JPH0951166A - 基板のメッキ前処理方法 - Google Patents
基板のメッキ前処理方法Info
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- JPH0951166A JPH0951166A JP19952395A JP19952395A JPH0951166A JP H0951166 A JPH0951166 A JP H0951166A JP 19952395 A JP19952395 A JP 19952395A JP 19952395 A JP19952395 A JP 19952395A JP H0951166 A JPH0951166 A JP H0951166A
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スルーホール内に施されるメッキ層の厚みが
均一となる基板のメッキ前処理方法を提供する。 【解決手段】 スルーホールを有する基板１にメッキを
施す前に、上記基板１を界面活性剤が含有した液４に浸
漬し、この基板面にクロスする方向（Ｘ）と基板面に沿
った方向（Ｙ及びＺ）に振動を付与しながら界面活性剤
を浸透させる。
均一となる基板のメッキ前処理方法を提供する。 【解決手段】 スルーホールを有する基板１にメッキを
施す前に、上記基板１を界面活性剤が含有した液４に浸
漬し、この基板面にクロスする方向（Ｘ）と基板面に沿
った方向（Ｙ及びＺ）に振動を付与しながら界面活性剤
を浸透させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線板等に
用いられる基板に均一なメッキ層を形成するために、メ
ッキを施す前に行われる基板のメッキ前処理方法に関す
るものである。
用いられる基板に均一なメッキ層を形成するために、メ
ッキを施す前に行われる基板のメッキ前処理方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板用の基板上にメッキ層を
得るために、金属メッキを施す前に処理が行われる。こ
の前処理として、基板の絶縁層が露出した面に密着性が
良好な金属メッキ層を形成するために、基板を界面活性
剤を含有する液に浸漬する方法が採用されている。この
処理の際は、界面活性剤の濃度を均一にするために、液
を循環しながら処理を行っている。
得るために、金属メッキを施す前に処理が行われる。こ
の前処理として、基板の絶縁層が露出した面に密着性が
良好な金属メッキ層を形成するために、基板を界面活性
剤を含有する液に浸漬する方法が採用されている。この
処理の際は、界面活性剤の濃度を均一にするために、液
を循環しながら処理を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、例えば、板厚
１．６ｍｍの基板に形成された直径０．３ｍｍのスルー
ホールにメッキを施した場合、スルーホール内のメッキ
層厚みが不均一となり、欠損が発生する問題がある。こ
れは、スルーホールの直径が基材の厚さに対し小さい場
合、上記界面活性剤がスルーホール内に十分に浸入しな
いために生じると推察される。
１．６ｍｍの基板に形成された直径０．３ｍｍのスルー
ホールにメッキを施した場合、スルーホール内のメッキ
層厚みが不均一となり、欠損が発生する問題がある。こ
れは、スルーホールの直径が基材の厚さに対し小さい場
合、上記界面活性剤がスルーホール内に十分に浸入しな
いために生じると推察される。
【０００４】本発明は上記事実に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、スルーホール内に施され
るメッキ層の厚みが均一となる基板のメッキ前処理方法
を提供することにある。
で、その目的とするところは、スルーホール内に施され
るメッキ層の厚みが均一となる基板のメッキ前処理方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
基板のメッキ前処理方法は、スルーホールを有する基板
にメッキを施す前に、上記基板を界面活性剤が含有した
液に浸漬し、この基板面にクロスする方向と基板面に沿
った方向に振動を付与しながら界面活性剤を基板に浸透
させることを特徴とする。
基板のメッキ前処理方法は、スルーホールを有する基板
にメッキを施す前に、上記基板を界面活性剤が含有した
液に浸漬し、この基板面にクロスする方向と基板面に沿
った方向に振動を付与しながら界面活性剤を基板に浸透
させることを特徴とする。
【０００６】本発明の請求項２に係る基板のメッキ前処
理方法は、請求項１記載の基板のメッキ前処理方法にお
いて、上記基板面にクロスする方向に加速度が１．０〜
９．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とする。
理方法は、請求項１記載の基板のメッキ前処理方法にお
いて、上記基板面にクロスする方向に加速度が１．０〜
９．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とする。
【０００７】本発明の請求項３に係る基板のメッキ前処
理方法は、請求項１又は請求項２記載の基板のメッキ前
処理方法において、上記基板面に沿った方向に加速度が
１．０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴と
する。
理方法は、請求項１又は請求項２記載の基板のメッキ前
処理方法において、上記基板面に沿った方向に加速度が
１．０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴と
する。
【０００８】
【実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて詳しく説
明する。
明する。
【０００９】図１は本発明の一実施の形態に係る処理装
置の要部を示した斜視図であり、図２は図１の要部概略
を示した断面図である。
置の要部を示した斜視図であり、図２は図１の要部概略
を示した断面図である。
【００１０】本発明は、プリント配線板用の基板１に均
一な厚みのメッキ層を形成するために、金属メッキを施
す前に行う前処理方法に関するものである。上記基板１
としては、アルミナ等のセラミック系の絶縁基板、基材
にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸し硬化して得られる絶縁
基板等、各種基板が挙げられる。上記金属メッキは無電
解金属めっきでも、電解金属めっきでもよい。上記基板
１はスルーホール３が形成されている。
一な厚みのメッキ層を形成するために、金属メッキを施
す前に行う前処理方法に関するものである。上記基板１
としては、アルミナ等のセラミック系の絶縁基板、基材
にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸し硬化して得られる絶縁
基板等、各種基板が挙げられる。上記金属メッキは無電
解金属めっきでも、電解金属めっきでもよい。上記基板
１はスルーホール３が形成されている。
【００１１】本発明の一実施の形態に係る処理装置は、
図１及び図２に示す如く、槽６に界面活性剤を含有した
液４が満たされ、この液５の上方には、上記液４中に設
置した基板を吊り下げた治具５が備えられている。上記
処理装置は治具５に連接して振動体２を備えており、こ
の振動体２は外部の発振器７と電気回路で接続され、外
部からの電気エネルギーを機械的に変換することにより
振動を発生する。
図１及び図２に示す如く、槽６に界面活性剤を含有した
液４が満たされ、この液５の上方には、上記液４中に設
置した基板を吊り下げた治具５が備えられている。上記
処理装置は治具５に連接して振動体２を備えており、こ
の振動体２は外部の発振器７と電気回路で接続され、外
部からの電気エネルギーを機械的に変換することにより
振動を発生する。
【００１２】本発明においては、上記発振器７からの信
号により振動体２で発生した振動が、治具５を介して、
治具５に吊り下げられた基板１に伝えられ、上記基板面
にクロスする方向（Ｘ方向と記す）、及び、基板面に沿
った方向に振動が付与される。なお、上記基板面に沿っ
た方向とは、図１に示す如く、水平方向の成分（Ｙ方向
と記す）と垂直方向の成分（Ｚ方向と記す）がある。こ
の基板面にクロスする方向、及び、基板面に沿った方向
の振動により、液４中の界面活性剤がスルーホール３内
に浸入し、スルーホール３の内壁に界面活性剤を十分に
浸透させることができる。
号により振動体２で発生した振動が、治具５を介して、
治具５に吊り下げられた基板１に伝えられ、上記基板面
にクロスする方向（Ｘ方向と記す）、及び、基板面に沿
った方向に振動が付与される。なお、上記基板面に沿っ
た方向とは、図１に示す如く、水平方向の成分（Ｙ方向
と記す）と垂直方向の成分（Ｚ方向と記す）がある。こ
の基板面にクロスする方向、及び、基板面に沿った方向
の振動により、液４中の界面活性剤がスルーホール３内
に浸入し、スルーホール３の内壁に界面活性剤を十分に
浸透させることができる。
【００１３】上記基板面にクロスする方向（Ｘ方向）の
振動は加速度１．０〜９．０Ｇの範囲であることが望ま
しい。クロスする方向の振動が加速度１．０Ｇ未満であ
ると、上記界面活性剤の浸入が不十分となるし、９．０
Ｇを超えると液４が波立ちスルーホール３内の界面活性
剤の濃度分布を不均一にする恐れがある。上記基板面に
沿った方向（Ｙ及びＺ方向）の加速度は１．０〜７．０
Ｇの範囲であることが望ましい。沿った方向の振動が加
速度１．０Ｇ未満であると、上記界面活性剤の浸入が不
十分となるし、７．０Ｇを超えると液４が波立ちスルー
ホール３内の界面活性剤の濃度分布を不均一にする恐れ
がある。
振動は加速度１．０〜９．０Ｇの範囲であることが望ま
しい。クロスする方向の振動が加速度１．０Ｇ未満であ
ると、上記界面活性剤の浸入が不十分となるし、９．０
Ｇを超えると液４が波立ちスルーホール３内の界面活性
剤の濃度分布を不均一にする恐れがある。上記基板面に
沿った方向（Ｙ及びＺ方向）の加速度は１．０〜７．０
Ｇの範囲であることが望ましい。沿った方向の振動が加
速度１．０Ｇ未満であると、上記界面活性剤の浸入が不
十分となるし、７．０Ｇを超えると液４が波立ちスルー
ホール３内の界面活性剤の濃度分布を不均一にする恐れ
がある。
【００１４】その後、上記基板１に金属メッキが施さ
れ、スルーホール３内に均一な厚みのメッキ層が形成さ
れる。特に、本発明の効果は上記スルーホール３の直径
が基板１の板厚に対し小さい、例えば、径０．５〜０．
２ｍｍ程度のスルーホール３を有した板厚１．６ｍｍの
基板に顕著に現れる。
れ、スルーホール３内に均一な厚みのメッキ層が形成さ
れる。特に、本発明の効果は上記スルーホール３の直径
が基板１の板厚に対し小さい、例えば、径０．５〜０．
２ｍｍ程度のスルーホール３を有した板厚１．６ｍｍの
基板に顕著に現れる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を挙げる。
実施例及び比較例は同一種類の基板、界面活性剤含有
液、及び、メッキ液を用いた。上記基板はサイズ１００
×２００ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのガラス布基材エポキシ
樹脂積層板に、直径０．３ｍｍのスルーホールを１００
０穴あけたものを用いた。界面活性剤含有液は、市販の
シプレイ株式会社製のコンディショナー２３１を１００
０ｍｇ／リットルの割合で希釈した水溶液を用いた。メ
ッキは電解銅メッキを行った。このメッキ液の組成は、
硫酸銅（５水塩）８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ／リ
ットル、塩素イオン６０ｍｇ／リットルの割合であっ
た。
実施例及び比較例は同一種類の基板、界面活性剤含有
液、及び、メッキ液を用いた。上記基板はサイズ１００
×２００ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのガラス布基材エポキシ
樹脂積層板に、直径０．３ｍｍのスルーホールを１００
０穴あけたものを用いた。界面活性剤含有液は、市販の
シプレイ株式会社製のコンディショナー２３１を１００
０ｍｇ／リットルの割合で希釈した水溶液を用いた。メ
ッキは電解銅メッキを行った。このメッキ液の組成は、
硫酸銅（５水塩）８０ｇ／リットル、硫酸１８０ｇ／リ
ットル、塩素イオン６０ｍｇ／リットルの割合であっ
た。
【００１６】実施例１〜３ 基板を界面活性剤を含有した液中に吊り下げた後に、こ
の基板を吊り下げた治具に備えた振動体を稼働させ、基
板に振動を与えた。基板におけるこの振動の加速度を振
動測定器で測定した。振動測定器はピックアップ器（ブ
リューエル＆ケアー社製：４３７５型）とチャージアン
プ（ブリューエル＆ケアー社製：２６３５型）からな
り、上記基板面にクロスする方向の成分（Ｘ方向）、及
び、基板面に沿った水平方向の成分（Ｙ方向）と垂直方
向の成分（Ｚ方向）が表１に示す如く測定された。基板
を界面活性剤の液に浸漬していた時間は５分間であっ
た。
の基板を吊り下げた治具に備えた振動体を稼働させ、基
板に振動を与えた。基板におけるこの振動の加速度を振
動測定器で測定した。振動測定器はピックアップ器（ブ
リューエル＆ケアー社製：４３７５型）とチャージアン
プ（ブリューエル＆ケアー社製：２６３５型）からな
り、上記基板面にクロスする方向の成分（Ｘ方向）、及
び、基板面に沿った水平方向の成分（Ｙ方向）と垂直方
向の成分（Ｚ方向）が表１に示す如く測定された。基板
を界面活性剤の液に浸漬していた時間は５分間であっ
た。
【００１７】その後、上記基板を陰極とし、この基板を
挟んで両側に陽極として銅ボールを用い、銅メッキを施
した。電流密度の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2 に設定し、
２０分間銅メッキを施した。
挟んで両側に陽極として銅ボールを用い、銅メッキを施
した。電流密度の初期値を２．０Ａ／ｄｍ2 に設定し、
２０分間銅メッキを施した。
【００１８】比較例１ 基板に振動を与えず界面活性剤の液に浸透した以外は実
施例１〜３と同様にして前処理、及び、メッキを行っ
た。
施例１〜３と同様にして前処理、及び、メッキを行っ
た。
【００１９】実施例１〜３、及び、比較例１のスルーホ
ール内のメッキ層厚みのばらつきを評価した。基板をメ
ッキした後に、顕微鏡観察により、スルーホール断面の
欠損数について測定した。結果は表１に示す通り、実施
例１〜３はいずれも比較例に比べ良好であった。
ール内のメッキ層厚みのばらつきを評価した。基板をメ
ッキした後に、顕微鏡観察により、スルーホール断面の
欠損数について測定した。結果は表１に示す通り、実施
例１〜３はいずれも比較例に比べ良好であった。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の請求項１乃至請求項３いずれか
に係る基板のメッキ前処理方法によると、基板面にクロ
スする方向、及び、基板面に沿った方向の振動により、
界面活性剤がスルーホール内に浸入し、スルーホールの
内壁に界面活性剤を十分に浸透させることができるの
で、スルーホール内に施されるメッキ層の厚みが均一と
なる。その結果、スルーホール内にメッキ欠損が発生す
ることを防止する。
に係る基板のメッキ前処理方法によると、基板面にクロ
スする方向、及び、基板面に沿った方向の振動により、
界面活性剤がスルーホール内に浸入し、スルーホールの
内壁に界面活性剤を十分に浸透させることができるの
で、スルーホール内に施されるメッキ層の厚みが均一と
なる。その結果、スルーホール内にメッキ欠損が発生す
ることを防止する。
【図１】本発明の一実施の形態に係る処理装置の要部を
示した斜視図である。
示した斜視図である。
【図２】図１の要部概略を示した断面図である。
１ 基板 ２ 振動体 ３ スルーホール ４ 液 ５ 治具 ６ 槽 ７ 発振器 Ｘ 基板面にクロスする方向 Ｙ 基板面に沿った（水平）方向 Ｚ 基板面に沿った（垂直）方向
Claims (3)
- 【請求項１】 スルーホールを有する基板にメッキを施
す前に、上記基板を界面活性剤が含有した液に浸漬し、
この基板面にクロスする方向と基板面に沿った方向に振
動を付与しながら界面活性剤を基板に浸透させることを
特徴とする基板のメッキ前処理方法。 - 【請求項２】 上記基板面にクロスする方向に加速度が
１．０〜９．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴と
する請求項１記載の基板のメッキ前処理方法。 - 【請求項３】 上記基板面に沿った方向に加速度が１．
０〜７．０Ｇの範囲の振動を付与することを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の基板のメッキ前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19952395A JPH0951166A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 基板のメッキ前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19952395A JPH0951166A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 基板のメッキ前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951166A true JPH0951166A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16409251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19952395A Withdrawn JPH0951166A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 基板のメッキ前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0951166A (ja) |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP19952395A patent/JPH0951166A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |