JPH0944832A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0944832A JPH0944832A JP19001195A JP19001195A JPH0944832A JP H0944832 A JPH0944832 A JP H0944832A JP 19001195 A JP19001195 A JP 19001195A JP 19001195 A JP19001195 A JP 19001195A JP H0944832 A JPH0944832 A JP H0944832A
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- Japan
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- magnetic film
- column
- film
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数特性や耐久性に優れた磁気記録媒体を
提供することである。 【解決手段】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線よ
り上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直
線より下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコ
ラムであり、かつ、下層磁性膜のコラムの成長方向と上
層磁性膜のコラムの成長方向とが対称方向にある磁気記
録媒体。
提供することである。 【解決手段】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線よ
り上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直
線より下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコ
ラムであり、かつ、下層磁性膜のコラムの成長方向と上
層磁性膜のコラムの成長方向とが対称方向にある磁気記
録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】近年、高記録密度用磁
気テープとして、所謂、蒸着テープが有望視されてい
る。特に、多層蒸着テープが有望視されている。この観
点から、各種の多層蒸着テープが提案されている。しか
し、これまでの多層蒸着テープは、周波数特性が良くな
かったり、耐久性に問題がある。
気テープとして、所謂、蒸着テープが有望視されてい
る。特に、多層蒸着テープが有望視されている。この観
点から、各種の多層蒸着テープが提案されている。しか
し、これまでの多層蒸着テープは、周波数特性が良くな
かったり、耐久性に問題がある。
【０００３】ところで、多層蒸着テープにおける周波数
特性や耐久性に蒸着磁性膜のコラム構造が大きな影響を
与えることは誰も気付いていなかった。すなわち、周波
数特性や耐久性に関するコラム構造についての考察が全
く行われていなかった。この点について、本発明者によ
る研究が鋭意押し進められて行った結果、積層磁性膜に
おける上層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、下層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線
より上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラ
ムの場合には、周波数特性が良く、かつ、耐久性に優れ
たものであることが判って来た。
特性や耐久性に蒸着磁性膜のコラム構造が大きな影響を
与えることは誰も気付いていなかった。すなわち、周波
数特性や耐久性に関するコラム構造についての考察が全
く行われていなかった。この点について、本発明者によ
る研究が鋭意押し進められて行った結果、積層磁性膜に
おける上層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
であり、下層磁性膜のコラムが起点と終点とを結ぶ直線
より上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラ
ムの場合には、周波数特性が良く、かつ、耐久性に優れ
たものであることが判って来た。
【０００４】このような知見を基にして本発明が達成さ
れたものであり、本発明は、周波数特性や耐久性に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
れたものであり、本発明は、周波数特性や耐久性に優れ
た磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、コ
ラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁性膜が支持体上に
複数層積層された磁気記録媒体であって、下層磁性膜の
コラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上側に出っ張っ
た曲線を有する斜めに成長したコラムであり、上層磁性
膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下側に出っ
張った曲線を有する斜めに成長したコラムであり、か
つ、下層磁性膜のコラムの成長方向と上層磁性膜のコラ
ムの成長方向とが対称方向にあることを特徴とする磁気
記録媒体によって達成される。
ラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁性膜が支持体上に
複数層積層された磁気記録媒体であって、下層磁性膜の
コラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上側に出っ張っ
た曲線を有する斜めに成長したコラムであり、上層磁性
膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下側に出っ
張った曲線を有する斜めに成長したコラムであり、か
つ、下層磁性膜のコラムの成長方向と上層磁性膜のコラ
ムの成長方向とが対称方向にあることを特徴とする磁気
記録媒体によって達成される。
【０００６】尚、下層磁性膜のコラムの起点と終点とを
結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°、望ましくは３０
〜５０°（又は、１２０〜１６０°、望ましくは１３０
〜１５０°）が好ましく、上層磁性膜のコラムの起点と
終点とを結ぶ直線の傾斜角θ 2 は１２０〜１７０°、望
ましくは１３０〜１５０°（又は、３０〜８０°、望ま
しくは４０〜６０°）が好ましい。
結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°、望ましくは３０
〜５０°（又は、１２０〜１６０°、望ましくは１３０
〜１５０°）が好ましく、上層磁性膜のコラムの起点と
終点とを結ぶ直線の傾斜角θ 2 は１２０〜１７０°、望
ましくは１３０〜１５０°（又は、３０〜８０°、望ま
しくは４０〜６０°）が好ましい。
【０００７】又、「下層磁性膜のコラムの成長方向と上
層磁性膜のコラムの成長方向とが対称方向」における
「対称方向」は、完全な対称のみを意味するものではな
く、コラムの成長方向が逆方向にあることを意味し、下
層磁性膜のコラムの成長方向が例えば０〜９０°の方向
にあれば、上層磁性膜のコラムの成長方向が例えば９０
〜１８０°の方向にある程度のことを意味する。
層磁性膜のコラムの成長方向とが対称方向」における
「対称方向」は、完全な対称のみを意味するものではな
く、コラムの成長方向が逆方向にあることを意味し、下
層磁性膜のコラムの成長方向が例えば０〜９０°の方向
にあれば、上層磁性膜のコラムの成長方向が例えば９０
〜１８０°の方向にある程度のことを意味する。
【０００８】又、コラムが斜めに成長した金属薄膜型の
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、逆方向にて上層の磁性膜が高入射角核生成法により
成膜されてなることを特徴とする磁気記録媒体によって
達成される。
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、逆方向にて上層の磁性膜が高入射角核生成法により
成膜されてなることを特徴とする磁気記録媒体によって
達成される。
【０００９】上記のように構成させた磁気記録媒体の耐
久性が良い理由は次の通りと考えられる。先ず、支持体
上に堆積させる下層磁性膜の成膜に際して、下側ほど高
エネルギーの磁性粒子が付着・堆積していく。この為、
支持体に対する結着強度が大きい。従って、磁性膜は支
持体に強固に結合しており、剥離し難く、耐久性に富
む。
久性が良い理由は次の通りと考えられる。先ず、支持体
上に堆積させる下層磁性膜の成膜に際して、下側ほど高
エネルギーの磁性粒子が付着・堆積していく。この為、
支持体に対する結着強度が大きい。従って、磁性膜は支
持体に強固に結合しており、剥離し難く、耐久性に富
む。
【００１０】又、上記のように構成させた磁気記録媒体
の周波数特性が良い（高周波領域においても高出力）理
由は次の通りと考えられる。上記磁性膜の構造である
と、上層磁性膜の保磁力が大きいのに対して、下層磁性
膜の保磁力は小さく、結果的に厚み損失が少なく、高周
波領域においても高出力が得られる。更に、下層磁性膜
のコラムの成長方向と上層磁性膜のコラムの成長方向と
が対称方向にあるよう構成させているから、オーディオ
テープのような正逆両方向の使用にあっても、高出力が
得られる。
の周波数特性が良い（高周波領域においても高出力）理
由は次の通りと考えられる。上記磁性膜の構造である
と、上層磁性膜の保磁力が大きいのに対して、下層磁性
膜の保磁力は小さく、結果的に厚み損失が少なく、高周
波領域においても高出力が得られる。更に、下層磁性膜
のコラムの成長方向と上層磁性膜のコラムの成長方向と
が対称方向にあるよう構成させているから、オーディオ
テープのような正逆両方向の使用にあっても、高出力が
得られる。
【００１１】尚、上層磁性膜の厚さが下層磁性膜の厚さ
より厚いことが好ましい。又、上層磁性膜は、その上側
における酸素含有量と下側における酸素含有量とを比べ
た場合、上側の酸素含有量が多く、下層磁性膜は、その
上側における酸素含有量と下側における酸素含有量とを
比べた場合、下側の酸素含有量が多いのが好ましい。
より厚いことが好ましい。又、上層磁性膜は、その上側
における酸素含有量と下側における酸素含有量とを比べ
た場合、上側の酸素含有量が多く、下層磁性膜は、その
上側における酸素含有量と下側における酸素含有量とを
比べた場合、下側の酸素含有量が多いのが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、コラムが斜めに成長し
た金属薄膜型の磁性膜が支持体上に複数層積層された磁
気記録媒体であって、下層磁性膜のコラムが、起点と終
点とを結ぶ直線より上側に出っ張った曲線を有する斜め
に成長したコラムであり、上層磁性膜のコラムが、起点
と終点とを結ぶ直線より下側に出っ張った曲線を有する
斜めに成長したコラムであり、かつ、下層磁性膜のコラ
ムの成長方向と上層磁性膜のコラムの成長方向とが対称
方向にあるものである。
た金属薄膜型の磁性膜が支持体上に複数層積層された磁
気記録媒体であって、下層磁性膜のコラムが、起点と終
点とを結ぶ直線より上側に出っ張った曲線を有する斜め
に成長したコラムであり、上層磁性膜のコラムが、起点
と終点とを結ぶ直線より下側に出っ張った曲線を有する
斜めに成長したコラムであり、かつ、下層磁性膜のコラ
ムの成長方向と上層磁性膜のコラムの成長方向とが対称
方向にあるものである。
【００１３】又、コラムが斜めに成長した金属薄膜型の
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、逆方向にて上層の磁性膜が高入射角核生成法により
成膜されたものである。尚、下層磁性膜のコラムの起点
と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°（又
は、１２０〜１６０°）、上層磁性膜のコラムの起点と
終点とを結ぶ直線の傾斜角θ2 は１２０〜１７０°（又
は、３０〜８０°）である。
磁性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であ
って、下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜さ
れ、逆方向にて上層の磁性膜が高入射角核生成法により
成膜されたものである。尚、下層磁性膜のコラムの起点
と終点とを結ぶ直線の傾斜角θ1 は２０〜６０°（又
は、１２０〜１６０°）、上層磁性膜のコラムの起点と
終点とを結ぶ直線の傾斜角θ2 は１２０〜１７０°（又
は、３０〜８０°）である。
【００１４】上記特長を有する本発明の磁気記録媒体
は、次のようにして得られる。先ず、図１の斜め蒸着装
置を用意する。図１中、１は冷却キャンロール、２ａは
支持体３の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロー
ルであり、支持体３は供給側ロール２ａからガイドロー
ラを経て冷却キャンロール１に導かれ、巻取側ロール２
ｂに巻き取られる。支持体３は磁性あるいは非磁性いず
れのものでも良いが、一般的には非磁性のものである。
このような支持体３はＰＥＴ等のポリエステル、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロー
ス系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった有機材料が主
として用いられる。尚、支持体の表面には、磁性膜との
密着性を向上させる為のアンダーコート層が適宜設けら
れる。供給側ロール２ａから冷却キャンロール１を経て
巻取側ロール２ｂに巻き取られる支持体３の走行経路に
おいて、すなわち冷却キャンロール１に沿って走行する
際、ルツボ４からの磁性材料５の粒子が飛来し、付着・
堆積する。金属磁性膜を形成する磁性粒子の材料として
は、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させ
たもの、並びに窒化物（Ｆｅ4 Ｎ，Ｆｅ8 Ｎ，Ｆｅ−
Ｎ）又は炭化物（Ｆｅ3 Ｃ5 ）及びその複合物等が用い
られる。６は遮蔽板、７は酸素ガス供給ノズル、８は電
子銃、９は真空槽である。
は、次のようにして得られる。先ず、図１の斜め蒸着装
置を用意する。図１中、１は冷却キャンロール、２ａは
支持体３の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロー
ルであり、支持体３は供給側ロール２ａからガイドロー
ラを経て冷却キャンロール１に導かれ、巻取側ロール２
ｂに巻き取られる。支持体３は磁性あるいは非磁性いず
れのものでも良いが、一般的には非磁性のものである。
このような支持体３はＰＥＴ等のポリエステル、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネー
ト、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロー
ス系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった有機材料が主
として用いられる。尚、支持体の表面には、磁性膜との
密着性を向上させる為のアンダーコート層が適宜設けら
れる。供給側ロール２ａから冷却キャンロール１を経て
巻取側ロール２ｂに巻き取られる支持体３の走行経路に
おいて、すなわち冷却キャンロール１に沿って走行する
際、ルツボ４からの磁性材料５の粒子が飛来し、付着・
堆積する。金属磁性膜を形成する磁性粒子の材料として
は、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ
−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させ
たもの、並びに窒化物（Ｆｅ4 Ｎ，Ｆｅ8 Ｎ，Ｆｅ−
Ｎ）又は炭化物（Ｆｅ3 Ｃ5 ）及びその複合物等が用い
られる。６は遮蔽板、７は酸素ガス供給ノズル、８は電
子銃、９は真空槽である。
【００１５】上記構成の斜め蒸着装置を用い、先ず、真
空槽９内の所定の走行経路を支持体３が矢印Ａ方向に走
行（図１に示す状態の供給側ロール２ａから冷却キャン
ロール１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られるよう走
行）できるよう準備すると共に、真空槽９内を１０-4〜
１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、電子
銃８からの電子ビーム加熱によりルツボ４内の磁性金属
５を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール１の位置におい
て低入射角核生成法（ＬＩＮ法）により支持体３上に厚
さが４００〜１５００Åで、図２に示す如く、起点と終
点とを結ぶ直線（直線の傾きθ1 ＝２０〜６０°）より
上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの
下層磁性膜１１ａを形成する。
空槽９内の所定の走行経路を支持体３が矢印Ａ方向に走
行（図１に示す状態の供給側ロール２ａから冷却キャン
ロール１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られるよう走
行）できるよう準備すると共に、真空槽９内を１０-4〜
１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、電子
銃８からの電子ビーム加熱によりルツボ４内の磁性金属
５を溶融、蒸発させ、冷却キャンロール１の位置におい
て低入射角核生成法（ＬＩＮ法）により支持体３上に厚
さが４００〜１５００Åで、図２に示す如く、起点と終
点とを結ぶ直線（直線の傾きθ1 ＝２０〜６０°）より
上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの
下層磁性膜１１ａを形成する。
【００１６】下層磁性膜１１ａが形成され、巻取側ロー
ル２ｂに巻き取られた後、今度は、前記Ａ方向とは逆の
Ｂ方向に走行（図１に示す状態の巻取側ロール２ｂから
冷却キャンロール１を経て供給側ロール２ａに巻き取ら
れるよう走行）させ、冷却キャンロール１の位置におい
て高入射角核生成法（ＨＩＮ法）により支持体３上の下
層磁性膜１１ａ上に厚さが８００〜３０００Åで、図２
に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2
＝１２０〜１７０°）より下側に出っ張った曲線を有す
る斜めに成長したコラムの上層磁性膜１１ｂを形成す
る。
ル２ｂに巻き取られた後、今度は、前記Ａ方向とは逆の
Ｂ方向に走行（図１に示す状態の巻取側ロール２ｂから
冷却キャンロール１を経て供給側ロール２ａに巻き取ら
れるよう走行）させ、冷却キャンロール１の位置におい
て高入射角核生成法（ＨＩＮ法）により支持体３上の下
層磁性膜１１ａ上に厚さが８００〜３０００Åで、図２
に示す如く、起点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2
＝１２０〜１７０°）より下側に出っ張った曲線を有す
る斜めに成長したコラムの上層磁性膜１１ｂを形成す
る。
【００１７】尚、下層磁性膜１１ａの成膜に際しては、
上流側から下流側に向けて酸素ガスが流されているか
ら、下層磁性膜１１ａは下側ほど酸素含有量が多い。こ
れに対して、上層磁性膜１１ｂの成膜に際しては、下流
側から酸素ガスが流されているから、上層磁性膜１１ｂ
は上側ほど酸素含有量が多い。上記のようにしてＬＩＮ
法磁性膜（下層磁性膜１１ａ）、ＨＩＮ法磁性膜（上層
磁性膜１１ｂ）が順に積層された磁性膜の上に、必要に
応じて、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒
化珪素などからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜
が設けられる。又、パーフルオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。
上流側から下流側に向けて酸素ガスが流されているか
ら、下層磁性膜１１ａは下側ほど酸素含有量が多い。こ
れに対して、上層磁性膜１１ｂの成膜に際しては、下流
側から酸素ガスが流されているから、上層磁性膜１１ｂ
は上側ほど酸素含有量が多い。上記のようにしてＬＩＮ
法磁性膜（下層磁性膜１１ａ）、ＨＩＮ法磁性膜（上層
磁性膜１１ｂ）が順に積層された磁性膜の上に、必要に
応じて、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒
化珪素などからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜
が設けられる。又、パーフルオロポリエーテル等のフッ
素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設けられる。
【００１８】
【実施例１】本実施例の磁気記録媒体は、図１に示した
斜め蒸着装置により得られる。すなわち、非磁性の支持
体（６μｍ厚さのＰＥＴフィルム）３を供給側ロール２
ａから冷却キャンロール１を経て巻取側ロール２ｂに導
かれるように掛け渡し、真空槽９内を１０-4〜１０-6Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、２．０ｍ／ｍ
ｉｎの速度で図１中Ａ方向に走行するＰＥＴフィルム３
に対して１０ｋＷの電子銃８からの電子ビーム加熱によ
りルツボ４内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷
却キャンロール１の位置においてＬＩＮ法によりＰＥＴ
フィルム３上に厚さが７００Åで、図２に示す如く、起
点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ1＝３０°）より
上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの
下層磁性膜１１ａを形成する。この下層磁性膜１１ａの
形成に際して、酸素ガス供給ノズル７から５０ｓｃｃｍ
の割合で酸素ガスが上流側から下流側向けて供給されて
いる。
斜め蒸着装置により得られる。すなわち、非磁性の支持
体（６μｍ厚さのＰＥＴフィルム）３を供給側ロール２
ａから冷却キャンロール１を経て巻取側ロール２ｂに導
かれるように掛け渡し、真空槽９内を１０-4〜１０-6Ｔ
ｏｒｒ程度の真空度に排気する。そして、２．０ｍ／ｍ
ｉｎの速度で図１中Ａ方向に走行するＰＥＴフィルム３
に対して１０ｋＷの電子銃８からの電子ビーム加熱によ
りルツボ４内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷
却キャンロール１の位置においてＬＩＮ法によりＰＥＴ
フィルム３上に厚さが７００Åで、図２に示す如く、起
点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ1＝３０°）より
上側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムの
下層磁性膜１１ａを形成する。この下層磁性膜１１ａの
形成に際して、酸素ガス供給ノズル７から５０ｓｃｃｍ
の割合で酸素ガスが上流側から下流側向けて供給されて
いる。
【００１９】下層磁性膜１１ａが形成された後、この下
層磁性膜１１ａが形成されたＰＥＴフィルム３を２．０
ｍ／ｍｉｎの速度で逆方向（図１中Ｂ方向）に走行さ
せ、１５ｋＷの電子銃８からの電子ビーム加熱によりル
ツボ４内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キ
ャンロール１の位置において、ＨＩＮ法により下層磁性
膜１１ａ上に厚さが１２００Åで、図２に示す如く、起
点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝１３５°）よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
の上層磁性膜１１ｂを形成する。この上層磁性膜１１ｂ
の形成に際して、酸素ガス供給ノズル７から７０ｓｃｃ
ｍの割合で酸素ガスが下流側から供給されている。
層磁性膜１１ａが形成されたＰＥＴフィルム３を２．０
ｍ／ｍｉｎの速度で逆方向（図１中Ｂ方向）に走行さ
せ、１５ｋＷの電子銃８からの電子ビーム加熱によりル
ツボ４内の磁性金属（Ｃｏ）を溶融、蒸発させ、冷却キ
ャンロール１の位置において、ＨＩＮ法により下層磁性
膜１１ａ上に厚さが１２００Åで、図２に示す如く、起
点と終点とを結ぶ直線（直線の傾きθ2 ＝１３５°）よ
り下側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラム
の上層磁性膜１１ｂを形成する。この上層磁性膜１１ｂ
の形成に際して、酸素ガス供給ノズル７から７０ｓｃｃ
ｍの割合で酸素ガスが下流側から供給されている。
【００２０】上記のようにしてＬＩＮ法磁性膜（下層磁
性膜１１ａ）及びＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜１１ｂ）
を形成した後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンドライクカーボン膜を５０Å厚さ形成し、この後パー
フルオロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名Ｆ
ＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を２０Å厚さ形成した。
又、ＰＥＴフィルム１の磁性膜形成面側とは反対側の面
にＡｌ蒸着膜（バックコート膜）を０．２μｍ厚さ設
け、所定幅に裁断して磁気テープを作製した。
性膜１１ａ）及びＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜１１ｂ）
を形成した後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンドライクカーボン膜を５０Å厚さ形成し、この後パー
フルオロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤（商品名Ｆ
ＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を２０Å厚さ形成した。
又、ＰＥＴフィルム１の磁性膜形成面側とは反対側の面
にＡｌ蒸着膜（バックコート膜）を０．２μｍ厚さ設
け、所定幅に裁断して磁気テープを作製した。
【００２１】
【実施例２】実施例１において、下層磁性膜１１ａ成膜
時のＰＥＴフィルム３の走行速度１．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１２ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量７０ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５０°で、１５００
Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝１４０°で、１０００
Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じ
て行い、磁気テープを作製した。
時のＰＥＴフィルム３の走行速度１．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１２ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量７０ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝５０°で、１５００
Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝１４０°で、１０００
Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じ
て行い、磁気テープを作製した。
【００２２】
【実施例３】実施例１において、下層磁性膜１１ａ成膜
時のＰＥＴフィルム３の走行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１０ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量４５ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量６０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝２０°で、５５０Å
厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝１５０°で、１２００Å
厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを作製した。
時のＰＥＴフィルム３の走行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１０ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量４５ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１５ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量６０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝２０°で、５５０Å
厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝１５０°で、１２００Å
厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを作製した。
【００２３】
【実施例４】実施例１において、下層磁性膜１１ａ成膜
時のＰＥＴフィルム３の走行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１２ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量５０ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１６ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝１３５°で、６５０
Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝４０°で、１２００Å
厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを作製した。
時のＰＥＴフィルム３の走行速度２．５ｍ／ｍｉｎ、電
子銃８の出力１２ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸
素ガス供給量５０ｓｃｃｍ、上層磁性膜１１ｂ成膜時の
ＰＥＴフィルム３の走行速度２．０ｍ／ｍｉｎ、電子銃
８の出力１６ｋＷ、酸素ガス供給ノズル７からの酸素ガ
ス供給量７０ｓｃｃｍとし、θ1 ＝１３５°で、６５０
Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝４０°で、１２００Å
厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを作製した。
【００２４】
【比較例１】実施例１においては、下層磁性膜１１ａと
上層磁性膜１１ｂとを形成する時のＰＥＴフィルム３の
走行方向を逆方向とした。本比較例においては、下層磁
性膜１１ａを形成した後、これを供給側に装填し、下層
磁性膜１１ａと上層磁性膜１１ｂとを形成する時のＰＥ
Ｔフィルム３の走行方向を同方向とし、そしてθ1 ＝５
０°で、１２００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝５０
°で、１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は
実施例１に準じて行い、磁気テープを作製した。
上層磁性膜１１ｂとを形成する時のＰＥＴフィルム３の
走行方向を逆方向とした。本比較例においては、下層磁
性膜１１ａを形成した後、これを供給側に装填し、下層
磁性膜１１ａと上層磁性膜１１ｂとを形成する時のＰＥ
Ｔフィルム３の走行方向を同方向とし、そしてθ1 ＝５
０°で、１２００Å厚の下層磁性膜１１ａ、θ2 ＝５０
°で、１２００Å厚の上層磁性膜１１ｂを形成した外は
実施例１に準じて行い、磁気テープを作製した。
【００２５】
【特性】上記各例で得た磁気テープの磁気特性（保磁力
Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｂｒ／Ｂｓ）、表面粗さＲ
ａ、出力特性（１ＭＨｚ，５ＭＨｚ，１０ＭＨｚでの出
力）、及びスチル耐久性（３時間の繰り返し走行後の出
力低下）について調べたので、その結果を表−１に示
す。
Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、Ｂｒ／Ｂｓ）、表面粗さＲ
ａ、出力特性（１ＭＨｚ，５ＭＨｚ，１０ＭＨｚでの出
力）、及びスチル耐久性（３時間の繰り返し走行後の出
力低下）について調べたので、その結果を表−１に示
す。
【００２６】 表−１ Ｈｃ(Oe)Ｂｓ(G) Br/Bs Ｒａ(nm) 出力特性(dB) スチル耐久性 1MHz 5MHz 10MHz (dB) 実施例１ 1550 6400 0.84 1.9 +0.9 +1.0 +1.2 -0.4 実施例２ 1530 6600 0.78 2.1 +1.1 +0.6 +0.4 -0.2 実施例３ 1490 6900 0.80 1.8 +1.4 +0.6 +0.8 -0.8 実施例４ 1520 6400 0.83 2.4 +0.7 +0.7 +0.9 -1.1 比較例１ 1540 6400 0.83 2.4 0 0 0 -1.9 ＊出力特性は比較例１を基準にした相対値 これから判る通り、本発明のものは、スチル耐久性に優
れたものであり、かつ、低域から高域にかけて高い出力
が得られたものであり、高密度記録に適している。
れたものであり、かつ、低域から高域にかけて高い出力
が得られたものであり、高密度記録に適している。
【００２７】
【効果】低域から高域にかけて出力が高く、高密度記録
に適し、かつ、耐久性にも富む。
に適し、かつ、耐久性にも富む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体を製造する為の斜め蒸着
装置の概略図
装置の概略図
【図２】本発明の磁気記録媒体の概略図
３ 支持体 １１ａ ＬＩＮ法磁性膜（下層磁性膜） １１ｂ ＨＩＮ法磁性膜（上層磁性膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、 下層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より上
側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムであ
り、 上層磁性膜のコラムが、起点と終点とを結ぶ直線より下
側に出っ張った曲線を有する斜めに成長したコラムであ
り、 かつ、下層磁性膜のコラムの成長方向と上層磁性膜のコ
ラムの成長方向とが対称方向にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 コラムが斜めに成長した金属薄膜型の磁
性膜が支持体上に複数層積層された磁気記録媒体であっ
て、 下層の磁性膜が低入射角核生成法により成膜され、 逆方向にて上層の磁性膜が高入射角核生成法により成膜
されてなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上層磁性膜の厚さが下層磁性膜の厚さよ
り厚いことを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 上層磁性膜は、 その上側における酸素含有量と下側における酸素含有量
とを比べた場合、上側の酸素含有量が多く、 下層磁性膜は、 その上側における酸素含有量と下側における酸素含有量
とを比べた場合、下側の酸素含有量が多いことを特徴と
する請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19001195A JPH0944832A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19001195A JPH0944832A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944832A true JPH0944832A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16250894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19001195A Pending JPH0944832A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944832A (ja) |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP19001195A patent/JPH0944832A/ja active Pending
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