JPH09297238A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
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- JPH09297238A JPH09297238A JP8114503A JP11450396A JPH09297238A JP H09297238 A JPH09297238 A JP H09297238A JP 8114503 A JP8114503 A JP 8114503A JP 11450396 A JP11450396 A JP 11450396A JP H09297238 A JPH09297238 A JP H09297238A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に傷や歪み等による凹凸が生じている
と、基板上にバッファ層を設けてもその表面には再び傷
や凹凸が現われる。このように凹凸のある面上に形成さ
れたコア層は均一に形成されないために伝送損失が増大
する問題があった。 【解決手段】 基板上に光受動部品を形成する光導波路
の製造するに先立ち、基板１０の上に一旦レジスト層１
をコーティングし、次いでこのレジスト層１及び基板１
０の表面をドライエッチング法により除去して基板の表
面を平坦に仕上げる工程を付加した方法である。
と、基板上にバッファ層を設けてもその表面には再び傷
や凹凸が現われる。このように凹凸のある面上に形成さ
れたコア層は均一に形成されないために伝送損失が増大
する問題があった。 【解決手段】 基板上に光受動部品を形成する光導波路
の製造するに先立ち、基板１０の上に一旦レジスト層１
をコーティングし、次いでこのレジスト層１及び基板１
０の表面をドライエッチング法により除去して基板の表
面を平坦に仕上げる工程を付加した方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
使用される光導波路の製造方法に関する。
使用される光導波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光導波路の典型的な製造方法のフ
ローを図７に示す。先ず、火炎堆積法により、石英やシ
リコン等の基板１０１上にガラス微粒子１０２' を堆積
させ（同図（ａ））、次いでこれを１２００℃以上の温
度で加熱し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化し
てバッファ層１０２を形成する（同図（ｂ）／ガラス組
成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。次に、火炎堆積
法により、バッファ層１０２上にコア用のガラス微粒子
層１０３' を堆積させ（同図（ｃ））、この後、再び１
２００℃以上の温度で加熱し、このガラス微粒子層１０
３' を透明ガラス化してコア層１０３を形成する（同図
（ｄ）／ガラス組成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−Ｐ2 Ｏ5 −
ＧｅＯ2 ）。次に、フォトリソグラフィ技術により、コ
ア層１０３上にマスクパターンを形成した後、これをマ
スクとしてエッチングを行い、所望のパターンの光導波
路１０３ａを形成する（同図（ｅ））。そして、この上
に再び火炎堆積法でガラス微粒子層１０４' を堆積した
後（同図（ｆ））、透明ガラス化してオーバクラッド層
１０４を形成する（同図（ｇ）／ガラス組成：ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。
ローを図７に示す。先ず、火炎堆積法により、石英やシ
リコン等の基板１０１上にガラス微粒子１０２' を堆積
させ（同図（ａ））、次いでこれを１２００℃以上の温
度で加熱し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化し
てバッファ層１０２を形成する（同図（ｂ）／ガラス組
成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。次に、火炎堆積
法により、バッファ層１０２上にコア用のガラス微粒子
層１０３' を堆積させ（同図（ｃ））、この後、再び１
２００℃以上の温度で加熱し、このガラス微粒子層１０
３' を透明ガラス化してコア層１０３を形成する（同図
（ｄ）／ガラス組成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3−Ｐ2 Ｏ5 −
ＧｅＯ2 ）。次に、フォトリソグラフィ技術により、コ
ア層１０３上にマスクパターンを形成した後、これをマ
スクとしてエッチングを行い、所望のパターンの光導波
路１０３ａを形成する（同図（ｅ））。そして、この上
に再び火炎堆積法でガラス微粒子層１０４' を堆積した
後（同図（ｆ））、透明ガラス化してオーバクラッド層
１０４を形成する（同図（ｇ）／ガラス組成：ＳｉＯ2
−Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て形成された光導波路も、基板上に傷や歪み等による凹
凸が生じている場合があり、基板上にバッファ層を設け
てもその表面には再び傷や凹凸が現われる。このように
凹凸のある面上では均一にコア層が形成されないために
伝送損失が増大する問題があった。そこで本発明の目的
は、コアを形成する基板あるいはバッファ層の表面を平
坦に形成し、伝送損失の劣化を防止できる光導波路の製
造方法を提供するものである。
て形成された光導波路も、基板上に傷や歪み等による凹
凸が生じている場合があり、基板上にバッファ層を設け
てもその表面には再び傷や凹凸が現われる。このように
凹凸のある面上では均一にコア層が形成されないために
伝送損失が増大する問題があった。そこで本発明の目的
は、コアを形成する基板あるいはバッファ層の表面を平
坦に形成し、伝送損失の劣化を防止できる光導波路の製
造方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる光導波路
の製造方法は、基板の表面を平坦に仕上げる第１工程
と、ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給
し、平坦化された基板の表面上に、コア用の第１ガラス
微粒子層を堆積させる第２工程と、前記第１ガラス微粒
子層を焼結して透明ガラス化する第３工程と、透明ガラ
ス化した前記第１ガラス微粒子層を所定のコア形状にパ
ターニングする第４工程と、パターニングされた前記第
１ガラス微粒子層上に、オーバクラッド用の第２ガラス
微粒子層を堆積させる第５工程と、堆積された前記第２
ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第６工程と
を備え、前記第１工程では、基板上に一旦レジスト層を
コーティングし、次いで該レジスト層及び基板の表面を
ドライエッチング法により除去して基板の表面を平坦に
仕上げることを特徴とする。
の製造方法は、基板の表面を平坦に仕上げる第１工程
と、ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給
し、平坦化された基板の表面上に、コア用の第１ガラス
微粒子層を堆積させる第２工程と、前記第１ガラス微粒
子層を焼結して透明ガラス化する第３工程と、透明ガラ
ス化した前記第１ガラス微粒子層を所定のコア形状にパ
ターニングする第４工程と、パターニングされた前記第
１ガラス微粒子層上に、オーバクラッド用の第２ガラス
微粒子層を堆積させる第５工程と、堆積された前記第２
ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第６工程と
を備え、前記第１工程では、基板上に一旦レジスト層を
コーティングし、次いで該レジスト層及び基板の表面を
ドライエッチング法により除去して基板の表面を平坦に
仕上げることを特徴とする。
【０００５】また、本発明に係わる光導波路の他の製造
方法は、基板上にバッファ層を形成する第１工程と、バ
ッファ層の表面を平坦に仕上げる第２工程と、ガラスの
屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、平坦化さ
れたバッファ層の表面上に、コア用の第１ガラス微粒子
層を堆積させる第３工程と、前記第１ガラス微粒子層を
焼結して透明ガラス化する第４工程と、透明ガラス化し
た前記第１ガラス微粒子層を所定のコア形状にパターニ
ングする第５工程と、パターニングされた前記第１ガラ
ス微粒子層上に、オーバクラッド用の第２ガラス微粒子
層を堆積させる第６工程と、堆積された前記第２ガラス
微粒子層を焼結して透明ガラス化する第７工程とを備
え、前記第２工程では、バッファ層上に一旦レジスト層
をコーティングし、次いで該レジスト層及びバッファ層
の表面をドライエッチング法により除去してバッファ層
の表面を平坦に仕上げることを特徴とする。
方法は、基板上にバッファ層を形成する第１工程と、バ
ッファ層の表面を平坦に仕上げる第２工程と、ガラスの
屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、平坦化さ
れたバッファ層の表面上に、コア用の第１ガラス微粒子
層を堆積させる第３工程と、前記第１ガラス微粒子層を
焼結して透明ガラス化する第４工程と、透明ガラス化し
た前記第１ガラス微粒子層を所定のコア形状にパターニ
ングする第５工程と、パターニングされた前記第１ガラ
ス微粒子層上に、オーバクラッド用の第２ガラス微粒子
層を堆積させる第６工程と、堆積された前記第２ガラス
微粒子層を焼結して透明ガラス化する第７工程とを備
え、前記第２工程では、バッファ層上に一旦レジスト層
をコーティングし、次いで該レジスト層及びバッファ層
の表面をドライエッチング法により除去してバッファ層
の表面を平坦に仕上げることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳細に説明する。図１及び図２は本
実施形態の光導波路の製造工程を示す図である。まず、
厚さ１ｍｍの平板状の石英基板１０を用意し（図１
（ａ））、アセトン液の中で表面を超音波洗浄した。
発明の実施の形態を詳細に説明する。図１及び図２は本
実施形態の光導波路の製造工程を示す図である。まず、
厚さ１ｍｍの平板状の石英基板１０を用意し（図１
（ａ））、アセトン液の中で表面を超音波洗浄した。
【０００７】次に、図３に示すように、回転装置の円盤
５の上に洗浄された石英基板１０を固定し、その上にノ
ボラック系樹脂等の有機物からなるレジストを滴下装置
のノズル７から滴下し、同時に円盤５を高速回転して基
板１０の表面に略平坦なレジスト層１を形成した（図１
（ｂ））。レジスト層１の厚さはレジストの粘度と回転
速度によって決まり、石英基板１０上の傷あるいは凹凸
を覆うに十分な厚さとした。粘度は１０〜３００ｃｐ
ｓ、回転速度は５００〜５０００ｒｐｍの範囲で調整し
た。
５の上に洗浄された石英基板１０を固定し、その上にノ
ボラック系樹脂等の有機物からなるレジストを滴下装置
のノズル７から滴下し、同時に円盤５を高速回転して基
板１０の表面に略平坦なレジスト層１を形成した（図１
（ｂ））。レジスト層１の厚さはレジストの粘度と回転
速度によって決まり、石英基板１０上の傷あるいは凹凸
を覆うに十分な厚さとした。粘度は１０〜３００ｃｐ
ｓ、回転速度は５００〜５０００ｒｐｍの範囲で調整し
た。
【０００８】次いで、図４に示すように、真空チャンバ
８内に配置された電極４の一方の側に石英基板１０を固
定し、電極４の間にＣＦ4 ガスとＯ2 ガスのエッチング
ガスを吹き込んで石英基板１０の表面をエッチングし
た。エッチングガスは流量：２００（ｓｃｃｍ）、圧
力：１．０（Ｐａ）、プラズマ発生電力：１．０（ｋ
Ｗ）、加速電圧：１００（Ｖ）以下で５０μｍエッチン
グした（図１（ｃ））。エッチング速度は図５に示すよ
うに、一般に、石英ガラスとレジストでは相違してお
り、また電極間に送り込むＣＦ4 ガスとＯ2 ガスの割合
によっても変化する。
８内に配置された電極４の一方の側に石英基板１０を固
定し、電極４の間にＣＦ4 ガスとＯ2 ガスのエッチング
ガスを吹き込んで石英基板１０の表面をエッチングし
た。エッチングガスは流量：２００（ｓｃｃｍ）、圧
力：１．０（Ｐａ）、プラズマ発生電力：１．０（ｋ
Ｗ）、加速電圧：１００（Ｖ）以下で５０μｍエッチン
グした（図１（ｃ））。エッチング速度は図５に示すよ
うに、一般に、石英ガラスとレジストでは相違してお
り、また電極間に送り込むＣＦ4 ガスとＯ2 ガスの割合
によっても変化する。
【０００９】ところで、基板１０上に設けられたレジス
ト層１の表面をエッチングしてゆくと、最初は図１
（ｃ）の９1 、９2 に示すように全面がレジストである
が、さらに９3 まで進むと、基板１０の表面に生じてい
た傷あるいは凹凸が現われる。この状態では石英基板１
０とレジスト層１を同時にエッチングすることになる。
前述のように石英ガラスとレジストのエッチング速度が
相違する条件でエッチングを行なうと、エッチング速度
の相違によって益々凹凸が強調されることになる。そこ
で図５に示するように、両者のエッチング速度が等しく
なる条件／ＣＦ4 ガスがｘ％、Ｏ2 ガスが（１−ｘ）％
に選択することによって平坦な面を保持しながらエッチ
ングを続けることができる。その結果、１図（ｄ）に示
すように基板１０の表面を平坦にエッチングすることが
できる。
ト層１の表面をエッチングしてゆくと、最初は図１
（ｃ）の９1 、９2 に示すように全面がレジストである
が、さらに９3 まで進むと、基板１０の表面に生じてい
た傷あるいは凹凸が現われる。この状態では石英基板１
０とレジスト層１を同時にエッチングすることになる。
前述のように石英ガラスとレジストのエッチング速度が
相違する条件でエッチングを行なうと、エッチング速度
の相違によって益々凹凸が強調されることになる。そこ
で図５に示するように、両者のエッチング速度が等しく
なる条件／ＣＦ4 ガスがｘ％、Ｏ2 ガスが（１−ｘ）％
に選択することによって平坦な面を保持しながらエッチ
ングを続けることができる。その結果、１図（ｄ）に示
すように基板１０の表面を平坦にエッチングすることが
できる。
【００１０】次に、表面を平坦にエッチングした基板１
０を用いて図２に示した工程にしたがって光導波路を形
成する。酸水素火炎中に、原料ガスとしてＳｉＣｌ4 、
ＢＣｌ3 、ＧｅＣｌ4 を導入し、火炎加水分解反応に
よりＢ、Ｐ、Ｇｅが添加されたＳｉＯ2 微粒子を発生さ
せて石英基板１０上に堆積した（図２（ａ））。堆積し
たコアガラスの微粒子層１１’を１５００℃で４時間焼
結して厚さ８μｍのコア層１１を形成した（図２
（ｂ））。
０を用いて図２に示した工程にしたがって光導波路を形
成する。酸水素火炎中に、原料ガスとしてＳｉＣｌ4 、
ＢＣｌ3 、ＧｅＣｌ4 を導入し、火炎加水分解反応に
よりＢ、Ｐ、Ｇｅが添加されたＳｉＯ2 微粒子を発生さ
せて石英基板１０上に堆積した（図２（ａ））。堆積し
たコアガラスの微粒子層１１’を１５００℃で４時間焼
結して厚さ８μｍのコア層１１を形成した（図２
（ｂ））。
【００１１】次に、コア層１１上に厚さ１μｍの感光性
レジスト層２０を形成する（図２（ｃ））。レジスト層
２０は、帯状をなしその幅はコアの寸法と等しく選択さ
れる。
レジスト層２０を形成する（図２（ｃ））。レジスト層
２０は、帯状をなしその幅はコアの寸法と等しく選択さ
れる。
【００１２】次いで、レジスト層２０をエッチングマス
クとして反応性イオネッチングを行い、コア層１１の露
出部分を基板１０の上面が露出するまで除去する（図２
（ｄ））。これにより、石英基板１０上に柱状のコア部
材１１ａが形成される。
クとして反応性イオネッチングを行い、コア層１１の露
出部分を基板１０の上面が露出するまで除去する（図２
（ｄ））。これにより、石英基板１０上に柱状のコア部
材１１ａが形成される。
【００１３】次に、酸水素火炎中に、原料ガスとしてＳ
ｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、ＰＯＣｌ3 を導入し、火炎加水分
解反応によりＢ、Ｐが添加されたＳｉＯ２微粒子を発生
させて堆積した（図２（ｅ））。堆積したオーバクラッ
ド層の微粒子層１２’を１２００℃で４時間焼結して厚
さ３０μｍのオーバクラッド層１２を得た（図２
（ｆ））。導波路の構造は、コア断面形状が８μｍ×８
μｍ、比屈折率差が０．３％となるように合成した。石
英基板１０とオーバクラッド層１２は一体となって一つ
のクラッド層を構成しており、導波路はこのクラッド層
内に埋め込まれた状態で固定される。以上の工程を経て
作製した直線光導波路の導波損失は、０．０６±０．０
３ｄＢ／ｃｍであった。
ｉＣｌ4 、ＢＣｌ3 、ＰＯＣｌ3 を導入し、火炎加水分
解反応によりＢ、Ｐが添加されたＳｉＯ２微粒子を発生
させて堆積した（図２（ｅ））。堆積したオーバクラッ
ド層の微粒子層１２’を１２００℃で４時間焼結して厚
さ３０μｍのオーバクラッド層１２を得た（図２
（ｆ））。導波路の構造は、コア断面形状が８μｍ×８
μｍ、比屈折率差が０．３％となるように合成した。石
英基板１０とオーバクラッド層１２は一体となって一つ
のクラッド層を構成しており、導波路はこのクラッド層
内に埋め込まれた状態で固定される。以上の工程を経て
作製した直線光導波路の導波損失は、０．０６±０．０
３ｄＢ／ｃｍであった。
【００１４】〈比較例〉前述した実施形態と同様に光導
波路を製造したが、比較例では基板１０上を平坦化する
第１の工程は行なわず、基板１０上に直接図２に示した
工程によってコア層１１、オーバクラッド層１２を形成
した。基板の表面全体に約１μｍの凹凸が存在してい
た。作製された直線光導波路の導波損失は、０．６±
０．１ｄＢ／ｃｍであった。
波路を製造したが、比較例では基板１０上を平坦化する
第１の工程は行なわず、基板１０上に直接図２に示した
工程によってコア層１１、オーバクラッド層１２を形成
した。基板の表面全体に約１μｍの凹凸が存在してい
た。作製された直線光導波路の導波損失は、０．６±
０．１ｄＢ／ｃｍであった。
【００１５】〈別の実施形態〉基板上の不純物による伝
送損失の影響を避けるために、図６に示すようにバッフ
ァ層１３を設けた後にコア用の第１ガラス微粒子層１
１’を堆積させる場合がある（図６（ａ））。バッファ
層１３を設けても基板上に傷等が存在していると、バッ
ファ層１３の表面にも傷による凹凸が現われるのでバッ
ファ層１３の表面を平坦にすることが必要となる。この
場合にも前述の図１と同様の方法によって、バッファ層
１３の表面を平坦にドライエッチングする。この時は、
バッファ層１３のエッチング速度とレジスト層のエッチ
ング速度が等しくなる条件でエッチングする。以下、図
６に示した工程に従ってエッチングされたバッファ層１
３の上にコア層１１を形成し（同図（ｂ））、・・・オ
ーバクラッド層１２を設けて（同図（ｆ））光導波路を
形成する。バッファ層１３は、基板１０上にガラス微粒
子を堆積し、次いでこれを１２００℃以上の温度で加熱
し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化して形成す
る（ガラス組成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。
送損失の影響を避けるために、図６に示すようにバッフ
ァ層１３を設けた後にコア用の第１ガラス微粒子層１
１’を堆積させる場合がある（図６（ａ））。バッファ
層１３を設けても基板上に傷等が存在していると、バッ
ファ層１３の表面にも傷による凹凸が現われるのでバッ
ファ層１３の表面を平坦にすることが必要となる。この
場合にも前述の図１と同様の方法によって、バッファ層
１３の表面を平坦にドライエッチングする。この時は、
バッファ層１３のエッチング速度とレジスト層のエッチ
ング速度が等しくなる条件でエッチングする。以下、図
６に示した工程に従ってエッチングされたバッファ層１
３の上にコア層１１を形成し（同図（ｂ））、・・・オ
ーバクラッド層１２を設けて（同図（ｆ））光導波路を
形成する。バッファ層１３は、基板１０上にガラス微粒
子を堆積し、次いでこれを１２００℃以上の温度で加熱
し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化して形成す
る（ガラス組成：ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 ）。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１７】基板上に傷や歪み等による凹凸が発生して
も、基板の表面を平坦に仕上げてから導波路を形成する
ので凹凸による伝送損失の劣化を防止することが出来
る。
も、基板の表面を平坦に仕上げてから導波路を形成する
ので凹凸による伝送損失の劣化を防止することが出来
る。
【００１８】基板上に発生した傷や歪み等による凹凸を
ドライエッチングによって除去するので、凹凸と同時に
表面の不純物も除かれるので伝送損失の改善効果が大き
い。
ドライエッチングによって除去するので、凹凸と同時に
表面の不純物も除かれるので伝送損失の改善効果が大き
い。
【図１】本実施形態に係わる光導波路の前半の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本実施形態に係わる光導波路の後半の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】レジスト層の製造法を示す図である。
【図４】ドライエッチング法を示す図である。
【図５】エッチング速度に関する特性を示す図である。
【図６】本実施形態に係わる光導波路の他の製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図７】従来の光導波路の製造工程を示す図である。
１：レジスト層 ２：ドライエッチングガス ３：排気ガス ４：電極 ５：加速電源 ６：回転装置の円盤 ７：滴下装置のノズル ８：真空チャンバ ９：ドライエッチングの方向 ９1 、９2 ・・：エッチングの面 １０：基板 １１：コア層 １１’：コア部のガラス微粒子層 １２：オーバクラッド層 １２’：オーバクラッド部のガラス微粒子層 １３：バッファ層 １３’：バッファ部のガラス微粒子層 ２０：感光性レジスト層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の表面を平坦に仕上げる第１工程
と、 ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、
平坦化された基板の表面上に、コア用の第１ガラス微粒
子層を堆積させる第２工程と、 前記第１ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第
３工程と、 透明ガラス化した前記第１ガラス微粒子層を所定のコア
形状にパターニングする第４工程と、 パターニングされた前記第１ガラス微粒子層上に、オー
バクラッド用の第２ガラス微粒子層を堆積させる第５工
程と、 堆積された前記第２ガラス微粒子層を焼結して透明ガラ
ス化する第６工程とを備え、 前記第１工程では、基板上に一旦レジスト層をコーティ
ングし、次いで該レジスト層及び基板の表面をドライエ
ッチング法により除去して基板の表面を平坦に仕上げる
ことを特徴とする光導波路の製造方法。 - 【請求項２】 基板とレジスト層のエッチング速度が等
しい条件でドライエッチングすることを特徴とする請求
項１に記載の光導波路の製造方法。 - 【請求項３】 基板上にバッファ層を形成する第１工程
と、 バッファ層の表面を平坦に仕上げる第２工程と、 ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、
平坦化されたバッファ層の表面上に、コア用の第１ガラ
ス微粒子層を堆積させる第３工程と、 前記第１ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第
４工程と、 透明ガラス化した前記第１ガラス微粒子層を所定のコア
形状にパターニングする第５工程と、 パターニングされた前記第１ガラス微粒子層上に、オー
バクラッド用の第２ガラス微粒子層を堆積させる第６工
程と、 堆積された前記第２ガラス微粒子層を焼結して透明ガラ
ス化する第７工程とを備え、 前記第２工程では、バッファ層上に一旦レジスト層をコ
ーティングし、次いで該レジスト層及びバッファ層の表
面をドライエッチング法により除去してバッファ層の表
面を平坦に仕上げることを特徴とする光導波路の製造方
法。 - 【請求項４】 バッファ層とレジスト層のエッチング速
度が等しい条件でドライエッチングすることを特徴とす
る請求項３に記載の光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114503A JPH09297238A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8114503A JPH09297238A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297238A true JPH09297238A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14639390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8114503A Pending JPH09297238A (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09297238A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621232A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Matsushita Electronics Corp | 絶縁膜の平坦化方法 |
| JPS63131104A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ハイブリツド光集積回路 |
| JPH05333382A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光スイッチ及び導波路型マトリックス光スイッチ |
| JPH06110091A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波路型光結合回路 |
| JPH0777619A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路回路部品の製造方法 |
| JPH07335613A (ja) * | 1993-01-25 | 1995-12-22 | Motorola Inc | 材料層のエッチング方法 |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP8114503A patent/JPH09297238A/ja active Pending
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