JPH0963017A - 薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法Info
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- JPH0963017A JPH0963017A JP24357995A JP24357995A JPH0963017A JP H0963017 A JPH0963017 A JP H0963017A JP 24357995 A JP24357995 A JP 24357995A JP 24357995 A JP24357995 A JP 24357995A JP H0963017 A JPH0963017 A JP H0963017A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下部磁極先端部上にギャップ膜を介して載る
上部磁極先端部にダレが生じず、下部磁極先端部のコア
幅を所望の値に設定でき、しかも清浄な磁極先端部を形
成できるようにする。 【解決手段】 基板上に下部磁極、ギャップ膜、絶縁層
で挾まれたコイル、上部磁極をこの順序で形成する構造
の薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ膜１６を挾むよう
に所定幅の下部磁極先端部１２と上部磁極先端部１４を
設ける磁極先端部の形成方法である。予め下部磁極先端
部を十分幅広に形成しておき、その上にギャップ膜を介
して所定トラック幅となる上部磁極先端部を形成する。
上部磁極先端部を覆うように下部磁極先端部上にそのコ
ア幅に相当する所定幅のアルミナ膜４０を成膜し、該ア
ルミナ膜をマスクとして下部磁極先端部の両側部をエッ
チングし所定コア幅に整形する。
上部磁極先端部にダレが生じず、下部磁極先端部のコア
幅を所望の値に設定でき、しかも清浄な磁極先端部を形
成できるようにする。 【解決手段】 基板上に下部磁極、ギャップ膜、絶縁層
で挾まれたコイル、上部磁極をこの順序で形成する構造
の薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ膜１６を挾むよう
に所定幅の下部磁極先端部１２と上部磁極先端部１４を
設ける磁極先端部の形成方法である。予め下部磁極先端
部を十分幅広に形成しておき、その上にギャップ膜を介
して所定トラック幅となる上部磁極先端部を形成する。
上部磁極先端部を覆うように下部磁極先端部上にそのコ
ア幅に相当する所定幅のアルミナ膜４０を成膜し、該ア
ルミナ膜をマスクとして下部磁極先端部の両側部をエッ
チングし所定コア幅に整形する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
おける磁極先端部の形成方法に関し、更に詳しく述べる
と、上部磁極を覆うように下部磁極上にアルミナ膜を形
成し、それをマスクにして下部磁極先端部の両側部をエ
ッチングし、所定コア幅に整形する磁極先端部の形成方
法に関するものである。この技術は、ハードディスク装
置用の薄膜磁気ヘッドの製造に有用である。
おける磁極先端部の形成方法に関し、更に詳しく述べる
と、上部磁極を覆うように下部磁極上にアルミナ膜を形
成し、それをマスクにして下部磁極先端部の両側部をエ
ッチングし、所定コア幅に整形する磁極先端部の形成方
法に関するものである。この技術は、ハードディスク装
置用の薄膜磁気ヘッドの製造に有用である。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク装置用の薄膜磁気ヘッド
の一例の平面図を図５に示し、そのヘッド素子部の縦断
面（Ａ1 −Ａ2 断面）を図６に示す。この薄膜磁気ヘッ
ドは誘導型の例であり、スライダとなるセラミックス基
板１０上に設ける上下２層の磁性膜（下部磁極１２と上
部磁極１４）の間をギャップ膜１６によって分離し、そ
の間に磁界発生用及び誘導電流ピックアップ用のコイル
１８を形成する構成である。コイル１８は通常、２〜３
層（ここでは２層）に重ねて形成され、それらは絶縁層
２０で挾まれて電気絶縁性が保たれている。このように
してヘッド素子部２２が構成される。
の一例の平面図を図５に示し、そのヘッド素子部の縦断
面（Ａ1 −Ａ2 断面）を図６に示す。この薄膜磁気ヘッ
ドは誘導型の例であり、スライダとなるセラミックス基
板１０上に設ける上下２層の磁性膜（下部磁極１２と上
部磁極１４）の間をギャップ膜１６によって分離し、そ
の間に磁界発生用及び誘導電流ピックアップ用のコイル
１８を形成する構成である。コイル１８は通常、２〜３
層（ここでは２層）に重ねて形成され、それらは絶縁層
２０で挾まれて電気絶縁性が保たれている。このように
してヘッド素子部２２が構成される。
【０００３】下部磁極１２及び上部磁極１４は、狭幅の
先端部ｔと、その先端部から連続するような拡がり構造
を持つ広幅のヨーク部分ｙとからなる。ヨーク部分ｙの
間にはコイル１８が形成されているが、先端部ｔでは規
定膜厚のギャップ膜１６を挾むように所定幅の磁極先端
部（下部磁極１２と上部磁極１４）が設けられる。なお
コイル１８からはコイル端末がコイル引き出し線パター
ン２４によって端子形成位置まで引き出され、その位置
に外部リード線取り付け用の端子２６が設けられる。ヘ
ッド素子部２２を含めて、それらの上面はアルミナ保護
膜２８で覆うことで保護されており、端子２６の上面の
みがアルミナ保護膜２８上で露出する構成である。磁極
先端部は、記録媒体に対向して情報の記録・再生を行う
部分であり、その寸法形状は厳密に規定されていて、そ
の規格内に収まるように高精度で製造しなければならな
い。
先端部ｔと、その先端部から連続するような拡がり構造
を持つ広幅のヨーク部分ｙとからなる。ヨーク部分ｙの
間にはコイル１８が形成されているが、先端部ｔでは規
定膜厚のギャップ膜１６を挾むように所定幅の磁極先端
部（下部磁極１２と上部磁極１４）が設けられる。なお
コイル１８からはコイル端末がコイル引き出し線パター
ン２４によって端子形成位置まで引き出され、その位置
に外部リード線取り付け用の端子２６が設けられる。ヘ
ッド素子部２２を含めて、それらの上面はアルミナ保護
膜２８で覆うことで保護されており、端子２６の上面の
みがアルミナ保護膜２８上で露出する構成である。磁極
先端部は、記録媒体に対向して情報の記録・再生を行う
部分であり、その寸法形状は厳密に規定されていて、そ
の規格内に収まるように高精度で製造しなければならな
い。
【０００４】従来、このような磁極先端部は、図２の
（ａ）〜（ｆ）に示すような工程を経て形成していた。 （ａ）まずセラミックス基板１０上に所定コア幅の下部
磁極１２を形成し、それを含めてセラミックス基板１０
上にアルミナのギャップ膜１６を形成する。 （ｂ）次にギャップ膜１６上に、上部磁極を形成するた
めのメッキベース膜３０を設ける。 （ｃ）そのメッキベース膜３０の上に、フォトレジスト
３２により所定トラック幅の上部磁極を形成するための
パターニングを行う。 （ｄ）そのパターニングされた部分に、上部磁極１４を
電気メッキ法により成膜する。 （ｅ）その後、付着しているレジスト３２を除去する。 （ｆ）最後に上部磁極１４で覆われている部分以外のメ
ッキベース膜３０を除去する。
（ａ）〜（ｆ）に示すような工程を経て形成していた。 （ａ）まずセラミックス基板１０上に所定コア幅の下部
磁極１２を形成し、それを含めてセラミックス基板１０
上にアルミナのギャップ膜１６を形成する。 （ｂ）次にギャップ膜１６上に、上部磁極を形成するた
めのメッキベース膜３０を設ける。 （ｃ）そのメッキベース膜３０の上に、フォトレジスト
３２により所定トラック幅の上部磁極を形成するための
パターニングを行う。 （ｄ）そのパターニングされた部分に、上部磁極１４を
電気メッキ法により成膜する。 （ｅ）その後、付着しているレジスト３２を除去する。 （ｆ）最後に上部磁極１４で覆われている部分以外のメ
ッキベース膜３０を除去する。
【０００５】下部磁極１２及び上部磁極１４は、通常、
パーマロイ（ＮｉＦｅ合金膜）からなり、電気メッキ法
により所定の膜厚に成膜している。ここで、上部磁極１
４の先端部の幅は、下部磁極１２の先端部の幅よりも、
通常約１．５μｍ程度狭い値に設定されており、それに
よって所定のトラック幅を実現している。
パーマロイ（ＮｉＦｅ合金膜）からなり、電気メッキ法
により所定の膜厚に成膜している。ここで、上部磁極１
４の先端部の幅は、下部磁極１２の先端部の幅よりも、
通常約１．５μｍ程度狭い値に設定されており、それに
よって所定のトラック幅を実現している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上部磁極１
４が形成されるまでに、下部磁極１２はイオンミリング
によるエッチングにさらされる。そのため図２に示すよ
うに、下部磁極形成時に、そのエッジ部は面取りされた
ような形状となる。そこで、そのような下部磁極１２の
上にギャップ膜１６を介して上部磁極１４を形成した
時、図３に示すように、もしフォトレジストによる僅か
なパターニングのずれ（ずれ量を符号δで示す）がおき
ると、上部磁極１４の底辺側部がダレてしまい、ギャッ
プが一直線とならないために不良品となる。前述のよう
に、下部磁極１２と上部磁極１４の幅の差は約１．５μ
ｍ（片側では約０．７５μｍ）程度しかないため、上記
のような従来方法ではこのようなダレによる不良が生じ
やすい。
４が形成されるまでに、下部磁極１２はイオンミリング
によるエッチングにさらされる。そのため図２に示すよ
うに、下部磁極形成時に、そのエッジ部は面取りされた
ような形状となる。そこで、そのような下部磁極１２の
上にギャップ膜１６を介して上部磁極１４を形成した
時、図３に示すように、もしフォトレジストによる僅か
なパターニングのずれ（ずれ量を符号δで示す）がおき
ると、上部磁極１４の底辺側部がダレてしまい、ギャッ
プが一直線とならないために不良品となる。前述のよう
に、下部磁極１２と上部磁極１４の幅の差は約１．５μ
ｍ（片側では約０．７５μｍ）程度しかないため、上記
のような従来方法ではこのようなダレによる不良が生じ
やすい。
【０００７】そこで別の磁極先端部の形成方法として、
図４に示すように、下部磁極１２及び上部磁極１４を十
分幅広に形成しておき、上部磁極１４の上に所定のトラ
ック幅となるようなフォトレジスト３４を設けてパター
ニングし、イオンミリング法により上部磁極１４と下部
磁極１２を同時に、つまり破線で示すように、エッチン
グする方法も提案されている。しかしこの方法では、フ
ォトレジスト３４がイオンミリングによって焼きついて
しまい（温度が上がり変質する）、フォトレジスト３４
の残渣が磁極上に付着したままとなりがちである。そし
て、そのまま製品化されると、使用中、そのフォトレジ
ストの残渣が剥離してごみとなる。これは、ハードディ
スク装置のトラブルの原因となり、信頼性を著しく低下
させることになる。
図４に示すように、下部磁極１２及び上部磁極１４を十
分幅広に形成しておき、上部磁極１４の上に所定のトラ
ック幅となるようなフォトレジスト３４を設けてパター
ニングし、イオンミリング法により上部磁極１４と下部
磁極１２を同時に、つまり破線で示すように、エッチン
グする方法も提案されている。しかしこの方法では、フ
ォトレジスト３４がイオンミリングによって焼きついて
しまい（温度が上がり変質する）、フォトレジスト３４
の残渣が磁極上に付着したままとなりがちである。そし
て、そのまま製品化されると、使用中、そのフォトレジ
ストの残渣が剥離してごみとなる。これは、ハードディ
スク装置のトラブルの原因となり、信頼性を著しく低下
させることになる。
【０００８】本発明の目的は、下部磁極先端部上にギャ
ップ膜を介して載る上部磁極先端部にダレが生じず、ギ
ャップを一直線にでき（上部磁極にダレが生じない）、
また下部磁極先端部のコア幅を所望の値に設定でき、し
かも清浄な（使用中に異物が発生する虞れのない）磁極
先端部を形成できる方法を提供することである。
ップ膜を介して載る上部磁極先端部にダレが生じず、ギ
ャップを一直線にでき（上部磁極にダレが生じない）、
また下部磁極先端部のコア幅を所望の値に設定でき、し
かも清浄な（使用中に異物が発生する虞れのない）磁極
先端部を形成できる方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に下部
磁極、ギャップ膜、絶縁層で挾まれたコイル、上部磁極
をこの順序で形成する構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ギャップ膜を挾むように所定幅の下部磁極先端部と上部
磁極先端部を設ける磁極先端部の形成方法である。本発
明では、予め下部磁極先端部を十分幅広に形成してお
き、その上にギャップ膜を介して所定トラック幅となる
上部磁極先端部を形成し、該上部磁極先端部を覆うよう
に下部磁極先端部上にそのコア幅に相当する所定幅のア
ルミナ膜を成膜し、該アルミナ膜をマスクとして下部磁
極先端部の両側部をエッチングし所定コア幅に整形する
方法である。
磁極、ギャップ膜、絶縁層で挾まれたコイル、上部磁極
をこの順序で形成する構造の薄膜磁気ヘッドにおいて、
ギャップ膜を挾むように所定幅の下部磁極先端部と上部
磁極先端部を設ける磁極先端部の形成方法である。本発
明では、予め下部磁極先端部を十分幅広に形成してお
き、その上にギャップ膜を介して所定トラック幅となる
上部磁極先端部を形成し、該上部磁極先端部を覆うよう
に下部磁極先端部上にそのコア幅に相当する所定幅のア
ルミナ膜を成膜し、該アルミナ膜をマスクとして下部磁
極先端部の両側部をエッチングし所定コア幅に整形する
方法である。
【００１０】具体的には、上部磁極先端部を形成した
後、下部磁極先端部上にフォトレジストにより下部磁極
先端部のコア幅に相当する所定幅のパターニングを行
う。その後、上部磁極先端部を覆うようにスパッタ法に
より下部磁極先端部上にアルミナ膜を成膜し、リフトオ
フ法により前記フォトレジストと共にその上のアルミナ
膜を除去する。そして、残っているアルミナ膜をマスク
としてイオンミリングにより下部磁極先端部の両側部を
エッチングすることで、所定コア幅に整形するのであ
る。
後、下部磁極先端部上にフォトレジストにより下部磁極
先端部のコア幅に相当する所定幅のパターニングを行
う。その後、上部磁極先端部を覆うようにスパッタ法に
より下部磁極先端部上にアルミナ膜を成膜し、リフトオ
フ法により前記フォトレジストと共にその上のアルミナ
膜を除去する。そして、残っているアルミナ膜をマスク
としてイオンミリングにより下部磁極先端部の両側部を
エッチングすることで、所定コア幅に整形するのであ
る。
【００１１】
【発明の実施の態様】ヘッド素子部の形成方法は、基本
的には従来技術と同じであってよい。フォトリソグラフ
ィ技術を用い、メッキ法やスパッタ法などによって必要
な膜パターンを必要な順序で形成していく。下部磁極の
パターンは、イオンミリングによってエッジ部が面取り
形状となるが、本発明では下部磁極先端部を十分幅広に
設定しているため、フォトレジストのパターニングに多
少のずれが生じても所定トラック幅の上部磁極は下部磁
極の水平部分に確実に載ることになる（上部磁極の底面
側部にダレが生じることはない）。また下部磁極をエッ
チングする際のマスクはアルミナ膜であるから、イオン
ミリングによって温度が上がっても変質する虞れがな
く、確実に所定のコア幅に整形できる。そしてそのマス
クとなったアルミナ膜は、そのまま残しておいても、最
後にかぶせるアルミナ保護膜と一体となるため、なんら
問題はなく、清浄な磁極を形成できる。
的には従来技術と同じであってよい。フォトリソグラフ
ィ技術を用い、メッキ法やスパッタ法などによって必要
な膜パターンを必要な順序で形成していく。下部磁極の
パターンは、イオンミリングによってエッジ部が面取り
形状となるが、本発明では下部磁極先端部を十分幅広に
設定しているため、フォトレジストのパターニングに多
少のずれが生じても所定トラック幅の上部磁極は下部磁
極の水平部分に確実に載ることになる（上部磁極の底面
側部にダレが生じることはない）。また下部磁極をエッ
チングする際のマスクはアルミナ膜であるから、イオン
ミリングによって温度が上がっても変質する虞れがな
く、確実に所定のコア幅に整形できる。そしてそのマス
クとなったアルミナ膜は、そのまま残しておいても、最
後にかぶせるアルミナ保護膜と一体となるため、なんら
問題はなく、清浄な磁極を形成できる。
【００１２】
【実施例】図１の（ａ）〜（ｊ）は、本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法の一実施例を示す工
程説明図である。なおヘッド素子部の構造は、図５及び
図６に示したものと同様であってよい。簡単に説明する
と以下の通りである。
磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法の一実施例を示す工
程説明図である。なおヘッド素子部の構造は、図５及び
図６に示したものと同様であってよい。簡単に説明する
と以下の通りである。
【００１３】ヘッド素子部２２は、セラミックス基板１
０上に設ける下部磁極１２と上部磁極１４の間をギャッ
プ膜１６で分離し、該ギャップ膜１６と上部磁極１４の
間に磁界発生用及び誘導電流ピックアップ用のコイル１
８を形成する構造である。コイル１８は絶縁体（通常、
レジストのハードベーク膜）２０で挾まれており、２層
ないし３層構造（図面では２層構造）になっている。こ
こで下部磁極１２及び上部磁極１４は、通常、パーマロ
イ（ＮｉＦｅ合金）などの磁性材のメッキ層からなる。
ギャップ膜１６は、通常、アルミナのスパッタ膜であ
る。ヘッド素子部２２の上部に、スパッタ法によりアル
ミナ保護膜２８を形成することにより、ヘッド素子部２
２を保護している。磁極先端部ｔは、磁気記録媒体に対
向する部分であって、非常に狭幅な形状である。
０上に設ける下部磁極１２と上部磁極１４の間をギャッ
プ膜１６で分離し、該ギャップ膜１６と上部磁極１４の
間に磁界発生用及び誘導電流ピックアップ用のコイル１
８を形成する構造である。コイル１８は絶縁体（通常、
レジストのハードベーク膜）２０で挾まれており、２層
ないし３層構造（図面では２層構造）になっている。こ
こで下部磁極１２及び上部磁極１４は、通常、パーマロ
イ（ＮｉＦｅ合金）などの磁性材のメッキ層からなる。
ギャップ膜１６は、通常、アルミナのスパッタ膜であ
る。ヘッド素子部２２の上部に、スパッタ法によりアル
ミナ保護膜２８を形成することにより、ヘッド素子部２
２を保護している。磁極先端部ｔは、磁気記録媒体に対
向する部分であって、非常に狭幅な形状である。
【００１４】次に図１により本発明に係る磁極先端部の
形成工程について説明する。 （ａ）セラミックス基板１０上に所定膜厚の下部磁極１
２を形成し、それらの上にアルミナギャップ膜１６を形
成する。ここで下部磁極１２の先端部は、従来設けられ
ていたもの（図２に示すもの）よりもはるかに幅を広く
設定する。従来技術と同じ手法であるため、エッジ部は
図示のように面取り形状となるが、幅を十分広く設定し
ているため、その平坦部分の幅は後から載せる上部磁極
の幅よりも十分広く、上部磁極のパターニングが多少ず
れても必ず上部磁極は下部磁極の平坦部分上に載るよう
になっている。逆に言うと、多少のパターニングのずれ
があっても上部磁極が必ず下部磁極の平坦面上に載るよ
うに、それ以上の幅寸法に下部磁極の幅を設定しておく
ということである。
形成工程について説明する。 （ａ）セラミックス基板１０上に所定膜厚の下部磁極１
２を形成し、それらの上にアルミナギャップ膜１６を形
成する。ここで下部磁極１２の先端部は、従来設けられ
ていたもの（図２に示すもの）よりもはるかに幅を広く
設定する。従来技術と同じ手法であるため、エッジ部は
図示のように面取り形状となるが、幅を十分広く設定し
ているため、その平坦部分の幅は後から載せる上部磁極
の幅よりも十分広く、上部磁極のパターニングが多少ず
れても必ず上部磁極は下部磁極の平坦部分上に載るよう
になっている。逆に言うと、多少のパターニングのずれ
があっても上部磁極が必ず下部磁極の平坦面上に載るよ
うに、それ以上の幅寸法に下部磁極の幅を設定しておく
ということである。
【００１５】（ｂ）全体をメッキベース膜３０で覆う。
このメッキベース膜３０は、その後の工程で上部磁極を
電気メッキで成膜する際のベースとなるものであって、
例えば蒸着法などにより成膜した金属膜である。 （ｃ）次に、所定トラック幅の上部磁極が得られるよう
に、フォトレジスト３２によりパターニングを行う。 （ｄ）このパターニングを利用して、所定膜厚の上部磁
極１４を電気メッキ法により成膜する。 （ｅ）その後、付着しているフォトレジスト３２を除去
する。 （ｆ）更に、上部磁極１４で覆われている部分以外のメ
ッキベース膜３０を除去する。
このメッキベース膜３０は、その後の工程で上部磁極を
電気メッキで成膜する際のベースとなるものであって、
例えば蒸着法などにより成膜した金属膜である。 （ｃ）次に、所定トラック幅の上部磁極が得られるよう
に、フォトレジスト３２によりパターニングを行う。 （ｄ）このパターニングを利用して、所定膜厚の上部磁
極１４を電気メッキ法により成膜する。 （ｅ）その後、付着しているフォトレジスト３２を除去
する。 （ｆ）更に、上部磁極１４で覆われている部分以外のメ
ッキベース膜３０を除去する。
【００１６】（ｇ）下部磁極１２上に、フォトレジスト
３６により、下部磁極の先端部のコア幅に相当する所定
幅のパターニングを行う。従って、フォトレジスト３６
は上部磁極１４の側面からわずかな間隙部３８をおい
て、下部磁極１２の両側上部及び両側部を覆うように形
成される。 （ｈ）上部磁極１４及びわずかな間隙部３８などを覆う
ようにスパッタ法によりアルミナ膜４０を成膜する。 （ｉ）リフトオフ法により、前記フォトレジスト３６と
共にその上のアルミナ膜４０を除去する。これによって
上部磁極１４の上面及び側面が、残っているアルミナ膜
４０で覆われたような状態となる。 （ｊ）この残っているアルミナ膜４０をマスクとして、
イオンミリングにより下部磁極１２の両側部をエッチン
グする。これによって、下部磁極１２を所定コア幅に整
形することができる。
３６により、下部磁極の先端部のコア幅に相当する所定
幅のパターニングを行う。従って、フォトレジスト３６
は上部磁極１４の側面からわずかな間隙部３８をおい
て、下部磁極１２の両側上部及び両側部を覆うように形
成される。 （ｈ）上部磁極１４及びわずかな間隙部３８などを覆う
ようにスパッタ法によりアルミナ膜４０を成膜する。 （ｉ）リフトオフ法により、前記フォトレジスト３６と
共にその上のアルミナ膜４０を除去する。これによって
上部磁極１４の上面及び側面が、残っているアルミナ膜
４０で覆われたような状態となる。 （ｊ）この残っているアルミナ膜４０をマスクとして、
イオンミリングにより下部磁極１２の両側部をエッチン
グする。これによって、下部磁極１２を所定コア幅に整
形することができる。
【００１７】このマスクとして使用したアルミナ膜４０
は残したままでよい。図６に示されているように、最後
にヘッド素子部２２全体の上にアルミナ保護膜２８を形
成するから、その際、残っているアルミナ膜４０の上に
アルミナ保護膜２８が覆うことになり、同一材質である
こと、アルミナ膜４０は変質しないことのため、残して
おいてもなんら不都合が生じないのである。
は残したままでよい。図６に示されているように、最後
にヘッド素子部２２全体の上にアルミナ保護膜２８を形
成するから、その際、残っているアルミナ膜４０の上に
アルミナ保護膜２８が覆うことになり、同一材質である
こと、アルミナ膜４０は変質しないことのため、残して
おいてもなんら不都合が生じないのである。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上記のように、予め下部磁極を
十分幅広に設定しているため、上部磁極を形成する際の
フォトレジストによるパターニングのずれが多少存在し
ても、必ず上部磁極は下部磁極の平坦な部分上に載り、
従来技術のようなエッジ部でのダレを防止でき、下部磁
極と上部磁極とのギャップは必ず一直線になる。また下
部磁極のコア幅を決定するマスク材質をアルミナ膜にし
たことにより、イオンミリングの際に高熱で変質するこ
とがなく、後に形成するアルミナ保護膜と一体になるた
め清浄な磁極を形成できる（使用中に剥離してゴミが生
じることはない）。これらによって、形状的な不良が発
生せず、しかも使用中にトラブルが生じる恐れもなく、
品質の優れた薄膜磁気ヘッドが得られることになる。
十分幅広に設定しているため、上部磁極を形成する際の
フォトレジストによるパターニングのずれが多少存在し
ても、必ず上部磁極は下部磁極の平坦な部分上に載り、
従来技術のようなエッジ部でのダレを防止でき、下部磁
極と上部磁極とのギャップは必ず一直線になる。また下
部磁極のコア幅を決定するマスク材質をアルミナ膜にし
たことにより、イオンミリングの際に高熱で変質するこ
とがなく、後に形成するアルミナ保護膜と一体になるた
め清浄な磁極を形成できる（使用中に剥離してゴミが生
じることはない）。これらによって、形状的な不良が発
生せず、しかも使用中にトラブルが生じる恐れもなく、
品質の優れた薄膜磁気ヘッドが得られることになる。
【図１】本発明に係る磁極先端部の形成方法の一例を示
す工程説明図。
す工程説明図。
【図２】従来の磁極先端部の形成方法の工程説明図。
【図３】従来技術の問題点を示す説明図。
【図４】従来方法の他の例とその問題点を示す説明図。
【図５】薄膜磁気ヘッドの一例を示す平面図。
【図６】そのヘッド素子部の縦断面図。
１０ セラミックス基板 １２ 下部磁極 １４ 上部磁極 １６ ギャップ膜 １８ コイル ２２ ヘッド素子部 ２８ アルミナ保護膜 ３０ メッキベース膜 ３２，３４，３６ フォトレジスト ３８ 隙間部 ４０ アルミナ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に下部磁極、ギャップ膜、絶縁層
で挾まれたコイル、上部磁極をこの順序で形成する構造
の薄膜磁気ヘッドであって、ギャップ膜を挾むように所
定幅の下部磁極先端部と上部磁極先端部を設ける磁極先
端部の形成方法において、 予め下部磁極先端部を十分幅広に形成しておき、その上
にギャップ膜を介して所定トラック幅となる上部磁極先
端部を形成し、該上部磁極先端部を覆うように下部磁極
先端部上にそのコア幅に相当する所定幅のアルミナ膜を
成膜し、該アルミナ膜をマスクとして下部磁極先端部の
両側部をエッチングし所定コア幅に整形することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法。 - 【請求項２】 基板上に下部磁極、ギャップ膜、絶縁層
で挾まれたコイル、上部磁極をこの順序で形成する構造
の薄膜磁気ヘッドであって、ギャップ膜を挾むように所
定幅の下部磁極先端部と上部磁極先端部を設ける磁極先
端部の形成方法において、 予め下部磁極先端部を十分幅広に形成しておき、その上
にギャップ膜を介して所定トラック幅となる上部磁極先
端部を形成し、下部磁極先端部上にフォトレジストによ
り下部磁極先端部のコア幅に相当する所定幅のパターニ
ングを行った後、上部磁極先端部を覆うようにスパッタ
法により下部磁極先端部上にアルミナ膜を成膜し、リフ
トオフ法により前記フォトレジストと共にその上のアル
ミナ膜を除去し、残っているアルミナ膜をマスクとして
イオンミリングにより下部磁極先端部の両側部をエッチ
ングし所定コア幅に整形することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの磁極先端部の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24357995A JPH0963017A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24357995A JPH0963017A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963017A true JPH0963017A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17105930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24357995A Pending JPH0963017A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 薄膜磁気ヘッドの磁極先端部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7810226B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head having an element having a lower layer with a narrower width |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP24357995A patent/JPH0963017A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7810226B2 (en) | 2006-03-24 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head having an element having a lower layer with a narrower width |
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