JPH09302462A - 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH09302462A JPH09302462A JP8114764A JP11476496A JPH09302462A JP H09302462 A JPH09302462 A JP H09302462A JP 8114764 A JP8114764 A JP 8114764A JP 11476496 A JP11476496 A JP 11476496A JP H09302462 A JPH09302462 A JP H09302462A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電力でスパッタリングしても剥離および割
れが発生することのない強誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットを提供する。 【解決手段】 （１）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢ
ａおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲット。（２）Ｃ含有量が３０
０ｐｐｍ以下のＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体から
なる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
（３）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａ、Ｓｒおよび
Ｔｉの複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲット。
れが発生することのない強誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットを提供する。 【解決手段】 （１）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢ
ａおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲット。（２）Ｃ含有量が３０
０ｐｐｍ以下のＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体から
なる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
（３）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａ、Ｓｒおよび
Ｔｉの複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体メモリー
などのキャパシタ用薄膜など強誘電体膜形成用スパッタ
リングターゲットに関するものである。
などのキャパシタ用薄膜など強誘電体膜形成用スパッタ
リングターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＢａＴｉＯ3 などのＢａおよび
Ｔｉの複合酸化物（以下、ＢａＴｉ複合酸化物とい
う）、ＳｒＴｉＯ3 などのＳｒおよびＴｉの複合酸化物
（以下、ＳｒＴｉ複合酸化物という）並びに（Ｂａ，Ｓ
ｒ）ＴｉＯ3 などのＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物
（以下、ＢａＳｒＴｉ複合酸化物という）などの焼結体
からなるからなるスパッタリングターゲットを用いてペ
ロブスカイト構造を有する強誘電体膜を形成し、半導体
メモリー等におけるキャパシタ用薄膜として用いること
は知られている。
Ｔｉの複合酸化物（以下、ＢａＴｉ複合酸化物とい
う）、ＳｒＴｉＯ3 などのＳｒおよびＴｉの複合酸化物
（以下、ＳｒＴｉ複合酸化物という）並びに（Ｂａ，Ｓ
ｒ）ＴｉＯ3 などのＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物
（以下、ＢａＳｒＴｉ複合酸化物という）などの焼結体
からなるからなるスパッタリングターゲットを用いてペ
ロブスカイト構造を有する強誘電体膜を形成し、半導体
メモリー等におけるキャパシタ用薄膜として用いること
は知られている。
【０００３】前記ＢａＴｉ複合酸化物、ＳｒＴｉ複合酸
化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットは、市販のＢａ
Ｔｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を購入し、このＢａＴｉ複合
酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴ
ｉ複合酸化物粉末をそれぞれ圧力：１５０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、温度：１２００〜１３５０℃、０．５〜３時間保
持の条件でホットプレスすることにより製造する。前記
ホットプレスされたＢａＴｉ複合酸化物、ＳｒＴｉ複合
酸化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなる焼結体
は、機械加工して所定のターゲット形状に仕上げられ
る。
化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットは、市販のＢａ
Ｔｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を購入し、このＢａＴｉ複合
酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴ
ｉ複合酸化物粉末をそれぞれ圧力：１５０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、温度：１２００〜１３５０℃、０．５〜３時間保
持の条件でホットプレスすることにより製造する。前記
ホットプレスされたＢａＴｉ複合酸化物、ＳｒＴｉ複合
酸化物またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなる焼結体
は、機械加工して所定のターゲット形状に仕上げられ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体メモリー
の大量生産とコストダウンのために、高出力でスパッタ
リングし、高速成膜することにより短時間で強誘電体膜
を形成しょうとしている。しかし、従来の強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲットを用いて成膜速度：１０
０オングストローム／ｍｉｎ．以上の高速スパッタリン
グ成膜を行うと、ターゲット表面が鱗片状に剥離した
り、ターゲット全体が割れてしまうことがあり、また１
００オングストローム／ｍｉｎ．以上の高速スパッタリ
ング成膜を行うためには、ターゲットを高密度化してタ
ーゲットの強度および熱伝導度を上げる必要があるが、
従来の原料を用いてホットプレスによりターゲットを製
造すると、ホットプレス上がりで割れが発生しやすく、
製品の歩留まりが低かった。
の大量生産とコストダウンのために、高出力でスパッタ
リングし、高速成膜することにより短時間で強誘電体膜
を形成しょうとしている。しかし、従来の強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲットを用いて成膜速度：１０
０オングストローム／ｍｉｎ．以上の高速スパッタリン
グ成膜を行うと、ターゲット表面が鱗片状に剥離した
り、ターゲット全体が割れてしまうことがあり、また１
００オングストローム／ｍｉｎ．以上の高速スパッタリ
ング成膜を行うためには、ターゲットを高密度化してタ
ーゲットの強度および熱伝導度を上げる必要があるが、
従来の原料を用いてホットプレスによりターゲットを製
造すると、ホットプレス上がりで割れが発生しやすく、
製品の歩留まりが低かった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高電力をかけて高速スパッタリング成膜しても割れおよ
び剥離が生ずることがなく、さらにスパッタリングター
ゲット製造時の割れが発生せすることのない強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットを開発すべく研究を行
なった結果、（ａ）従来の強誘電体膜形成用スパッタリ
ングターゲットには、炭素が５００〜１０００ｐｐｍ程
度含まれており、前記高速スパッタリング成膜時の割れ
および剥離は、炭素が大きく影響を及ぼすところから、
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる
炭素は可及的に少ない方がよく、Ｃ：３００ｐｐｍ以下
に抑える必要がある、（ｂ）従来の強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲットの原料粉末として用いる市販の
ＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末また
はＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末には、いずれも炭素が５
００〜１０００ｐｐｍ程度含まれており、この炭素が５
００〜１０００ｐｐｍ程度含まれているＢａＴｉ複合酸
化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ
複合酸化物粉末を用いて強誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットを製造すると、スパッタリングターゲット
製造時のホットプレス上がりで割れが発生するところか
ら、原料粉末に含まれる炭素は、可及的に少ない方がよ
く、Ｃ：３００ｐｐｍ以下に抑える必要がある、という
知見を得たのである。
高電力をかけて高速スパッタリング成膜しても割れおよ
び剥離が生ずることがなく、さらにスパッタリングター
ゲット製造時の割れが発生せすることのない強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットを開発すべく研究を行
なった結果、（ａ）従来の強誘電体膜形成用スパッタリ
ングターゲットには、炭素が５００〜１０００ｐｐｍ程
度含まれており、前記高速スパッタリング成膜時の割れ
および剥離は、炭素が大きく影響を及ぼすところから、
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに含まれる
炭素は可及的に少ない方がよく、Ｃ：３００ｐｐｍ以下
に抑える必要がある、（ｂ）従来の強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲットの原料粉末として用いる市販の
ＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末また
はＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末には、いずれも炭素が５
００〜１０００ｐｐｍ程度含まれており、この炭素が５
００〜１０００ｐｐｍ程度含まれているＢａＴｉ複合酸
化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ
複合酸化物粉末を用いて強誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットを製造すると、スパッタリングターゲット
製造時のホットプレス上がりで割れが発生するところか
ら、原料粉末に含まれる炭素は、可及的に少ない方がよ
く、Ｃ：３００ｐｐｍ以下に抑える必要がある、という
知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下の
ＢａＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲット。（２）Ｃ含有量が３００ｐｐ
ｍ以下のＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲット、（３）Ｃ含有量が３
００ｐｐｍ以下のＢａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からな
る強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、（４）
Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａおよびＴｉの複合酸
化物粉末、Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物粉末、またはＣ含有量が３００ｐｐｍ以
下のＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物粉末を焼結する
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方
法、に特徴を有するものである。
たものであって、（１）Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下の
ＢａＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲット。（２）Ｃ含有量が３００ｐｐ
ｍ以下のＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からなる強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲット、（３）Ｃ含有量が３
００ｐｐｍ以下のＢａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からな
る強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、（４）
Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａおよびＴｉの複合酸
化物粉末、Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物粉末、またはＣ含有量が３００ｐｐｍ以
下のＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物粉末を焼結する
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方
法、に特徴を有するものである。
【０００７】ターゲットに含まれるＣ含有量は、高出力
スパッタリング中のターゲットの割れおよび剥離に大き
く影響を及ぼすところから、可及的に少ない方が好まし
いが、３００ｐｐｍを越えて含有すると、高出力スパッ
タリング中の全てのターゲットに割れおよび剥離が発生
するので好ましくない。したがって、Ｃの含有量を３０
０ｐｐｍ以下に定めた。Ｃ含有量の一層好ましい範囲は
１００ｐｐｍ以下である。
スパッタリング中のターゲットの割れおよび剥離に大き
く影響を及ぼすところから、可及的に少ない方が好まし
いが、３００ｐｐｍを越えて含有すると、高出力スパッ
タリング中の全てのターゲットに割れおよび剥離が発生
するので好ましくない。したがって、Ｃの含有量を３０
０ｐｐｍ以下に定めた。Ｃ含有量の一層好ましい範囲は
１００ｐｐｍ以下である。
【０００８】また、炭素が５００〜１０００ｐｐｍ程度
含まれている市販のＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ
複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を原
料粉末として用いるとホットプレス上がりで割れが発生
するのは、焼結は周囲から中心部に向かって進行すると
ころから、焼結体の中央部に発生したＣＯガスが逃げ場
を失い、焼結体を破壊しすることによるものと考えられ
る。
含まれている市販のＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ
複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を原
料粉末として用いるとホットプレス上がりで割れが発生
するのは、焼結は周囲から中心部に向かって進行すると
ころから、焼結体の中央部に発生したＣＯガスが逃げ場
を失い、焼結体を破壊しすることによるものと考えられ
る。
【０００９】この発明で使用する原料粉末であるＣ含有
量が３００ｐｐｍ以下のＢａＴｉ複合酸化物粉末、Ｓｒ
Ｔｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末
は、市販のＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化
物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を、大気中、
温度：１１００℃、６時間保持の条件で加熱することに
より製造することができる。これらＢａＴｉ複合酸化物
粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合
酸化物粉末は、１１００℃に加熱しても焼結することは
無い。
量が３００ｐｐｍ以下のＢａＴｉ複合酸化物粉末、Ｓｒ
Ｔｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末
は、市販のＢａＴｉ複合酸化物粉末、ＳｒＴｉ複合酸化
物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を、大気中、
温度：１１００℃、６時間保持の条件で加熱することに
より製造することができる。これらＢａＴｉ複合酸化物
粉末、ＳｒＴｉ複合酸化物粉末またはＢａＳｒＴｉ複合
酸化物粉末は、１１００℃に加熱しても焼結することは
無い。
【００１０】
市販の純度：９９．９％のＢａＴｉＯ3 粉末、ＳｒＴｉ
Ｏ3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉末、（Ｂ
ａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ 0.25，Ｓ
ｒ0.75）ＴｉＯ3 粉末を購入し、Ｃ含有量を測定したと
ころ、表１に示されるＣが含まれていた。
Ｏ3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉末、（Ｂ
ａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ 0.25，Ｓ
ｒ0.75）ＴｉＯ3 粉末を購入し、Ｃ含有量を測定したと
ころ、表１に示されるＣが含まれていた。
【００１１】この市販のＢａＴｉＯ3 粉末、ＳｒＴｉＯ
3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉末、（Ｂａ
0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ0.25，Ｓｒ
0.75）ＴｉＯ3 粉末を，大気中、１１００℃で１時間保
持の条件で加熱処理することにより脱炭し、表１に示さ
れる成分組成の極低炭素複合酸化物粉末を作製した。
3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉末、（Ｂａ
0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ0.25，Ｓｒ
0.75）ＴｉＯ3 粉末を，大気中、１１００℃で１時間保
持の条件で加熱処理することにより脱炭し、表１に示さ
れる成分組成の極低炭素複合酸化物粉末を作製した。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例 加熱処理して得られた表１に示される炭素濃度の極低炭
素複合酸化物粉末をボールミルに入れて粉砕し、平均粒
径：１〜５μｍを有する極低炭素複合酸化物粉末を製造
し、さらに得られた極低炭素複合酸化物粉末をグラファ
イトモールドに充填し、 昇温速度：５℃／ｍｉｎ、 加熱温度：１３００℃、 圧力：１５０ｔｏｎ／ｃｍ2 、 保持時間：１時間、 冷却：炉冷、 の条件でホットプレスした後、表面を研削することによ
り、直径：３５０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する本
発明スパッタリングターゲット（以下、本発明ターゲッ
トという）１〜５を作製した。得られた本発明ターゲッ
ト１〜５のＣ含有量を表２に示す。
素複合酸化物粉末をボールミルに入れて粉砕し、平均粒
径：１〜５μｍを有する極低炭素複合酸化物粉末を製造
し、さらに得られた極低炭素複合酸化物粉末をグラファ
イトモールドに充填し、 昇温速度：５℃／ｍｉｎ、 加熱温度：１３００℃、 圧力：１５０ｔｏｎ／ｃｍ2 、 保持時間：１時間、 冷却：炉冷、 の条件でホットプレスした後、表面を研削することによ
り、直径：３５０ｍｍ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する本
発明スパッタリングターゲット（以下、本発明ターゲッ
トという）１〜５を作製した。得られた本発明ターゲッ
ト１〜５のＣ含有量を表２に示す。
【００１４】さらに、本発明ターゲット１〜５につい
て、同一原料で１０回ずつホットプレスを行って割れが
発生せずにホットプレスできたターゲットの成功枚数を
測定し、その結果を表２に示した。次に、割れが発生せ
ずにホットプレスできたターゲットをＩｎ−Ｓｎはんだ
により水冷銅板に接合し、高周波マグネトロンスパッタ
装置内にセットし、 雰囲気ガス：Ａｒと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ＝１：
１）、 雰囲気圧力：１ｐａ、 周波数：１３．５６Ｍｈｚ、 出力：６０００Ｗ、 時間：５０時間、 の条件にてスパッタし、ターゲットに鱗片状に割れが発
生したか否かを黙視にて観察し、その結果も表２に示し
た。
て、同一原料で１０回ずつホットプレスを行って割れが
発生せずにホットプレスできたターゲットの成功枚数を
測定し、その結果を表２に示した。次に、割れが発生せ
ずにホットプレスできたターゲットをＩｎ−Ｓｎはんだ
により水冷銅板に接合し、高周波マグネトロンスパッタ
装置内にセットし、 雰囲気ガス：Ａｒと酸素の混合ガス（Ａｒ：Ｏ＝１：
１）、 雰囲気圧力：１ｐａ、 周波数：１３．５６Ｍｈｚ、 出力：６０００Ｗ、 時間：５０時間、 の条件にてスパッタし、ターゲットに鱗片状に割れが発
生したか否かを黙視にて観察し、その結果も表２に示し
た。
【００１５】従来例 表１に示される炭素濃度の市販のＢａＴｉＯ3 粉末、Ｓ
ｒＴｉＯ3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉
末、（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ
0.25，Ｓｒ0.75）ＴｉＯ3 粉末を実施例と同じ条件でホ
ットプレスすることにより従来スパッタリングターゲッ
ト（以下、従来ターゲットという）１〜５を作製した。
得られた従来ターゲット１〜５に含まれるＣ含有量を測
定し、同一原料で１０回ずつ行いって割れが発生せずに
ホットプレスできたターゲットの成功枚数を測定し、さ
らに割れが発生せずにホットプレスできたターゲットを
用いて実施例と同じ条件でスパッタし、その際にターゲ
ットに鱗片状割れが発生したか否かを黙視にて観察し、
その結果を表２に示した。
ｒＴｉＯ3 粉末、（Ｂａ0.75，Ｓｒ0.25）ＴｉＯ3 粉
末、（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末および（Ｂａ
0.25，Ｓｒ0.75）ＴｉＯ3 粉末を実施例と同じ条件でホ
ットプレスすることにより従来スパッタリングターゲッ
ト（以下、従来ターゲットという）１〜５を作製した。
得られた従来ターゲット１〜５に含まれるＣ含有量を測
定し、同一原料で１０回ずつ行いって割れが発生せずに
ホットプレスできたターゲットの成功枚数を測定し、さ
らに割れが発生せずにホットプレスできたターゲットを
用いて実施例と同じ条件でスパッタし、その際にターゲ
ットに鱗片状割れが発生したか否かを黙視にて観察し、
その結果を表２に示した。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】表１〜表２に示される結果から、極低炭
素複合酸化物粉末を使用して得られたＣ含有量：３００
ｐｐｍ以下の本発明ターゲット１〜５は、いずれも市販
のＣ含有量：５００〜１０００ｐｐｍ含む複合酸化物粉
末を使用して得られたＣ含有量：４００ｐｐｍ以上含む
従来ターゲット１〜５に比べて、ホットプレスによる製
造時に割れが発生せず、またスパッタリング時に剥離ま
たは割れが生ずることなく高出力および高速成膜がで
き、産業上優れた効果を奏するものである。
素複合酸化物粉末を使用して得られたＣ含有量：３００
ｐｐｍ以下の本発明ターゲット１〜５は、いずれも市販
のＣ含有量：５００〜１０００ｐｐｍ含む複合酸化物粉
末を使用して得られたＣ含有量：４００ｐｐｍ以上含む
従来ターゲット１〜５に比べて、ホットプレスによる製
造時に割れが発生せず、またスパッタリング時に剥離ま
たは割れが生ずることなく高出力および高速成膜がで
き、産業上優れた効果を奏するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体からなることを特徴とする強
誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＳｒおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体からなることを特徴とする強
誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａ、Ｓ
ｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなることを特徴と
する強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下のＢａおよ
びＴｉの複合酸化物粉末、Ｃ含有量が３００ｐｐｍ以下
のＳｒおよびＴｉの複合酸化物粉末、またはＣ含有量が
３００ｐｐｍ以下のＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物
粉末を焼結することを特徴とする強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08114764A JP3127824B2 (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| TW085116344A TW343999B (en) | 1996-02-28 | 1996-12-31 | High density sputtering target for forming ferroelectric film |
| KR1019970006270A KR100494610B1 (ko) | 1996-02-28 | 1997-02-27 | 고유전체막형성용고밀도스퍼터링타겟 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08114764A JP3127824B2 (ja) | 1996-05-09 | 1996-05-09 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09302462A true JPH09302462A (ja) | 1997-11-25 |
| JP3127824B2 JP3127824B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=14646106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08114764A Expired - Fee Related JP3127824B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-05-09 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3127824B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
| TWI385139B (zh) * | 2005-02-01 | 2013-02-11 | 東曹股份有限公司 | A sintered body, a sputtering target and a forming die, and a sintered body manufacturing method using the same |
| JP2020183574A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-12 | Ｊｘ金属株式会社 | ニオブ酸カリウムナトリウムスパッタリングターゲット |
-
1996
- 1996-05-09 JP JP08114764A patent/JP3127824B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
| TWI385139B (zh) * | 2005-02-01 | 2013-02-11 | 東曹股份有限公司 | A sintered body, a sputtering target and a forming die, and a sintered body manufacturing method using the same |
| US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
| JP2014129231A (ja) * | 2005-02-01 | 2014-07-10 | Tosoh Corp | 焼結体及びスパッタリングターゲット |
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