JPH0949070A - 蒸着用治具 - Google Patents
蒸着用治具Info
- Publication number
- JPH0949070A JPH0949070A JP22588395A JP22588395A JPH0949070A JP H0949070 A JPH0949070 A JP H0949070A JP 22588395 A JP22588395 A JP 22588395A JP 22588395 A JP22588395 A JP 22588395A JP H0949070 A JPH0949070 A JP H0949070A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着用治具に装着したプラスチック基材への
Ａｕ蒸着時に蒸着用治具に対するＡｕの密着強度を高
め、Ａｕの剥脱を無くし、プラスチック基材への落下を
無くして、ＣＤ、ＣＤＲ等の製品の不良発生を防止でき
るようにした蒸着用治具を提供する。 【構成】 Ｃｕ又はＣｕ合金よりなる蒸着用治具の表面
に、Ｐｔめっき層が設けられ、そのＰｔめっき層の表面
にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかのめっき層が設け
られていることを特徴とする蒸着用治具。
Ａｕ蒸着時に蒸着用治具に対するＡｕの密着強度を高
め、Ａｕの剥脱を無くし、プラスチック基材への落下を
無くして、ＣＤ、ＣＤＲ等の製品の不良発生を防止でき
るようにした蒸着用治具を提供する。 【構成】 Ｃｕ又はＣｕ合金よりなる蒸着用治具の表面
に、Ｐｔめっき層が設けられ、そのＰｔめっき層の表面
にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかのめっき層が設け
られていることを特徴とする蒸着用治具。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング、イオ
ンプレーティングなどに用いる蒸着用治具に係り、特に
ＣＤ、ＣＤＲ等のプラスチック基材への真空薄膜を形成
するのに好適な蒸着用治具に関するものである。
ンプレーティングなどに用いる蒸着用治具に係り、特に
ＣＤ、ＣＤＲ等のプラスチック基材への真空薄膜を形成
するのに好適な蒸着用治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング、イオンプレーティン
グ、真空蒸着などに代表される真空薄膜形成技術は、半
導体産業に広く普及している。基材上に真空薄膜を形成
する際には、ホルダーと呼ばれる蒸着用治具に基材を装
着し、基材上に薄膜を形成するのが一般的である。蒸着
用治具の材質としては、ステンレスやチタニウムを使用
するのが一般的である。しかし、光ディスク等のプラス
チック基材に薄膜を形成する際には、放熱を良くして基
材の変形や変質を防止する為に、ＣｕやＣｕ合金よりな
る蒸着用治具が用いられている。ＣｕやＣｕ合金の蒸着
用治具に蒸着した蒸着物を剥すことは、サンドブラスト
法により行われている。Ａｕ又はＡｇ等の貴金属がＣｕ
又はＣｕ合金の蒸着用治具に付着した場合も同様にサン
ドブラスト法により剥離を行うと、おおむね90％前後は
大きく剥がれた貴金属として回収することができる。し
かし、残りの約10％はエメリー内に混入してしまう。エ
メリー内に混入した貴金属を回収すれば、回収率を高め
ることができるが、多くの手間がかかる。全ての貴金属
を回収するには、王水や硝酸、シアン等の薬液で処理す
れば、貴金属を簡単に回収することができる。しかし、
ＣｕやＣｕ合金製の蒸着用治具は、耐蝕製が無いので台
材も溶解してしまい、蒸着用治具を再利用することがで
きなくなる。貴金属も高価な材料であるが、蒸着用治具
も高額であるので、通常は蒸着用治具の再生が可能な前
者の方法が採られている。
グ、真空蒸着などに代表される真空薄膜形成技術は、半
導体産業に広く普及している。基材上に真空薄膜を形成
する際には、ホルダーと呼ばれる蒸着用治具に基材を装
着し、基材上に薄膜を形成するのが一般的である。蒸着
用治具の材質としては、ステンレスやチタニウムを使用
するのが一般的である。しかし、光ディスク等のプラス
チック基材に薄膜を形成する際には、放熱を良くして基
材の変形や変質を防止する為に、ＣｕやＣｕ合金よりな
る蒸着用治具が用いられている。ＣｕやＣｕ合金の蒸着
用治具に蒸着した蒸着物を剥すことは、サンドブラスト
法により行われている。Ａｕ又はＡｇ等の貴金属がＣｕ
又はＣｕ合金の蒸着用治具に付着した場合も同様にサン
ドブラスト法により剥離を行うと、おおむね90％前後は
大きく剥がれた貴金属として回収することができる。し
かし、残りの約10％はエメリー内に混入してしまう。エ
メリー内に混入した貴金属を回収すれば、回収率を高め
ることができるが、多くの手間がかかる。全ての貴金属
を回収するには、王水や硝酸、シアン等の薬液で処理す
れば、貴金属を簡単に回収することができる。しかし、
ＣｕやＣｕ合金製の蒸着用治具は、耐蝕製が無いので台
材も溶解してしまい、蒸着用治具を再利用することがで
きなくなる。貴金属も高価な材料であるが、蒸着用治具
も高額であるので、通常は蒸着用治具の再生が可能な前
者の方法が採られている。
【０００３】このようなことから、本出願人は、Ｃｕ又
はＣｕ合金よりなる蒸着用治具の表面に、Ｐｔめっき層
を設けることにより、特にプラスチック基材への蒸着に
於いて、良好に放熱でき、プラスチック基材の変形を防
止でき、また蒸着時に蒸着用治具の表面にも蒸着したＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄを回収できると共に再生できる蒸着用治
具とその再生方法を開発した。（特願平６−２８８９０
号参照） 然し乍ら、このＰｔめっき層を設けた蒸着用治具を用い
てプラスチック基材にＡｕ蒸着を行うと、蒸着用治具表
面のＰｔとＡｕとの密着性が低い為に、作業中にＡｕが
剥脱するという問題が発生した。剥脱したＡｕはプラス
チック基材である被蒸着物の上に落下するなどしてＣＤ
やＣＤＲ等の品質に支障を来す恐れがある。特にＰｔめ
っき前の蒸着用治具の表面をエッチング法により行った
ものについて多く発生している。この理由として、エッ
チング法を用いたものは、表面がより滑らかであり、さ
らにＰｔとＡｕとの密着強度を低下させているものと思
われる。
はＣｕ合金よりなる蒸着用治具の表面に、Ｐｔめっき層
を設けることにより、特にプラスチック基材への蒸着に
於いて、良好に放熱でき、プラスチック基材の変形を防
止でき、また蒸着時に蒸着用治具の表面にも蒸着したＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄを回収できると共に再生できる蒸着用治
具とその再生方法を開発した。（特願平６−２８８９０
号参照） 然し乍ら、このＰｔめっき層を設けた蒸着用治具を用い
てプラスチック基材にＡｕ蒸着を行うと、蒸着用治具表
面のＰｔとＡｕとの密着性が低い為に、作業中にＡｕが
剥脱するという問題が発生した。剥脱したＡｕはプラス
チック基材である被蒸着物の上に落下するなどしてＣＤ
やＣＤＲ等の品質に支障を来す恐れがある。特にＰｔめ
っき前の蒸着用治具の表面をエッチング法により行った
ものについて多く発生している。この理由として、エッ
チング法を用いたものは、表面がより滑らかであり、さ
らにＰｔとＡｕとの密着強度を低下させているものと思
われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、蒸着
用治具に装着したプラスチック基材へのＡｕ蒸着時に蒸
着用治具に対するＡｕの密着強度を高め、Ａｕの剥脱を
無くし、プラスチック基材への落下を無くしてＣＤ、Ｃ
ＤＲ等の製品の不良発生を防止できるようにした蒸着用
治具を提供しようとするものである。
用治具に装着したプラスチック基材へのＡｕ蒸着時に蒸
着用治具に対するＡｕの密着強度を高め、Ａｕの剥脱を
無くし、プラスチック基材への落下を無くしてＣＤ、Ｃ
ＤＲ等の製品の不良発生を防止できるようにした蒸着用
治具を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の蒸着用治具は、Ｃｕ又はＣｕ合金よりなる蒸
着用治具の表面に、Ｐｔめっき層が設けられ、そのＰｔ
めっき層の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかの
めっき層が設けられていることを特徴とするものであ
る。この蒸着用治具は、特にＣＤ、ＣＤＲ等のプラスチ
ック基材への真空薄膜形成用として好ましい。上記の蒸
着用治具に於けるめっき層の厚さは 0.1〜 1.0μｍが好
ましい。
の本発明の蒸着用治具は、Ｃｕ又はＣｕ合金よりなる蒸
着用治具の表面に、Ｐｔめっき層が設けられ、そのＰｔ
めっき層の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかの
めっき層が設けられていることを特徴とするものであ
る。この蒸着用治具は、特にＣＤ、ＣＤＲ等のプラスチ
ック基材への真空薄膜形成用として好ましい。上記の蒸
着用治具に於けるめっき層の厚さは 0.1〜 1.0μｍが好
ましい。
【０００６】
【作用】上記のように本発明の蒸着用治具は、Ｐｔめっ
き層の表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかの、
Ａｕと密着性の良い金属のめっき層が設けられているの
で、蒸着用治具に装着したプラスチック基材へＡｕ蒸着
した際、蒸着用治具にも装着されるＡｕの密着強度が高
くなる。従って、蒸着作業中Ａｕの剥脱が無くなって、
プラスチック基材への落下が無くなり、ＣＤ、ＣＤＲ等
の製品の不良発生率が大幅に減少する。
き層の表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかの、
Ａｕと密着性の良い金属のめっき層が設けられているの
で、蒸着用治具に装着したプラスチック基材へＡｕ蒸着
した際、蒸着用治具にも装着されるＡｕの密着強度が高
くなる。従って、蒸着作業中Ａｕの剥脱が無くなって、
プラスチック基材への落下が無くなり、ＣＤ、ＣＤＲ等
の製品の不良発生率が大幅に減少する。
【０００７】
【実施例】本発明の蒸着用治具の実施例と従来例につい
て説明する。具体的な実施例に先立って、材料試験につ
いて説明すると、長さ40mm、幅20mm、厚さ 0.5mmのＣｕ
製試験片を用意した。これに実施例１として、そのまま
脱脂、活性化処理を行った後、Ｐｔめっき（プラチナー
ト 100：日本エレクトロプレイティング・エンジニヤー
ス社製使用）５μｍを施し、水洗した後さらにＡｕめっ
き（オーロボンドＴＮ：日本エレクトロプレイテンィグ
・エンジニヤース社製使用） 0.1μｍ施した。次に実施
例２のものとして、用意したＣｕ製試験片にサンドブラ
スト処理を３分間行って粗面化した後、実施例１と同様
にＰｔめっき、次いでＡｕめっきを行った。また従来例
１として、用意したＣｕ製試験片に脱脂、活性化処理を
行った後、Ｐｔめっき５μｍのみを施した。従来例２と
しては、用意したＣｕ製試験片にサンドブラスト処理を
３分間行って粗面化した後、従来例１と同様にＰｔめっ
き５μｍのみを施した。
て説明する。具体的な実施例に先立って、材料試験につ
いて説明すると、長さ40mm、幅20mm、厚さ 0.5mmのＣｕ
製試験片を用意した。これに実施例１として、そのまま
脱脂、活性化処理を行った後、Ｐｔめっき（プラチナー
ト 100：日本エレクトロプレイティング・エンジニヤー
ス社製使用）５μｍを施し、水洗した後さらにＡｕめっ
き（オーロボンドＴＮ：日本エレクトロプレイテンィグ
・エンジニヤース社製使用） 0.1μｍ施した。次に実施
例２のものとして、用意したＣｕ製試験片にサンドブラ
スト処理を３分間行って粗面化した後、実施例１と同様
にＰｔめっき、次いでＡｕめっきを行った。また従来例
１として、用意したＣｕ製試験片に脱脂、活性化処理を
行った後、Ｐｔめっき５μｍのみを施した。従来例２と
しては、用意したＣｕ製試験片にサンドブラスト処理を
３分間行って粗面化した後、従来例１と同様にＰｔめっ
き５μｍのみを施した。
【０００８】以上用意した実施例１、実施例２、従来例
１及び従来例２の試験片にコンパクトディスクへのＡｕ
蒸着を想定した条件でＡｕを1000回単位でスパッタリン
グした。1000回毎にＡｕの剥脱をおこしそうかどうかを
確認して、剥脱をおこしそうになる迄くり返した。まず
1000回Ａｕスパッタリング被覆した試験片をＡｕの剥脱
を起こしてないか確認し、起こしてないものについてシ
アン系Ａｕ溶解液（シアン化カリウムと反応促進剤含
有）に50℃にて浸漬し乍ら空気を吹き込み、Ａｕ被覆を
溶解した。その後、実施例１及び２の試験片について
は、再度オーロボンドＴＮを用いてＡｕめっき 0.1μｍ
を施し、また従来例１及び２の試験片についてはそのま
ま、それぞれの試験片についてＡｕスパッタリングを行
った。このような工程をくり返し、何回スパッタリング
をくり返すまで、スパッタリング中にＡｕの剥脱を起こ
すようなことなくスパッタリングできたかを調べた結果
が表１である。
１及び従来例２の試験片にコンパクトディスクへのＡｕ
蒸着を想定した条件でＡｕを1000回単位でスパッタリン
グした。1000回毎にＡｕの剥脱をおこしそうかどうかを
確認して、剥脱をおこしそうになる迄くり返した。まず
1000回Ａｕスパッタリング被覆した試験片をＡｕの剥脱
を起こしてないか確認し、起こしてないものについてシ
アン系Ａｕ溶解液（シアン化カリウムと反応促進剤含
有）に50℃にて浸漬し乍ら空気を吹き込み、Ａｕ被覆を
溶解した。その後、実施例１及び２の試験片について
は、再度オーロボンドＴＮを用いてＡｕめっき 0.1μｍ
を施し、また従来例１及び２の試験片についてはそのま
ま、それぞれの試験片についてＡｕスパッタリングを行
った。このような工程をくり返し、何回スパッタリング
をくり返すまで、スパッタリング中にＡｕの剥脱を起こ
すようなことなくスパッタリングできたかを調べた結果
が表１である。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１より明らかなようにＡｕめっきを施し
た試験片は、施さないものに比べてスパッタリング可能
な回数が格段と向上している。
た試験片は、施さないものに比べてスパッタリング可能
な回数が格段と向上している。
【００１１】次に、具体的な実施例と従来例について説
明する。図１に示すように直径 140mm、厚さ12mmの円形
のＣｕ製下片１の下面に複数の取付用のねじピン２が固
設され、上面外周部に断面逆Ｌ形の上部内径 115mm、下
部内径 120mm、外径 140mm、高さ８mmの環状のＣｕ製上
片３が下側から止めねじ４にて固定されて、Ｃｕ製蒸着
用治具５が構成され、このＣｕ製蒸着用治具５の表面に
従来例としてＰｔめっき層６が５μｍ施され、実施例と
してさらにそのＰｔめっき層６の上にＡｕめっき層７が
0.5μｍ施されている。この両蒸着用治具に、図２に示
すように中央部に内径15mmの円形穴８を有するドーナツ
形のプラスチック製基板９を図３に示すように装着し、
スパッタリングによりプラスチック製基板９にＡｕを蒸
着した。その結果蒸着用治具のプラスチック製基板装着
後に露出している外周面、上片３の上面及び内周面、下
片１の上面中央部に図４に示すようにＡｕ10が付着し
た。上記スパッタリングによるプラスチック製基板９へ
のＡｕの蒸着作業中、従来例の蒸着用治具にあってはＰ
ｔめっき層６と蒸着Ａｕとの密着強度が高くないため、
極く稀に、Ａｕが剥脱し、これがプラスチック製基板９
の上に落下し、製品の品質に支障を来すことがあった
が、実施例の蒸着用治具にあっては、Ａｕめっき層７と
蒸着Ａｕとの密着強度が高い為、Ａｕが全く剥脱せず、
従って、プラスチック製基板９の上に落下せず、製品の
品質は良好であった。
明する。図１に示すように直径 140mm、厚さ12mmの円形
のＣｕ製下片１の下面に複数の取付用のねじピン２が固
設され、上面外周部に断面逆Ｌ形の上部内径 115mm、下
部内径 120mm、外径 140mm、高さ８mmの環状のＣｕ製上
片３が下側から止めねじ４にて固定されて、Ｃｕ製蒸着
用治具５が構成され、このＣｕ製蒸着用治具５の表面に
従来例としてＰｔめっき層６が５μｍ施され、実施例と
してさらにそのＰｔめっき層６の上にＡｕめっき層７が
0.5μｍ施されている。この両蒸着用治具に、図２に示
すように中央部に内径15mmの円形穴８を有するドーナツ
形のプラスチック製基板９を図３に示すように装着し、
スパッタリングによりプラスチック製基板９にＡｕを蒸
着した。その結果蒸着用治具のプラスチック製基板装着
後に露出している外周面、上片３の上面及び内周面、下
片１の上面中央部に図４に示すようにＡｕ10が付着し
た。上記スパッタリングによるプラスチック製基板９へ
のＡｕの蒸着作業中、従来例の蒸着用治具にあってはＰ
ｔめっき層６と蒸着Ａｕとの密着強度が高くないため、
極く稀に、Ａｕが剥脱し、これがプラスチック製基板９
の上に落下し、製品の品質に支障を来すことがあった
が、実施例の蒸着用治具にあっては、Ａｕめっき層７と
蒸着Ａｕとの密着強度が高い為、Ａｕが全く剥脱せず、
従って、プラスチック製基板９の上に落下せず、製品の
品質は良好であった。
【００１２】尚、本発明の蒸着用治具の上記実施例は、
Ｐｔめっき層６の上にＡｕめっき層７が 0.5μｍ施され
ているが、Ａｇめっき層、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層
などでも上記と同様の結果が得られる。これらめっき層
の厚さを 0.1〜 1.0μｍとした理由は、 0.1μｍ未満で
は蒸着Ａｕとの密着強度が不十分で、 1.0μｍ以上では
さらに密着強度が高くなることがなく、コスト高となる
からである。
Ｐｔめっき層６の上にＡｕめっき層７が 0.5μｍ施され
ているが、Ａｇめっき層、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層
などでも上記と同様の結果が得られる。これらめっき層
の厚さを 0.1〜 1.0μｍとした理由は、 0.1μｍ未満で
は蒸着Ａｕとの密着強度が不十分で、 1.0μｍ以上では
さらに密着強度が高くなることがなく、コスト高となる
からである。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明で判るように本発明の蒸着用
治具は、最外表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれか
のめっき層が設けられているので、これに装着したプラ
スチック基材へのＡｕ蒸着時に蒸着用治具に対するＡｕ
の密着強度が高められ、Ａｕの剥脱が無くなって、プラ
スチック基材への落下が無くなって、ＣＤ、ＣＤＲ等の
製品の不良発生を防止できる。
治具は、最外表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれか
のめっき層が設けられているので、これに装着したプラ
スチック基材へのＡｕ蒸着時に蒸着用治具に対するＡｕ
の密着強度が高められ、Ａｕの剥脱が無くなって、プラ
スチック基材への落下が無くなって、ＣＤ、ＣＤＲ等の
製品の不良発生を防止できる。
【図１】本発明の蒸着用治具の実施例を示す図である。
【図２】Ａｕを蒸着するドーナツ形のプラスチック基板
を示す図である。
を示す図である。
【図３】図１の蒸着用治具に図２のプラスチック基板を
装着した状態を示す図である。
装着した状態を示す図である。
【図４】図３の蒸着用治具に装着したプラスチック基板
にＡｕを蒸着した際に、蒸着用治具にＡｕが付着した状
態を示す図である。
にＡｕを蒸着した際に、蒸着用治具にＡｕが付着した状
態を示す図である。
５ Ｃｕ製蒸着用治具 ６ Ｐｔめっき層 ７ Ａｕめっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山上 明美 神奈川県平塚市長瀞２番14号 田中貴金属 工業株式会社平塚第二工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｕ又はＣｕ合金よりなる蒸着用治具の
表面に、Ｐｔめっき層が設けられ、そのＰｔめっき層の
表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉのいずれかのめっき層が
設けられていることを特徴とする蒸着用治具。 - 【請求項２】 請求項１記載の蒸着用治具が、プラスチ
ック基材への真空薄膜形成用であることを特徴とする蒸
着用治具。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の蒸着用治具に於け
るめっき層の厚さが、 0.1〜 1.0μｍであることを特徴
とする蒸着用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22588395A JPH0949070A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 蒸着用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22588395A JPH0949070A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 蒸着用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949070A true JPH0949070A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16836366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22588395A Pending JPH0949070A (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 蒸着用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0949070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011508079A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスキット及びチャンバをクリーニングするための方法、及び、ルテニウムを回収するための方法 |
| CN110541148A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空蒸镀装置 |
-
1995
- 1995-08-10 JP JP22588395A patent/JPH0949070A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011508079A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-03-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プロセスキット及びチャンバをクリーニングするための方法、及び、ルテニウムを回収するための方法 |
| JP2014194085A (ja) * | 2007-12-19 | 2014-10-09 | Quantam Global Technologies Llc | プロセスキット及びチャンバをクリーニングするための方法、及び、ルテニウムを回収するための方法 |
| CN110541148A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 真空蒸镀装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050725 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051121 |