密度を向上した回路モジュールを提供するこ
とを目的とする。
板全体をセラミック等の熱伝導のよい材料に変更する等
の方法もあるが、配線基板のコストアップ、配線基板形
状の自由度の低下及び耐衝撃性の点で実用化には設計、
製造上の制約が多い。本発明は、配線基板に搭載された
半導体チップで発生する熱を効率よく放熱でき、且つ、
部品の実装密度を向上した回路モジュールを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、配線基板と、該配線基板上に搭載された半
導体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、前
記半導体ベアチップの電子回路の形成された面の側面に
当接して放熱手段が設けられてなることを特徴とするも
のである。
に本発明は、配線基板と、該配線基板上に搭載された半
導体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、前
記半導体ベアチップの電子回路の形成された面の側面に
当接して放熱手段が設けられてなることを特徴とするも
のである。
【０００８】また、配線基板と、該配線基板上に搭載さ
れた半導体ベアチップとからなる回路モジュールにおい
て、前記半導体ベアチップの電子回路の形成された面に
当接して放熱手段が設けられてなることを特徴とするも
のである。
れた半導体ベアチップとからなる回路モジュールにおい
て、前記半導体ベアチップの電子回路の形成された面に
当接して放熱手段が設けられてなることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の回路モジュー
ルの構成を説明するための斜視図である。以下、図を用
いて説明する。１１はシリコン基板上に集積回路または
半導体素子の形成されたチップで、チップ１１の周辺部
には配線基板１２と接続するためのボンディングパッド
１１ａが設けられている。１２は半導体のチップ１１及
び図示しない電子部品等を搭載し回路を構成するガラス
エポキシ樹脂等で形成された配線基板で、チップ１１の
ボンディングパッド１１ａと対応する位置にはボンディ
ングパッド１２ａが設けられている。１３はチップ１１
と配線基板１２の両ボンディングパッド１１ａ、１２ａ
間をワイヤボンディングにより接続する金、アルミニウ
ム等のワイヤである。１４はチップ１１で発生した熱を
放出するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成され
た放熱板で、チップ１１のワイヤ１３の配置されていな
い両側面に熱伝導のよい接着剤で接着されている。
ルの構成を説明するための斜視図である。以下、図を用
いて説明する。１１はシリコン基板上に集積回路または
半導体素子の形成されたチップで、チップ１１の周辺部
には配線基板１２と接続するためのボンディングパッド
１１ａが設けられている。１２は半導体のチップ１１及
び図示しない電子部品等を搭載し回路を構成するガラス
エポキシ樹脂等で形成された配線基板で、チップ１１の
ボンディングパッド１１ａと対応する位置にはボンディ
ングパッド１２ａが設けられている。１３はチップ１１
と配線基板１２の両ボンディングパッド１１ａ、１２ａ
間をワイヤボンディングにより接続する金、アルミニウ
ム等のワイヤである。１４はチップ１１で発生した熱を
放出するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成され
た放熱板で、チップ１１のワイヤ１３の配置されていな
い両側面に熱伝導のよい接着剤で接着されている。
【００１０】次に、回路モジュールの製作工程について
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、チップ１１のボンディングパッド１
１ａと配線基板１２のボンディングパッド１２ａ間をワ
イヤ１３を用いて超音波ボンディングする。続いて、配
線基板１２上のチップ１１の両側面１１ｂに放熱板１４
を接着剤等で接着し、チップ１１及びボンディング部
（ボンディングパッド１１ａ、１２ａ、ワイヤ１３部）
を保護するために樹脂等でコーティングする。尚、放熱
板１４はチップ１１の側面１１ｂだけでなく、配線基板
１２側にも接着されており放熱板１４が剥がれる恐れは
ない。このようにして回路モジュールが完成する。
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、チップ１１のボンディングパッド１
１ａと配線基板１２のボンディングパッド１２ａ間をワ
イヤ１３を用いて超音波ボンディングする。続いて、配
線基板１２上のチップ１１の両側面１１ｂに放熱板１４
を接着剤等で接着し、チップ１１及びボンディング部
（ボンディングパッド１１ａ、１２ａ、ワイヤ１３部）
を保護するために樹脂等でコーティングする。尚、放熱
板１４はチップ１１の側面１１ｂだけでなく、配線基板
１２側にも接着されており放熱板１４が剥がれる恐れは
ない。このようにして回路モジュールが完成する。
【００１１】このように熱伝導の悪い配線基板１２を介
することなく直接放熱板１４がチップ１１に付けられて
いるために、チップ１１で発生した熱が効率よく放熱で
きる。また、チップ１１に対応する配線基板１２の裏面
にも他の部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装
が可能になる。以上のように本実施例では、チップの側
面と放熱板が直接接触しているので放熱効果が高く、ま
た、チップの裏面の回路基板上にも部品実装が可能とな
り実装密度の高い回路モジュールが提供できる。
することなく直接放熱板１４がチップ１１に付けられて
いるために、チップ１１で発生した熱が効率よく放熱で
きる。また、チップ１１に対応する配線基板１２の裏面
にも他の部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装
が可能になる。以上のように本実施例では、チップの側
面と放熱板が直接接触しているので放熱効果が高く、ま
た、チップの裏面の回路基板上にも部品実装が可能とな
り実装密度の高い回路モジュールが提供できる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例の回路モジュ
ールの構成を説明するための斜視図である。以下、図を
用いて説明する。２４はチップ１１で発生した熱を放出
するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成された放
熱板で、チップ１１の四方を囲むように熱伝導のよい接
着剤で接着されている。尚、放熱板２４の高さはチップ
１１の厚さと概略同じである。また、チップ１１、配線
基板１２、ワイヤ１３は図１に示した第１の実施例と名
称、機能、作用が同じであるため同一番号を付し説明は
省略する。
ールの構成を説明するための斜視図である。以下、図を
用いて説明する。２４はチップ１１で発生した熱を放出
するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成された放
熱板で、チップ１１の四方を囲むように熱伝導のよい接
着剤で接着されている。尚、放熱板２４の高さはチップ
１１の厚さと概略同じである。また、チップ１１、配線
基板１２、ワイヤ１３は図１に示した第１の実施例と名
称、機能、作用が同じであるため同一番号を付し説明は
省略する。
【００１３】次に、回路モジュールの製作工程について
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、配線基板１２上のチップ１１の四方
の側面１１ｂに放熱板２４を接着剤等で接着し、チップ
１１のボンディングパッド１１ａと配線基板１２のボン
ディングパッド１２ａ間をワイヤ１３を用いて超音波ボ
ンディングする。続いて、チップ１１及びボンディング
部（ボンディングパッド１１ａ、１２ａ、ワイヤ１３
部）を保護のために樹脂等でコーティングする。尚、放
熱板２４はチップ１１の側面１１ｂだけでなく、配線基
板１２にも接着されており放熱板２４が剥がれる恐れは
ない。このようにして回路モジュールが完成する。
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、配線基板１２上のチップ１１の四方
の側面１１ｂに放熱板２４を接着剤等で接着し、チップ
１１のボンディングパッド１１ａと配線基板１２のボン
ディングパッド１２ａ間をワイヤ１３を用いて超音波ボ
ンディングする。続いて、チップ１１及びボンディング
部（ボンディングパッド１１ａ、１２ａ、ワイヤ１３
部）を保護のために樹脂等でコーティングする。尚、放
熱板２４はチップ１１の側面１１ｂだけでなく、配線基
板１２にも接着されており放熱板２４が剥がれる恐れは
ない。このようにして回路モジュールが完成する。
【００１４】このように熱伝導の悪い配線基板１２を介
することなく直接放熱板２４がチップ１１の四方の側面
に付けられているために、チップ１１で発生した熱が効
率よく放熱できる。また、放熱板２４の高さがチップ１
１と略同じであるために、ワイヤ１３が放熱板２４に接
触することがないので、集積回路のようにワイヤボンデ
ィングをチップ１１の４辺について行うことも可能にな
る。さらに、チップ１１に対応する配線基板１２の裏面
にも他の部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装
が可能になる。
することなく直接放熱板２４がチップ１１の四方の側面
に付けられているために、チップ１１で発生した熱が効
率よく放熱できる。また、放熱板２４の高さがチップ１
１と略同じであるために、ワイヤ１３が放熱板２４に接
触することがないので、集積回路のようにワイヤボンデ
ィングをチップ１１の４辺について行うことも可能にな
る。さらに、チップ１１に対応する配線基板１２の裏面
にも他の部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装
が可能になる。
【００１５】以上のように本実施例では、チップの四方
の側面と放熱板が直接接触しているので放熱効果が高
く、放熱板の高さを低くできるのでワイヤボンディング
をチップ１１の４辺について行うことができ集積回路に
適している。また、チップの裏面の回路基板上にも部品
実装が可能となり実装密度の高い回路モジュールが提供
できる。
の側面と放熱板が直接接触しているので放熱効果が高
く、放熱板の高さを低くできるのでワイヤボンディング
をチップ１１の４辺について行うことができ集積回路に
適している。また、チップの裏面の回路基板上にも部品
実装が可能となり実装密度の高い回路モジュールが提供
できる。
【００１６】図３は本発明の第３の実施例の回路モジュ
ールの構成を説明するための斜視図である。以下、図を
用いて説明する。３４はチップ１１で発生した熱を放出
するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成された放
熱板で、チップ１１の上面１１ｃに熱伝導のよい接着剤
で接着されている。尚、チップ１１、配線基板１２、ワ
イヤ１３は図１に示した第１の実施例と名称、機能、作
用が同じであるため同一番号を付し説明は省略する。
ールの構成を説明するための斜視図である。以下、図を
用いて説明する。３４はチップ１１で発生した熱を放出
するアルミニウム等の熱伝導のよい材料で形成された放
熱板で、チップ１１の上面１１ｃに熱伝導のよい接着剤
で接着されている。尚、チップ１１、配線基板１２、ワ
イヤ１３は図１に示した第１の実施例と名称、機能、作
用が同じであるため同一番号を付し説明は省略する。
【００１７】次に、回路モジュールの製作工程について
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、チップ１１のボンディングパッド１
１ａと配線基板１２のボンディングパッド１２ａ間をワ
イヤ１３を用いて超音波ボンディングする。続いて、チ
ップ１１及びボンディング部（ボンディングパッド１１
ａ、１２ａ、ワイヤ１３部）を保護のために樹脂等でコ
ーティングする。そして、配線基板１２上のチップ１１
の上面１１ｃに前述の薄くコーティングされた樹脂を介
して、放熱板３４を熱伝導のよい接着剤等で接着する。
放熱板３４はチップ１１の上面１１ｃの広い面積で接し
ているので放熱効果が大きい。また、配線基板１２の裏
面にも部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装が
可能になる。
述べる。配線基板１２上に接着剤等を用いてチップ１１
を接着する。次に、チップ１１のボンディングパッド１
１ａと配線基板１２のボンディングパッド１２ａ間をワ
イヤ１３を用いて超音波ボンディングする。続いて、チ
ップ１１及びボンディング部（ボンディングパッド１１
ａ、１２ａ、ワイヤ１３部）を保護のために樹脂等でコ
ーティングする。そして、配線基板１２上のチップ１１
の上面１１ｃに前述の薄くコーティングされた樹脂を介
して、放熱板３４を熱伝導のよい接着剤等で接着する。
放熱板３４はチップ１１の上面１１ｃの広い面積で接し
ているので放熱効果が大きい。また、配線基板１２の裏
面にも部品が実装でき、回路モジュールの高密度実装が
可能になる。
【００１８】尚、本例では放熱板３４がワイヤ１３に平
行に配置されているが、ボンディングパッドの配置によ
っては垂直に配置してもよい。以上のように本実施例で
は、発熱するチップの上面と放熱板が直接接触している
ので放熱効果が高く、また、チップの裏面の回路基板上
にも部品実装が可能となり実装密度の高い回路モジュー
ルが提供できる。
行に配置されているが、ボンディングパッドの配置によ
っては垂直に配置してもよい。以上のように本実施例で
は、発熱するチップの上面と放熱板が直接接触している
ので放熱効果が高く、また、チップの裏面の回路基板上
にも部品実装が可能となり実装密度の高い回路モジュー
ルが提供できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では配線基
板に搭載された半導体チップで発生する熱を効率よく放
熱でき、且つ、部品の実装密度を向上した回路モジュー
ルが提供できる。
板に搭載された半導体チップで発生する熱を効率よく放
熱でき、且つ、部品の実装密度を向上した回路モジュー
ルが提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例の回路モジュールの構成
を説明するための斜視図である。
を説明するための斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例の回路モジュールの構成
を説明するための斜視図である。
を説明するための斜視図である。
【図３】本発明の第３の実施例の回路モジュールの構成
を説明するための斜視図である。
を説明するための斜視図である。
【図４】従来の回路モジュールの構成を説明するための
断面図である。
断面図である。
１１・・・・チップ、 １４、２４、３
４・・・・放熱板、１２・・・・配線基板、
１１ｂ・・・チップ側面、１３・・・・ワイヤ、
１１ｃ・・・チップ上面、１１ａ・・・
ボンディングパッド、 １２ａ・・・ボンディングパ
ッド。
４・・・・放熱板、１２・・・・配線基板、
１１ｂ・・・チップ側面、１３・・・・ワイヤ、
１１ｃ・・・チップ上面、１１ａ・・・
ボンディングパッド、 １２ａ・・・ボンディングパ
ッド。
Claims (2)
- 【請求項１】 配線基板と、該配線基板上に搭載された
半導体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、 前記半導体ベアチップの電子回路の形成された面の側面
に当接して放熱手段が設けられてなることを特徴とする
回路モジュール。 - 【請求項２】 配線基板と、該配線基板上に搭載された
半導体ベアチップとからなる回路モジュールにおいて、 前記半導体ベアチップの電子回路の形成された面に当接
して放熱手段が設けられてなることを特徴とする回路モ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8105470A JPH09293810A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8105470A JPH09293810A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293810A true JPH09293810A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14408486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8105470A Withdrawn JPH09293810A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021215108A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP8105470A patent/JPH09293810A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021215108A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及び通信装置 |
| US12531543B2 (en) | 2020-04-24 | 2026-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency module and communication apparatus |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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