JPH0931082A - シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents

シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物

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JPH0931082A
JPH0931082A JP8142267A JP14226796A JPH0931082A JP H0931082 A JPH0931082 A JP H0931082A JP 8142267 A JP8142267 A JP 8142267A JP 14226796 A JP14226796 A JP 14226796A JP H0931082 A JPH0931082 A JP H0931082A
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JP
Japan
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trans
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silacyclohexane
butyl
cyclohexyl
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Application number
JP8142267A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Kazuyuki Asakura
和之 朝倉
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 シラシクロヘキサン環を有する液晶化合物を
提供する。 【構成】 下記一般式(I) 具体的には、例えばトランス−4−(トランス−4−
(4−(4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンで表わさ
れるシラシクロヘキサン化合物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なシラシクロヘキ
サン化合物及びその製造方法、並びにこれを含有する液
晶組成物、及び該液晶組成物を含有する液晶表示素子に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)、PD型(ポリマー分散型)及びO
MI型(光学的にモード干渉型)など各種の方式があ
る。最も一般的なディスプレイデバイスはシャット−ヘ
ルフリッヒ効果に基づき、ねじれネマチック構造を有す
るものである。
【0003】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【0004】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【0005】これらの構成成分となり得る液晶化合物の
中で、従来、シクロヘキシル環−ブチレン−フェニル環
(QPCH)構造及びシクロヘキシル環−シクロヘキシ
ル環−ブチレン−フェニル環(QCCP)構造を持った
化合物が知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつある。特に駆動電圧の
低電圧化、車載用ニーズに対応した広域温度範囲化、低
温性能の向上等、従来の液晶物質の特性を更に植え回る
ものが望まれるようになってきた。
【0007】この様な観点から、本発明は、従来の技術
であるシクロヘキシル環−ブチレン−フェニル環構造及
びシクロヘキシル環−シクロヘキシル環−ブチレン−フ
ェニル環構造を有する液晶化合物とは全く異なるシラシ
クロヘキサン環を有する液晶化合物を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I)
で表されるシラシクロヘキサン化合物である。
【化34】 ただし、式中において、Rは炭素数1〜10の直鎖状ア
ルキル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキ
ル基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜
7のアルコキシアルキル基又は炭素数2〜8のアルケニ
ル基を表す。
【化35】 及び
【化36】 は、少なくともいずれか一方は、1または4位のケイ素
がH、F、Cl、CH又はAr(Arはフェニル基又
はトリル基を表す。)の置換基を持つトランス−1−シ
ラ−1,4−シクロヘキシレンまたはトランス−4−シ
ラ−1,4−シクロヘキシレン基で、他方はトランス−
1,4−シクロヘキシレン基、上記トランス−1−シラ
−1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ
−1,4−シクロヘキシレン基を表す。Zは、CN、
F、Cl、CF、CClF、CHClF、OC
、OCClF、OCHF、OCHClF、
(O)m−CY=CX(mは0または1を表し、
Y及びXはそれぞれ相互に独立してH、FまたはCl
を表し、XはFまたはClを表す。)、O(CH
(CFX(r及びsは0、1または2で且つr
+sが2、3または4である数を表し、XはH、Fまた
はClを表す。)、RまたはOR基を表す。LはHま
たはFを表す。LはH、FまたはClを表す。
【0009】少なくともいずれかの
【化37】 及び
【化38】 が1位又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置
換基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシ
レン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロヘキシ
レン基である前記一般式(I)で表されるシラシクロヘ
キサン化合物である。
【0010】また本発明は、有機金属試薬
【化39】R−M (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化40】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
ンスルホニルオキシ基を表す。)との反応によることを
特徴とする前記一般式(I)で表されるシラシクロヘキ
サン化合物の製造法である。
【化41】 及び
【化42】 は少なくともいずれかの一方は1位又は4位のケイ素が
H、CH又はAr(Arはフェニル基又はトリル基を
表す。)の置換基を持つトランス−1−シラ−1,4−
シクロヘキシレン又はトランス−4−シラ−1,4−シ
クロヘキシレン基で、他方はトランス−1,4−シクロ
ヘキシレン基、上記トランス−1−シラ−1,4−シク
ロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,4−シク
ロヘキシレン基を表す。L、L、Zは前記一般式
(I)の場合と同様である。
【0011】また本発明は、有機金属試薬
【化43】 (ただし、
【化44】 及び
【化45】 は前記と同じ基を表し、M’はMgP(Pはハロゲン原
子を表す。)、ZnP又はB(OY)2(YはH又はア
ルキル基、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基を表
す。)を表す。)と
【化46】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
ンスルホニルオキシ基を表し、p及びqは0、1、2、
3又は4で且つ(p+q)が4である整数を表す。)と
の反応によることを特徴とする前記一般式(I)で表さ
れるシラシクロヘキサン化合物の製造法である。
【0012】また本発明は、有機金属試薬
【化47】 (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化48】 (ただし、
【化49】 及び
【化50】 は前記と同じ基を表し、Qはハロゲン原子、アルコキシ
基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオ
キシ基又はp−トルエンスルホニルオキシ基を表し、p
及びqは0、1、2、3又は4で且つ(p+q)が4で
ある整数を表す。)との反応によることを特徴とする前
記一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造法である。
【0013】また本発明は、有機金属試薬
【化51】 (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化52】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
ンスルホニルオキシ基を表す。)との反応によることを
特徴とする前記一般式(I)で表されるシラシクロヘキ
サン化合物の製造法である。
【0014】また本発明は、有機金属試薬
【化53】 (ただし、
【化54】 は前記と同じ基を表し、MはMgP(Pはハロゲン原子
を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と
【化55】 (ただし、
【化56】 は前記と同じ基を表し、Qはハロゲン原子、アルコキシ
基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオ
キシ基又はp−トルエンスルホニルオキシ基を表す。)
との反応によることを特徴とする前記一般式(I)で表
されるシラシクロヘキサン化合物の製造法である。
【0015】さらに本発明は、一般式(I)で表される
シラシクロヘキサン化合物を有することを特徴とする液
晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特徴とす
る液晶表示素子である。
【0016】次に本発明をさらに詳細に説明する。ま
ず、一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合物
は、具体例には、以下に示す環構造で表され、少なくと
も一つのトランス−1−又はトランス−4−シラシクロ
ヘキサン環を含む環構造を有するシラシクロヘキサン化
合物である。
【0017】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】
【化65】
【化66】
【0018】式中、Rは以下のいずれかを表す。 (a)炭素数1〜10の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基又はn−デシル基。 (b)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル
基、即ち、フルオロメチル基、1−フルオロエチル基、
1−フルオロプロピル基、1−フルオロブチル基、1−
フルオロペンチル基、1−フルオロヘキシル基、1−フ
ルオロヘプチル基、1−フルオロオクチル基、1−フル
オロノニル基、1−フルオロデシル基、2−フルオロエ
チル基、2−フルオロプロピル基、2−フルオロブチル
基、2−フルオロペンチル基、2−フルオロヘキシル
基、2−フルオロヘプチル基、2−フルオロオクチル
基、2−フルオロノニル基、2−フルオロデシル基、3
−フルオロプロピル基、3−フルオロブチル基、3−フ
ルオロペンチル基、3−フルオロヘキシル基、3−フル
オロヘプチル基、3−フルオロオクチル基、3−フルオ
ロノニル基、3−フルオロデシル基、4−フルオロブチ
ル基、4−フルオロペンチル基、4−フルオロヘキシル
基、4−フルオロヘプチル基、4−フルオロオクチル
基、4−フルオロノニル基、4−フルオロデシル基、5
−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−
フルオロヘプチル基、5−フルオロオクチル基、5−フ
ルオロノニル基、5−フルオロデシル基、6−フルオロ
ヘキシル基、6−フルオロヘプチル基、6−フルオロオ
クチル基、6−フルオロノニル基、6−フルオロデシル
基、7−フルオロヘプチル基、7−フルオロオクチル
基、7−フルオロノニル基、7−フルオロデシル基、8
−フルオロオクチル基、8−フルオロノニル基、8−フ
ルオロデシル基、9−フルオロノニル基、9−フルオロ
デシル基、10−フルオロデシル基、ジフルオロメチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロ
プロピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジ
フルオロペンチル基、1,1−ジフルオロヘキシル基、
1,1−ジフルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロオ
クチル基、1,1−ジフルオロノニル基、1,1−ジフ
ルオロデシル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、2,2−ジフルオ
ロヘキシル基、2,2−ジフルオロヘプチル基、2,2
−ジフルオロオクチル基、2,2−ジフルオロノニル
基、2,2−ジフルオロデシル基、3,3−ジフルオロ
プロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−ジ
フルオロペンチル基、3,3−ジフルオロヘキシル基、
3,3−ジフルオロヘプチル基、3,3−ジフルオロオ
クチル基、3,3−ジフルオロノニル基、3,3−ジフ
ルオロデシル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4
−ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、4,4−ジフルオ
ロオクチル基、4,4−ジフルオロノニル基、4,4−
ジフルオロデシル基、5,5−ジフルオロペンチル基、
5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5−ジフルオロヘ
プチル基、5,5−ジフルオロオクチル基、5,5−ジ
フルオロノニル基、5,5−ジフルオロデシル基、6,
6−ジフルオロヘキシル基、6,6−ジフルオロヘプチ
ル基、6,6−ジフルオロオクチル基、6,6−ジフル
オロノニル基、6,6−ジフルオロデシル基、7,7−
ジフルオロヘプチル基、7,7−ジフルオロオクチル
基、7,7−ジフルオロノニル基、7,7−ジフルオロ
デシル基、8,8−ジフルオロオクチル基、8,8−ジ
フルオロノニル基、8,8−ジフルオロデシル基、9,
9−ジフルオロノニル基、9,9−ジフルオロデシル基
又は10,10−ジフルオロデシル基。 (c)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メ
チルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基又は
3−メチルヘプチル基。 (d)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、メトキシプロ
ピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、
ブトキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチ
ル基、プロポキシブチル基、メトキシペンチル基又はエ
トキシペンチル基。 (e)炭素数2〜8のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1−プロペニル基、アリル基、1−ブテニル基、3−ブ
テニル基、イソプレニル基、1−ペンテニル基、3−ペ
ンテニル基、4−ペンテニル基、ジメチルアリル基、1
−ヘキセニル基、3−ヘキセニル基、5−ヘキセニル
基、1−ヘプテニル基、3−ヘプテニル基、6−ヘプテ
ニル基又は7−オクテニル基。
【0019】W は、H、F、Cl又はCH3基を表す。
【0020】Zは、CN、F、Cl、CF3、CCl
2、CHClF、OCF3、OCClF2、OCHCl
F、OCHF2、(O)CY=CX(mは0又
は1を表す。Y及びXはH、F又はClを表し、X
はF又はClを表す。)、O(CH(CF
(r及びsは0、1又は2で且つ(r+s)が2、
3又は4である数を表し、XはH、F又はClを表
す。)、R又はOR基を表す。LはHまたはFを表
す。LはH、FまたはClを表す。
【0021】次に、部分骨格構造
【化67】 としては、具体的には以下に示すものが挙げられる。
【化68】
【化69】
【化70】
【化71】
【化72】
【化73】
【化74】
【化75】
【0022】上記のうち、実用上好ましいのは以下のも
のである。
【0023】環状構造については、以下のものが好まし
い。
【化76】
【化77】
【化78】
【化79】
【0024】Rについては、以下のいずれかかが好まし
い。 (f)炭素数2〜7の直鎖状アルキル基のうち、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基又
はヘプチル基。 (g)炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基
のうち、2−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル
基、2−フルオロブチル基、2−フルオロペンチル基、
2−フルオロヘキシル基、2−フルオロヘプチル基、4
−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル基、4−フ
ルオロヘキシル基、4−フルオロヘプチル基、5−フル
オロペンチル基、5−フルオロヘキシル基、5−フルオ
ロヘプチル基、6−フルオロヘキシル基、6−フルオロ
ヘプチル基、7−フルオロヘプチル基、2,2−ジフル
オロエチル基、2,2−ジフルオロプロピル基、2,2
−ジフルオロブチル基、2,2−ジフルオロペンチル
基、2,2−ジフルオロヘキシル基、2,2−ジフルオ
ロヘプチル基、4,4−ジフルオロブチル基、4,4−
ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロヘキシル
基、4,4−ジフルオロヘプチル基、5,5−ジフルオ
ロペンチル基、5,5−ジフルオロヘキシル基、5,5
−ジフルオロヘプチル基、6,6−ジフルオロヘキシル
基、6,6−ジフルオロヘプチル基又は7,7−ジフル
オロヘプチル基。 (h)炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基のうち、イソ
プロピル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピ
ル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−
メチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペ
ンチル基又は2−エチルヘキシル基。 (i)炭素数2〜6のアルコキシアルキル基のうち、メ
トキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル
基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシ
エチル基、プロポキシメチル基又はペントキシメチル
基。 (j)炭素数2〜8のアルケニル基のうち、ビニル基、
1−プロペニル基、3−ブテニル基、1−ペンテニル
基、3−ペンテニル基、4−ペンテニル基、1−ヘキセ
ニル基、5−ヘキセニル基、6−ヘプテニル基又は7−
オクテニル基。
【0025】Wについては、H、F又はCH3基が好ま
しい。
【0026】部分骨格構造
【化80】 については、以下のものが好ましい。
【化81】
【化82】
【化83】
【化84】
【化85】
【化86】
【0027】これらの化合物は、有機金属試薬と、ハロ
ゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニルオキシ基、
ベンゼンスルホニルオキシ基、p−トルエンスルホニル
オキシ基等の脱塩基を有する化合物との、炭素−炭素結
合形成反応又は炭素−ケイ素結合形成反応により製造さ
れる。以下詳しく説明する。
【0028】有機金属試薬
【化87】R−M (MはMgP(Pはハロゲン原子(好ましくはCl、B
r又はI)を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と
【化88】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基で具体的には炭素数
1〜4のアルコキシル基、メタンスルホニルオキシ基、
ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニ
ルオキシ基を表す。)との反応において、
【化89】
【化90】 (W1はH、CH3基又はArを表す。)である場合、更
にQとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が好まし
く、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。この反応は、好ましくは0〜
150℃のもと1〜5時間行われる。溶媒としてはエー
テル、THF、ジオキサン等のエーテル系、ベンゼン、
トルエン、キシレン、イソオクタン等の炭化水素系及び
これらの混合物等を用いることができる。
【0029】また、
【化91】
【化92】 または
【化93】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩としては、塩化銅(I)、
臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の
1価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化
銅(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウ
ムテトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。更に、Qとしてはハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
ンスルホニルオキシ基が好ましく、特にBr、Iが高い
収率で目的物を与えるため、好ましい。これらの反応は
0〜150℃のもと、1〜5時間行われることが好まし
い。溶媒としては、通常、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジメトキシエタン、diglyme等が挙
げられる。
【0030】次に、有機金属試薬
【化94】 (M’はMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP
又はB(OY)2(YはH又はアルキル基、好ましくは
炭素数1〜4のアルキル基を表す。)を表す。)と
【化95】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基で具体的には炭素数
1〜4のアルコキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベ
ンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニル
オキシ基を表し、p及びqは0、1、2、3又は4で且
つ(p+q)が4である整数を表す。)との反応におい
て、qが0で且つpが4の場合、この反応は遷移金属触
媒の存在下に行われる。特にパラジウム化合物又はニッ
ケル化合物が触媒として好ましい。
【0031】パラジウム触媒としては、例えばテトラキ
ス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、ジ
(1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン)パラ
ジウム(0)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジ
ウム(0)、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)フェロセン]パラジウム(II)クロリドなどが挙
げられる。またニッケル触媒としては、例えば(1,3
−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン)ニッケルク
ロライド(II)、(1,2−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)エタン)ニッケルクロライド(II)、ビス(ト
リフェニルホスフィン)ニッケルクロライド(II)な
どが挙げられる。
【0032】Qとしては特にBr、I、p−トルエンス
ルホニルオキシ基が高い収率で目的物を与えるため、好
ましい。
【0033】次に、有機金属試薬
【化96】 (MはMgP(Pはハロゲン原子(好ましくはCl、B
r又はI)を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と
【化97】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基で具体的には炭素数
1〜4のアルコキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベ
ンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニル
オキシ基を表し、p及びqは0、1、2、3又は4で且
つ(p+q)が4である整数を表す。)との反応におい
て、これらの炭素−炭素結合形成反応は、触媒量の銅塩
の存在下に行われる。銅塩としては、塩化銅(I)、臭
化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の1
価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅
(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウム
テトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。Qとしては特にBr、I、p−トルエンスルホニル
オキシ基が高い収率で目的物を与えるため、好ましい。
これらの反応は0〜150℃のもと、1〜5時間行われ
ることが好ましい。溶媒としては、通常、ジエチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、dig
lyme等が挙げられる。
【0034】次に、有機金属試薬
【化98】 (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化99】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基で具体的には炭素数
1〜4のアルコキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベ
ンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニル
オキシ基を表す。)との反応において、
【化100】
【化101】 (W1はH、CH3基又はArを表す。)である場合、更
にQとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が好まし
く、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与えるため、好ましい。この反応は、
好ましくは0〜150℃のもと1〜5時間行われる。溶
媒としては、エーテル、THF、ジオキサン等のエーテ
ル系、ベンゼン、トルエン、キシレン、イソオクタン等
の炭化水素系及びこれらの混合物等を用いることができ
る。
【0035】また、
【化102】
【化103】 または
【化104】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩としては、塩化銅(I)、
臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の
1価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化
銅(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウ
ムテトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。更に、Qとしてはハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
ンスルホニルオキシ基が好ましく、特にBr、I、p−
トルエンスルホニル基が高い収率で目的物を与えるた
め、好ましい。これらの反応は0〜150℃のもと、1
〜5時間行われることが好ましい。溶媒としては、通
常、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、diglyme等が挙げられる。
【0036】次に、有機金属試薬
【化105】 (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
はLiを表す。)と
【化106】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基で具体的には炭素数
1〜4のアルコキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベ
ンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニル
オキシ基を表す。)との反応において、
【化107】
【化108】 (W1はH、CH3基又はArを表す。)である場合、更
にQとしてはハロゲン原子又はアルコキシ基が好まし
く、特にCl、Br、OCH3、OCH2CH3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与える。この反応は、好ましくは0〜
150℃のもと1〜5時間行われる。溶媒としては、エ
ーテル、THF、ジオキサン等のエーテル系、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、イソオクタン等の炭化水素系
及びこれらの混合物等を用いることができる。
【0037】また、
【化109】
【化110】 または
【化111】 である場合には、炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅塩としては、塩化銅(I)、
臭化銅(I)、ヨウ化銅(I)、シアン化銅(I)等の
1価の銅塩、塩化銅(II)、臭化銅(II)、ヨウ化
銅(II)、酢酸銅(II)等の2価の銅塩、ジリチウ
ムテトラクロロキュープレート等の銅錯体等が挙げられ
る。更に、Qとしてはハロゲン原子、メタンスルホニル
オキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基又は
p−トルエンスルホニルオキシ基が好ましいが、特にB
r、Iが高い収率で目的物を与えるため、好ましい。こ
れらの反応は0〜150℃のもと、1〜5時間行われる
ことが好ましい。溶媒としては、通常、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、digl
yme等が挙げられる。
【化112】
【0038】アリールシラシクロヘキサン化合物(一般
式(I)においてWがArである化合物)に求電子試薬
を反応させると、ハロデシリレーション反応によりクロ
ロシラシクロヘキサン化合物(一般式(I)においてW
がClである化合物)が得られる。このデシリレーショ
ン反応は、好ましくは0〜80℃、更に好ましくは10
〜40℃で行われるとよい。溶媒としては、ハロゲン化
炭化水素がよく、具体的にはクロロメチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素等が挙げられる。
【0039】求電子試薬として、ハロゲン、ハロゲン化
水素、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体、酸ハロゲン
化物、ハロゲン化アルキル等を挙げることができる。特
に、ヨウ素、臭素、塩素、一塩化ヨウ素、塩化水素、臭
化水素、ヨウ化水素、塩化水銀(II)、クロロスルホ
ン酸トリメチルシリル、塩化アセチル、臭化アセチル、
塩化ベンゾイル、塩化t−ブチル等が好ましく例示でき
る。また、反応速度を高めるために、塩化アルミニウ
ム、塩化亜鉛、四塩化チタン、三フッ化ホウ素等のルイ
ス酸類の添加や光の照射を行ってもよい。
【0040】得られたクロロシラシクロヘキサン化合物
に、フッ化セシウム、フッ化銅(I)、フッ化アンチモ
ン、フッ化亜鉛、フッ化カルシウム、テトラ−n−ブチ
ルアンモニウムフルオリド等のフッ化物塩を反応させる
と、フルオロシラシクロヘキサン化合物(一般式(I)
においてWがFである化合物)が得られる。フッ素化
は、好ましくは0℃〜溶媒の還流温度で行われるとよ
い。溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、ト
ルエン等が挙げられる。
【0041】また、得られたクロロシラシクロヘキサン
化合物に、CH3M(MはMgP(Pはハロゲン原子を
表す。)、ZnP又はLiを表す。)を反応させると、
メチルシラシクロヘキサン化合物(一般式(I)におい
てWがCH3である場合。)が得られる。
【0042】また、クロロシラシクロヘキサン化合物又
はフルオロシラシクロヘキサン化合物を、水素化ナトリ
ウム、水素化カルシウム、トリアルキルシラン類、ボラ
ン類、ジアルキルアルミニウム等の金属水素化物、水素
化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水
素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホ
ウ素トリブチルアンモニウム等の錯水素化化合物(Co
mplex hydride)類等と温和な条件で反応
させると、ヒドロシラシクロヘキサン化合物(一般式
(I)においてWがHである化合物)が得られる。この
ような還元反応は、好ましくは−50℃〜100℃で、
更には−20℃〜70℃で行われるとよい。溶媒として
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等が挙
げられる。
【0043】ここで生成した化合物がシラシクロヘキサ
ン環の立体配置においてトランス体とシス体の混合物と
なっている場合には、クロマトグラフィ−または再結晶
等の常法の精製手段によりトランス体を分離精製し、本
発明の一般式(I)で表されるシラシクロヘキサン化合
物を得る。
【0044】本発明のシラシクロヘキサン化合物と既知
の化合物とを混合して液晶組成物を得ることができる。
液晶組成物を製造するために混合される化合物は、具体
的には以下に示す化合物が選ぶことができる。
【化113】
【化114】
【0045】〔化113〕及び〔化114〕において、
(M)及び(N)は以下の〜のいずれかを表す。 無置換又は置換基として1個または2個以上のF、C
l、Br、CN、アルキル基を有するトランス−1,4
−シクロヘキシレン基 シクロヘキサン環中の1個又は隣接していない2個の
CH2基がO、Sに置き換えられているトランス−1,
4−シクロヘキシレン基 1,4−シクロヘキセニレン基 無置換又は置換基として1個又は2個のF、Cl、C
又はCN基を有する1,4−フェニレン基 環中の1個又は2個のCH基がN原子により置き換え
られている1,4−フェニレン基
【0046】A1及びA2は、−CH2CH2−、−CH=
CH−、−C≡C−、−CO2−、−OCO−、−CH2
O−、−OCH2−又は単結合を表す。
【0047】l(エル)及びiは0、1、2(但し、l
(エル)+i=1、2、3)、jは0、1、2である。
【0048】Rは、炭素数1〜10の直鎖状アルキル
基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキル基、
炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜7のア
ルコキシルアルキル基又は炭素数2〜8のアルケニル基
を表す。
【0049】L1はH又はFを表し、L2はH、F又はC
lを表す。Zは、CN、F、Cl、CF3、CClF2
CHClF、OCF3、OCClF2、OCHF2、OC
HClF、(O)mCY=CX12(mは0又は1を表
す。Y及びX1はH、F又はClを表し、X2はF又はC
lを表す。)、O(CH2r(CF2sX(r及びsは
0、1又は2で且つ(r+s)が2、3又は4である数
を表し、XはH、F又はClを表す。)、R又はOR基
を表す。
【0050】ただし、l(エル)及びjが2の場合には
(M)中に、iが2の場合には(N)中に、それぞれ異
種環を含んでもよい。
【0051】液晶相中における本発明のシラシクロヘキ
サン化合物の割合は、その1種又は2種以上を1〜50
mol%、好ましくは5〜30mol%含有される。ま
た、液晶相には着色ゲスト−ホスト系を生成するための
多色性染料或いは誘電異方性、粘度、ネマチック相の配
向を変えるための添加剤を含むことができる。
【0052】このようにして形成された液晶相は、所望
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
【0053】次に、本発明の製造方法に用いる原料物質
の製法について記載する。
【化115】 については、例えば以下の方法により製造される。
【化116】 (Q”又はQ'''はBr又はIを表し、W”はH又はC
3を表す。以下に同じ。)
【0054】
【化117】 は、[化116]において出発原料を
【化118】 (特願平6−182904号明細書記載)に替えること
により得られる。
【0055】
【化119】
【化120】
【0056】
【化121】
【化122】
【0057】
【化123】
【化124】
【0058】
【化125】
【化126】
【0059】
【化127】(2a) は、pの数により以下のように異なる。
【化128】 製造物質として末端基がM又はM’である化合物を得る
には、得られた化合物の末端基P又はQをMg、Zn等
のもとグリニヤール試薬、ホウ酸の存在下で、M又は
M’にする。また、製造物質として末端基がQである化
合物を得るには、そのままか、又はスルホニル化させ
る。
【0060】
【化129】 については、(2a)の方法で
【化130】
【化131】 又は
【化132】
【化133】 に置き換えることにより得られる。
【0061】
【化134】 は、以下のように製造する。
【化135】(2a)で得られた
【0062】
【化136】 は、以下のように製造する。
【化137】
【0063】
【化138】 は、以下のように製造する。
【化139】
【0064】
【化140】 は、以下のように製造する。
【化141】 上記反応で得られた
【化142】 を用いて、(2d)の方法と同様にハロデシリレーショ
ン、還元(又はメチル化)し、更にはグリニヤール試薬
(ビニル化物)と反応させて得られる。
【0065】また、液晶表示素子の駆動方法としては、
ダイナミックスキャタリング(DSM)方式、ツイステ
ッドネマチック(TN)方式、スーパーツイステッドネ
マチック(STN)方式、高分子分散液晶(PDLC)
方式、ゲストホスト(GH)方式等、液晶表示素子の業
界で公知の方式を採用することができる。
【0066】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。なお、実施例は室温のもとで実施し
た。
【0067】[実施例1] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−シアノフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンの製造 1−クロロ−4−(トランス−4−(4−(4−シアノ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−シラシクロ
ヘキサン37.4g(0.1mol)とテトラヒドロフ
ラン(以下「THF」と言う。)300mlの混合溶液
に2.5MプロピルマグネシウムクロリドのTHF溶液
50ml(0.13mol)を滴下した。生じた目的物
は、シラシクロヘキサン環に関しトランス体とシス体の
混合物であり、通常の後処理(溶剤、塩等の除去)の
後、これらをクロマトグラフィーにより分離してトラン
ス体の目的物30.2g(収率79%)を得た。
【0068】[実施例2] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−ジフルオ
ロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−クロロ−4−(4−(トランス−4−(4−ジフル
オロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−シラシクロヘキサン41.5g(0.1mmol)と
THF30mlの混合溶液に1.6Mブチルリチウムの
ヘキサン溶液80ml(0.13mol)を滴下した。
生じた目的物は、シラシクロヘキサン環に関しトランス
体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これら
をクロマトグラフィーにより分離してトランス体の目的
物35.9g(収率82.0%)を得た。
【0069】[実施例3] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘ
キシル)−1−エチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−メトキシ−4−(トランス−4−(4−(3−フル
オロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−シラシクロヘキサン42.9g(1
0mmol)とTHF30mlの混合溶液に1Mエチル
マグネシウムブロマイドのTHF溶液130ml(0.
13mol)を滴下した。生じた目的物は、シラシクロ
ヘキサン環に関しトランス体とシス体の混合物であり、
通常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより
分離してトランス体の目的物37.8g(収率88.6
%)を得た。
【0070】[実施例4] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−シアノフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−(4−ペンテ
ニル)−1−シラシクロヘキサンの製造 1M 4−ペンテニルマグネシウムブロマイドのTHF
溶液130ml(0.13mol)を塩化亜鉛14.0
gのTHF200ml溶液に滴下して有機亜鉛試薬を得
た。これを、1−クロロ−4−(トランス−4−(4−
(4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−シラシクロヘキサン37.4g(0.1mol)のT
HF300ml溶液に加えた。目的物は、シラシクロヘ
キサン環に関しトランス体とシス体の混合物であり、通
常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分
離してトランス体の目的物30.9g(収率76%)を
得た。
【0071】[実施例5] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−クロロ−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジ
フルオロ−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−シラシクロヘキサン41.0g(0.1mo
l)とTHF300mlの混合溶液に2.5Mペンチル
マグネシウムクロリドのTHF溶液50ml(0.13
mol)を滴下した。生じた目的物は、シラシクロヘキ
サン環に関し、トランス体とシス体の混合物であり、通
常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分
離してトランス体の目的物40.1g(収率90%)を
得た。
【0072】[実施例6] トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−ジフ
ルオロメトキシフェニル)ブチル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンの製造 1−クロロ−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−ジ
フルオロメトキシフェニル)ブチル)−1−シラシクロ
ヘキサン36.9g(0.1mol)とTHF300m
lの混合溶液に2.5Mプロピルマグネシウムブロミド
のTHF溶液50ml(0.13mol)を滴下した。
生じた目的物は、シラシクロヘキサン環に関しトランス
体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これら
をクロマトグラフィーにより分離してトランス体の目的
物32.1g(収率85%)を得た。
【0073】[実施例7] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−トリフル
オロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−プロピル−4−
シラシクロヘキサン22.1g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よび4−(4−(4−トリフルオロメチルフェニル)ブ
チル)シクロヘキシルブロミド36.3g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4−ト
リフルオロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常
の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、ト
ランス体12.2g(収率29%)を得た。
【0074】[実施例8] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−エチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−エチル−4−シ
ラシクロヘキサン20.7g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(4−(3−フルオロ−4−シアノフェニル)ブ
チル)シクロヘキシルブロミド33.8g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フ
ルオロ−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−エチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通
常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、
トランス体11.0g(収率29%)を得た。
【0075】[実施例9] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−プロピル−4−
シラシクロヘキサン22.1g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よび4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−シアノフェ
ニル)ブチル)シクロヘキシルブロミド35.6g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3,5−ジフルオロ−4−シアノフェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフ
ィーにより精製して、トランス体10.7g(収率26
%)を得た。
【0076】[実施例10] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−トリフル
オロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
(3−メチルブチル)−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−(3−メチルブ
チル)−4−シラシクロヘキサン24.9g(0.1m
ol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶
液を、ジリチウムテトラクロロキュープレート(Li2
CuCl4)1gおよび4−(4−(4−トリフルオロ
メチルフェニル)ブチル)シクロヘキシルトシレート4
3.9g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス
−4−(4−(4−トリフルオロメチルフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−(3−メチルブチル)−1
−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロ
マトグラフィーにより精製して、トランス体10.0g
(収率22%)を得た。
【0077】[実施例11] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−(4−フルオロブチル)−1−
シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−(4−フルオロ
ブチル)−4−シラシクロヘキサン25.3g(0.1
mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの
溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅
(I)0.1gおよび4−(4−(3,5−ジフルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシルブロミド41.5g(0.1mol)のTHF
500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トラン
ス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−(4−フルオロブチル)−1−シラシ
クロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラ
フィーにより精製して、トランス体14.9g(収率2
9%)を得た。
【0078】[実施例12] トランス−4−(4−(4−フルオロフェニル)ブチ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−ペンチル−4−
シラシクロヘキサン24.9g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よび4−(4−ブロモブチル)−1−フルオロベンゼン
23.1g(0.1mol)のTHF500ml溶液に
滴下した。通常の後処理の後、トランス−4−(4−
(4−フルオロフェニル)ブチル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロ
マトグラフィーにより精製して、トランス体9.2g
(収率29%)を得た。
【0079】[実施例13] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−フルオロ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−
1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−(4−ブロモシクロヘ
キシル)ブチル)−1−フルオロベンゼン31.3g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨ
ウ化銅(I)0.1gおよび1−ブロモ−4−プロピル
−4−シラシクロヘキサン22.1g(0.1mol)
のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の
後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4−フル
オロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピ
ル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の
後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス体1
1.2g(収率30%)を得た。
【0080】[実施例14] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−プロピルフェニル)ブチル)−4−シラシクロヘ
キシル)−1−エチルシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモ−1−(4−(3−フ
ルオロ−4−プロピルフェニル)ブチル)−1−シラシ
クロヘキシル7.1g(0.1mol)を滴下してグリ
ニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホス
フェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび1−
ブロモ−4−エチルシクロヘキサン20.7g(0.1
mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後
処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3
−フルオロ−4−プロピルフェニル)ブチル)−4−シ
ラシクロヘキシル)−1−エチルシクロヘキサンを得
た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製
して、トランス体11.7g(収率29%)を得た。
【0081】[実施例15] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−(4−ブロモシクロヘ
キシル)ブチル)−1−クロロベンゼン33.0g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨ
ウ化銅(I)0.1gおよび1−ブロモ−4−プロピル
−4−シラシクロヘキサン22.1g(0.1mol)
のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の
後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロ
ロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、
クロマトグラフィーにより精製して、トランス体12.
1g(収率29%)を得た。
【0082】[実施例16] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−エチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−(4−ブロモシクロヘ
キシル)ブチル)−2−フルオロ−1−エチルベンゼン
34.1g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび1−ブロモ−
4−ブチル−4−シラシクロヘキサン23.5g(0.
1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の
後処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−
(3−フルオロ−4−エチルフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ブチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製
して、トランス体12.1g(収率29%)を得た。
【0083】[実施例17] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4,5−
トリフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−エチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−(4−(4−ブロモシクロヘ
キシル)ブチル)−3,4,5−トリフルオロベンゼン
34.9g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび1−ブロモ−
4−エチル−4−シラシクロヘキサン20.7g(0.
1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の
後処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−
(3,4,5−トリフルオロフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−エチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製
して、トランス体8.2g(収率21%)を得た。
【0084】[実施例18] トランス−4−(4−(4−メトキシフェニル)ブチ
ル)−1−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−(4−ブロモシクロヘ
キシル)ブチル)アニソール24.3g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよび1−ブロモ−4−ヘプチル−4−シラシ
クロヘキサン27.7g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−
4−(4−(4−メトキシフェニル)ブチル)−1−ヘ
プチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理
の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス体
10.6g(収率29%)を得た。
【0085】[実施例19] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロジ
フルオロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−
1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモシク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
33.1g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−(4−ブ
ロモブチル)−1−クロロジフルオロメチルベンゼン2
9.8g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス
−4−(4−(4−クロロジフルオロメチルフェニル)
ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシ
クロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラ
フィーにより精製して、トランス体14.8g(収率3
2%)を得た。
【0086】[実施例20] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−トリフルオロメチルフェニル)ブチル)シクロヘ
キシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製
造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモシク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
33.1g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、ジリチウムテトラクロロキ
ュープレート0.5gおよび4−(3−フルオロ−4−
トリフルオロメチルフェニル)ブチルトシレート37.
5g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下し
た。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4
−(4−(3−フルオロ−4−トリフルオロメチルフェ
ニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−
シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマ
トグラフィーにより精製して、トランス体18.8g
(収率40%)を得た。
【0087】[実施例21] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモシク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
33.1g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−(4−ヨ
ードブチル)−2,6−ジフルオロ−1−トリフルオロ
メトキシベンゼン38.0g(0.1mol)のTHF
500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トラン
ス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精
製して、トランス体19.8g(収率39%)を得た。
【0088】[実施例22] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−トリフル
オロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモシク
ロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサン
30.3g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−(4−ブ
ロモブチル)−1−トリフルオロメトキシベンゼン2
9.7g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス
−4−(4−(4−トリフルオロメトキシフェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフ
ィーにより精製して、トランス体16.7g(収率38
%)を得た。
【0089】[実施例23] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメチルフェニル)ブチル)−
1−シラシクロヘキシル)−1−プロピルシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモ−1
−シラシクロヘキシル)−1−プロピルシクロヘキサン
30.3g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬
を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート
0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−(4−ブ
ロモブチル)−2,6−ジフルオロ−1−トリフルオロ
メチルベンゼン31.7g(0.1mol)のTHF5
00ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス
−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−
4−トリフルオロメチルフェニル)ブチル)−1−シラ
シクロヘキシル)−1−プロピルシクロヘキサンを得
た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製
して、トランス体15.9g(収率35%)を得た。
【0090】[実施例24] トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−ジフルオロ
メトキシフェニル)ブチル)−1−ブチル−1−シラシ
クロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−4−ブチル−4−シ
ラシクロヘキサン23.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(4−ブロモブチル)−2−フルオロ−1−ジフ
ルオロメトキシベンゼン29.7g(0.1mol)の
THF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、
トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−ジフルオロ
メトキシフェニル)ブチル)−1−ブチル−1−シラシ
クロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラ
フィーにより精製して、トランス体14.8g(収率4
0%)を得た。
【0091】[実施例25] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−ブロモブチル)−1−
クロロベンゼン24.8g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(4−ブロモシクロヘキシル)−1−ペ
ンチル−1−シラシクロヘキサン33.1g(0.1m
ol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処
理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4−
クロロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペン
チル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の
後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス体1
5.3g(収率37%)を得た。
【0092】[実施例26] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−メトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−
1−ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−ブロモブチル)−2−
フルオロアニソール26.1g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ジリチ
ウムテトラクロロキュープレート0.5gおよび4−
(トランス−4−ブチル−4−シラシクロヘキシル)シ
クロヘキシルトシレート39.3g(0.1mol)の
THF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、
トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−メトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−
1−ブチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後
処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、トラン
ス体15.0g(収率36%)を得た。
【0093】[実施例27] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−フルオロ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−ブロモブチル)−1−
フルオロベンゼン23.1g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
びトランス−4−(4−ブロモシクロヘキシル)−1−
ペンチル−1−シラシクロヘキサン33.1g(0.1
mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後
処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4
−フルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処
理の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス
体14.2g(収率35%)を得た。
【0094】[実施例28] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−エトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−
1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−ブロモブチル)−2−
フルオロフェネトール27.5g(0.1mol)を滴
下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリ
エチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1g
およびトランス−4−(4−ブロモシクロヘキシル)−
1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン33.1g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3−フルオロ−4−エトキシフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィ
ーにより精製して、トランス体14.6g(収率33
%)を得た。
【0095】[実施例29] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4,5−
トリフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ペンチル−4−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、5−(4−ブロモブチル)−1,
2,3−トリフルオロベンゼン26.7g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(4−ブロモシクロヘキ
シル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン33.
1g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下し
た。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4
−(4−(3,4,5−トリフルオロフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィ
ーにより精製して、トランス体14.7g(収率34
%)を得た。
【0096】[実施例30] トランス−4−(4−(3,4−ジフルオロフェニル)
ブチル)−1−ペンチル−4−シラシクロヘキサンの製
造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(4−ブロモブチル)−1,
2−ジフルオロベンゼン24.9g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよび4−ブロモ−1−ペンチル−1−シラシクロヘ
キサン24.9g(0.1mol)のTHF500ml
溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−4−
(4−(3,4−ジフルオロフェニル)ブチル)−1−
ペンチル−4−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処
理の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス
体13.5g(収率40%)を得た。
【0097】[実施例31] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロフ
ルオロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(3−ブロモプロピル)−1−クロロフルオロメ
チルベンゼン26.6g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−
4−(トランス−4−(4−(4−クロロフルオロメチ
ルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル
−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、
クロマトグラフィーにより精製して、トランス体35.
6g(収率79%)を得た。
【0098】[実施例32] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−クロロジフルオロメチルフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
の製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(3−ブロモプロピル)−2−フルオロ−1−ク
ロロジフルオロメチルベンゼン30.1g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フ
ルオロ−4−クロロジフルオロメチルフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィ
ーにより精製して、トランス体38.0g(収率78
%)を得た。
【0099】[実施例33] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメチルフェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(3−ブロモプロピル)−2,6−ジフルオロ−
1−トリフルオロメチルベンゼン30.3g(0.1m
ol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処
理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3,
5−ジフルオロ−4−トリフルオロメチルフェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフ
ィーにより精製して、トランス体40.9g(収率84
%)を得た。
【0100】[実施例34] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−ジフルオ
ロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(3−ブロモプロピル)−1−ジフルオロメトキ
シベンゼン26.5g(0.1mol)のTHF500
ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−4
−(トランス−4−(4−(4−ジフルオロメトキシフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロ
マトグラフィーにより精製して、トランス体38.0g
(収率84%)を得た。
【0101】[実施例35] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−ジフルオロメチルフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
の製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
び4−(3−ブロモプロピル)−2,6−ジフルオロ−
1−ジフルオロメトキシベンゼン30.1g(0.1m
ol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処
理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3,
5−ジフルオロ−4−ジフルオロメチルフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィ
ーにより精製して、トランス体40.8g(収率84
%)を得た。
【0102】[実施例36] トランス−4−ヘキシル−1−(4−(4−シアノフェ
ニル)ブチル)−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−ヘキシル−1−ク
ロロメチル−1−シラシクロヘキサン23.3g(0.
1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこ
の溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅
(I)0.1gおよび4−(3−ブロモプロピル)ベン
ゾニトリル22.4g(0.1mol)のTHF500
ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−4
−(トランス−4−(4−(3、5−ジフルオロ−4−
ジフルオロメチルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常
の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、ト
ランス体29.0g(収率85%)を得た。
【0103】[実施例37] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エチルフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−1
−エチルベンゼン22.7g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
びトランス−4−(トランス−4−ブロモメチルシクロ
ヘキシル)−1−プロピル−シラシクロヘキサン31.
7g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下し
た。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4
−(4−(4−エチルフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを得た。
通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製し
て、トランス体31.7g(収率82%)を得た。
【0104】[実施例38] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロ−
3,5−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−
2,6−ジフルオロ−1−クロロベンゼン27.0g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、ジリチウムテトラクロロキュープレー
ト0.5gおよびトランス−4−(トランス−4−プロ
ピル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシルメチル
トシレート39.3g(0.1mol)のTHF500
ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−4
−(トランス−4−(4−(4−クロロ−3,5−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロ
ピル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の
後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス体3
5.9g(収率84%)を得た。
【0105】[実施例39] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エチルフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−1
−エチルベンゼン22.7g(0.1mol)を滴下し
てグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチ
ルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよ
びトランス−4−(トランス−4−ブロモメチルシクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−シラシクロヘキサン34.
5g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下し
た。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4
−(4−(4−エチルフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製し
て、トランス体32.6g(収率79%)を得た。
【0106】[実施例40] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロ−
3,5−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−
2,6−ジフルオロ−1−クロロベンゼン27.0g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨ
ウ化銅(I)0.1gおよびトランス−4−(トランス
−4−ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ブチル−1
−シラシクロヘキサン33.1g(0.1mol)のT
HF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、ト
ランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロ−
3,5−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ブチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通
常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、
トランス体37.4g(収率85%)を得た。
【0107】[実施例41] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ
−2,3−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−
2,3−ジフルオロフェネトール27.9g(0.1m
ol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶
液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅
(I)0.1gおよびトランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ブチル−1−シラ
シクロヘキサン33.1g(0.1mol)のTHF5
00ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス
−4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ−2,3
−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ブチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処
理の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス
体35.5g(収率79%)を得た。
【0108】[実施例42] トランス−4−(4−(4−フルオロフェニル)ブチ
ル)−1−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−1
−フルオロベンゼン21.7g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よびトランス−4−ブロモメチル−1−ヘプチル−1−
シラシクロヘキサン29.1g(0.1mol)のTH
F500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トラ
ンス−4−(4−(4−フルオロフェニル)ブチル)−
1−ヘプチル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の
後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、トラ
ンス体29.6g(収率85%)を得た。
【0109】[実施例43] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−トリフル
オロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(2−ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.
1gおよびトランス−4−(2−ブロモエチル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン26.9g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(4−ト
リフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。
通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製し
て、トランス体36.5g(収率78%)を得た。
【0110】[実施例44] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−クロロフルオロメチルフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの
製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(2−ブロモエチル)シラシクロヘキシル)−1−ペン
チル−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよび4−(2−ブロモエチル)−2−フルオ
ロ−1−クロロフルオロメチルベンゼン27.0g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3−フルオロ−4−クロロフルオロメチルフェ
ニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−
シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマ
トグラフィーにより精製して、トランス体38.8g
(収率83%)を得た。
【0111】[実施例45] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−クロロジフルオロメチルフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(2−ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.
1gおよび4−(2−ブロモエチル)−2,6−ジフル
オロ−1−クロロジフルオロメチルベンゼン30.6g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3,5−ジフルオロ−4−クロロジフルオロメ
チルフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の
後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス体4
0.3g(収率80%)を得た。
【0112】[実施例46] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−シアノフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(2−ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサン33.1g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.
1gおよび4−(2−ブロモエチル)−2−フルオロベ
ンゾニトリル22.8g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トランス−
4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−シア
ノフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、
クロマトグラフィーにより精製して、トランス体32.
6g(収率82%)を得た。
【0113】[実施例47] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−エチル−1−シラシクロヘキサン
の製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(2−ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−エチル−
1−シラシクロヘキサン31.7g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよび4−(2−ブロモエチル)−2,6−ジフルオ
ロ−1−ジフルオロメトキシベンゼン28.7g(0.
1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の
後処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−
(3,5−ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−エチル−1−シラ
シクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグ
ラフィーにより精製して、トランス体34.9g(収率
79%)を得た。
【0114】[実施例48] トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−トリフルオ
ロメトキシフェニル)ブチル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(2−ブロモエチ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン27.7
g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。
続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、
ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−(2−ブロモエチ
ル)−2−フルオロ−1−トリフルオロメトキシベンゼ
ン28.7g(0.1mol)のTHF500ml溶液
に滴下した。通常の後処理の後、トランス−4−(4−
(3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)
ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得
た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製
して、トランス体34.3g(収率85%)を得た。
【0115】[実施例49] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(2−ブロモエチル)フェネ
トール22.9g(0.1mol)を滴下してグリニヤ
ー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェ
ート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよびトランス
−4−(トランス−4−(2−ブロモエチル)シクロヘ
キシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン3
6.0g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス
−4−(4−(4−エトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを
得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精
製して、トランス体33.8g(収率79%)を得た。
【0116】[実施例50] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4,5−
トリフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−(3−メトキシプロピル)−1−シラシクロヘキサン
の製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、5−(2−ブロモエチル)−1,
2,3−トリフルオロベンゼン23.9g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(トランス−4−(2−
ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−(3−メトキシ
プロピル)−1−シラシクロヘキサン36.1g(0.
1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の
後処理の後、トランス−4−(トランス−4−(4−
(3,4,5−トリフルオロフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−(3−メトキシプロピル)−1−シラ
シクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、クロマトグ
ラフィーにより精製して、トランス体36.7g(収率
83%)を得た。
【0117】[実施例51] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−
1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(2−ブロモエチル)フェネ
トール22.9g(0.1mol)を滴下してグリニヤ
ー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェ
ート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよびトランス
−4−(トランス−4−(2−ブロモエチル)シクロヘ
キシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサン3
3.1g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、トランス−4−(トランス
−4−(4−(4−エトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを
得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精
製して、トランス体31.1g(収率78%)を得た。
【0118】[実施例52] トランス−4−(トランス−4−(4−(2,3−ジフ
ルオロ−4−エトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(2−ブロモエチル)−2,
3−ジフルオロフェネトール26.5g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(トランス−4−(2−
ブロモエチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−
シラシクロヘキサン33.1g(0.1mol)のTH
F500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、トラ
ンス−4−(トランス−4−(4−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを得た。通常
の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製して、ト
ランス体37.0g(収率85%)を得た。
【0119】[実施例53] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−(4
−フルオロブチル)−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(2−ブロモエチル)−1,
2−ジフルオロベンゼン22.1g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよびトランス−4−(トランス−4−(2−ブロモ
エチル)シクロヘキシル)−1−(4−フルオロブチ
ル)−1−シラシクロヘキサン36.3g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4
−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−(4−フルオロブチル)−1−シラシクロヘキサンを
得た。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精
製して、トランス体36.0g(収率85%)を得た。
【0120】[実施例54] トランス−4−(4−(3,4,5−トリフルオロシフ
ェニル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、5−(2−ブロモエチル)−1,
2,3−トリフルオロベンゼン23.9g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(2−ブロモエチル)−
1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン27.7g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、トランス−4−(4−(3,4,5
−トリフルオロシフェニル)ブチル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンを得た。通常の後処理の後、ク
ロマトグラフィーにより精製して、トランス体28.3
g(収率79%)を得た。
【0121】[実施例55] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロジ
フルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグ
ネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF300
mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−(3
−ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよび4−ブロモメチル−1−ジフルオロクロロメト
キシベンゼン27.2g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグ
ラフィーにより精製して、トランス−4−(トランス−
4−(4−(4−クロロジフルオロメトキシフェニル)
ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシ
クロヘキサンを41.0g(収率90%)得た。
【0122】[実施例56] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの
製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(3−ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−シラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよび4−ブロモメチル−2−フルオロ−1−トリフ
ルオロメトキシベンゼン27.3g(0.1mol)の
THF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、
クロマトグラフィーにより精製して、トランス−4−
(トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−トリフル
オロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−プロピル−1−シラシクロヘキサンを39.2g(収
率85%)得た。
【0123】[実施例57] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(3−ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−シラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよび4−ブロモメチル−2,6−ジフルオロ−1−
トリフルオロメトキシベンゼン29.1g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス−
4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4
−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキ
シル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを3
9.1g(収率82%)得た。
【0124】[実施例58] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの
製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(3−ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサン37.4g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよび4−ブロモメチル−2−フルオロ−1−
トリフルオロメトキシベンゼン27.3g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス−
4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−トリ
フルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを41.8g
(収率86%)得た。
【0125】[実施例59] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−ジフルオロメトキシフェニル)−1−シラシクロ
ヘキシル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘ
キサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(3−ブロモプロピル)−1−シラシクロヘキシル)−
1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン39.0g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨ
ウ化銅(I)0.1gおよび4−ブロモメチル−2−フ
ルオロ−1−ジフルオロメトキシベンゼン25.5g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより精製し
て、トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フル
オロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)−1−シラシ
クロヘキシル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンを38.0g(収率81%)得た。
【0126】[実施例60] トランス−4−(トランス−4−(4−メトキシフェニ
ル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
の製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(3−ブロモプロ
ピル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン29.
1g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得
た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5
g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび4−ブロモメチルア
ニソール20.1g(0.1mol)のTHF500m
l溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフ
ィーにより精製して、トランス−4−(トランス−4−
(4−メトキシフェニル)ブチル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンを27.0g(収率81%)得
た。
【0127】[実施例61] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペン
チル−4−メチル−4−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−1,2−ジフ
ルオロベンゼン20.7g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(3−ブロモプロピ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−4−メチル−4
−シラシクロヘキサン38.8g(0.1mol)のT
HF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、ク
ロマトグラフィーにより精製して、トランス−4−(ト
ランス−4−(4−(3,4−ジフルオロフェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−4−メチル−
4−シラシクロヘキサンを33.7g(収率78%)得
た。
【0128】[実施例62] トランス−4−(トランス−4−(4−(2,3−ジフ
ルオロ−4−エトキシフェニル)シクロヘキシル)ブチ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−2、3−ジフ
ルオロフェネトール25.1g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よびトランス−4−(トランス−4−(3−ブロモプロ
ピル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサン37.4g(0.1mol)のTHF500
ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラ
フィーにより精製して、トランス−4−(トランス−4
−(4−(2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニ
ル)シクロヘキシル)ブチル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンを34.2g(収率74%)得た。
【0129】[実施例63] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロ
ピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−1、2−ジフ
ルオロベンゼン20.7g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(3−ブロモプロピ
ル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロ
ヘキサン34.5g(0.1mol)のTHF500m
l溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフ
ィーにより精製して、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3,4−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンを
30.2g(収率77%)得た。
【0130】[実施例64] トランス−4−(トランス−4−(4−(2,3−ジフ
ルオロ−4−エチルフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−2,3−ジフ
ルオロ−1−エチルベンゼン23.5g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(トランス−4−(3−
ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサン37.4g(0.1mol)のT
HF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、ク
ロマトグラフィーにより精製して、トランス−4−(ト
ランス−4−(4−(2,3−ジフルオロ−4−エチル
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンを35.1g(収率78%)得
た。
【0131】[実施例65] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ブチ
ル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−1、2−ジフ
ルオロベンゼン20.7g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(3−ブロモプロピ
ル)シクロヘキシル)−1−ブチル−1−シラシクロヘ
キサン36.0g(0.1mol)のTHF500ml
溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィ
ーにより精製して、トランス−4−(トランス−4−
(4−(3,4−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ブチル−1−シラシクロヘキサンを2
8.9g(収率71%)得た。
【0132】[実施例66] トランス−4−(4−(2,3−ジフルオロ−4−エト
キシフェニル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−ブロモメチル−2,3−ジフ
ルオロフェネトール25.1g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よびトランス−4−(3−ブロモプロピル)−1−ペン
チル−1−シラシクロヘキサン29.1g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、クロマトグラフィーにより精製して、トランス−
4−(4−(2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニ
ル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
を29.8g(収率78%)得た。
【0133】[実施例67] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロフ
ルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−
1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(4−ブロモブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5g
および1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼ
ン24.0g(0.1mol)のTHF500ml溶液
に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィーに
より精製して、トランス−4−(トランス−4−(4−
(4−クロロフルオロメトキシフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサン
を35.7g(収率81%)得た。
【0134】[実施例68] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−クロロジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(4−ブロモブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5g
および1−ブロモ−4−クロロジフルオロメトキシ−3
−フルオロベンゼン27.6g(0.1mol)のTH
F500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロ
マトグラフィーにより精製して、トランス−4−(トラ
ンス−4−(4−(3−フルオロ−4−クロロジフルオ
ロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
プロピル−1−シラシクロヘキサンを40.7g(収率
86%)得た。
【0135】[実施例69] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(4−ブロモブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5g
および1−ブロモ−4−ジフルオロメトキシ−3,5−
ジフルオロベンゼン25.9g(0.1mol)のTH
F500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロ
マトグラフィーにより精製して、トランス−4−(トラ
ンス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−ジフルオ
ロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
プロピル−1−シラシクロヘキサンを40.6g(収率
89%)得た。
【0136】[実施例70] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘ
キシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製
造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(4−ブロモブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル
−1−シラシクロヘキサン36.0g(0.1mol)
を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5g
および1−ブロモ−4−ジフルオロメトキシ−3−フル
オロベンゼン24.1g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグ
ラフィーにより精製して、トランス−4−(トランス−
4−(4−(3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシフ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンを38.6g(収率88%)得
た。
【0137】[実施例71] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−トリフル
オロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−エチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(4−ブロモブチル)シクロヘキシル)−1−エチル−
1−シラシクロヘキサン34.5g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、テ
トラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5gお
よび1−ブロモ−4−トリフルオロメトキシベンゼン2
4.1g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより
精製して、トランス−4−(トランス−4−(4−(4
−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキ
シル)−1−エチル−1−シラシクロヘキサンを33.
7g(収率79%)得た。
【0138】[実施例72] トランス−4−(4−(4−プロピルフェニル)ブチ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモブチ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン30.5
g(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。
続いてこの溶液を、テトラキストリフェニルホスフィン
パラジウム0.5gおよび4−プロピルヨードベンゼン
24.6g(0.1mol)のTHF500ml溶液に
滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィーによ
り精製して、トランス−4−(4−(4−プロピルフェ
ニル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ンを28.3g(収率82%)得た。
【0139】[実施例73] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロ−
3−フルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−3−フルオロ−4−
クロロベンゼン20.9g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(4−ブロモブチル)
シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキ
サン36.0g(0.1mol)のTHF500ml溶
液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィー
により精製して、トランス−4−(トランス−4−(4
−(4−クロロ−3−フルオロフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサン
を36.0g(収率88%)得た。
【0140】[実施例74] トランス−4−(トランス−4−(4−(2,3−ジフ
ルオロ−4−プロピルフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−2、3−ジフルオロ
−4−プロピルベンゼン23.5g(0.1mol)を
滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、ト
リエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1
gおよびトランス−4−(トランス−4−(4−ブロモ
ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシ
クロヘキサン36.0g(0.1mol)のTHF50
0ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグ
ラフィーにより精製して、トランス−4−(トランス−
4−(4−(2、3−ジフルオロ−4−プロピルフェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シ
ラシクロヘキサンを34.9g(収率80%)得た。
【0141】[実施例75] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−クロロ−
3−フルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−3−フルオロ−4−
クロロベンゼン20.9g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(4−ブロモブチル)
シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サン38.8g(0.1mol)のTHF500ml溶
液に滴下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィー
により精製して、トランス−4−(トランス−4−(4
−(4−クロロ−3−フルオロフェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
を33.3g(収率76%)得た。
【0142】[実施例76] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペン
チル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−3,4−ジフルオロ
ベンゼン19.3g(0.1mol)を滴下してグリニ
ヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチルホスフ
ェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよびトラン
ス−4−(トランス−4−(4−ブロモブチル)シクロ
ヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサン3
8.8g(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴
下した。通常の後処理の後、クロマトグラフィーにより
精製して、トランス−4−(トランス−4−(4−
(3,4−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを36.
6g(収率87%)得た。 S−N転移温度:35℃ N−I転移温度:64℃ IR(液膜) νmax:2120,2850,210
0,1520,1286,887,816cm-1
【0143】[実施例77] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4,5−
トリフルオロフェニル)−1−シラシクロヘキシル)ブ
チル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−3,4,5−トリフ
ルオロベンゼン21.1g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(トランス−4−(4−ブロモブチル)
−1−シラシクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラ
シクロヘキサン40.4g(0.1mol)のTHF5
00ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、クロマト
グラフィーにより精製して、トランス−4−(トランス
−4−(4−(3,4,5−トリフルオロフェニル)−
1−シラシクロヘキシル)ブチル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンを39.6g(収率87%)得
た。
【0144】[実施例78] トランス−4−(4−(4−クロロ−3−フルオロフェ
ニル)ブチル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、1−ブロモ−3−フルオロ−4−
クロロベンゼン20.9g(0.1mol)を滴下して
グリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエチル
ホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gおよび
トランス−4−(4−ブロモブチル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサン30.5g(0.1mol)の
THF500ml溶液に滴下した。通常の後処理の後、
クロマトグラフィーにより精製して、トランス−4−
(4−(4−クロロ−3−フルオロフェニル)ブチル)
−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを31.1g
(収率88%)得た。
【0145】[実施例79] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2−フ
ルオロエトキシ)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(2−フルオロエトキシ)ベン
ゼンを用いた以外は実施例67と同様に上記化合物を得
た。
【0146】[実施例80] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,2
−ジフルオロエトキシ)フェニル)ブチル)シクロヘキ
シル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(2,2−ジフルオロエトキ
シ)ベンゼンを用いた以外は実施例67と同様に上記化
合物を得た。
【0147】[実施例81] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)フェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(2,2,2−トリフルオロエ
トキシ)ベンゼンを用いた以外は実施例67と同様に上
記化合物を得た。
【0148】[実施例82] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(3−ク
ロロプロポキシ)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−プロピル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(3−クロロプロポキシ)ベン
ゼンを用いた以外は実施例67と同様に上記化合物を得
た。
【0149】[実施例83] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(3,
3,3−トリフルオロプロポキシ)フェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(3,3,3−トリフルオロプ
ロポキシ)ベンゼンを用いた以外は実施例67と同様に
上記化合物を得た。
【0150】[実施例84] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,
2,3,3−テトラフルオロプロポキシ)フェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シラシク
ロヘキサンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(2,2,3,3−テトラフル
オロプロポキシ)ベンゼンを用いた以外は実施例67と
同様に上記化合物を得た。
【0151】[実施例85] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,
2,3,3,3−ペンタフルオロプロポキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−プロピル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロメトキシベンゼンの代
わりに1−ブロモ−4−(2,2,3,3,3−ペンタ
フルオロプロポキシ)ベンゼンを用いた以外は実施例6
7と同様に上記化合物を得た。
【0152】[実施例86] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2−フルオロエトキシ)フェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 1−ブロモ−4−クロロフルオロベンゼンの代わりに1
−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼン及びトランス−4−(トランス−4−(4
−ブロモブチル)シクロヘキシル−1−プロピル−1−
シラシクロヘキサンの代わりにトランス−4−(トラン
ス−4−(4−ブロモブチル)シクロヘキシル−1−ペ
ンチル−1−シラシクロヘキサンを用いた以外は実施例
67と同様に上記化合物を得た。
【0153】[実施例87] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2,2−ジフルオロエトキシ)ベンゼンを用いた以
外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0154】[実施例88] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ベンゼンを用
いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0155】[実施例89] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(3−クロロプロポキシ)フェニル)ブチル)シ
クロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(3−クロロプロポキシ)ベンゼンを用いた以外は実
施例86と同様に上記化合物を得た。
【0156】[実施例90] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)ベンゼンを
用いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0157】[実施例91] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2,2,3、3−テトラフルオロプロポキシ)
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシ)ベン
ゼンを用いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得
た。
【0158】[実施例92] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロポキ
シ)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2,2,3,3,3−テトラフルオロプロポキシ)
ベンゼンを用いた以外は実施例86と同様に上記化合物
を得た。
【0159】[実施例93] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2−フルオロエトキシ)フェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2−フルオロエトキシ)ベンゼンを用いた以
外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0160】[実施例94] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2−ジフルオロエトキシ)ベンゼンを用
いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0161】[実施例95] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)フ
ェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1
−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2,2−トリフルオロエトキシ)ベンゼ
ンを用いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得
た。
【0162】[実施例96] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(3−クロロプロポキシ)フェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(3−クロロプロポキシ)ベンゼンを用いた以
外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0163】[実施例97] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(3,3,3−トリフルオロプロポキシ)ベン
ゼンを用いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得
た。
【0164】[実施例98] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2,3,3−テトラフルオロプロポ
キシ)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペン
チル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2,3,3−テトラフルオロプロポキ
シ)ベンゼンを用いた以外は実施例86と同様に上記化
合物を得た。
【0165】[実施例99] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプ
ロポキシ)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−
ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロポ
キシ)ベンゼンを用いた以外は実施例86と同様に上記
化合物を得た。
【0166】[実施例100] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,2
−ジフルオロビニル)フェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(2,2−ジ
フルオロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例86と
同様に上記化合物を得た。
【0167】[実施例101] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,2
−ジフルオロビニロキシ)フェニル)ブチル)シクロヘ
キシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製
造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(2,2−ジ
フルオロビニロキシ)ベンゼンを用いた以外は実施例8
6と同様に上記化合物を得た。
【0168】[実施例102] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(1,2
−ジフルオロビニル)フェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(1,2−ジ
フルオロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例86と
同様に上記化合物を得た。
【0169】[実施例103] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(1,
2,2−トリフルオロビニル)フェニル)ブチル)シク
ロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサン
の製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(1,2,2
−トリフルオロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例
86と同様に上記化合物を得た。
【0170】[実施例104] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(1,
2,2−トリフルオロビニロキシ)フェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキ
サンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(1,2,2
−トリフルオロビニロキシ)ベンゼンを用いた以外は実
施例86と同様に上記化合物を得た。
【0171】[実施例105] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2−ク
ロロ−1−フルオロビニル)フェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの
製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(2−クロロ
−1−フルオロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例
86と同様に上記化合物を得た。
【0172】[実施例106] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(1,2
−ジクロロビニル)フェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(1,2−ジ
クロロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例86と同
様に上記化合物を得た。
【0173】[実施例107] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−(2,2
−ジクロロビニル)フェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−4−(2,2−ジ
クロロビニル)ベンゼンを用いた以外は実施例86と同
様に上記化合物を得た。
【0174】[実施例108] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2,2−ジフルオロビニロキシ)フェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシク
ロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2,2−ジフルオロビニロキシ)ベンゼンを用いた
以外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0175】[実施例109] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(1,2−ジフルオロビニル)フェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(1,2−ジフルオロビニル)ベンゼンを用いた以外
は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0176】[実施例110] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(1,2,2−トリフルオロビニロキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(1,2,2−トリフルオロビニロキシ)ベンゼンを
用いた以外は実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0177】[実施例111] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−(2−クロロ−1−フルオロビニル)フェニル)
ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシ
クロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3−フルオロ−4
−(2−クロロ−1−フルオロビニル)ベンゼンを用い
て実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0178】[実施例112] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジフルオロビニロキシ)フェニ
ル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シ
ラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2−ジフルオロビニロキシ)ベンゼンを
用いて実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0179】[実施例113] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(1,2−ジフルオロビニル)フェニル)
ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−シラシ
クロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(1,2−ジフルオロビニル)ベンゼンを用い
て実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0180】[実施例114] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(1,2,2−トリフルオロビニル)フェ
ニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−
シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(1,2,2−トリフルオロビニル)ベンゼン
を用いて実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0181】[実施例115] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(1,2,2−トリフルオロビニロキシ)
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−
1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(1,2,2−トリフルオロビニロキシ)ベン
ゼンを用いて実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0182】[実施例116] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2−クロロ−1−フルオロビニル)フェ
ニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−
シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2−クロロ−1−フルオロビニル)ベンゼン
を用いて実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0183】[実施例117] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−(2,2−ジクロロ−1−フルオロビニ
ル)フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−ペンチ
ル−1−シラシクロヘキサンの製造 1−ブロモ−3−フルオロ−4−(2−フルオロエトキ
シ)ベンゼンの代わりに1−ブロモ−3,5−ジフルオ
ロ−4−(2,2−ジクロロ−1−フルオロビニル)ベ
ンゼンを用いて実施例86と同様に上記化合物を得た。
【0184】[実施例118] トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−ジフ
ルオロメトキシフェニル)ブチル)−1−プロピル−1
−シラシクロヘキサンの製造 1−クロロ−1−フェニル−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル)−
1−シラシクロヘキサン44.5g(0.1mol)と
THF300mlの混合溶液に2.5Mプロピルマグネ
シウムクロリドのTHF溶液50ml(0.13mo
l)を滴下した。通常の処理後、4−(4−(3,5−
ジフルオロ−4−ジフルオロメトキシフェニル)ブチ
ル)−1−フェニル−1−シラシクロヘキサンを得た。
室温で得られた化合物に1.0Mの一塩化ヨウ素の四塩
化炭素溶液300mlを加え30分間攪拌し、反応混合
物を減圧濃縮し、4−(4−(3,5−ジフルオロ−4
−ジフルオロメトキシフェニル)ブチル−1−クロロ−
1−シラシクロヘキサンを得た。得られた凝縮物を20
0mlのTHFに溶解し、水素化リチウムアルミニウム
4.0gとTHF50mlの混合物を0℃で滴下し、1
時間攪拌した。その後、5%希塩酸200mlにあけ、
酢酸エチルで抽出した。得られた抽出物はブラインによ
る洗浄、乾燥及び濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィ
ーにより分離してトランス体の目的物を30.5g(収
率81%)を得た。
【0185】[実施例119] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(4−ブロモシク
ロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−フェニル−1−
シラシクロヘキサン40.5g(0.1mol)を滴下
してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液を、トリエ
チルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)0.1gお
よび4−(4−ヨウ化ブチル)−2,6−ジフルオロ−
1−トリフルオロメトキシベンゼン38.0g(0.1
mol)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後
処理の後、4−(トランス−4−(4−(3,5−ジフ
ルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)
シクロヘキシル)−1−n−ペンチル−1−フェニル−
1−シラシクロヘキサンを得た。室温で得られた化合物
に1.0Mの一塩化ヨウ素の四塩化炭素溶液300ml
を加え30分間攪拌し、反応混合物を減圧濃縮し、4−
(トランス−4−(4−(3,5−ジフルオロ−4−ト
リフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−n−ペンチル−1−クロロ−1−シラシクロ
ヘキサンを得た。得られた凝縮物を200mlのTHF
に溶解し、水素化リチウムアルミニウム4.0gとTH
F50mlの混合物を0℃で滴下し、1時間攪拌した。
その後、5%希塩酸200mlにあけ、酢酸エチルで抽
出した。得られた抽出物はブラインによる洗浄、乾燥及
び濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィーにより分離し
てトランス体の目的物を34.5g(収率69%)を得
た。
【0186】[実施例120] トランス−4−(トランス−4−(4−(3,4,5−
トリフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1
−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、5−(4−ブロモブチル)−1,
2,3−トリフルオロベンゼン26.7g(0.1mo
l)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶液
を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅(I)
0.1gおよびトランス−4−(4−ブロモシクロヘキ
シル)−1−フェニル−1−ペンチル−1−シラシクロ
ヘキサン33.1g(0.1mol)のTHF500m
l溶液に滴下した。通常の後処理の後、4−(トランス
−4−(4−(3,4,5−トリフルオロフェニル)ブ
チル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−1−フェニル
−1−シラシクロヘキサンを得た。室温で得られた化合
物に1.0Mの一塩化ヨウ素の四塩化炭素溶液300m
lを加え30分間攪拌し、反応混合物を減圧濃縮し、4
−(トランス−4−(4−(3,4,5−トリフルオロ
フェニル)ブチル)シクロヘキシル)−1−クロロ−1
−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサンを得た。得ら
れた凝縮物を200mlのTHFに溶解し、水素化リチ
ウムアルミニウム4.0gとTHF50mlの混合物を
0℃で滴下し、1時間攪拌した。その後、5%希塩酸2
00mlにあけ、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出
物はブラインによる洗浄、乾燥及び濃縮し、シリカゲル
クロマトグラフィーにより分離してトランス体の目的物
を19.1g(収率44.2%)を得た。
【0187】[実施例121] トランス−4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ
−2,3−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−n−ブチル−1−シラシクロヘキサンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、4−(3−ブロモプロピル)−
2,3−ジフルオロフェネトール27.9g(0.1m
ol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続いてこの溶
液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨウ化銅
(I)0.1gおよびトランス−4−(トランス−4−
ブロモメチルシクロヘキシル)−1−ブチル−1−フェ
ニル−1−シラシクロヘキサン40.5g(0.1mo
l)のTHF500ml溶液に滴下した。通常の後処理
の後、4−(トランス−4−(4−(4−エトキシ−
2,3−ジフルオロフェニル)ブチル)シクロヘキシ
ル)−1−ブチル−1−フェニル−1−シラシクロヘキ
サンを得た。室温で得られた化合物に1.0Mの一塩化
ヨウ素の四塩化炭素溶液300mlを加え30分間攪拌
し、反応混合物を減圧濃縮し、4−(トランス−4−
(4−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)
ブチル)シクロヘキシル)−1−ブチル−1−クロロ−
1−シラシクロヘキサンを得た。得られた凝縮物を20
0mlのTHFに溶解し、水素化リチウムアルミニウム
4.0gとTHF50mlの混合物を0℃で滴下し、1
時間攪拌した。その後、5%希塩酸200mlにあけ、
酢酸エチルで抽出した。得られた抽出物はブラインによ
る洗浄、乾燥及び濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィ
ーにより分離してトランス体の目的物を34.5g(収
率76.8%)を得た。
【0188】[実施例122] トランス−4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ
−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロ
ヘキシル)−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキサ
ンの製造 マグネシウム2.5g(0.11mol)及びTHF3
00mlの混合物に、トランス−4−(トランス−4−
(3−ブロモプロピル)シクロヘキシル)−1−プロピ
ル−1−フェニル−1−シラシクロヘキサン42.0g
(0.1mol)を滴下してグリニヤー試薬を得た。続
いてこの溶液を、トリエチルホスフェート0.5g、ヨ
ウ化銅(I)0.1gおよび4−ブロモメチル−2−フ
ルオロ−1−トリクロロメトキシベンゼン27.3g
(0.1mol)のTHF500ml溶液に滴下した。
通常の後処理の後、4−(トランス−4−(4−(3−
フルオロ−4−トリフルオロメトキシフェニル)ブチ
ル)シクロヘキシル)−1−n−プロピル−1−フェニ
ル−1−シラシクロヘキサンを得た。室温で得られた化
合物に1.0Mの一塩化ヨウ素の四塩化炭素溶液300
mlを加え30分間攪拌し、反応混合物を減圧濃縮し、
4−(トランス−4−(4−(3−フルオロ−4−トリ
フルオロメトキシフェニル)ブチル)シクロヘキシル)
−1−クロロ−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキ
サンを得た。得られた凝縮物を200mlのTHFに溶
解し、水素化リチウムアルミニウム4.0gとTHF5
0mlの混合物を0℃で滴下し、1時間攪拌した。その
後、5%希塩酸200mlにあけ、酢酸エチルで抽出し
た。得られた抽出物はブラインによる洗浄、乾燥及び濃
縮し、シリカゲルクロマトグラフィーにより分離してト
ランス体の目的物を39.5g(収率86%)を得た。
【0189】
【発明の効果】環構成元素としてSiを導入した本発明
の液晶化合物は、従来の類似炭化水素環のQCCP構造
やQPCH構造を有する液晶化合物に比べ低温にまで拡
大したネマチック液晶相を持つために、以下のような性
能向上が認められる。 (1)低温での粘度の低下が図れ、特に低温温度域での
応答速度が向上する。 (2)低温での相溶性が向上する。 また、前記一般式(I)中のZがR及びORでない液晶
化合物は、上記の利点に加えさらに誘電率異方性が大き
いためにしきい値電圧を低下させる効果を有する。本発
明の液晶化合物は、その置換基の選択に応じて、従来の
類似炭化水素環のQCCP構造やQPCH構造液晶化合
物と同様に、液晶相の主要部分を構成するベース材料と
して広く使用できる。前記一般式(I)中の置換基Z
が、R、ORである液晶化合物は誘電率異方性がゼロに
近いので、動的散乱(DS)または整列相の変形(DA
P効果)に基づく表示用の液晶相に特に有用である。ま
た、Zがそれ以外の化合物は、ねじれネマチックセルま
たはコロステリック−ネマチック相移転に基づく表示素
子で使用するための大きな正の誘電率異方性を有する液
晶相の構造に特に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 朝倉 和之 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I)で表されるシラシクロヘキ
    サン化合物。 【化1】 ただし、式中において、Rは炭素数1〜10の直鎖状ア
    ルキル基、炭素数1〜10のモノ又はジフルオロアルキ
    ル基、炭素数3〜8の分枝鎖状アルキル基、炭素数2〜
    7のアルコキシアルキル基又は炭素数2〜8のアルケニ
    ル基を表す。 【化2】 及び 【化3】 は、少なくともいずれか一方は、1または4位のケイ素
    がH、F、Cl、CH又はAr(Arはフェニル基又
    はトリル基を表す。)の置換基を持つトランス−1−シ
    ラ−1,4−シクロヘキシレンまたはトランス−4−シ
    ラ−1,4−シクロヘキシレン基で、他方はトランス−
    1,4−シクロヘキシレン基、上記トランス−1−シラ
    −1,4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ
    −1,4−シクロヘキシレン基を表す。Zは、CN、
    F、Cl、CF、CClF、CHClF、OC
    、OCClF、OCHF、OCHClF、
    (O)m−CY=CX(mは0または1を表し、
    Y及びXはそれぞれ相互に独立してH、FまたはCl
    を表し、XはFまたはClを表す。)、O(CH
    (CFX(r及びsは0、1または2で且つr
    +sが2、3または4である数を表し、XはH、Fまた
    はClを表す。)、RまたはOR基を表す。LはHま
    たはFを表す。LはH、FまたはClを表す。
  2. 【請求項2】 請求項1において少なくともいずれかの 【化4】 及び 【化5】 が1位又は4位のケイ素がH、F、Cl又はCH3の置
    換基を持つトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシ
    レン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロヘキシ
    レン基であるシラシクロヘキサン化合物。
  3. 【請求項3】 有機金属試薬 【化6】R−M (MはMgP(Pはハロゲン原子を表す。)、ZnP又
    はLiを表す。)と 【化7】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
    オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
    ンスルホニルオキシ基を表す。)との反応によることを
    特徴とする請求項1記載のシラシクロヘキサン化合物の
    製造方法。 【化8】 及び 【化9】 は少なくともいずれかの一方は1位又は4位のケイ素が
    H、CH又はAr(Arはフェニル基又はトリル基を
    表す。)の置換基を持つトランス−1−シラ−1,4−
    シクロヘキシレン又はトランス−4−シラ−1,4−シ
    クロヘキシレン基で、他方はトランス−1,4−シクロ
    ヘキシレン基、上記トランス−1−シラ−1,4−シク
    ロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,4−シク
    ロヘキシレン基を表す。L、L、Zは請求項1と同
    様である。
  4. 【請求項4】 有機金属試薬 【化10】 (ただし、 【化11】 及び 【化12】 は請求項3と同じ基を表し、M’はMgP(Pはハロゲ
    ン原子を表す。)、ZnP又はB(OY)2(YはH又
    はアルキル基を表す。)を表す。)と 【化13】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
    オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
    ンスルホニルオキシ基を表し、p及びqは0、1、2、
    3又は4で且つ(p+q)が4である整数を表す。)と
    の反応によることを特徴とする請求項1記載のシラシク
    ロヘキサン化合物の製造方法。
  5. 【請求項5】 有機金属試薬 【化14】 (ただし、 【化15】 及び 【化16】 は請求項3と同じ基を表し、MはMgP(Pはハロゲン
    原子を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と 【化17】 (Qはハロゲン原子、アルコキシ基、メタンスルホニル
    オキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基又はp−トルエ
    ンスルホニルオキシ基を表し、p及びqは0、1、2、
    3又は4で且つ(p+q)が4である整数を表す。)と
    の反応によることを特徴とする請求項1に記載のシラシ
    クロヘキサン化合物の製造方法。
  6. 【請求項6】 有機金属試薬 【化18】 (ただし、 【化19】 は請求項3と同じ基を表し、MはMgP(Pはハロゲン
    原子を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と 【化20】 (ただし、 【化21】 は請求項3と同じ基を表し、Qはハロゲン原子、アルコ
    キシ基、メタンスルホニルオキシ基オキシ、ベンゼンス
    ルホニルオキシ基又はp−トルエンスルホニルオキシ基
    を表す。)との反応によることを特徴とする請求項1に
    記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
  7. 【請求項7】 有機金属試薬 【化22】 (ただし、 【化23】 は請求項3と同じ基を表し、MはMgP(Pはハロゲン
    原子を表す。)、ZnP又はLiを表す。)と 【化24】 (ただし、 【化25】 は請求項3と同じ基を表し、Qはハロゲン原子、アルコ
    キシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニ
    ルオキシ基又はp−トルエンスルホニルオキシ基を表
    す。)との反応によることを特徴とする請求項1に記載
    のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記一般式(I)で表されるシラシクロ
    ヘキサン化合物のうち、部分構造式 【化26】 及び/又は 【化27】 が 【化28】 又は 【化29】 である化合物を求電子試薬でデシリレーションして 【化30】 又は 【化31】 (ここでQ”はCl、Br、I又はトリフルオロメタン
    スルホニルオキシ基を表す。)とし、続いてこの化合物
    を還元又はメチレーションすることにより、 【化32】 又は 【化33】 である化合物に変換することを特徴とする請求項1記載
    のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項1及び2に記載された化合物を含
    有することを特徴とする液晶組成物。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載の液晶組成物を含有す
    ることを特徴とする液晶表示素子。
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