JPH09320119A - 光カードと光カード用原版及びその製造方法 - Google Patents
光カードと光カード用原版及びその製造方法Info
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- JPH09320119A JPH09320119A JP8140102A JP14010296A JPH09320119A JP H09320119 A JPH09320119 A JP H09320119A JP 8140102 A JP8140102 A JP 8140102A JP 14010296 A JP14010296 A JP 14010296A JP H09320119 A JPH09320119 A JP H09320119A
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- optical card
- card
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粗面化に二次元状回折格子を形成するタイプ
の光カードにおいて、光カードリーダライタのピックア
ップを乱さないような安定した形状の二次元状格子を備
えた光カードを得る。 【解決手段】 カード長辺方向に平行に形成されたプリ
フォーマット上に二次元格子による凹凸パターンを形成
した光カードにおいて、その二次元格子が前記プリフォ
ーマットのトラックに対して５０°以上９０°未満に傾
いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に線対称に組み
合わせたものであるようにする。レーザー光Ｂをハーフ
ミラー４１で分離して二光束とし、それぞれミラー４
２，４３で反射させ、形成したい格子のピッチとなるよ
うに入射角θを決定して乾板４４上で干渉させるように
構成されている光学系を使用し、光カードのトラックに
対し５０°以上９０°未満に格子を傾けて露光する。
の光カードにおいて、光カードリーダライタのピックア
ップを乱さないような安定した形状の二次元状格子を備
えた光カードを得る。 【解決手段】 カード長辺方向に平行に形成されたプリ
フォーマット上に二次元格子による凹凸パターンを形成
した光カードにおいて、その二次元格子が前記プリフォ
ーマットのトラックに対して５０°以上９０°未満に傾
いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に線対称に組み
合わせたものであるようにする。レーザー光Ｂをハーフ
ミラー４１で分離して二光束とし、それぞれミラー４
２，４３で反射させ、形成したい格子のピッチとなるよ
うに入射角θを決定して乾板４４上で干渉させるように
構成されている光学系を使用し、光カードのトラックに
対し５０°以上９０°未満に格子を傾けて露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的な情報記録
が可能な光カード及びそれを製造するための技術に関す
るものである。
が可能な光カード及びそれを製造するための技術に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学式の情報記録部である光記録
部をプラスチックカードに内蔵したメモリーカードとし
ていわゆる光カードが知られている。図１はＷＯＲＭ型
光カードの一例を示したもので、この光カード１の光記
録部２には、高反射率部分３に対して低反射率部分から
なるトラックガイド４及び情報記録ピット５がプリフォ
ーマットとして形成されている。このタイプの光カード
の中でも、製造工程が簡単で、原料に関しても特定の光
記録材料に限定されることがなく、さらに工業的規模で
の大量複製にも適した製造コストの低い光記録媒体を用
いたものとして、低反射率部分を光散乱を有する粗面化
部分で構成した光カードが提案されている（例えば、特
公平７−６４１４１号公報参照）。この光カードは、情
報記録パターンに応じて粗面化された低反射率部分を有
するカード原版を作製することから始まり、その原版を
複製転写することにより粗面化された情報記録パターン
を有するものとして大量に作製される。
部をプラスチックカードに内蔵したメモリーカードとし
ていわゆる光カードが知られている。図１はＷＯＲＭ型
光カードの一例を示したもので、この光カード１の光記
録部２には、高反射率部分３に対して低反射率部分から
なるトラックガイド４及び情報記録ピット５がプリフォ
ーマットとして形成されている。このタイプの光カード
の中でも、製造工程が簡単で、原料に関しても特定の光
記録材料に限定されることがなく、さらに工業的規模で
の大量複製にも適した製造コストの低い光記録媒体を用
いたものとして、低反射率部分を光散乱を有する粗面化
部分で構成した光カードが提案されている（例えば、特
公平７−６４１４１号公報参照）。この光カードは、情
報記録パターンに応じて粗面化された低反射率部分を有
するカード原版を作製することから始まり、その原版を
複製転写することにより粗面化された情報記録パターン
を有するものとして大量に作製される。
【０００３】以下にこの作製工程を図面を参照しながら
順に説明する。
順に説明する。
【０００４】第１段階として、図２（ａ）に示すよう
に、透明基材１１（厚さ４００μｍのアクリル板）に回
転型フォトレジスト塗布機によりポジ型フォトレジスト
を０．５μｍの厚さで均一にコーティングしてフォトレ
ジスト層１２を形成する。次に第２段階として、図２
（ｂ）に示すように、情報記録パターンに応じて形成し
たフォトマスク１３をマスクアライナーによりフォトレ
ジスト層１２に重ね合わせた後、最初の露光（パターニ
ング露光）を行う。続いて第３段階として、図２（ｃ）
に示すように、片面が微細な凹凸状に粗面化されたガラ
ス板１４（平均粗さ０．３μｍ、＃３０００研磨ガラ
ス）を用いて再び露光（粗面化露光）する。この際、粗
面化露光を行う代わりに、レーザー干渉による回折格子
を重畳することにより、偽造防止を図ると共に装飾的効
果も得るようにすることも知られている（国際公開：Ｗ
Ｏ８９／０９９８９参照）。露光後、第４段階としてフ
ォトレジスト層１２を現像すると、図２（ｄ）に示すよ
うに、紫外線の当たったところのフォトレジストは溶解
し、当たらない部分のフォトレジストが残り、フォトマ
スク１３のパターンが透明基材１１の上に転写される。
これにより、表面が粗面化されたフォトレジスト層１２
が案内トラックの形状として、例えば幅５μｍ程度、ピ
ッチ１５μｍ程度で形成される。
に、透明基材１１（厚さ４００μｍのアクリル板）に回
転型フォトレジスト塗布機によりポジ型フォトレジスト
を０．５μｍの厚さで均一にコーティングしてフォトレ
ジスト層１２を形成する。次に第２段階として、図２
（ｂ）に示すように、情報記録パターンに応じて形成し
たフォトマスク１３をマスクアライナーによりフォトレ
ジスト層１２に重ね合わせた後、最初の露光（パターニ
ング露光）を行う。続いて第３段階として、図２（ｃ）
に示すように、片面が微細な凹凸状に粗面化されたガラ
ス板１４（平均粗さ０．３μｍ、＃３０００研磨ガラ
ス）を用いて再び露光（粗面化露光）する。この際、粗
面化露光を行う代わりに、レーザー干渉による回折格子
を重畳することにより、偽造防止を図ると共に装飾的効
果も得るようにすることも知られている（国際公開：Ｗ
Ｏ８９／０９９８９参照）。露光後、第４段階としてフ
ォトレジスト層１２を現像すると、図２（ｄ）に示すよ
うに、紫外線の当たったところのフォトレジストは溶解
し、当たらない部分のフォトレジストが残り、フォトマ
スク１３のパターンが透明基材１１の上に転写される。
これにより、表面が粗面化されたフォトレジスト層１２
が案内トラックの形状として、例えば幅５μｍ程度、ピ
ッチ１５μｍ程度で形成される。
【０００５】次に、表面が粗面化された低反射率部分か
らなる情報記録パターンが形成されている光記録媒体
（図２（ｄ）に示すもの）を粗面化原版１５とし、この
粗面化原版１５から型取りプレスによりマザーマスクを
複製する。具体的には、図３（ａ）に示すように、透明
基材２１（厚さ１２ｍｍのアクリル板）の上に、電離性
放射線硬化樹脂或いは熱硬化樹脂の成型樹脂からなる型
取り剤２２を介して、上記で作製した粗面化原版１５を
重ねてプレスした後で離型することにより、図３（ｂ）
に示すように、透明基材２１側にパターンを複製してマ
ザーマスク２３を形成する。
らなる情報記録パターンが形成されている光記録媒体
（図２（ｄ）に示すもの）を粗面化原版１５とし、この
粗面化原版１５から型取りプレスによりマザーマスクを
複製する。具体的には、図３（ａ）に示すように、透明
基材２１（厚さ１２ｍｍのアクリル板）の上に、電離性
放射線硬化樹脂或いは熱硬化樹脂の成型樹脂からなる型
取り剤２２を介して、上記で作製した粗面化原版１５を
重ねてプレスした後で離型することにより、図３（ｂ）
に示すように、透明基材２１側にパターンを複製してマ
ザーマスク２３を形成する。
【０００６】次いで、上記マザーマスク２３を大量複製
用の複製原版として用いて、型取りによって光カードの
透明保護層となる基材の裏面側に光記録体を複製する。
具体的には、図４（ａ）に示すように、予め表面硬化層
３１を形成した透明保護層３２の裏面側とマザーマスク
２３のパターン面との間に成型用樹脂３３を挟み込み、
プレス機でプレスした状態で硬化させた後、図４（ｂ）
に示すように、透明保護層３２とマザーマスク２３を離
型し透明保護層３２側にパターンを複製する。このよう
にして複製用樹脂３３の表面に高反射率部分３３ａと低
反射率部分３３ｂが形成され、光カードにおける光透過
性の基材となる。
用の複製原版として用いて、型取りによって光カードの
透明保護層となる基材の裏面側に光記録体を複製する。
具体的には、図４（ａ）に示すように、予め表面硬化層
３１を形成した透明保護層３２の裏面側とマザーマスク
２３のパターン面との間に成型用樹脂３３を挟み込み、
プレス機でプレスした状態で硬化させた後、図４（ｂ）
に示すように、透明保護層３２とマザーマスク２３を離
型し透明保護層３２側にパターンを複製する。このよう
にして複製用樹脂３３の表面に高反射率部分３３ａと低
反射率部分３３ｂが形成され、光カードにおける光透過
性の基材となる。
【０００７】続いて、複製用樹脂３３で構成された光透
過性の基材における高反射率部分３３ａと低反射率部分
３３ｂを覆うようにして、図５に示すように、例えばＴ
ｅの中間酸化物等の光記録材料層３４を積層する。
過性の基材における高反射率部分３３ａと低反射率部分
３３ｂを覆うようにして、図５に示すように、例えばＴ
ｅの中間酸化物等の光記録材料層３４を積層する。
【０００８】上記一連の工程とは別に、図６に示す如き
カード基材３５を作製しておく。このカード基材は、乳
白塩化ビニルからなるコアシート３５ｂの片面に印刷層
３６を施し、両面に透明塩化ビニルからなるオーバーシ
ート３５ａ，３５ｃを貼り合わせて形成される。
カード基材３５を作製しておく。このカード基材は、乳
白塩化ビニルからなるコアシート３５ｂの片面に印刷層
３６を施し、両面に透明塩化ビニルからなるオーバーシ
ート３５ａ，３５ｃを貼り合わせて形成される。
【０００９】そして、光記録材料層３４を設けた基材に
ウレタン系樹脂からなる接着層３７を介して上記カード
基材３５を図７の如く接着ラミネートする。以上のよう
にして作製された原反をカード形状に打ち抜き加工し
て、図１に示す光カードを作製する。
ウレタン系樹脂からなる接着層３７を介して上記カード
基材３５を図７の如く接着ラミネートする。以上のよう
にして作製された原反をカード形状に打ち抜き加工し
て、図１に示す光カードを作製する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記粗面化
されたガラスを用いた露光により得られる粗面化原版は
その作製時の加工方法及び用いられる材料の特性の限界
から、条件ブレなどによって面ムラを生じ、極端な場合
には部分的に十分な低反射率（コントラスト）が得られ
ない原版となってしまうという欠点があった。
されたガラスを用いた露光により得られる粗面化原版は
その作製時の加工方法及び用いられる材料の特性の限界
から、条件ブレなどによって面ムラを生じ、極端な場合
には部分的に十分な低反射率（コントラスト）が得られ
ない原版となってしまうという欠点があった。
【００１１】また、前述したように、粗面化の手法とし
て、レーザー干渉による回折格子を重畳する場合、直交
二次元格子状凹凸を形成するのに通常用いられているＨ
ｅ−Ｎｅレーザーなどでは格子ピッチが小さくできても
０．５μｍ程度であり、トラックに垂直な方向は十分な
凹凸が刻まれはするが、水平な方向にはトラックとのピ
ッチずれ等のため上手く溝が刻まれないと言った問題点
があった。これを解決するため、図８に示すように、ト
ラックＴに対し±４５°の傾きで二度露光してプリフォ
ーマット部Ｐに二次元状格子を重畳したカードを作製し
た。また、同一条件で二次元状格子のみを形成した基板
を作製し、この二次元状格子にレーザーを入射すると、
図９に示すように格子より二次元的な回折を生じること
が確認された。
て、レーザー干渉による回折格子を重畳する場合、直交
二次元格子状凹凸を形成するのに通常用いられているＨ
ｅ−Ｎｅレーザーなどでは格子ピッチが小さくできても
０．５μｍ程度であり、トラックに垂直な方向は十分な
凹凸が刻まれはするが、水平な方向にはトラックとのピ
ッチずれ等のため上手く溝が刻まれないと言った問題点
があった。これを解決するため、図８に示すように、ト
ラックＴに対し±４５°の傾きで二度露光してプリフォ
ーマット部Ｐに二次元状格子を重畳したカードを作製し
た。また、同一条件で二次元状格子のみを形成した基板
を作製し、この二次元状格子にレーザーを入射すると、
図９に示すように格子より二次元的な回折を生じること
が確認された。
【００１２】このトラックに対する４５°斜め格子状凹
凸を有する光カードに書込みを行ったところ、従来の粗
面化カードよりもオフトラックエラーが約２桁大きくな
り、両者の間に明らかな差が見られた。この原因は、以
下のように説明される。すなわち、一般に光記録媒体は
プリフォーマットされたトラックに光ピックアップをト
ラッキングさせるため所謂３ビーム方式を用いている。
３ビームの生成は図１０に示すように、レーザーダイオ
ードからのビームＢｏを一次元の回折格子により回折さ
せ、０次光をリードライト用のメインビームＢｍ、１次
光をトラッキング用のサイドビームＢｓとして利用して
いる。この両サイドのビームＢｓをメインビームＢｍを
照射するトラックに近い両側に照射し、戻ってくる光の
ズレ具合を比較してトラッキングを補正するのである。
しかし、この３つのビームをトラックと垂直に設置する
と通常トラック間ピッチは１５μｍ以下の大きさで形成
されているため、はるかに離れたトラック同士を比較す
ることになってしまう。そこで実際には、図１１に示す
ように、３つのビームＢｍ，Ｂｓ，Ｂｓの軸を極めてト
ラックＴに平行に近い角度になるように回折格子が設置
されている。しかしながら、前述の４５°のパターンで
はプリフォーマットデータＤを読むためメインビームＢ
ｍを照射した状態でトラックＴに対して±４５°斜め方
向に一次回折光Ｂｄが生じる。すると、このプリピット
からの回折光ＢｄがサイドビームＢｓに外乱として働
き、トラッキングを乱してしまう。
凸を有する光カードに書込みを行ったところ、従来の粗
面化カードよりもオフトラックエラーが約２桁大きくな
り、両者の間に明らかな差が見られた。この原因は、以
下のように説明される。すなわち、一般に光記録媒体は
プリフォーマットされたトラックに光ピックアップをト
ラッキングさせるため所謂３ビーム方式を用いている。
３ビームの生成は図１０に示すように、レーザーダイオ
ードからのビームＢｏを一次元の回折格子により回折さ
せ、０次光をリードライト用のメインビームＢｍ、１次
光をトラッキング用のサイドビームＢｓとして利用して
いる。この両サイドのビームＢｓをメインビームＢｍを
照射するトラックに近い両側に照射し、戻ってくる光の
ズレ具合を比較してトラッキングを補正するのである。
しかし、この３つのビームをトラックと垂直に設置する
と通常トラック間ピッチは１５μｍ以下の大きさで形成
されているため、はるかに離れたトラック同士を比較す
ることになってしまう。そこで実際には、図１１に示す
ように、３つのビームＢｍ，Ｂｓ，Ｂｓの軸を極めてト
ラックＴに平行に近い角度になるように回折格子が設置
されている。しかしながら、前述の４５°のパターンで
はプリフォーマットデータＤを読むためメインビームＢ
ｍを照射した状態でトラックＴに対して±４５°斜め方
向に一次回折光Ｂｄが生じる。すると、このプリピット
からの回折光ＢｄがサイドビームＢｓに外乱として働
き、トラッキングを乱してしまう。
【００１３】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、粗面化に二次元状回折格子を形成す
るタイプの光カードにおいて、光カードリーダライタの
ピックアップを乱さないような安定した形状の二次元状
格子を備えた光カードを得ることを目的とする。
されたものであり、粗面化に二次元状回折格子を形成す
るタイプの光カードにおいて、光カードリーダライタの
ピックアップを乱さないような安定した形状の二次元状
格子を備えた光カードを得ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光カードは、カード長辺方向に平行に形成
されたプリフォーマット上に二次元格子による凹凸パタ
ーンが形成された光カードであって、前記二次元格子が
前記プリフォーマットのトラックに対して５０°以上９
０°未満に傾いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に
線対称に組み合わせたものであることを特徴とする。
め、本発明の光カードは、カード長辺方向に平行に形成
されたプリフォーマット上に二次元格子による凹凸パタ
ーンが形成された光カードであって、前記二次元格子が
前記プリフォーマットのトラックに対して５０°以上９
０°未満に傾いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に
線対称に組み合わせたものであることを特徴とする。
【００１５】そして、光カード用原版は、光カードのプ
リフォーマット部に対応する部分に二次元格子による凹
凸パターンが形成され、前記二次元格子が前記プリフォ
ーマットのトラックに対して５０°以上９０°未満に傾
いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に線対称に組み
合わせたものであり、前記二次元格子による凹凸パター
ンは、情報記録パターンを露光したフォトレジスト層上
へのレーザー干渉による回折格子の重畳により形成され
る。
リフォーマット部に対応する部分に二次元格子による凹
凸パターンが形成され、前記二次元格子が前記プリフォ
ーマットのトラックに対して５０°以上９０°未満に傾
いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に線対称に組み
合わせたものであり、前記二次元格子による凹凸パター
ンは、情報記録パターンを露光したフォトレジスト層上
へのレーザー干渉による回折格子の重畳により形成され
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の光カード用原版は、図２
（ｂ）に示すパターニング露光までは従来の技術で述べ
た方法と同じであり、その工程に続いてレーザー干渉に
よる回折格子を重畳する工程を行う。
（ｂ）に示すパターニング露光までは従来の技術で述べ
た方法と同じであり、その工程に続いてレーザー干渉に
よる回折格子を重畳する工程を行う。
【００１７】回折格子を形成する際に使用する光学系を
図１２に示す。この光学系では、一つのある波長をもつ
レーザー光Ｂをハーフミラー４１で分離して二光束と
し、それぞれミラー４２，４３で反射させ、形成したい
格子のピッチになるように入射角θを決定して乾板４４
上で干渉させるようになっている。今回はレーザー光の
波長を４５７．９ｎｍ、入射角を２７°とすることで
０．５μｍピッチの一次元格子を形成した。露光面の強
度は同心円状に分布があるため、フィルターを入れたり
して強度の均一化を図ってもよい。この一次元格子をレ
ジスト原版のパターンに平行・垂直に二度露光すればプ
リフォーマット上に「＋」状の周期パターンが形成され
る。また、レジスト原版の配置を４５°として同様に二
度露光すれば「×」状の周期パターンが形成される。こ
こで前記のように光ピックアップに回折光が異常光とし
て認識されないようにするため、光カードのトラックに
対し５０°以上９０°未満に格子を傾けて露光する。実
際には大きな角度に傾けた方がサイドビームとの干渉を
避けやすくなるので今回は７５°とした。そして、二次
元状格子の方が一次元格子よりも回折光が二倍になり高
コントラスト化が図れるので、同じ角度でトラックに垂
直な軸に線対称になるよう二度目の露光を行うようにす
る。
図１２に示す。この光学系では、一つのある波長をもつ
レーザー光Ｂをハーフミラー４１で分離して二光束と
し、それぞれミラー４２，４３で反射させ、形成したい
格子のピッチになるように入射角θを決定して乾板４４
上で干渉させるようになっている。今回はレーザー光の
波長を４５７．９ｎｍ、入射角を２７°とすることで
０．５μｍピッチの一次元格子を形成した。露光面の強
度は同心円状に分布があるため、フィルターを入れたり
して強度の均一化を図ってもよい。この一次元格子をレ
ジスト原版のパターンに平行・垂直に二度露光すればプ
リフォーマット上に「＋」状の周期パターンが形成され
る。また、レジスト原版の配置を４５°として同様に二
度露光すれば「×」状の周期パターンが形成される。こ
こで前記のように光ピックアップに回折光が異常光とし
て認識されないようにするため、光カードのトラックに
対し５０°以上９０°未満に格子を傾けて露光する。実
際には大きな角度に傾けた方がサイドビームとの干渉を
避けやすくなるので今回は７５°とした。そして、二次
元状格子の方が一次元格子よりも回折光が二倍になり高
コントラスト化が図れるので、同じ角度でトラックに垂
直な軸に線対称になるよう二度目の露光を行うようにす
る。
【００１８】上記のようにして露光したレジスト原版を
現像液で現像し、乾燥工程を経て粗面化原版が作製され
る。この粗面化原版から後は従来の技術で述べた方法と
同様な手法で光カードが作製可能である。
現像液で現像し、乾燥工程を経て粗面化原版が作製され
る。この粗面化原版から後は従来の技術で述べた方法と
同様な手法で光カードが作製可能である。
【００１９】今回複製された光記録媒体のプリフォーマ
ットの粗さをＡＦＭで測定したところ、凹凸の深さを表
すＰ−Ｖ値は２４０ｎｍ、平均傾斜を表すΔａは２２°
であった。また、従来の方式を含めた種々のサンプル測
定の結果から、両パラメータ共に前記の値より小さいと
リード時のコントラストが不十分となり、リードエラー
を生じることが分かった。
ットの粗さをＡＦＭで測定したところ、凹凸の深さを表
すＰ−Ｖ値は２４０ｎｍ、平均傾斜を表すΔａは２２°
であった。また、従来の方式を含めた種々のサンプル測
定の結果から、両パラメータ共に前記の値より小さいと
リード時のコントラストが不十分となり、リードエラー
を生じることが分かった。
【００２０】以上説明したように、光カードリーダライ
タのピックアップのサイドビームへの影響を避けるよう
にしてプリフォーマット上に格子を形成したカードで
は、垂直の直交型（＋型）のようにピッチによる溝の形
成されない部分もみられず、また４５°の直交型（×
型）のようにオフトラックエラーが多発することもなか
った。さらに、従来の粗面化ガラスを利用した方法のよ
うに粗面化不良も生じないで安定に生産可能なカード原
版を提供することができた。
タのピックアップのサイドビームへの影響を避けるよう
にしてプリフォーマット上に格子を形成したカードで
は、垂直の直交型（＋型）のようにピッチによる溝の形
成されない部分もみられず、また４５°の直交型（×
型）のようにオフトラックエラーが多発することもなか
った。さらに、従来の粗面化ガラスを利用した方法のよ
うに粗面化不良も生じないで安定に生産可能なカード原
版を提供することができた。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、プリフォーマットを粗面化し
て低反射率部分として光カードリーダライタに認識させ
る方法のうち、粗面化に二次元状回折格子を形成するも
のであるが、光源に制約される格子ピッチの限界と、リ
ーダライタの光ピックアップに対する不安定性のため直
交型では良好な粗面化が図れなかったものが、トラック
に対する格子の傾きをある範囲とすることで安定化が可
能となった。
て低反射率部分として光カードリーダライタに認識させ
る方法のうち、粗面化に二次元状回折格子を形成するも
のであるが、光源に制約される格子ピッチの限界と、リ
ーダライタの光ピックアップに対する不安定性のため直
交型では良好な粗面化が図れなかったものが、トラック
に対する格子の傾きをある範囲とすることで安定化が可
能となった。
【図１】ＷＯＲＭ型光カードの一例を示す外観図であ
る。
る。
【図２】従来の方法による粗面化原版を作製する工程図
である。
である。
【図３】粗面化原版からマザーマスクを作製する工程図
である。
である。
【図４】透明保護層となる基板の裏側面に光記録体を複
製する工程図である。
製する工程図である。
【図５】光透過性の基材の一部に光記録材料層を積層し
た状態を示す断面図である。
た状態を示す断面図である。
【図６】カード基材の断面図である。
【図７】光記録材料層を設けた光透過性の基材に接着剤
層を介してカード基材を接着ラミネートした状態を示す
断面図である。
層を介してカード基材を接着ラミネートした状態を示す
断面図である。
【図８】トラックに対して４５°の角度での直交型二次
元格子をプリフォーマット上に形成した光カードの模式
図である。
元格子をプリフォーマット上に形成した光カードの模式
図である。
【図９】斜め４５°の直交型二次元格子の回折現象を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】光記録媒体のリーダライタに用いられる３ビ
ームを回折格子により生成している様子を示す説明図で
ある。
ームを回折格子により生成している様子を示す説明図で
ある。
【図１１】斜め４５°の直交型二次元格子をプリフォー
マット上に形成したことによる光カードピックアップに
対する影響を示す説明図である。
マット上に形成したことによる光カードピックアップに
対する影響を示す説明図である。
【図１２】本発明での低反射部を形成する二次元格子を
露光するのに用いた光学系の一例を示す概略図である。
露光するのに用いた光学系の一例を示す概略図である。
１ 光カード ２ 光記録部 ３ 高反射率部分 ４ トラックガイド ５ 情報記録ピット １１ 透明基材 １２ フォトレジスト層 １３ フォトマスク １４ ガラス板（粗面化された） １５ 粗面化原版 ２１ 透明基材 ２２ 型取り剤 ２３ マザーマスク ３１ 表面硬化層 ３２ 透明保護層 ３３ 成型用樹脂 ３３ａ 高反射率部分 ３３ｂ 低反射率部分 ３４ 光記録材料層 ３５ カード基材 ３６ 印刷層 ３７ 接着剤層 ４１ ハーフミラー ４２，４３ ミラー ４４ 乾板
Claims (5)
- 【請求項１】 カード長辺方向に平行に形成されたプリ
フォーマット上に二次元格子による凹凸パターンが形成
された光カードであって、前記二次元格子が前記プリフ
ォーマットのトラックに対して５０°以上９０°未満に
傾いた一次元格子を、トラックに垂直な軸に線対称に組
み合わせたものであることを特徴とする光カード。 - 【請求項２】 前記凹凸の深さが２４０ｎｍ以上である
請求項１に記載の光カード。 - 【請求項３】 前記凹凸の平均傾斜が２２°以上である
請求項１に記載の光カード。 - 【請求項４】 光記録材料層を設ける光カード基板を複
製するための原版であって、光カードのプリフォーマッ
ト部に対応する部分に二次元格子による凹凸パターンが
形成され、前記二次元格子が前記プリフォーマットのト
ラックに対して５０°以上９０°未満に傾いた一次元格
子を、トラックに垂直な軸に線対称に組み合わせたもの
であることを特徴とする光カード用原版。 - 【請求項５】 前記二次元格子による凹凸パターンを、
情報記録パターンを露光したフォトレジスト層上へのレ
ーザー干渉による回折格子の重畳により形成することを
特徴とする光カード用原版の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140102A JPH09320119A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光カードと光カード用原版及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140102A JPH09320119A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光カードと光カード用原版及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320119A true JPH09320119A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15260996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8140102A Pending JPH09320119A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 光カードと光カード用原版及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150056561A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | Luminit Llc | Composite Holographic Optical Diffuser Structure with High Frequency Overlay and Method of Fabrication Thereof |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP8140102A patent/JPH09320119A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150056561A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-02-26 | Luminit Llc | Composite Holographic Optical Diffuser Structure with High Frequency Overlay and Method of Fabrication Thereof |
| US9568885B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-02-14 | Luminit Llc | Composite holographic optical diffuser structure with high frequency overlay and method of fabrication thereof |
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