JPH10105947A

JPH10105947A - 薄膜磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10105947A
Application number: JP25454496A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Kitaori; 典之北折; Hirohide Mizunoya; 博英水野谷; Akira Shiga; 章志賀
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1996-09-26
Filing date: 1996-09-26
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】磁性層およびバックコート層を真空成膜法に
より形成し、全厚さが５．０μｍ以下である、良好な走
行性を維持する磁気記録媒体を低価格において提供す
る。【解決手段】厚さ１μｍのフィルムにおけるステッフ
ネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²以下であるような厚さ３．
０〜４．５μｍのプラスチックフィルムの一方の面に磁
性層が、もう一方の面にバックコート層がそれぞれ真空
成膜法により形成されていることを特徴とする磁気記録
媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
る。より詳しくは、厚さ１μｍのフィルムにおけるステ
ッフネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²以下である厚さ３．０
〜４．５μｍのプラスチックフィルムを使用し、かつプ
ラスチックフィルムの一方の面に磁性層を、もう一方の
面にバックコート層を真空中で成膜することにより良好
な走行性を示す磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体特に磁気テープの高密度記
録化や小型化は近年著しい勢いで進んでいる。それに伴
い磁気テープの支持体の薄帯化あるいは磁気テープを構
成する磁性層等の各層の薄膜化が求められている。例え
ば磁気記録媒体の支持体としては、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）等のプラスチックをはじめとする非
磁性支持体が広く用いられ、その厚さは例えばＶＨＳ型
のビデオテープでは１５．０μｍ程度、８ｍｍビデオテ
ープでは９．０μｍ程度、さらにＤＶＣでは６．３μｍ
程度であり、高密度記録化が進むにつれ支持体の薄帯化
も進んできた。一方磁性層に関しては、従来磁気記録媒
体の製造方法において、簡便でありしかも生産性の高い
塗布する方法が主流であった。しかし塗布する方法では
バインダーを含むため記録密度を高くするには限界があ
り、磁気記録媒体に対する高密度記録化への要求が高ま
るにつれ、バインダーを含まない蒸着等の真空成膜法へ
と主流は移ってきた。真空成膜法により形成される金属
薄膜型の磁気記録媒体は、単位体積当たりの磁性体の量
が多く、その分膜厚を薄くすることができるため、磁気
記録媒体の高密度記録化さらに小型化に有望であるとさ
れている。

【０００３】ところで支持体の磁性層と反対の面には、
帯電防止効果によるゴミの付着防止、表面性を制御する
ことにより得られる良好な走行安定性、磁性層側とのバ
ランスをとり反りの発生を防止する、といった理由によ
りバックコート層が形成されている。従来はバックコー
ト層の形成においても塗布する方法が主流であったが、
バインダーの存在によりバックコート層が十分な導電性
を得ることができない、工程途中において大気中に支持
体をさらさなければならずゴミが付着する等の問題があ
った。バックコート層を真空成膜法により形成する方法
では、上記塗布する方法で問題となった導電性とゴミの
付着などの問題は改善することができたが、バックコー
ト層表面が平滑になりすぎる、バックコート層に十分な
硬度を持たせることが難しい、支持体の端面が波状に変
形する、半金属を真空成膜する場合には十分な導電性を
得ることができないといった点が問題となっていた。以
上の問題点に対して本件出願人より、バックコート層を
金属あるいは半金属の二層以上の膜とすることにより適
度な表面性と弾力性を持たせる提案が特開平７−９８８
５３号に、炭素系の膜によりバックコート層を形成する
ことによりバックコート層に十分な硬度を持たせる提案
が特開平８−１０２０４４号に、バックコート層上にダ
イヤモンドライクカーボン層を形成することにより支持
体の端面の変形を抑える提案が特開平８−１０２０５１
号に、半金属と不純物を真空蒸着することによりバック
コート層の導電性を改善する提案が特開平７−９８８３
０号にそれぞれされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】今後より一層の高密度
記録化ならびに小型化が磁気記録媒体に望まれ、支持体
の薄帯化と磁性層の薄膜化が進むものと考えられる。と
ころで良好なヘッドタッチおよび良好な走行性を実現す
るためには適正なステッフネスをもつ磁気記録媒体を得
なければならない。例えば近年の磁気記録媒体の小型化
の要求に答え、支持体の厚さを薄くすると支持体全体と
してのステッフネスが急激に低下し、ヘッドタッチ不良
による出力低下や走行性が悪化するといった問題が生じ
るようになった。特に１μｍ当たりのステッフネスが６
×１０^-3Ｎ／μｍ²以下の弾力性の弱いプラスチックフ
ィルム、例えば広く磁気記録媒体の支持体として使用さ
れているポリエチレンテレフタレート等の厚さ３．０〜
４．５μｍの支持体では問題が顕著に現れた。ここで１
μｍ当たりのステッフネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²より
も大きい、弾力性の強いプラスチックフィルムの使用も
考えられるが、このようなフィルムは例えばアラミドで
あるが、アラミドの価格は現在広く使用されているポリ
エチレンテレフタレートの１０倍以上と大変に高価であ
る。逆に支持体全体としてのステッフネスが大き過ぎて
も良好なヘッドタッチや走行性を得ることはできない。

【０００５】また金属薄膜はバインダーを含まないため
に強い弾力性を持つ。さらに近年では上述のように支持
体上の磁性層とは反対の面のバックコート層も真空成膜
法により形成されるようになった。上記の提案によりバ
ックコート層の表面性あるいは硬さについては改善さ
れ、それとともにバックコート層の強い弾力性も顕在化
するようになった。

【０００６】さて今後は磁気記録媒体自体の小型化や磁
気記録媒体の高密度記録化がさらに進むと考えられ、そ
れにつれ支持体の薄帯化もより進むものと予想される。
そこで本発明では、以上のような問題に鑑み、１μｍ当
たりのステッフネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²以下であり
厚さ３．０〜４．５μｍのプラスチックフィルムの一方
の面に真空成膜法により磁性層を、フィルム上の磁性層
とは反対の面に真空成膜法によりバックコート層を形成
することにより磁気記録媒体全体として適正なステッフ
ネスを持つようにし、それによりステッフネスは大きい
が非常に高価なアラミド等を使用することなしに良好な
走行性を維持できる磁気記録媒体を得ることを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな状況に鑑み、厚さ３．０〜４．５μｍの支持体を用
いて磁性層とバックコート層を真空成膜法により形成し
た場合にも支持体の歪みが防止でき、良好な走行性が得
られる磁気記録媒体を提供するべく研究した結果、厚さ
１μｍのフィルムにおけるステッフネスが６×１０^-3Ｎ
／μｍ²以下であるような厚さ３．０〜４．５μｍのプ
ラスチックフィルムの一方の面に磁性層を、もう一方の
面にバックコート層をそれぞれ真空成膜法により形成す
ることにより前記の目的を達成できることを見出し、本
発明を完成するに至った。

【０００８】本発明に用いられる支持体は、その弾力性
に特徴を有する。すなわち本発明において用いられる支
持体は、３．０〜４．５μｍのプラスチックフィルムで
あり、かつそのフィルムの厚さ１μｍにおけるステッフ
ネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²以下である。ステッフネス
はフィルムの弾力性を評価する値であり、一般にはフィ
ルムの引張力−伸び曲線を測定し、その曲線における初
期の直線部分の傾きから求められる値である。本発明に
用いられる支持体は上記の厚さおよびステッフネスを持
つプラスチックフィルムであれば限定はされず、ポリエ
ステル、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフ
ィン、セルローストリアセテートやセルロースジアセテ
ート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩
化ビニル、ポリイミド、芳香族ポリアミド等の各種プラ
スチックの使用が考えられる。しかし価格の点からは特
にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の使用が好ま
しい。また使用する支持体においてステッフネスで表現
される弾力性を所望の値とするために、プラスチックフ
ィルムの中にフィラーを添加しても良い。フィルム中に
添加されるフィラーはＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、プ
ラスチック等のビーズであり、熱処理あるいは加圧処理
を行うことによりフィルム中に添加される。添加される
フィラーの直径は１５ｎｍ以下であることが特に好まし
い。さらにフィラーはプラスチックフィルム中の表面近
傍に偏在していてもあるいはプラスチックフィルム中に
ランダムに存在していてもどちらでも良い。

【０００９】本発明において磁性層は通常の蒸着やスパ
ッタ等の真空成膜法により形成される。金属薄膜型磁性
層を形成する磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁
気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材料が挙げら
れる。例えばＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の強磁性金属、あるい
はＦｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−
Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃｏ−Ｇｄ、Ｃｏ−Ｓ
ｍ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｎｉ−Ｃｕ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ｓ
ｂ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ等の強磁性合
金が挙げられる。特に磁気記録媒体に使用する磁性材料
の磁気特性の点からは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅを主体とする
強磁性合金およびこれらの酸化物、窒化物、炭化物から
選ばれる少なくとも一種類が好ましい。また本発明にお
いては、磁性層を形成する薄膜の層の数や層の厚さを変
えることにより良好な走行性を実現することができるた
め、上述の強磁性金属や強磁性合金あるいはこれらの酸
化物、窒化物、炭化物はいずれも使用することができ
る。真空成膜の際に酸化性ガスを導入して磁性層表面に
酸化物層を形成することにより耐久性の向上を図ること
ができる。真空成膜法による磁性層は一層でも二層以上
の多層でも良いが、高密度記録のためには多層とするこ
とが好ましく、実用的な範囲としては２〜３層が適当で
ある。また非磁性支持体上に斜め蒸着により磁気記録媒
体の磁性層が形成されることが好ましい。斜め蒸着の方
法は特に限定されず、従来よりの公知の方法に準ずる。
金属薄膜型磁性層の厚さは限定されないが、５００〜５
０００Åが好ましく、特に実用範囲としては８００〜３
０００Åが好ましい。なお二層の場合には、下層が２０
０〜２０００Å程度、上層が１００〜１０００Å程度が
好ましく、三層の場合には下層が２００〜２０００Å程
度、中層が２００〜２０００Å程度、上層が１００〜１
０００Å程度が好ましい。

【００１０】本発明におけるバックコート層は通常の真
空成膜法により、支持体上の磁性層とは反対の面に少な
くとも一層の薄膜より形成される。特にバックコート層
の弾力性を向上させる目的においては二層以上の薄膜よ
り形成されることが好ましい。バックコート層は、真空
チャンバ内で金属あるいは半金属に電子ビームを照射す
ることにより蒸発させる等の方法により、支持体上に付
着させて得られる金属あるいは半金属もしくはそれらの
酸化物、窒化物、酸化物により形成される。バックコー
ト層を形成する材料としては、金属であればＡｌ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ等およびこれらの合金が考
えられる。特に価格、付着速度、酸化後の安定性の点か
らはＣｕ−Ａｌ合金が好ましい。また半金属であればＳ
ｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等が考えられる。さらに導
電率を向上させるために添加物を加えることが好まし
い。また価格と付着速度の点からは特にＳｉが好まし
い。加えてこれら金属あるいは半金属を真空成膜する際
に酸化、窒化、炭化のうちいずれか一つ以上の反応を行
い酸化膜、窒化膜、炭化膜およびそれらの複合膜とする
ことも好ましい。また本発明においては、磁性層を形成
する薄膜の層の数や層の厚さを変えることにより良好な
走行性を実現することができるため、上述の金属や半金
属あるいはこれらの酸化物、窒化物、炭化物はいずれも
使用することができる。バックコート層を形成するの
は、磁性層が形成される前でも後でもどちらでも良い。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、上記の
ようなステッフネスで表現される弾力性と膜厚とを持っ
たプラスチックフィルムを支持体として用いることを特
徴とし、プラスチックフィルムの一方の面に磁性層が、
もう一方の面にバックコート層がそれぞれ真空成膜法に
より成膜され形成される。

【００１２】図１は、本発明により得られる薄膜磁気記
録媒体の製造に適した蒸着装置１の一例を示す。磁性層
を形成する際にも、バックコート層を形成する際にも同
様の装置を用いることができる。ここでは磁性層を成膜
する場合について装置の説明を行う。蒸着装置１の真空
チャンバ２は、ここには図示しない真空排気装置に接続
されている。真空チャンバ２内には冷却キャンロール３
と、この冷却キャンロール３上でプラスチックフィルム
等支持体４を走行させるための巻き出しロール５および
巻き取りロール６が配置されている。冷却キャンロール
３の下方には蒸発源としてルツボ７が配置され、このル
ツボ７内に磁性材料、例えば金属コバルトが収容されて
いる。真空チャンバ２には電子銃８が配置され、ルツボ
７に向け電子ビームを照射し、ルツボ７内の金属コバル
トを蒸発するようになっている。ルツボ７の上方には、
電子ビームの照射により蒸発したるつぼ７から冷却キャ
ンロール３に向かう金属コバルト蒸気の支持体４への入
射角度を限定するための防着板９および９’が斜め蒸着
の行えるように配置されている。また防着板９の直上に
は酸素ガスを供給するためのノズル１０が配置されてい
る。

【００１３】磁性層を形成する際にも、バックコート層
を形成する際にもどちらの場合でも図１のような蒸着装
置１を用いて、同様の操作を行うことにより磁性層ある
いはバックコート層を形成することができる。ここでは
磁性層を形成する場合について説明を行う。真空チャン
バ２内を真空排気装置により所定の真空度とした後、巻
き出しロール５から支持体４を冷却キャンロール３上へ
と走行させる。この時支持体は、予めバックコート層が
形成されていてもされていなくともどちらでも良い。電
子銃８からルツボ７に向け電子ビームを照射し、ルツボ
７内の金属コバルトを溶融蒸発させ、支持体４に対して
蒸着を行う。これはノズル１０より供給される酸素の存
在下において行われる。このように処理された支持体４
は巻き取りロール６に巻き取られる。なお多層構造の磁
性層を形成する場合には、図１のような蒸着装置１を複
数連結して連続的に形成しても良いし、蒸着装置１内で
複数回蒸着を繰り返して形成しても良い。

【００１４】支持体上に必要な磁性層と支持体上の磁性
層と反対の面に必要なバックコート層とをそれぞれ形成
した後、必要があればそれぞれの層の上に保護層さらに
は潤滑層を形成することができる。保護層はＣＶＤ法や
ＰＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン等の高硬度
薄膜を成膜することにより形成される。また潤滑層は、
パーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤を大気中
で塗布、あるいは真空中で噴霧することにより形成され
る。必要な各層の成膜が終了した後、一般的な方法によ
りスリッティング、巻き込み、カセット組み込み等が行
われ、例えば８ｍｍビデオテープとして製品化される。

【００１５】

【実施例】

実施例１フィラーとして直径１０ｎｍのＳｉＯ₂の微粒子が１μ
ｍ³当たり２００コ入り、厚さ１μｍにおけるステッフ
ネスが４．５×１０^-3Ｎ／μｍ²である厚さ３．８μｍ
のポリエチレンテレフタレートを支持体として薄膜磁気
記録媒体を形成した。この支持体に対し、図１の蒸着装
置１を用いて磁性層とバックコート層を形成した。磁性
層の形成については以下のとおりである。真空排気装置
により真空チャンバ２内の真空度を２×１０^-5Ｔｏｒｒ
とした後、電子銃８により出力１５ｋＷでルツボ７内の
金属コバルトに電子ビームを照射し、金属コバルト蒸気
雰囲気とした。支持体４は巻き出しロール５から冷却キ
ャンロール３上を通り、巻き取りロール６へと走行さ
せ、冷却キャンロール３上において磁性層薄膜を成膜し
た。この時支持体４の走行速さは毎分１．２ｍとした。
成膜時にノズル１０より酸素ガスを３０ＳＣＣＭで導入
した。続いて支持体の磁性層とは反対の面にバックコー
ト層を形成した。磁性層を形成した時と同様に、真空チ
ャンバ２内を３×１０^-5Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
電子銃８により出力１５ｋＷでルツボ７内の金属コバル
トに電子ビームを照射し、金属コバルト蒸気雰囲気とし
た。支持体４は巻き出しロール５から冷却キャンロール
３上を通り、巻き取りロール６へと走行させ、冷却キャ
ンロール３上においてバックコート層を成膜した。この
時支持体４の走行速さは毎分２．０ｍとし、ノズル１０
より酸素ガスを４０ＳＣＣＭで導入した。さらに磁性層
上にダイヤモンドライクカーボン膜を１００Å成膜し保
護層とした。また磁性層上の保護層とバックコート層の
上にフッ素系の潤滑剤を潤滑層の膜厚が２０Åとなるよ
うにコーティングし潤滑層を形成した。得られたものを
８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填し、８ｍｍビデオカ
セットを作成した。得られた薄膜磁気記録媒体は、磁性
層が１５００Å、バックコート層が１６００Åであっ
た。また磁気特性は保磁力（Ｈｃ）が１４４０Ｏｅ，飽
和磁束密度（Ｂｓ）が５９００Ｇ、角型比（Ｂｒ／Ｂ
ｓ）が０．９５であった。

【００１６】実施例２実施例１で使用した支持体に対し、実施例１と同じ条件
において金属コバルトの磁性層を形成した。続いて支持
体の磁性層とは反対の面に図１の蒸着装置１を用いてバ
ックコート層を形成した。真空チャンバ２内を３×１０
^-4Ｔｏｒｒまで真空排気した後、電子銃８により出力２
０ｋＷでルツボ７内の珪素に電子ビームを照射し、珪素
蒸気雰囲気とした。支持体４は巻き出しロール５から冷
却キャンロール３上を通り、巻き取りロール６へと走行
させた。この時支持体４の走行速さは毎分３．０ｍと
し、ノズル１０より酸素ガスを５０ＳＣＣＭで導入する
ことにより、冷却キャンロール３上においてＳｉＯ₂の
バックコート層を成膜した。さらに磁性層上にダイヤモ
ンドライクカーボン膜を１１０Å成膜し保護層とした。
また磁性層上の保護層とバックコート層の上にフッ素系
の潤滑剤を潤滑層の膜厚が１２Åとなるようにコーティ
ングし潤滑層を形成した。得られたものを８ｍｍ幅に裁
断し、カセットに装填し、８ｍｍビデオカセットを作成
した。得られた薄膜磁気記録媒体は、磁性層が１５００
Å、バックコート層が２０００Åであった。

【００１７】実施例３実施例１で使用した支持体に対し、実施例１と同じ条件
において金属コバルトの磁性層を形成した。続いて支持
体の磁性層とは反対の面に図１の蒸着装置１を用いて二
層のバックコート層を形成した。真空チャンバ２内を５
×１０^-5Ｔｏｒｒまで真空排気した後、電子銃８により
出力２０ｋＷでルツボ７内の珪素に電子ビームを照射
し、珪素蒸気雰囲気とした。支持体４は巻き出しロール
５から冷却キャンロール３上を通り、巻き取りロール６
へと走行させた。この時支持体４の走行速さは毎分４．
０ｍとし、ノズル１０より酸素ガスを４０ＳＣＣＭで導
入することにより、冷却キャンロール３上においてＳｉ
のバックコート層を成膜し、これを第一層とした。続い
て同様にして、真空チャンバ２内を１×１０^-4Ｔｏｒｒ
まで真空排気した後、電子銃８により出力２０ｋＷでル
ツボ７内の珪素に電子ビームを照射し、珪素蒸気雰囲気
とした。支持体４は巻き出しロール５から冷却キャンロ
ール３上を通り、巻き取りロール６へと走行させた。こ
の時支持体４の走行速さは毎分３．５ｍとし、ノズル１
０より酸素ガスを４０ＳＣＣＭで導入することにより、
冷却キャンロール３上においてＳｉＯ₂のバックコート
層を成膜し、これを第二層とした。さらに磁性層上にダ
イヤモンドライクカーボン膜を９０Å成膜し保護層とし
た。また磁性層上の保護層とバックコート層の上にフッ
素系の潤滑剤を潤滑層の膜厚が１０Åとなるようにコー
ティングし潤滑層を形成した。得られたものを８ｍｍ幅
に裁断し、カセットに装填し、８ｍｍビデオカセットを
作成した。得られた薄膜磁気記録媒体は、磁性層が１５
００Å、バックコート層第一層が１０００Å、バックコ
ート層第二層が１０００Åであった。

【００１８】実施例４フィルム中にフィラーが全く入らず、厚さ１μｍにおけ
るステッフネスが４．１×１０^-3Ｎ／μｍ²である厚さ
３．８μｍのポリエチレンテレフタレートを支持体とし
て薄膜磁気記録媒体を形成した。この支持体に対し、図
１の蒸着装置１を用いて磁性層とバックコート層を形成
した。磁性層の形成については以下のとおりである。真
空排気装置により真空チャンバ２内の真空度を３×１０
^-5Ｔｏｒｒとした後、電子銃８により出力１６ｋＷでル
ツボ７内の金属コバルトに電子ビームを照射し、金属コ
バルト蒸気雰囲気とした。支持体４は巻き出しロール５
から冷却キャンロール３上を通り、巻き取りロール６へ
と走行させ、冷却キャンロール３上において磁性層薄膜
を成膜した。この時支持体４の走行速さは毎分１．４ｍ
とした。成膜時にノズル１０より酸素ガスを３３ＳＣＣ
Ｍで導入した。続いて支持体の磁性層とは反対の面にバ
ックコート層を形成した。磁性層を形成した時と同様
に、真空チャンバ２内を２×１０^-4Ｔｏｒｒまで真空排
気した後、電子銃８により出力２０ｋＷでルツボ７内の
金属コバルトに電子ビームを照射し、金属コバルト蒸気
雰囲気とした。支持体４は巻き出しロール５から冷却キ
ャンロール３上を通り、巻き取りロール６へと走行さ
せ、冷却キャンロール３上においてバックコート層を成
膜した。この時支持体４の走行速さは毎分１．８ｍと
し、ノズル１０より酸素ガスを４５ＳＣＣＭで導入し
た。さらに磁性層上にダイヤモンドライクカーボン膜を
１０５Å成膜し保護層とした。また磁性層上の保護層と
バックコート層の上にフッ素系の潤滑剤を潤滑層の膜厚
が１５Åとなるようにコーティングし潤滑層を形成し
た。得られたものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填
し、８ｍｍビデオカセットを作成した。得られた薄膜磁
気記録媒体は、磁性層が１５００Å、バックコート層が
１６００Åであった。また磁気特性は保磁力（Ｈｃ）が
１４４０Ｏｅ，飽和磁束密度（Ｂｓ）が５９００Ｇ、角
型比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．９５であった。

【００１９】実施例５実施例１で使用した支持体に対し、図２に示すような装
置を用いて磁性層とバックコート層を形成した。磁性層
の形成については以下のとおりである。真空排気装置に
より真空チャンバ内を３×１０^-5Ｔｏｒｒまで真空排気
した後、電子銃１８により出力１０ｋＷでルツボ１７内
の金属鉄に電子ビームを照射し、金属鉄蒸気雰囲気とし
た。支持体４は巻き出しロールから冷却キャンロール１
３上を通り、巻き取りロールへと走行させた。この時支
持体４の走行速さは毎分０．４ｍとし、ノズル２０より
酸素ガスを５ＳＣＣＭで導入した。同時に１０Ａの電流
をフィラメントに流し、加速電圧を８００Ｖ、窒素ガス
流量を１０ＳＣＣＭとしたイオンガン２１により冷却キ
ャンロール１３上の支持体４上にＦｅ−Ｎの磁性膜を成
膜した。バックコート層は磁性膜を形成した時と同様に
図２に示すような装置を用いて成膜を行った。真空チャ
ンバ内を４×１０^-5ｔｏｒｒまで真空排気した後、電子
銃１８により出力６ｋＷでルツボ１７内の金属アルミニ
ウムに電子ビームを照射し、金属アルミニウム蒸気雰囲
気とした。支持体４は巻き出しロールから冷却キャンロ
ール１３上を通り、巻き取りロールへと走行させた。こ
の時支持体４の走行速さは毎分０．８ｍとした。この時
に１０Ａの電流をフィラメントに流し、加速電圧を８０
０Ｖ、窒素ガス流量を１０ＳＣＣＭとしたイオンガン２
１により冷却キャンロール１３上の支持体４上にＡｌ−
Ｎのバックコート層を成膜した。さらに磁性層上にダイ
ヤモンドライクカーボン膜を１１０Å成膜し保護層とし
た。また磁性層上の保護層とバックコート層の上にフッ
素系の潤滑剤を潤滑層の膜厚が１２Åとなるようにコー
ティングし潤滑層を形成した。得られたものを８ｍｍ幅
に裁断し、カセットに装填し、８ｍｍビデオカセットを
作成した。得られた薄膜磁気記録媒体は、磁性層が１８
００Å、バックコート層が２０００Åであった。また磁
気特性は保磁力（Ｈｃ）が１４２０Ｏｅ，飽和磁束密度
（Ｂｓ）が６８００Ｇ、角型比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．７
２であった。

【００２０】比較例１フィルム中にフィラーが全く入らずり、厚さ１μｍにお
けるステッフネスが１５．１×１０^-3Ｎ／μｍ²である
厚さ３．８μｍのアラミドを支持体として薄膜磁気記録
媒体を形成した。この支持体に対し、図１の蒸着装置１
を用いて磁性層を形成した。磁性層の形成については以
下のとおりである。真空排気装置により真空チャンバ２
内の真空度を８×１０^-6Ｔｏｒｒとした後、電子銃８に
より出力２５ｋＷでルツボ７内の金属コバルトに電子ビ
ームを照射し、金属コバルト蒸気雰囲気とした。支持体
４は巻き出しロール５から冷却キャンロール３上を通
り、巻き取りロール６へと走行させ、冷却キャンロール
３上において磁性層薄膜を成膜した。この時支持体４の
走行速さは毎分２．１ｍとした。成膜時にノズル１０よ
り酸素ガスを３５ＳＣＣＭで導入した。続いて支持体の
磁性層とは反対の面にバックコート層を塗布法により形
成した。カーボンバインダーをバックコート層の膜厚が
０．５μｍとなるように塗布してバックコート層を形成
した。さらに磁性層上にダイヤモンドライクカーボン膜
を８０Å成膜し保護層とした。また磁性層上の保護層と
バックコート層の上にフッ素系の潤滑剤を潤滑層の膜厚
が２０Åとなるようにコーティングし潤滑層を形成し
た。得られたものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装填
し、８ｍｍビデオカセットを作成した。得られた薄膜磁
気記録媒体は、磁性層が１５００Åであった。また磁気
特性は保磁力（Ｈｃ）が１４４０Ｏｅ，飽和磁束密度
（Ｂｓ）が５９００Ｇ、角型比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．９
５であった。

【００２１】比較例２フィラーとして直径１０ｎｍのＳｉＯ₂の微粒子が１μ
ｍ³当たり２００コ入り、厚さ１μｍにおけるステッフ
ネスが４．５×１０^-3Ｎ／μｍ²である厚さ３．８μｍ
のポリエチレンテレフタレートを支持体として薄膜磁気
記録媒体を形成した。この支持体に対し、図１の蒸着装
置１を用いて磁性層を形成した。磁性層の形成について
は以下のとおりである。真空排気装置により真空チャン
バ２内の真空度を２×１０^-5Ｔｏｒｒとした後、電子銃
８により出力１８ｋＷでルツボ７内の金属コバルトに電
子ビームを照射し、金属コバルト蒸気雰囲気とした。支
持体４は巻き出しロール５から冷却キャンロール３上を
通り、巻き取りロール６へと走行させ、冷却キャンロー
ル３上において磁性層薄膜を成膜した。この時支持体４
の走行速さは毎分１．６ｍとした。成膜時にノズル１０
より酸素ガスを２８ＳＣＣＭで導入した。続いて支持体
の磁性層とは反対の面にバックコート層を塗布法により
形成した。カーボンバインダーをバックコート層の膜厚
が０．６μｍとなるように塗布してバックコート層を形
成した。さらに磁性層上にダイヤモンドライクカーボン
膜を１１０Å成膜し保護層とした。また磁性層上の保護
層とバックコート層の上にフッ素系の潤滑剤を潤滑層の
膜厚が１３Åとなるようにコーティングし潤滑層を形成
した。得られたものを８ｍｍ幅に裁断し、カセットに装
填し、８ｍｍビデオカセットを作成した。得られた薄膜
磁気記録媒体は、磁性層が１５００Åであった。

【００２２】性能評価実施例および比較例により得られた薄膜磁気記録媒体に
ついて、走行性を評価した。評価は、市販のＨｉ８−Ｖ
ＴＲを改造し、走行速度を従来の１倍、２倍、３倍と変
化させ、ジッタを測定することにより行った。結果を表
１に示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、磁気記録媒体とした時
の全厚さが５μｍ以下となるような薄い媒体の支持体と
して、価格の安いポリエチレンテレフタレートを使用す
ることができ、かつ良好な走行性を有する薄膜磁気記録
媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気記録媒体の製造に使用するこ
とができる装置の一例を示す概略図である。

【図２】本発明の薄膜磁気記録媒体の製造に使用するこ
とができる別の装置の要部の一例を示す概略図である。

【符号の説明】１真空蒸着装置２真空チャンバ３、１３冷却キャンロール４支持体５巻き出しロール６巻き取りロール７、１７ルツボ８、１８電子銃９、９’、１９防着板１０、２０ノズル２１イオンガン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】厚さ１μｍのフィルムにおけるステッフ
ネスが６×１０^-3Ｎ／μｍ²以下であるような厚さ３．
０〜４．５μｍのプラスチックフィルムの一方の面に磁
性層が、もう一方の面にバックコート層がともに真空成
膜法により形成されていることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項２】前記真空成膜法が真空蒸着法である請求
項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記磁性層の薄膜が金属、または金属の
酸化物、窒化物、炭化物の内から選ばれる少なくとも一
種類からなる請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記バックコート層の薄膜が金属あるい
は半金属、または金属あるいは半金属の酸化物、窒化
物、炭化物からなる請求項１または２に記載の磁気記録
媒体。
【請求項５】前記プラスチックフィルムの中に直径１
５ｎｍ以下のフィラーが入っている請求項１〜４のいず
れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】前記バックコート層が少なくとも二層か
ら形成されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。