JPH0936285A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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JPH0936285A
JPH0936285A JP7186910A JP18691095A JPH0936285A JP H0936285 A JPH0936285 A JP H0936285A JP 7186910 A JP7186910 A JP 7186910A JP 18691095 A JP18691095 A JP 18691095A JP H0936285 A JPH0936285 A JP H0936285A
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JP
Japan
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resin
radiator
package
semiconductor device
semiconductor chip
Prior art date
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Application number
JP7186910A
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English (en)
Inventor
Yoshihiko Shimanuki
好彦 嶋貫
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部からの有害な媒体の浸入を防止して信頼
性を向上する樹脂封止型半導体装置を提供する。 【構成】 半導体チップ5を支持している放熱体2は、
半導体チップ5を樹脂で封止したパッケージ8の表面8
Aにその側面2Cを接することなく配置されている。こ
れによって、パッケージ8と放熱体2との熱膨張係数が
相違していても、動作中の温度上昇によって放熱体2の
側面2Cとパッケージ8との間に隙間は形成されない。
従って、隙間を通じて外部から湿気や水分等の有害な媒
体が浸入することはなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
及びその製造方法に関し、特に、半導体チップで発生し
た熱を効率良く放熱させる樹脂封止型半導体装置に適用
して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】LSIのように高集積度の半導体チップ
を樹脂で封止したパッケージを有する樹脂封止型半導体
装置においては、装置の動作中は半導体チップから多量
の熱が発生するので、装置を熱的に安定に動作させるた
めには、それらの熱を効率良く外部に放熱させる必要が
ある。
【0003】このような目的で、Cuのような放熱性に
優れた放熱体を用いて半導体チップを支持させると共
に、この放熱体をパッケージから露出させるようにした
樹脂封止型半導体装置が、例えば日経BP社発行、「日
経マイクロデバイス」、1988年11月号、P74〜
P75に記載されている。
【0004】ここで開示されている樹脂封止型半導体装
置21は、図6に示すように、放熱体22の裏面22B
に複数のリード23をカシメによって固定すると共に、
この放熱体22の同一面に半導体チップ25を固定し、
半導体チップ25の電極とリード23との間にワイヤ2
7をボンディングした後、放熱体22、リード23、半
導体チップ25及びボンディングワイヤ27を樹脂から
なるパッケージ28によって封止した構造を有してい
る。又、放熱体22の表面22Aはパッケージ28から
露出されている。これによって、半導体チップ25で発
生した熱はこの放熱体22の露出面である表面22Aか
ら外気に放熱されるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記のような放熱構造
を有する樹脂封止型半導体装置は、配線基板に実装され
ることにより各種電子機器に組み込まれる。ここで、各
種電子機器に組み込まれた樹脂封止型半導体装置は、パ
ッケージ28の材料である樹脂と放熱体22との熱膨張
係数が異なるために、動作中に温度が上昇すると、この
温度上昇の影響を受けて、信頼性が低下してくるという
問題がある。
【0006】すなわち、温度が上昇すると、パッケージ
28と放熱体22との熱膨張係数の相違に基づいて、図
7に示したように、互いに接している放熱体22の側面
22Cとパッケージ28との境界部分に矢印のように隙
間29が生じてくるようになる。そして、時間の経過と
共にこの隙間29を通じて外部から湿気や水分等の有害
な媒体が浸入するようになるので、半導体チップ25が
劣化するようになる。
【0007】又、従来の樹脂封止型半導体装置の放熱構
造では、トランスファモールド法等によって樹脂を供給
してパッケージ28を形成する際に、樹脂が放熱体22
の側面22Cから表面22Aに回り込む可能性があるの
で、パッケージ28の表面の一部に不要な樹脂が付着し
てそのまま残って覆われてしまうため、放熱効果が十分
に得られないおそれがある。
【0008】本発明の目的は、外部からの有害な媒体の
浸入を防止して信頼性を向上する樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、放熱体の表面が不要
な樹脂によって覆われるのを防止する樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することにある。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【0012】(1)本発明の樹脂封止型半導体装置は、
放熱体によって支持された半導体チップを樹脂で封止し
たパッケージを有する樹脂封止型半導体装置において、
前記放熱体は、この側面が前記パッケージの表面又は裏
面のいずれか一方側に接することなく配置されている。
【0013】(2)本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、複数のリードを一体に保持するリードフレー
ムを用いて各リードの先端を放熱体の一方の面に固定す
ると共に、この放熱体の同一面に半導体チップを固定
し、この半導体チップの電極と前記リードの先端との間
にワイヤをボンディングした後、前記放熱体の一方の面
を除いた他の全ての面を覆った状態で、樹脂を供給して
パッケージを形成する。
【0014】
【作用】上述した(1)の手段によれば、本発明の樹脂
封止型半導体装置は、放熱体によって支持された半導体
チップを樹脂で封止したパッケージを有する樹脂封止型
半導体装置において、前記放熱体は、この側面が前記パ
ッケージの表面又は裏面のいずれか一方側に接すること
なく配置されているので、放熱体の側面とパッケージと
の間に隙間は形成されないため、外部からの有害な媒体
の浸入を防止して信頼性を向上することができる。
【0015】上述した(2)の手段によれば、複数のリ
ードを一体に保持するリードフレームを用いて各リード
の先端を放熱体の一方の面に固定すると共に、この放熱
体の同一面に半導体チップを固定し、この半導体チップ
の電極と前記リードの先端との間にワイヤをボンディン
グした後、前記放熱体の一方の面を除いた他の全ての面
を覆った状態で、樹脂を供給してパッケージを形成する
ようにしたので、放熱体の表面が不要な樹脂によって覆
われるのを防止することができる。
【0016】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
【0017】(実施例1)図1は本発明の実施例1によ
る樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。実施例1
による樹脂封止型半導体装置1は、Cuのような放熱性
に優れた板状の放熱体2の裏面2Bに例えばFe−Ni
系合金材料からなる複数のリード3の先端が接着性テー
プ4によって固定されると共に、この放熱体2の同一面
には半導体チップ5が例えばシリコーンゴムからなる高
熱伝導性接着剤6によって固定されている。半導体チッ
プ5の電極と対応した複数のリード3の先端との間には
例えばAu線からなるワイヤ7がボンディングされ、各
リード3の先端、半導体チップ5及びボンディングワイ
ヤ7は例えばエポキシ樹脂からなるパッケージ8によっ
て、封止されている。
【0018】ここで、放熱体2の裏面2Bはパッケージ
8の表面8Aに接するように配置され、又、放熱体2の
表面2A及び側面2Cはパッケージ8から露出され、特
にその側面2Cは従来のようにパッケージ8に接する構
造にはなっていない。これによって、半導体チップ5で
発生した熱は高熱伝導性接着剤6を通じて、放熱体2の
露出面である表面2A及び側面2Cから外気に放熱され
るようになっている。なお、放熱体2及びパッケージ8
は、図面上で上側の位置を表面、下側の位置を裏面と称
している。
【0019】次に実施例1による樹脂封止型半導体装置
1の製造方法を図5を参照して工程順に説明する。
【0020】まず、図5(a)に示すように、例えばF
e−Ni系合金材料からなる複数のリード3を一体に保
持するリードフレーム9を用意して、各リード3の先端
をCuのような放熱体2の裏面2Bに接着性テープ4に
よって固定する。リードフレーム9は予めエッチング、
プレス等の加工手段によって所望のパターンのリード形
状を有するように形成されている。
【0021】次に、図5(b)に示すように、各リード
3の先端によって囲まれた放熱体2の裏面2Bの中央部
分に、半導体チップ5を例えばシリコーンゴムからなる
高熱伝導性接着剤6によって固定する。これにより、半
導体チップ5は放熱体6によって支持されたことにな
る。
【0022】続いて、図5(c)に示すように、半導体
チップ5の電極と対応した各リード3の先端との間に例
えばAu線からなるワイヤ7をボンディングする。
【0023】次に、図5(d)に示すように、放熱体2
の表面2A及び側面2Cを覆う形状の溝部11を備えた
上型10を用いて、放熱体2及びリードフレーム9の表
面9Aを支持すると共に、所望の形状のパッケージ8を
形成するためのキャビティ13及びゲート14を備えた
下型12を用いて、リードフレーム9の裏面9Bを支持
する。続いて、下型12のゲート14からキャビティ1
3に例えばエポキシ樹脂を供給する。これによって、図
1に示したようなパッケージ8が形成される。次に、リ
ードフレーム9のフレーム部分を切断して、各リード3
ごとに分離すると共に、各リード3を整形して例えば図
1に示したようなガルウィングの形状にする。
【0024】なお、図5(d)の工程のように、上型1
0の溝部11によって放熱体2の表面2A及び側面2C
を完全に覆うことにより、下型12のゲート14から樹
脂を供給するときの、樹脂の上型10への回り込みを阻
止することができる。これによって、放熱体2の表面2
Aあるいは側面2Cに対して樹脂の付着を防止すること
ができる。
【0025】このような実施例1の樹脂封止型半導体装
置によれば、次のような効果が得られる。
【0026】半導体チップ5を支持している放熱体2
は、半導体チップ5を樹脂で封止したパッケージ8の表
面8Aにその側面2Cを接することなく配置されている
ので、パッケージ8と放熱体2との熱膨張係数が相違し
ていても、動作中の温度上昇によって放熱体2の側面2
Cとパッケージ8との間に隙間は形成されない。従っ
て、外部からの有害な媒体の浸入を防止して信頼性を向
上することができる。
【0027】又、実施例1の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によれば、次のような効果が得られる。
【0028】放熱体2の表面2A及び側面2Cを上型1
0によって覆った状態で、下型12内にのみ樹脂を供給
してパッケージ8を形成するようにしたので、樹脂が放
熱体2の側面2Cから表面2Aに回り込むのは阻止され
るので、放熱体2の表面2Aが不要な樹脂によって覆わ
れるのを防止することができる。
【0029】図2は本発明の実施例2による樹脂封止型
半導体装置を示す断面図で、実施例1の構造において、
半導体チップ5を支持する放熱体2の面積を、半導体チ
ップ5を樹脂で封止したパッケージ8の面積よりも大き
くした構造を示すものである。この構造は、パッケージ
8を形成するために樹脂を供給する工程に左右されるこ
となく、最初に任意の面積の放熱体2を用いることによ
り簡単に実現することができる。
【0030】このような実施例2の樹脂封止型半導体装
置によれば、実施例1と同様な効果が得られる他に、特
に放熱効果を高めることができる。又、実施例1と同様
な放熱効果を得る場合には、放熱体2の薄型化を図るこ
とができる。
【0031】図3は本発明の実施例3による樹脂封止型
半導体装置を示す断面図で、半導体チップ5を支持する
放熱体2を、半導体チップ5を樹脂で封止したパッケー
ジ8の裏面8Bに配置した構造を示すものである。この
構造は、実施例1の構造を得る直前の段階で、各リード
3を整形する際に曲げ方向を実施例1と反対方向に選ぶ
ことで、簡単に実現することができる。
【0032】このような実施例3の樹脂封止型半導体装
置によれば、実施例1の構造と各リード3の曲げ方向が
異なる点を除いて他の構造は同じなので、実施例1と同
様な効果を得ることができる。
【0033】図4は本発明の実施例4による樹脂封止型
半導体装置を示す断面図で、実施例3の構造において、
半導体チップ5を支持する放熱体2の面積を、半導体チ
ップ5を樹脂で封止したパッケージ8の面積よりも大き
くした構造を示すものである。この構造は、実施例2と
同様に、パッケージ8を形成するために樹脂を供給する
工程に左右されることなく、最初に任意の面積の放熱体
2を用いることにより簡単に実現することができる。
【0034】このような実施例4の樹脂封止型半導体装
置によれば、実施例3と同様な効果が得られる他に、特
に放熱効果を高めることができる。又、実施例3と同様
な放熱効果を得る場合には、放熱体2の薄型化を図るこ
とができる。
【0035】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0036】例えば、前記実施例で放熱体2の材料とし
てはCuに例をあげて説明したが、これに限らず例えば
Al、Al合金のように放熱性に優れた材料であれば、
他の材料でも同様に用いることができる。
【0037】又、放熱体2の形状も板状に限ることはな
い。但し、マーキング等を行う場合は、この面をフラッ
トな形状にしておくことが望ましい。
【0038】さらに、本文中で説明した樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、放熱体を用いない樹脂封止型半導
体装置の製造方法にも適用することができ、特にパッケ
ージの薄型化を図る場合に有効となる。
【0039】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止型半導体装置の製造技術に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではない。本発明は、少
なくとも樹脂封止型半導体装置で放熱性の改善を図る条
件のものには適用できる。
【0040】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0041】パッケージと放熱体との熱膨張係数が相違
していても、動作中の温度上昇によって放熱体の側面と
パッケージとの間に隙間は形成されないので、外部から
の有害な媒体の浸入を防止して信頼性を向上することが
できる。
【0042】放熱体の表面及び側面を覆った状態で樹脂
を供給してパッケージを形成するようにしたので、樹脂
が放熱体の側面から表面に回り込むのは阻止されるの
で、放熱体の表面が不要な樹脂によって覆われるのを防
止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1による樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。
【図2】本発明の実施例2による樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例3による樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。
【図4】本発明の実施例4による樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。
【図5】本発明の実施例1による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すもので、(a)乃至(d)は断面図で
ある。
【図6】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。
【図7】従来の樹脂封止型半導体装置の欠点を説明する
断面図である。
【符号の説明】
1…樹脂封止型半導体装置、2…放熱体、2A…放熱体
の表面、2B…放熱体の裏面、2C…放熱体の側面、3
…リード、4…接着性テープ、5…半導体チップ、6…
高熱伝導性接着剤、7…ボンディングワイヤ、8…パッ
ケージ、8A…パッケージの表面、8B…パッケージの
裏面、9…リードフレーム、10…上型、11…溝部、
12…下型、13…キャビティ、14…ゲート。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱体によって支持された半導体チップ
    を樹脂で封止したパッケージを有する樹脂封止型半導体
    装置において、前記放熱体は、この側面が前記パッケー
    ジの表面又は裏面のいずれか一方側に接することなく配
    置されたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記パッケージよりも前記放熱体の面積
    が大きいことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型
    半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記パッケージの側面から前記半導体チ
    ップの電極と導通する複数のリードを隣接して引き出し
    たことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  4. 【請求項4】 複数のリードを一体に保持するリードフ
    レームを用いて各リードの先端を放熱体の一方の面に固
    定すると共に、この放熱体の同一面に半導体チップを固
    定し、この半導体チップの電極と前記リードの先端との
    間にワイヤをボンディングした後、前記放熱体の一方の
    面を除いた他の全ての面を覆った状態で、樹脂を供給し
    てパッケージを形成することを特徴とする樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
JP7186910A 1995-07-24 1995-07-24 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 Pending JPH0936285A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000064084A (ja) * 1998-08-20 2000-02-29 Kobe Steel Ltd 電子部品の放熱板用めっき材

Cited By (1)

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JP2000064084A (ja) * 1998-08-20 2000-02-29 Kobe Steel Ltd 電子部品の放熱板用めっき材

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