JPH0957110A - ルイス酸触媒 - Google Patents

ルイス酸触媒

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JPH0957110A
JPH0957110A JP7219165A JP21916595A JPH0957110A JP H0957110 A JPH0957110 A JP H0957110A JP 7219165 A JP7219165 A JP 7219165A JP 21916595 A JP21916595 A JP 21916595A JP H0957110 A JPH0957110 A JP H0957110A
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JP
Japan
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group
lewis acid
acid catalyst
catalyst according
producing
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JP7219165A
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English (en)
Inventor
Koichi Mikami
幸一 三上
Osamu Kodera
治 小寺
Yukihiro Motoyama
幸弘 本山
Toshimichi Maruta
順道 丸田
Hiroaki Sakaguchi
博昭 阪口
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Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
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Publication date
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 求電子反応による有機合成反応における触媒
活性を増大させたルイス酸触媒を提供する。 【解決手段】 一般式［Ｉ］ 【化１】 で示されるルイス酸触媒。 【効果】 求電子反応による有機合成反応における反応
速度が加速され、また、選択率および収率が向上する。
特に、不斉な配位子を使用することにより、不斉合成反
応において非常に高い選択性で不斉化合物を製造するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品、農薬、各
種機能材料などの製造、あるいは、それらの中間体など
の製造に有用に利用される一般式［Ｉ］
【０００２】
【化３３】
【０００３】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシ
クロペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6
〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3
およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パー
フルオロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
およびＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、
または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、
あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を
形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元
素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、
ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから
選ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または
−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示さ
れるルイス酸触媒に関する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、金属塩をルイス
酸触媒として有機合成反応に用いる場合、通常のハロゲ
ン化物、酢酸塩、炭酸塩などの金属塩ではジクロロメタ
ンなどの非極性溶媒に対する溶解度が極めて小さいた
め、金属イオンに対する配位能が大きいエーテルやアセ
トニトリルなどの非プロトン性極性溶媒を用いる必要が
ある。しかしながら、これらの極性溶媒中では金属イオ
ンに溶媒分子が強く配位するため、反応基質に対する金
属イオンの親電子的なルイス酸触媒活性が極端に減少し
てしまうという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、求電子
反応による有機合成反応における触媒活性を増大させた
ルイス酸触媒を提供することにある。
【０００６】本発明者らは、上記の従来の問題点に鑑
み、鋭意、検討の結果、種々のパーフルオロアルカンス
ルホニルイミド基を有する錯体を触媒として用いること
により、種々の求電子反応による有機合成反応において
反応速度が加速され、選択率および収率が向上し、特に
不斉な配位子を使用することにより、不斉合成反応にお
いて非常に高い選択性で不斉化合物を製造することがで
きることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明の第１は、一般式［Ｉ］
【０００８】
【化３４】
【０００９】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシ
クロペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6
〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3
およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パー
フルオロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
およびＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、
または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、
あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を
形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元
素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、
ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから
選ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または
−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示さ
れるルイス酸触媒である。
【００１０】また、本発明の第２は、一般式［ＩＩ］
【００１１】
【化３５】
【００１２】［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−ＯＲ
7（Ｒ7は水素原子または低級アルキル基を表す。）、−
ＯＯＣＲ8（Ｒ8は低級アルキル基を表す。）または−Ｏ
3ＳＲ9（Ｒ 9は低級アルキル基または置換もしくは非置
換のアリール基を表す。）を表し、Ｒ1は置換もしくは
非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、ある
いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
を表す。］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］
【００１３】
【化３６】
【００１４】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることを特徴とす
る一般式［Ｉ］
【００１５】
【化３７】
【００１６】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシ
クロペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6
〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3
およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パー
フルオロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
およびＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、
または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、
あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を
形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元
素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、
ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから
選ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または
−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示さ
れるルイス酸触媒の製造方法である。
【００１７】また、本発明の第３は、一般式［ＩＶ］
【００１８】
【化３８】
【００１９】［式中、Ｒ1は置換もしくは非置換のシク
ロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を
表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロペンタジエニ
ル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2
Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそ
れぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキ
ル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれ
ぞれ独立に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3およ
びＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4お
よびＲ6がいっしょになって２価の基を形成する。〕を
表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ］
【００２０】
【化３９】
【００２１】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍはアルカリ土
類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマ
ニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレ
ンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍは該当する
Ｍの原子価の整数を表す。］で示される化合物とを反応
させることを特徴とする一般式［Ｉ］
【００２２】
【化４０】
【００２３】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もし
くは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または
−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシ
クロペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6
〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3
およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パー
フルオロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5
およびＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、
または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、
あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を
形成する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元
素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、イン
ジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、
ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから
選ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整
数を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または
−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示さ
れるルイス酸触媒の製造方法である。
【００２４】さらに、本発明の第４は、一般式［ＩＩ］
【００２５】
【化４１】
【００２６】［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−ＯＲ
7（Ｒ7は水素原子または低級アルキル基を表す。）、−
ＯＯＣＲ8（Ｒ8は低級アルキル基を表す。）または−Ｏ
3ＳＲ9（Ｒ 9は低級アルキル基または置換もしくは非置
換のアリール基を表す。）を表し、Ｒ1は置換もしくは
非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、ある
いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
を表す。］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］
【００２７】
【化４２】
【００２８】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより得ら
れるルイス酸触媒である。
【００２９】さらには、本発明の第５は、一般式［Ｉ
Ｖ］
【００３０】
【化４３】
【００３１】［式中、Ｒ1は置換もしくは非置換のシク
ロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を
表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロペンタジエニ
ル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2
Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそ
れぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキ
ル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれ
ぞれ独立に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3およ
びＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4お
よびＲ6がいっしょになって２価の基を形成する。〕を
表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ］
【００３２】
【化４４】
【００３３】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍはアルカリ土
類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマ
ニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレ
ンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍは該当する
Ｍの原子価の整数を表す。］で示される化合物とを反応
させることにより得られるルイス酸触媒である。
【００３４】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
一般式［Ｉ］で示されるルイス酸触媒の中心元素である
Ｍとしては、従来よりルイス酸として広く使用されてい
るチタン、アルミニウム、ホウ素などはもちろんのこ
と、その他の多くの元素を使用することができ、具体的
には、アルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ
素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、
ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、
ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を使用
することができる。
【００３５】なお、本発明における上記のアルカリ土類
金属とは、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ス
トロンチウム、バリウムまたはラジウムを示す。また、
本発明における上記の希土類元素とは、スカンジウム、
イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネ
オジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガ
ドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムまたはルテ
チウムを示す。また、本発明における上記の遷移金属と
は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、
ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステ
ン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウ
ム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニ
ッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミ
ウムまたは水銀を示す。
【００３６】また、本発明の一般式［Ｉ］で示されるル
イス酸触媒の中心元素であるＭの配位子として使用され
るのは、Ｘとしては−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2
Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそ
れぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキ
ル基を表す。）を表す。〕が使用され、Ｒ1としては置
換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3
または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4が使用され、Ｒ2としては置換も
しくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ5また
は−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は
−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒ f 3およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素
原子または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表
し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に低級アル
キル基を表すか、または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3および
Ｒ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっし
ょになって２価の基を形成する。〕が使用される。これ
らの配位子Ｘ、Ｒ1およびＲ2は、どのような組み合わせ
としてもよいが、本発明の一般式［Ｉ］で示される化合
物が充分なルイス酸活性を示すためには、強力に電子を
引きつけるパーフルオロアルカンスルホニルイミド基−
Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または−Ｎ（Ｔf 4）
Ｒ6のうちの少なくとも１つを有することが必要であ
り、より強いルイス酸活性を示すためには、これらのパ
ーフルオロアルカンスルホニルイミド基をより多く有す
ることが好ましい。
【００３７】なお、本発明における上記の低級アルキル
基とは、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有するア
ルキル基を示し、具体的には、たとえば、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−オクチル基などを挙げることができ
る。また、本発明における上記の低級パーフルオロアル
キル基とは、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖を有す
るパーフルオロアルキル基を示し、具体的には、たとえ
ば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
ｎ−ヘプタフルオロプロピル基、ｉｓｏ−ヘプタフルオ
ロプロピル基、ｎ−ノナフルオロブチル基、ｉｓｏ−ノ
ナフルオロブチル基、ｓｅｃ−ノナフルオロブチル基、
ｔｅｒｔ−ノナフルオロブチル基、ｎ−ウンデカフルオ
ロペンチル基、ｎ−トリデカフルオロヘキシル基、ｎ−
ペンタデカフルオロヘプチル基、ｎ−ヘプタデカフルオ
ロオクチル基などを挙げることができる。
【００３８】また、本発明における上記のＲ3、Ｒ4、Ｒ
5、Ｒ6は、それぞれが独立に低級アルキル基である場合
の他、Ｒ1に含まれるＲ3またはＲ4とＲ2に含まれるＲ5
またはＲ6のうちの２つが一組となって、すなわち、Ｒ3
およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、
Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成しても
よく、たとえば、
【００３９】
【化４５】
【００４０】
【化４６】
【００４１】
【化４７】
【００４２】
【化４８】
【００４３】などを挙げることができる。これらの例示
した２価の基は、いずれも不斉な基であり、このような
不斉な２価の基を有する場合には、本発明の一般式
［Ｉ］で示されるルイス酸触媒は、特に重要である。
【００４４】すなわち、このような場合には、本発明の
一般式［Ｉ］で示される化合物は、ルイス酸性と不斉な
配位子とを合わせ持つ触媒となり、この触媒を有機合成
反応に使用した場合、そのルイス酸性によって反応速度
が加速され、選択率および収率が向上するのと同時に、
その不斉な配位子の働きによって非常に高い選択性で不
斉化合物を製造することができることとなる。したがっ
て、特にこのような不斉な配位子を有する場合には、本
発明の一般式［Ｉ］で示されるルイス酸触媒は、医薬品
をはじめ、農薬、液晶材料などのさまざまな分野におい
て、非常に有用であり、かつ、極めて優れた触媒であ
る。
【００４５】上記の本発明の一般式［Ｉ］で示されるル
イス酸触媒は、求電子反応による有機合成反応であれば
いずれの反応においても利用が可能であり、たとえば、
ディールス−アルダー反応、ヘテロ−ディールス−アル
ダー反応、マイケル付加反応、フリーデル−クラフト反
応、アルコール類やアミン類のアシル化反応、エン反
応、アルデヒド類のアリル化反応、アミン類の共役付加
反応、グリコシル化反応、オレフィン類の重合反応など
を挙げることができ、これらの反応において、上述のよ
うに非常に有用、かつ、極めて優れた触媒である。
【００４６】以上のような本発明の一般式［Ｉ］で示さ
れるルイス酸触媒は、種々の方法により製造することが
でき、たとえば、一般式［ＩＩ］
【００４７】
【化４９】
【００４８】［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−ＯＲ
7（Ｒ7は水素原子または低級アルキル基を表す。）、−
ＯＯＣＲ8（Ｒ8は低級アルキル基を表す。）または−Ｏ
3ＳＲ9（Ｒ 9は低級アルキル基または置換もしくは非置
換のアリール基を表す。）を表し、Ｒ1は置換もしくは
非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、ある
いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
を表す。］で示される化合物と一般式［ＩＩＩ］
【００４９】
【化５０】
【００５０】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−
Ａｇ、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙ
はＭ’が−Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１
であり、Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２であ
る。］で示される化合物とを反応させることにより製造
することができる。
【００５１】また、本発明の一般式［Ｉ］で示されるル
イス酸触媒は、一般式［ＩＶ］
【００５２】
【化５１】
【００５３】［式中、Ｒ1は置換もしくは非置換のシク
ロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を
表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロペンタジエニ
ル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2
Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそ
れぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキ
ル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれ
ぞれ独立に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3およ
びＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4お
よびＲ6がいっしょになって２価の基を形成する。〕を
表す。］で示される化合物と一般式［Ｖ］
【００５４】
【化５２】
【００５５】［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−
ＳＯ2Ｒf 1を表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2
はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフルオロア
ルキル基を表す。）を表す。〕を表し、Ｍはアルカリ土
類金属、希土類元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウ
ム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマ
ニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレ
ンまたはテルルから選ばれる元素を表し、ｍは該当する
Ｍの原子価の整数を表す。］で示される化合物とを反応
させることによっても製造することができる。
【００５６】これらの本発明の製造方法における出発原
料である一般式［ＩＩ］で示される化合物、一般式［Ｉ
ＩＩ］で示される化合物、一般式［ＩＶ］で示される化
合物および一般式［Ｖ］で示される化合物は、市販され
ているか、または、公知の方法により容易に製造するこ
とができ、いずれの化合物も容易に入手することができ
る。
【００５７】また、これらの本発明の製造方法における
反応は、通常、溶媒を使用して行われるが、使用される
溶媒としては特に限定はなく、一般に使用されているも
のを広く使用することができ、たとえば、水、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノ
ール、ｎ−ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール、ｓｅｃ−
ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンチルアル
コール、ｎ−ヘキシルアルコールなどのアルコール類、
ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オク
タンなどの脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、シクロ
ヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどの脂環
式炭化水素類、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ
−キシレン、ｐ−キシレンなどの芳香族炭化水素類、四
塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエ
タン（ＥＤＣ）、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼ
ン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼンなど
のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エチレングリコー
ルジメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類、酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトンなど
のエステル類、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどの
ニトリル類、ピリジンなどの第３級アミン類、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドンなどの
酸アミド類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スル
ホランなどの含硫黄化合物類、ニトロメタン、ニトロエ
タンなどのニトロ化合物類、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸などの有機酸類、無水酢酸、無水プロピオ
ン酸、無水酪酸、無水イソ酪酸などの有機酸無水物類な
どを挙げることができる。
【００５８】
【発明の実施の形態】以下、実施例により、本発明の実
施の形態を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例に限定されるものではない。
【００５９】
【実施例】実施例１（触媒の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミド酸（５６２ｍ
ｇ、２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（８ｍＬ）に溶解
し、これに式［ＶＩ］で示される化合物（２９５μＬ、
１ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下、室温で添加した。室
温で撹拌後、減圧下、溶媒を留去した。固体の残渣をペ
ンタンで洗浄し、ペンタン／エーテルから再結晶し、式
［ＶＩＩ］で示される化合物を得た。
【００６０】
【化５３】
【００６１】
【化５４】
【００６２】実施例２（触媒の調製） 式［ＶＩＩＩ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水
アセトニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタ
ンスルホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニ
トリル溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上
に注意深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式
［ＩＸ］で示される化合物を白色の結晶として得た。
【００６３】
【化５５】
【００６４】
【化５６】
【００６５】実施例３（触媒の調製） 式［Ｘ］で示される化合物（５ｍｍｏｌ）を無水アセト
ニトリルに溶解し、これにビストリフルオロメタンスル
ホニルイミド銀（１０ｍｍｏｌ）の無水アセトニトリル
溶液を添加し、撹拌した。ろ過後、無色のろ液上に注意
深くヘキサン層を形成した。２４時間放置後、式［Ｘ
Ｉ］で示される化合物を結晶として得た。
【００６６】
【化５７】
【００６７】
【化５８】
【００６８】実施例４（触媒の調製） 式［ＸＩＩ］で示される（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジフ
ェニルエチレンジアミンのビストリフィルアミド（４８
ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２ｍ
Ｌ）中、水素化ナトリウム（０．２ｍｍｏｌ）と室温で
３０分間反応させた。これにビストリフルオロメタンス
ルホニルイミドイッテルビウム（１０１ｍｇ、０．１ｍ
ｍｏｌ）および水（１．２ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌し
た。１時間撹拌後、減圧下、溶媒を留去し、式［ＸＩＩ
Ｉ］で示される化合物を得た。
【００６９】
【化５９】
【００７０】
【化６０】
【００７１】実施例５（触媒の調製） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
イットリウムを用いた他は実施例４と全く同様にして式
［ＸＩＶ］で示される化合物を得た。
【００７２】
【化６１】
【００７３】実施例６（フリーデル−クラフト反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０７ｍｍｏｌ）をニトロエタン（３ｍＬ）に溶解
し、これにアニソール（１０９μＬ、１ｍｍｏｌ）およ
び無水酢酸（１８８μＬ、２ｍｍｏｌ）を室温で添加し
た。室温で５分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希
釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。
ろ過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出し
た。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘ
キサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、式［Ｘ
Ｖ］で示される化合物（Ｒ＝−ＣＨ3）を収率８６％で
得た。
【００７４】
【化６２】
【００７５】実施例７（フリーデル−クラフト反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０２ｍｍｏｌ）をニトロエタン（３ｍＬ）に溶解
し、これにジフェニルエーテル（１ｍｍｏｌ）および無
水酢酸（１８８μＬ、２ｍｍｏｌ）を室温で添加した。
室温で１時間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈
し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ
過後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出し
た。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を
無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘ
キサン／酢酸エチル＝３／１）により精製し、式［Ｘ
Ｖ］で示される化合物（Ｒ＝−Ｃ5Ｈ6）を収率６０％で
得た。
【００７６】実施例８（アルコール類のアシル化反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に溶
解し、これに１−フェニル−１−プロパノール（１３７
μＬ、１ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１１３μＬ、１．
２ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で１分間撹拌した
後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水
溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ液をエーテルで
３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層を合わせ、飽和
食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下、溶媒を留去し、１−アセトキシ−１−フ
ェニルプロパンを収率９０％で得た。
【００７７】実施例９（アルコール類のアシル化反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に溶
解し、これにフェノール（１ｍｍｏｌ）および無水酢酸
（１１３μＬ、１．２ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室
温で１分間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、
飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過
後、ろ液をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。
有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、ア
セトキシベンゼンを定量的に得た。
【００７８】実施例１０（アルコール類のアシル化反
応） 溶媒としてジクロロメタンの代わりにトルエンを用いた
他は実施例９と全く同様にしてアセトキシベンゼンを定
量的に得た。
【００７９】実施例１１（アルコール類のアシル化反
応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０２ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に溶
解し、これに２，６−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−
メチルフェノール（１ｍｍｏｌ）および無水酢酸（１１
３μＬ、１．２ｍｍｏｌ）を室温で添加した。室温で１
時間撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和Ｎ
ａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ液
をエーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層を
合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去し、１−アセト
キシ−２，６−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）−４−メチル
ベンゼンを定量的に得た。
【００８０】実施例１２（アルコール類のアシル化反
応） 溶媒としてジクロロメタンの代わりにアセトニトリルを
用い、撹拌時間１時間を１分間とした他は実施例１１と
全く同様にして１−アセトキシ−２，６−ビス（ｔｅｒ
ｔ−ブチル）−４−メチルベンゼンを定量的に得た。
【００８１】実施例１３（アミン類のアシル化反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．００６ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に
溶解し、これに１−フェニルエチルアミン（１ｍｍｏ
ｌ）および無水酢酸（１１３μＬ、１．２ｍｍｏｌ）を
０℃で添加した。０℃で５分間撹拌した後、酢酸エチル
（５ｍＬ）で希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍ
Ｌ）を加えた。ろ過後、ろ液を酢酸エチルで３回（合計
１５ｍＬ）抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗
浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
下、溶媒を留去し、Ｎ−（１−フェニルエチル）アセト
アミドを定量的に得た。
【００８２】実施例１４（アミン類のアシル化反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（３ｍＬ）に溶
解し、これに１−フェニルエチルアミン（１ｍｍｏｌ）
および無水安息香酸（１．２ｍｍｏｌ）を０℃で添加し
た。０℃で１５分間撹拌した後、酢酸エチル（５ｍＬ）
で希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加え
た。ろ過後、ろ液を酢酸エチルで３回（合計１５ｍＬ）
抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。有
機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、溶媒を
留去し、Ｎ−（１−フェニルエチル）ベンズアミドを定
量的に得た。
【００８３】実施例１５（アミン類の共役付加反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２ｍＬ）
に溶解し、これに式［ＸＶＩ］で示される化合物（１ｍ
ｍｏｌ）およびフェニルメチルアミン（１５５μＬ、
１．５ｍｍｏｌ）を室温で添加した。撹拌後、酢酸エチ
ル（５ｍＬ）で希釈し、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液（１０
ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ液を酢酸エチルで３回（合
計１５ｍＬ）抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で
洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減
圧下、溶媒を留去し、式［ＸＶＩＩ］で示される化合物
を収率２５％で得た。
【００８４】
【化６３】
【００８５】
【化６４】
【００８６】実施例１６（ディールス−アルダー反応） 実施例１で得られた式［ＶＩＩ］で示される化合物
（０．０１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（２ｍＬ）に溶
解し、これにメタクロレイン（１６６μＬ、２ｍｍｏ
ｌ）および１−アセトキシ−１，３−ブタジエン（１６
９μＬ、１ｍｍｏｌ）を０℃で添加した。０℃で３時間
撹拌した後、エーテル（５ｍＬ）で希釈し、飽和ＮａＨ
ＣＯ3水溶液（１０ｍＬ）を加えた。ろ過後、ろ液をエ
ーテルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層を合わ
せ、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチ
ル＝３／１）により精製し、６−ホルミル−６−メチル
シクロヘキサ−２−エニルアセテートを収率５４％で得
た。
【００８７】実施例１７（ヘテロ−ディールス−アルダ
ー反応） 実施例４で得られた式［ＸＩＩＩ］で示される化合物
（０．１ｍｍｏｌ）をトルエン（３ｍＬ）に溶解し、−
７８℃に冷却し、これにブチルグリオキシレート（１３
０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）および３−（ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ）−１−メトキシ−１，３−ブタジ
エン（２５７ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）を添加した。−７
８℃で３０分間撹拌した後、エーテル（１５ｍＬ）で希
釈し、ろ過した。ろ液を０℃に冷却し、トリフルオロ酢
酸（０．０８ｍＬ、１．０５ｍｍｏｌ）を加え、飽和Ｎ
ａＨＣＯ3水溶液を加え、エーテルで３回（合計１５ｍ
Ｌ）抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄し
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下、
溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）により精製
し、ブチル（Ｓ）−２，３−ジヒドロ−４−オキソ−４
Ｈ−ピラン−２−カルボキシレートを収率６９％、光学
純度７０％ｅｅで得た。
【００８８】実施例１８（ヘテロ−ディールス−アルダ
ー反応） 実施例４で得られた式［ＸＩＩＩ］で示される化合物の
代わりに実施例５で得られた式［ＸＩＶ］で示される化
合物を用いた他は実施例１７と全く同様にしてブチル
（Ｓ）−２，３−ジヒドロ−４−オキソ−４Ｈ−ピラン
−２−カルボキシレートを収率５９％、光学純度４３％
ｅｅで得た。
【００８９】実施例１９（ヘテロ−ディールス−アルダ
ー反応） 式［ＸＩＩ］で示される（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−ジフ
ェニルエチレンジアミンのビストリフィルアミド（４８
ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２ｍ
Ｌ）に溶解し、これにビストリフルオロメタンスルホニ
ルイミドイッテルビウム（１０１ｍｇ、０．１ｍｍｏ
ｌ）および水（１．２ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌した。
１時間撹拌後、減圧下、溶媒を留去した。トルエン（３
ｍＬ）を添加し、−７８℃に冷却し、これにブチルグリ
オキシレート（１３０ｍｇ、１ｍｍｏｌ）および３−
（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−１−メト
キシ−１，３−ブタジエン（２５７ｍｇ、１．２ｍｍｏ
ｌ）を添加した。−７８℃で３０分間撹拌した後、エー
テル（１５ｍＬ）で希釈し、ろ過した。ろ液を０℃に冷
却し、トリフルオロ酢酸（０．０８ｍＬ、１．０５ｍｍ
ｏｌ）を加え、飽和ＮａＨＣＯ3水溶液を加え、エーテ
ルで３回（合計１５ｍＬ）抽出した。有機層を合わせ、
飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウム
で乾燥後、減圧下、溶媒を留去した。シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝
２／１）により精製し、ブチル（Ｓ）−２，３−ジヒド
ロ−４−オキソ−４Ｈ−ピラン−２−カルボキシレート
を収率５５％、光学純度６５％ｅｅで得た。
【００９０】実施例２０（ヘテロ−ディールス−アルダ
ー反応） ビストリフルオロメタンスルホニルイミドイッテルビウ
ムの代わりにビストリフルオロメタンスルホニルイミド
イットリウム（０．１ｍｍｏｌ）を用いた他は実施例１
９と全く同様にしてブチル（Ｓ）−２，３−ジヒドロ−
４−オキソ−４Ｈ−ピラン−２−カルボキシレートを収
率３６％、光学純度６４％ｅｅで得た。
【００９１】
【発明の効果】本発明のルイス酸触媒を用いることによ
り、求電子反応による有機合成反応における反応速度が
加速され、また、選択率および収率が向上する。特に、
不斉な配位子を使用することにより、不斉合成反応にお
いて非常に高い選択性で不斉化合物を製造することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸田 順道 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 (72)発明者 阪口 博昭 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 セント ラル硝子株式会社化学研究所内

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もしくは非置換
    のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
    （Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
    ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
    f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
    びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
    オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
    びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
    は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、ある
    いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
    する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
    遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
    ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
    素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
    ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
    を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または−
    Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示され
    るルイス酸触媒。
  2. 【請求項２】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4および
    Ｒ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 で表される基を形成する請求項１記載のルイス酸触媒。
  3. 【請求項３】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4および
    Ｒ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化６】 で表される基を形成する請求項１記載のルイス酸触媒。
  4. 【請求項４】Ｒ1およびＲ2がシクロペンタジエニル基で
    ある請求項１記載のルイス酸触媒。
  5. 【請求項５】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ3
    およびＲ5はそれぞれ独立に低級アルキル基を表す。）
    である請求項１記載のルイス酸触媒。
  6. 【請求項６】Ｒ3およびＲ5がｉｓｏ−プロピル基である
    請求項５記載のルイス酸触媒。
  7. 【請求項７】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ3
    およびＲ5はいっしょになって２価の基を形成する。）
    である請求項１記載のルイス酸触媒。
  8. 【請求項８】Ｒ3およびＲ5がいっしょになって 【化７】 で表される基を形成する請求項７記載のルイス酸触媒。
  9. 【請求項９】Ｒ1が−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4であり、Ｒ2が−Ｎ
    （Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ
    2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子ま
    たは低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ
    4およびＲ6はいっしょになって２価の基を形成する。〕
    である請求項１記載のルイス酸触媒。
  10. 【請求項１０】Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化８】 で表される基を形成する請求項９記載のルイス酸触媒。
  11. 【請求項１１】Ｔf 1、Ｔf 2、Ｔf 3およびＴf 4が−ＳＯ2
    ＣＦ3である請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の
    ルイス酸触媒。
  12. 【請求項１２】Ｍが希土類元素、チタン、ジルコニウ
    ム、ハフニウム、ホウ素またはアルミニウムから選ばれ
    る元素である請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の
    ルイス酸触媒。
  13. 【請求項１３】Ｍがイットリウム、イッテルビウム、チ
    タンまたはジルコニウムから選ばれる元素である請求項
    １〜請求項１１のいずれかに記載のルイス酸触媒。
  14. 【請求項１４】一般式［ＩＩ］ 【化９】 ［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−ＯＲ7（Ｒ7は水素原子
    または低級アルキル基を表す。）、−ＯＯＣＲ8（Ｒ8は
    低級アルキル基を表す。）または−Ｏ3ＳＲ9（Ｒ 9は低
    級アルキル基または置換もしくは非置換のアリール基を
    表す。）を表し、Ｒ1は置換もしくは非置換のシクロペ
    ンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表
    し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル
    基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf
    3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞ
    れ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基
    を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ
    独立に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3および
    Ｒ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4およ
    びＲ6がいっしょになって２価の基を形成する。〕を表
    し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
    ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
    ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
    ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
    表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数を表す。］で
    示される化合物と一般式［ＩＩＩ］ 【化１０】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−Ａｇ、アル
    カリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙはＭ’が−
    Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１であり、
    Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２である。］で示さ
    れる化合物とを反応させることを特徴とする一般式
    ［Ｉ］ 【化１１】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もしくは非置換
    のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
    （Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
    ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
    f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
    びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
    オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
    びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
    は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、ある
    いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
    する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
    遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
    ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
    素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
    ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
    を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または−
    Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示され
    るルイス酸触媒の製造方法。
  15. 【請求項１５】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およ
    びＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化１２】 【化１３】 【化１４】 【化１５】 で表される基を形成する請求項１４記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およ
    びＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化１６】 で表される基を形成する請求項１４記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  17. 【請求項１７】Ｒ1およびＲ2がシクロペンタジエニル基
    である請求項１４記載のルイス酸触媒の製造方法。
  18. 【請求項１８】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ
    3およびＲ5はそれぞれ独立に低級アルキル基を表す。）
    である請求項１４記載のルイス酸触媒の製造方法。
  19. 【請求項１９】Ｒ3およびＲ5がｉｓｏ−プロピル基であ
    る請求項１８記載のルイス酸触媒の製造方法。
  20. 【請求項２０】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ
    3およびＲ5はいっしょになって２価の基を形成する。）
    である請求項１４記載のルイス酸触媒の製造方法。
  21. 【請求項２１】Ｒ3およびＲ5がいっしょになって 【化１７】 で表される基を形成する請求項２０記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  22. 【請求項２２】Ｒ1が−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4であり、Ｒ2が−
    Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−Ｓ
    Ｏ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子
    または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
    Ｒ4およびＲ6はいっしょになって２価の基を形成す
    る。〕である請求項１４記載のルイス酸触媒の製造方
    法。
  23. 【請求項２３】Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化１８】 で表される基を形成する請求項２２記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  24. 【請求項２４】Ｔf 1、Ｔf 2、Ｔf 3およびＴf 4が−ＳＯ2
    ＣＦ3である請求項１４〜請求項２３のいずれかに記載
    のルイス酸触媒の製造方法。
  25. 【請求項２５】Ｍが希土類元素、チタン、ジルコニウ
    ム、ハフニウム、ホウ素またはアルミニウムから選ばれ
    る元素である請求項１４〜請求項２４のいずれかに記載
    のルイス酸触媒の製造方法。
  26. 【請求項２６】Ｍがイットリウム、イッテルビウム、チ
    タンまたはジルコニウムから選ばれる元素である請求項
    １４〜請求項２４のいずれかに記載のルイス酸触媒の製
    造方法。
  27. 【請求項２７】Ｘ’がハロゲン原子または−ＯＲ7（Ｒ7
    は低級アルキル基を表す。）であり、Ｍ’が−Ｈまたは
    −Ａｇである請求項１４〜請求項２６のいずれかに記載
    のルイス酸触媒の製造方法。
  28. 【請求項２８】Ｘ’が塩素原子またはｉｓｏ−プロピル
    基であり、Ｍ’が−Ｈまたは−Ａｇである請求項１４〜
    請求項２６のいずれかに記載のルイス酸触媒の製造方
    法。
  29. 【請求項２９】一般式［ＩＶ］ 【化１９】 ［式中、Ｒ1は置換もしくは非置換のシクロペンタジエ
    ニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は
    置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
    5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、
    Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞれ独立に
    フッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を表
    す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立
    に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ
    3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6が
    いっしょになって２価の基を形成する。〕を表す。］で
    示される化合物と一般式［Ｖ］ 【化２０】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希
    土類元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウ
    ム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、ス
    ズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテ
    ルルから選ばれる元素を表し、ｍは該当するＭの原子価
    の整数を表す。］で示される化合物とを反応させること
    を特徴とする一般式［Ｉ］ 【化２１】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｒ1は置換もしくは非置換
    のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ
    （Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロ
    ペンタジエニル基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔ
    f 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およ
    びＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子または低級パーフル
    オロアルキル基を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およ
    びＲ6はそれぞれ独立に低級アルキル基を表すか、また
    は、Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ 4およびＲ5、ある
    いは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって２価の基を形成
    する。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、
    遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
    ム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ
    素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテルルから選
    ばれる元素を表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数
    を表し、−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2、−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4または−
    Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6の少なくとも１つを有する。］で示され
    るルイス酸触媒の製造方法。
  30. 【請求項３０】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およ
    びＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化２２】 【化２３】 【化２４】 【化２５】 で表される基を形成する請求項２９記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  31. 【請求項３１】Ｒ3およびＲ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およ
    びＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化２６】 で表される基を形成する請求項２９記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  32. 【請求項３２】Ｒ1およびＲ2がシクロペンタジエニル基
    である請求項２９記載のルイス酸触媒の製造方法。
  33. 【請求項３３】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ
    3およびＲ5はそれぞれ独立に低級アルキル基を表す。）
    である請求項２９記載のルイス酸触媒の製造方法。
  34. 【請求項３４】Ｒ3およびＲ5がｉｓｏ−プロピル基であ
    る請求項３３記載のルイス酸触媒の製造方法。
  35. 【請求項３５】Ｒ1が−ＯＲ3であり、Ｒ2が−ＯＲ5（Ｒ
    3およびＲ5はいっしょになって２価の基を形成する。）
    である請求項２９記載のルイス酸触媒の製造方法。
  36. 【請求項３６】Ｒ3およびＲ5がいっしょになって 【化２７】 で表される基を形成する請求項３５記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  37. 【請求項３７】Ｒ1が−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4であり、Ｒ2が−
    Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、Ｔf 4は−Ｓ
    Ｏ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞれ独立にフッ素原子
    または低級パーフルオロアルキル基を表す。）を表し、
    Ｒ4およびＲ6はいっしょになって２価の基を形成す
    る。〕である請求項２９記載のルイス酸触媒の製造方
    法。
  38. 【請求項３８】Ｒ4およびＲ6がいっしょになって 【化２８】 で表される基を形成する請求項３７記載のルイス酸触媒
    の製造方法。
  39. 【請求項３９】Ｔf 1、Ｔf 2、Ｔf 3およびＴf 4が−ＳＯ2
    ＣＦ3である請求項２９〜請求項３８のいずれかに記載
    のルイス酸触媒の製造方法。
  40. 【請求項４０】Ｍが希土類元素、チタン、ジルコニウ
    ム、ハフニウム、ホウ素またはアルミニウムから選ばれ
    る元素である請求項２９〜請求項３９のいずれかに記載
    のルイス酸触媒の製造方法。
  41. 【請求項４１】Ｍがイットリウム、イッテルビウム、チ
    タンまたはジルコニウムから選ばれる元素である請求項
    ２９〜請求項３９のいずれかに記載のルイス酸触媒の製
    造方法。
  42. 【請求項４２】一般式［ＩＩ］ 【化２９】 ［式中、Ｘ’はハロゲン原子、−ＯＲ7（Ｒ7は水素原子
    または低級アルキル基を表す。）、−ＯＯＣＲ8（Ｒ8は
    低級アルキル基を表す。）または−Ｏ3ＳＲ9（Ｒ 9は低
    級アルキル基または置換もしくは非置換のアリール基を
    表す。）を表し、Ｒ1は置換もしくは非置換のシクロペ
    ンタジエニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表
    し、Ｒ2は置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル
    基、−ＯＲ5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf
    3を表し、Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞ
    れ独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基
    を表す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ
    独立に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3および
    Ｒ5、Ｒ3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4およ
    びＲ6がいっしょになって２価の基を形成する。〕を表
    し、Ｍはアルカリ土類金属、希土類元素、遷移金属、ホ
    ウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウ
    ム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモ
    ン、ビスマス、セレンまたはテルルから選ばれる元素を
    表し、ｎは該当するＭの原子価−２の整数を表す。］で
    示される化合物と一般式［ＩＩＩ］ 【化３０】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｍ’は−Ｈ、−Ａｇ、アル
    カリ金属またはアルカリ土類金属を表し、ｙはＭ’が−
    Ｈ、−Ａｇまたはアルカリ金属の場合には１であり、
    Ｍ’がアルカリ土類金属の場合には２である。］で示さ
    れる化合物とを反応させることにより得られるルイス酸
    触媒。
  43. 【請求項４３】一般式［ＩＶ］ 【化３１】 ［式中、Ｒ1は置換もしくは非置換のシクロペンタジエ
    ニル基、−ＯＲ3または−Ｎ（Ｔf 3）Ｒ4を表し、Ｒ2は
    置換もしくは非置換のシクロペンタジエニル基、−ＯＲ
    5または−Ｎ（Ｔf 4）Ｒ6〔Ｔf 3は−ＳＯ2Ｒf 3を表し、
    Ｔf 4は−ＳＯ2Ｒf 4（Ｒf 3およびＲf 4はそれぞれ独立に
    フッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を表
    す。）を表し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立
    に低級アルキル基を表すか、または、Ｒ3およびＲ5、Ｒ
    3およびＲ6、Ｒ4およびＲ5、あるいは、Ｒ4およびＲ6が
    いっしょになって２価の基を形成する。〕を表す。］で
    示される化合物と一般式［Ｖ］ 【化３２】 ［式中、Ｘは−Ｎ（Ｔf 1）Ｔf 2〔Ｔf 1は−ＳＯ2Ｒf 1を
    表し、Ｔf 2は−ＳＯ2Ｒf 2（Ｒf 1およびＲf 2はそれぞれ
    独立にフッ素原子または低級パーフルオロアルキル基を
    表す。）を表す。〕を表し、Ｍはアルカリ土類金属、希
    土類元素、遷移金属、ホウ素、アルミニウム、ガリウ
    ム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、ス
    ズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンまたはテ
    ルルから選ばれる元素を表し、ｍは該当するＭの原子価
    の整数を表す。］で示される化合物とを反応させること
    により得られるルイス酸触媒。
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