JPH0974265A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPH0974265A JPH0974265A JP9334696A JP9334696A JPH0974265A JP H0974265 A JPH0974265 A JP H0974265A JP 9334696 A JP9334696 A JP 9334696A JP 9334696 A JP9334696 A JP 9334696A JP H0974265 A JPH0974265 A JP H0974265A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】薄膜層とフォトレジスト層との密着性を向上す
ることにより、メッキ液の潜り込みを解消し、パターン
精度の良い配線基板の製造方法を提供する。 【構成】基材上に形成され少なくとも上面が被メッキ可
能な材質からなる下地薄膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成す
る工程と、その上にフォトレジストを塗布し、露光現像
工程を経て、該フォトレジスト層に所定のパターンの開
口部を設け、前記Ｔｉ薄膜層を露出させる工程と、該露
出したＴｉ薄膜をエッチングにより除去し、前記下地薄
膜層を露出させる工程と、該露出した下地薄膜層に、メ
ッキを施す工程と、前記フォトレジスト層を除去する工
程と、該フォトレジスト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄
膜層および下地薄膜層を除去する工程とを含むことを特
徴とする。
ることにより、メッキ液の潜り込みを解消し、パターン
精度の良い配線基板の製造方法を提供する。 【構成】基材上に形成され少なくとも上面が被メッキ可
能な材質からなる下地薄膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成す
る工程と、その上にフォトレジストを塗布し、露光現像
工程を経て、該フォトレジスト層に所定のパターンの開
口部を設け、前記Ｔｉ薄膜層を露出させる工程と、該露
出したＴｉ薄膜をエッチングにより除去し、前記下地薄
膜層を露出させる工程と、該露出した下地薄膜層に、メ
ッキを施す工程と、前記フォトレジスト層を除去する工
程と、該フォトレジスト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄
膜層および下地薄膜層を除去する工程とを含むことを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、配線基板の製造
方法に関する。この方法によって製造された配線基板
は、高密度多層基板、サーマルプリンタヘッド等に好適
に利用されうる。
方法に関する。この方法によって製造された配線基板
は、高密度多層基板、サーマルプリンタヘッド等に好適
に利用されうる。
【０００２】
【従来の技術】配線基板を高密度多層化又は小型化する
ために、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技
術及び薄膜技術により微細な導体配線を形成することが
知られている。
ために、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ技
術及び薄膜技術により微細な導体配線を形成することが
知られている。
【０００３】例えば、特公平１−３９２３６号公報で
は、絶縁基板上に薄膜を設け、フォトレジストを塗布
し、露光及び現像を経てパターンを形成し、貴金属メッ
キをした後、フォトレジストを除去し、更にメッキ部以
外の薄膜をエッチング除去することにより、高密度多層
基板を製造する方法が記載されている。この方法は、配
線パターンを薄膜で形成する基本的な技術を開示したも
ので、基材としてはガラスやセラミックのような無機材
料のみが例示されている。
は、絶縁基板上に薄膜を設け、フォトレジストを塗布
し、露光及び現像を経てパターンを形成し、貴金属メッ
キをした後、フォトレジストを除去し、更にメッキ部以
外の薄膜をエッチング除去することにより、高密度多層
基板を製造する方法が記載されている。この方法は、配
線パターンを薄膜で形成する基本的な技術を開示したも
ので、基材としてはガラスやセラミックのような無機材
料のみが例示されている。
【０００４】その後、基材としてポリイミドのような有
機材料でも適用可能なように種々改良がなされ、特開平
１−１２００９４号公報において、絶縁基板上に順にＣ
ｒ、Ｔｉ、ＣｕもしくはＡｕ及びＣｒの薄膜を形成し、
フォトレジストを塗布し、露光及び現像を経てパターン
を形成し、フォトレジストの存在しない部分のＣｒをエ
ッチングし、ＣｕもしくはＡｕの薄膜上にＣｕ、Ａｕな
どの低抵抗金属をメッキすることにより、配線基板を製
造する方法が提案された。この方法は、フォトレジスト
やポリイミドとの密着性のよいＣｒを上下に形成してメ
ッキ液が薄膜と樹脂との隙間に潜り込むのを防止すると
ともに、メッキし易いＣｕやＡｕの薄膜を中間に介在さ
せてメッキ膜と薄膜との密着性をよくし、さらにＣｒエ
ッチング液が浸透して下側のＣｒ薄膜まで侵さないよう
に遮蔽層としてＴｉを介在させたものである。
機材料でも適用可能なように種々改良がなされ、特開平
１−１２００９４号公報において、絶縁基板上に順にＣ
ｒ、Ｔｉ、ＣｕもしくはＡｕ及びＣｒの薄膜を形成し、
フォトレジストを塗布し、露光及び現像を経てパターン
を形成し、フォトレジストの存在しない部分のＣｒをエ
ッチングし、ＣｕもしくはＡｕの薄膜上にＣｕ、Ａｕな
どの低抵抗金属をメッキすることにより、配線基板を製
造する方法が提案された。この方法は、フォトレジスト
やポリイミドとの密着性のよいＣｒを上下に形成してメ
ッキ液が薄膜と樹脂との隙間に潜り込むのを防止すると
ともに、メッキし易いＣｕやＡｕの薄膜を中間に介在さ
せてメッキ膜と薄膜との密着性をよくし、さらにＣｒエ
ッチング液が浸透して下側のＣｒ薄膜まで侵さないよう
に遮蔽層としてＴｉを介在させたものである。
【０００５】これらはいずれの場合も、ポジ型及びネガ
型の２種類のフォトレジストが適用可能である。ポジ型
は、紫外線照射部分が可溶となるもので、一般にノボラ
ック系樹脂からなる。ネガ型は、紫外線照射部分が不溶
となるもので、一般に環化ポリイソプレンからなる。パ
ターン精度としては本来ポジ型のほうが良いが、組み合
わせられる導体材料や絶縁材料とエッチング液との関係
で適切な方が選択される。
型の２種類のフォトレジストが適用可能である。ポジ型
は、紫外線照射部分が可溶となるもので、一般にノボラ
ック系樹脂からなる。ネガ型は、紫外線照射部分が不溶
となるもので、一般に環化ポリイソプレンからなる。パ
ターン精度としては本来ポジ型のほうが良いが、組み合
わせられる導体材料や絶縁材料とエッチング液との関係
で適切な方が選択される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特公平１
−３９２３６号公報記載の方法は、配線パターンを薄膜
で形成する基本的な技術を開示したに過ぎず、薄膜と最
終的に除去されるフォトレジストと密着性まで考慮され
ていない。実際、同公報に例示されているＴｉもしくは
Ｗの第１層及びＰｄもしくはＰｔの第２層からなる薄膜
のうち、上面をなす第２層とフォトレジストとは本質的
に密着性が悪い。また、そのような薄膜をポリイミドの
ような鏡面に近い基材の上に形成した場合、薄膜表面も
鏡面に近い平坦面となるので、フォトレジストとその直
下の薄膜との密着性が更に悪い。そして、密着性が悪い
と、フォトレジストと薄膜との間に隙間生じて、メッキ
液がその隙間に潜り込み、高い精度の配線パターンが得
られない。
−３９２３６号公報記載の方法は、配線パターンを薄膜
で形成する基本的な技術を開示したに過ぎず、薄膜と最
終的に除去されるフォトレジストと密着性まで考慮され
ていない。実際、同公報に例示されているＴｉもしくは
Ｗの第１層及びＰｄもしくはＰｔの第２層からなる薄膜
のうち、上面をなす第２層とフォトレジストとは本質的
に密着性が悪い。また、そのような薄膜をポリイミドの
ような鏡面に近い基材の上に形成した場合、薄膜表面も
鏡面に近い平坦面となるので、フォトレジストとその直
下の薄膜との密着性が更に悪い。そして、密着性が悪い
と、フォトレジストと薄膜との間に隙間生じて、メッキ
液がその隙間に潜り込み、高い精度の配線パターンが得
られない。
【０００７】一方、密着性を改良した前記特開平１−１
２００９４号公報記載の方法では、フェリシアン化カリ
ウムや水酸化カリウムを含むＣｒのエッチング液に対し
てノボラック系樹脂が浸食されてしまい、既述のように
本来パターン精度のよいポジ型レジストを適用すること
ができない。
２００９４号公報記載の方法では、フェリシアン化カリ
ウムや水酸化カリウムを含むＣｒのエッチング液に対し
てノボラック系樹脂が浸食されてしまい、既述のように
本来パターン精度のよいポジ型レジストを適用すること
ができない。
【０００８】それ故、この発明の目的は、薄膜層とフォ
トレジスト層との密着性を向上することにより、メッキ
液の潜り込みを解消し、パターン精度の良い配線基板の
製造方法を提供することにある。
トレジスト層との密着性を向上することにより、メッキ
液の潜り込みを解消し、パターン精度の良い配線基板の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】その目的を達成するため
に、この発明の配線基板の製造方法は、基材上に形成さ
れ少なくとも上面が被メッキ可能な材質からなる下地薄
膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成する工程と、その上にフォ
トレジストを塗布し、露光現像工程を経て、該フォトレ
ジスト層に所定のパターンの開口部を設け、前記Ｔｉ薄
膜層を露出させる工程と、該露出したＴｉ薄膜ををエッ
チングにより除去し、前記下地薄膜層を露出させる工程
と、該露出した下地薄膜層に、メッキを施す工程と、前
記フォトレジスト層を除去する工程と、該フォトレジス
ト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄膜層および下地薄膜層
を除去する工程とを含むことを特徴とする。
に、この発明の配線基板の製造方法は、基材上に形成さ
れ少なくとも上面が被メッキ可能な材質からなる下地薄
膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成する工程と、その上にフォ
トレジストを塗布し、露光現像工程を経て、該フォトレ
ジスト層に所定のパターンの開口部を設け、前記Ｔｉ薄
膜層を露出させる工程と、該露出したＴｉ薄膜ををエッ
チングにより除去し、前記下地薄膜層を露出させる工程
と、該露出した下地薄膜層に、メッキを施す工程と、前
記フォトレジスト層を除去する工程と、該フォトレジス
ト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄膜層および下地薄膜層
を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記方法によれば、被メッキ可能な材質からな
る下地薄膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成し、その上にフォ
トレジストを塗布し、露光現像工程を経て、該フォトレ
ジスト層に所定のパターンの開口部を設け、前記Ｔｉ薄
膜層を露出させ、該露出したＴｉ薄膜をエッチングによ
り除去し、前記下地薄膜層を露出させ、該露出した下地
薄膜層に、メッキを施し、前記フォトレジスト層を除去
し、該フォトレジスト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄膜
層および下地薄膜層を除去する。このとき、Ｔｉのエッ
チング液は、Ｃｒのエッチング液と異なり硝酸やフッ酸
を含む酸性水溶液であるので、ネガ型フォトレジストは
もちろん、ポジ型フォトレジストをも浸食しない。従っ
て、エッチング前の高い配線パターンの精度が維持され
る。しかもＴｉ薄膜とフォトレジストとの密着性は良い
から、その後にメッキする際、メッキ液の潜り込みが生
じない。よって、高精度の微細な配線が得られる。Ｔｉ
薄膜の厚さは、通常１ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１
０ｎｍ〜１００ｎｍである。
る下地薄膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形成し、その上にフォ
トレジストを塗布し、露光現像工程を経て、該フォトレ
ジスト層に所定のパターンの開口部を設け、前記Ｔｉ薄
膜層を露出させ、該露出したＴｉ薄膜をエッチングによ
り除去し、前記下地薄膜層を露出させ、該露出した下地
薄膜層に、メッキを施し、前記フォトレジスト層を除去
し、該フォトレジスト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄膜
層および下地薄膜層を除去する。このとき、Ｔｉのエッ
チング液は、Ｃｒのエッチング液と異なり硝酸やフッ酸
を含む酸性水溶液であるので、ネガ型フォトレジストは
もちろん、ポジ型フォトレジストをも浸食しない。従っ
て、エッチング前の高い配線パターンの精度が維持され
る。しかもＴｉ薄膜とフォトレジストとの密着性は良い
から、その後にメッキする際、メッキ液の潜り込みが生
じない。よって、高精度の微細な配線が得られる。Ｔｉ
薄膜の厚さは、通常１ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１
０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００１１】
【発明の実施の形態】基材としては、セラミック材料の
ほかポリイミド樹脂等の有機材料も適用可能であり、微
細配線には後者が望ましい。そのほか、シリコンウエハ
ーも適用可能である。いずれにしても、この発明の膜構
成は、表面が鏡面に近い平坦な基材との密着性に優れる
ので、そのような基材に有効である。
ほかポリイミド樹脂等の有機材料も適用可能であり、微
細配線には後者が望ましい。そのほか、シリコンウエハ
ーも適用可能である。いずれにしても、この発明の膜構
成は、表面が鏡面に近い平坦な基材との密着性に優れる
ので、そのような基材に有効である。
【００１２】下地薄膜層は、上面が被メッキ可能な材質
で構成されていれば良い。被メッキ可能な材質として
は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄが挙げられる。一方、下面につい
ては特に限定されないが、下面がＣｒで構成されていれ
ば、Ｃｒはポリイミド等の有機材料に対してもセラミッ
ク等の無機材料に対しても密着するので、基材の選定が
容易となり、好ましい。また、下地薄膜層として、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮｉのうちから１種以上を選ぶのも
好ましい。これらは被メッキ可能であるので、上面に配
線に必要な導体をメッキすることができるうえ、無電解
メッキ可能な材質であるので、無電解メッキによってセ
ラミック等の基材と密着させることができるからであ
る。また、フォトレジストとしては、ネガ型はもとよ
り、ノボラック系樹脂からなるポジ型も適用可能であ
り、高精度パターンのために好ましい。
で構成されていれば良い。被メッキ可能な材質として
は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄが挙げられる。一方、下面につい
ては特に限定されないが、下面がＣｒで構成されていれ
ば、Ｃｒはポリイミド等の有機材料に対してもセラミッ
ク等の無機材料に対しても密着するので、基材の選定が
容易となり、好ましい。また、下地薄膜層として、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮｉのうちから１種以上を選ぶのも
好ましい。これらは被メッキ可能であるので、上面に配
線に必要な導体をメッキすることができるうえ、無電解
メッキ可能な材質であるので、無電解メッキによってセ
ラミック等の基材と密着させることができるからであ
る。また、フォトレジストとしては、ネガ型はもとよ
り、ノボラック系樹脂からなるポジ型も適用可能であ
り、高精度パターンのために好ましい。
【００１３】
−実施例１− この発明の第一の実施例を図面とともに説明する。図１
は、この発明の製造方法の第一実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例では、
ポリイミドを基材としている。
は、この発明の製造方法の第一実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例では、
ポリイミドを基材としている。
【００１４】Ａｌ2Ｏ3含有量９２重量％のアルミナ基板
１上の全面にポリイミド前駆体をスピンコートし、温度
８０℃でプリベークさせ、続いて窒素雰囲気中３５０℃
でポリイミド前駆体を硬化させてポリイミド樹脂層２と
し、その上に厚さ２５ｎｍのＣｒ薄膜３ａおよび厚さ３
００ｎｍのＰｄ薄膜３ｂからなる下地薄膜層３、更に厚
さ１００ｎｍのＴｉ薄膜層４を順にスパッタリングした
（図１(a)）。その上にヘキスト社製ＡＺ−４６２０ノ
ボラック樹脂系フォトレジスト５を厚さ１０μｍに塗布
し、露光し現像液に浸漬して乾燥することにより幅２５
μｍ、ピッチ５０μｍの配線パターンの開口部６を設け
た（図１(b)）。開口部６の底面には、Ｔｉ薄膜層４が
露出している。
１上の全面にポリイミド前駆体をスピンコートし、温度
８０℃でプリベークさせ、続いて窒素雰囲気中３５０℃
でポリイミド前駆体を硬化させてポリイミド樹脂層２と
し、その上に厚さ２５ｎｍのＣｒ薄膜３ａおよび厚さ３
００ｎｍのＰｄ薄膜３ｂからなる下地薄膜層３、更に厚
さ１００ｎｍのＴｉ薄膜層４を順にスパッタリングした
（図１(a)）。その上にヘキスト社製ＡＺ−４６２０ノ
ボラック樹脂系フォトレジスト５を厚さ１０μｍに塗布
し、露光し現像液に浸漬して乾燥することにより幅２５
μｍ、ピッチ５０μｍの配線パターンの開口部６を設け
た（図１(b)）。開口部６の底面には、Ｔｉ薄膜層４が
露出している。
【００１５】その後、その配線パターン部（開口部）６
のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｐｄ薄膜３ｂを上面にもつ下地薄膜層３
を露出させた（図１(c)）。次いで、基板を洗浄し、続
いてＡｕメッキ液に浸漬して下地薄膜層３に通電するこ
とにより、下地薄膜層３の露出した配線パターン部６に
厚さ５μｍの電解Ａｕメッキ膜７を形成した（図１
(d)）。更に、残ったフォトレジスト層５及びその下に
位置するＴｉ薄膜層４および下地薄膜層３をそれぞれの
エッチング液で除去することによって、配線基板を製造
した（図１(e)）。本実施例によって、ポリイミド樹脂
層２上にＣｒ及びＰｄの薄膜３ａ，３ｂを下地としてＡ
ｕメッキ配線が形成されたことになる。
のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｐｄ薄膜３ｂを上面にもつ下地薄膜層３
を露出させた（図１(c)）。次いで、基板を洗浄し、続
いてＡｕメッキ液に浸漬して下地薄膜層３に通電するこ
とにより、下地薄膜層３の露出した配線パターン部６に
厚さ５μｍの電解Ａｕメッキ膜７を形成した（図１
(d)）。更に、残ったフォトレジスト層５及びその下に
位置するＴｉ薄膜層４および下地薄膜層３をそれぞれの
エッチング液で除去することによって、配線基板を製造
した（図１(e)）。本実施例によって、ポリイミド樹脂
層２上にＣｒ及びＰｄの薄膜３ａ，３ｂを下地としてＡ
ｕメッキ配線が形成されたことになる。
【００１６】得られた配線基板の表面を拡大鏡で観察し
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層４とフォトレジスト層５との密着
性が高いため、Ａｕメッキ液が両者の間に潜り込むこと
がなく、また、Ｔｉ薄膜層４をエッチング除去しても、
ノボラック系樹脂であるフォトレジストを侵すことがな
いので、配線パターンににじみが生じなかったからであ
る。
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層４とフォトレジスト層５との密着
性が高いため、Ａｕメッキ液が両者の間に潜り込むこと
がなく、また、Ｔｉ薄膜層４をエッチング除去しても、
ノボラック系樹脂であるフォトレジストを侵すことがな
いので、配線パターンににじみが生じなかったからであ
る。
【００１７】なお、上記実施例においては、基材として
ポリイミド樹脂を用い、この基材上に薄膜層及びフォト
レジスト層を形成した例を示したが、その他、エポキシ
樹脂、ＢＣＢ樹脂等の有機樹脂を基材として用いても良
いことは明らかである。さらに、アルミナ、ムライト、
ＡｌＮ、ガラスセラミック、ガラス等の無機材料からな
る基板を基材として用いても良い。
ポリイミド樹脂を用い、この基材上に薄膜層及びフォト
レジスト層を形成した例を示したが、その他、エポキシ
樹脂、ＢＣＢ樹脂等の有機樹脂を基材として用いても良
いことは明らかである。さらに、アルミナ、ムライト、
ＡｌＮ、ガラスセラミック、ガラス等の無機材料からな
る基板を基材として用いても良い。
【００１８】また、上記実施例では下地薄膜層としてＣ
ｒ薄膜およびＰｄ薄膜からなるものを用いたが、Ｃｒに
代えて基材との密着性の高い材質（例えば、Ｍｏ、Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｍｏ等）を用いても良い。更に、上面
が被メッキ可能な材質であればよいので、Ｐｄに代え
て、Ｃｕ、Ａｕ等を用いても良い。また、下地薄膜層
は、上記実施例では、Ｃｒ／Ｐｄの２層からなるものを
示したが、上面が被メッキ可能なＰｄ、Ｃｕ、Ａｕ等で
構成されていれば２層以上の層を重ねても良く、逆に基
材との密着性が得られるならばＰｄ等の単一層であって
も良い。
ｒ薄膜およびＰｄ薄膜からなるものを用いたが、Ｃｒに
代えて基材との密着性の高い材質（例えば、Ｍｏ、Ｚ
ｒ、Ｔｉ、Ｔｉ−Ｍｏ等）を用いても良い。更に、上面
が被メッキ可能な材質であればよいので、Ｐｄに代え
て、Ｃｕ、Ａｕ等を用いても良い。また、下地薄膜層
は、上記実施例では、Ｃｒ／Ｐｄの２層からなるものを
示したが、上面が被メッキ可能なＰｄ、Ｃｕ、Ａｕ等で
構成されていれば２層以上の層を重ねても良く、逆に基
材との密着性が得られるならばＰｄ等の単一層であって
も良い。
【００１９】−比較例１− Ｔｉ薄膜層４に代えてＣｒ薄膜を形成し、且つこのＣｒ
薄膜のエッチング液としてフェリシアン化カリウム１０
％を用いる以外は、上記実施例１と同一条件で配線基板
を製造しようとしたところ、配線パターン形成後の不要
のＣｒ薄膜をエッチング液で除去する際、フォトレジス
トが溶けて配線パターンが崩れた。従って、その後のメ
ッキが不可能となった。ノボラック系樹脂はアルカリに
対して溶解するからである。
薄膜のエッチング液としてフェリシアン化カリウム１０
％を用いる以外は、上記実施例１と同一条件で配線基板
を製造しようとしたところ、配線パターン形成後の不要
のＣｒ薄膜をエッチング液で除去する際、フォトレジス
トが溶けて配線パターンが崩れた。従って、その後のメ
ッキが不可能となった。ノボラック系樹脂はアルカリに
対して溶解するからである。
【００２０】−比較例２− この例は、被メッキ可能な薄膜の上にＴｉ薄膜層４も比
較例１で示したＣｒ薄膜も形成することなく、直接フォ
トレジストを塗布する方法である。すなわち、Ｔｉ薄膜
層４の形成及びＴｉのエッチング液への浸漬を省略した
以外は、上記実施例と同一条件で配線基板を製造した。
較例１で示したＣｒ薄膜も形成することなく、直接フォ
トレジストを塗布する方法である。すなわち、Ｔｉ薄膜
層４の形成及びＴｉのエッチング液への浸漬を省略した
以外は、上記実施例と同一条件で配線基板を製造した。
【００２１】得られた配線基板の表面を拡大鏡で観察し
たところ、配線の縁ににじみが生じて隣接する配線間で
短絡していた。これは、フォトレジストとＰｄ薄膜との
密着性が低いので、両者の間の隙間にメッキ液が潜り込
んだためと考えられる。
たところ、配線の縁ににじみが生じて隣接する配線間で
短絡していた。これは、フォトレジストとＰｄ薄膜との
密着性が低いので、両者の間の隙間にメッキ液が潜り込
んだためと考えられる。
【００２２】−実施例２− この発明の第二の実施例を図面とともに説明する。図２
は、この発明の製造方法の第二実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例では、
基板材質を兼ねるアルミナを基材としている。
は、この発明の製造方法の第二実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例では、
基板材質を兼ねるアルミナを基材としている。
【００２３】Ａｌ2Ｏ3含有量９２重量％のアルミナ基板
１１上の全面に、厚さ５０ｎｍのＣｒ薄膜１３ａおよび
厚さ５００ｎｍのＰｄ薄膜１３ｂからなる下地薄膜層１
３、更に厚さ１００ｎｍのＴｉ薄膜層１４を順にスパッ
タリングした（図２(a)）。その上にヘキスト社製ＡＺ
−４６２０ノボラック樹脂系フォトレジスト１５を厚さ
１０μｍに塗布し、露光し現像液に浸漬して乾燥するこ
とにより幅２５μｍ、ピッチ５０μｍの配線パターンの
開口部１６を設けた（図２(b)）。開口部１６の底面に
は、Ｔｉ薄膜層１４が露出している。
１１上の全面に、厚さ５０ｎｍのＣｒ薄膜１３ａおよび
厚さ５００ｎｍのＰｄ薄膜１３ｂからなる下地薄膜層１
３、更に厚さ１００ｎｍのＴｉ薄膜層１４を順にスパッ
タリングした（図２(a)）。その上にヘキスト社製ＡＺ
−４６２０ノボラック樹脂系フォトレジスト１５を厚さ
１０μｍに塗布し、露光し現像液に浸漬して乾燥するこ
とにより幅２５μｍ、ピッチ５０μｍの配線パターンの
開口部１６を設けた（図２(b)）。開口部１６の底面に
は、Ｔｉ薄膜層１４が露出している。
【００２４】その後、その配線パターン部（開口部）１
６のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｐｄ薄膜１３ｂを上面にもつ下地薄膜層
１３を露出させた（図２(c)）。次いで、基板を洗浄
し、続いてＡｕメッキ液に浸漬して下地薄膜層１３に通
電することにより、下地薄膜層３の露出した配線パター
ン部１６に厚さ５μｍの電解Ａｕメッキ膜１７を形成し
た（図２(d)）。更に、残ったフォトレジスト層１５及
びその下に位置するＴｉ薄膜層１４および下地薄膜層１
３をそれぞれのエッチング液で除去することによって、
配線基板を製造した（図２(e)）。本実施例によって、
アルミナ基板１１上にＣｒ及びＰｄの薄膜１３ａ，１３
ｂを下地としてＡｕメッキ配線が形成されたことにな
る。
６のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｐｄ薄膜１３ｂを上面にもつ下地薄膜層
１３を露出させた（図２(c)）。次いで、基板を洗浄
し、続いてＡｕメッキ液に浸漬して下地薄膜層１３に通
電することにより、下地薄膜層３の露出した配線パター
ン部１６に厚さ５μｍの電解Ａｕメッキ膜１７を形成し
た（図２(d)）。更に、残ったフォトレジスト層１５及
びその下に位置するＴｉ薄膜層１４および下地薄膜層１
３をそれぞれのエッチング液で除去することによって、
配線基板を製造した（図２(e)）。本実施例によって、
アルミナ基板１１上にＣｒ及びＰｄの薄膜１３ａ，１３
ｂを下地としてＡｕメッキ配線が形成されたことにな
る。
【００２５】得られた配線基板の表面を拡大鏡で観察し
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層１４とフォトレジスト層１５との
密着性が高いため、Ａｕメッキが両者の間に潜り込むこ
とがなく、また、Ｔｉ薄膜層１４をエッチング除去して
も、ノボラック系樹脂であるフォトレジストを侵すこと
がないので、配線パターンににじみが生じなかったから
である。
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層１４とフォトレジスト層１５との
密着性が高いため、Ａｕメッキが両者の間に潜り込むこ
とがなく、また、Ｔｉ薄膜層１４をエッチング除去して
も、ノボラック系樹脂であるフォトレジストを侵すこと
がないので、配線パターンににじみが生じなかったから
である。
【００２６】更に、前記実施例１及び本例から、下地薄
膜層がＣｒからなる下面を有するときは、基材が実施例
１のようにポリイミド樹脂であろうと本例のようにセラ
ミックであろうと、下地薄膜層が基材と密着することが
明らかである。
膜層がＣｒからなる下面を有するときは、基材が実施例
１のようにポリイミド樹脂であろうと本例のようにセラ
ミックであろうと、下地薄膜層が基材と密着することが
明らかである。
【００２７】−実施例３− この発明の第三の実施例を図面とともに説明する。図３
は、この発明の製造方法の第三実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例でも、
基板材質を兼ねるアルミナを基材としている。
は、この発明の製造方法の第三実施例に従って製造され
る配線基板を工程順に示した断面図である。本例でも、
基板材質を兼ねるアルミナを基材としている。
【００２８】Ａｌ2Ｏ3含有量９２重量％のアルミナ基板
２１上の全面に、厚さ５００ｎｍのＣｕからなる下地薄
膜層２３を無電解メッキし、その上に厚さ１００ｎｍの
Ｔｉ薄膜層２４をスパッタリングした（図３(a)）。そ
の上にヘキスト社製ＡＺ−４６２０ノボラック樹脂系フ
ォトレジスト２５を厚さ１０μｍに塗布し、露光し現像
液に浸漬して乾燥することにより幅２５μｍ、ピッチ５
０μｍの配線パターンの開口部２６を設けた（図３
(b)）。開口部２６の底面には、Ｔｉ薄膜層２４が露出
している。
２１上の全面に、厚さ５００ｎｍのＣｕからなる下地薄
膜層２３を無電解メッキし、その上に厚さ１００ｎｍの
Ｔｉ薄膜層２４をスパッタリングした（図３(a)）。そ
の上にヘキスト社製ＡＺ−４６２０ノボラック樹脂系フ
ォトレジスト２５を厚さ１０μｍに塗布し、露光し現像
液に浸漬して乾燥することにより幅２５μｍ、ピッチ５
０μｍの配線パターンの開口部２６を設けた（図３
(b)）。開口部２６の底面には、Ｔｉ薄膜層２４が露出
している。
【００２９】その後、その配線パターン部（開口部）２
６のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｃｕからなる下地薄膜層３を露出させた
（図３(c)）。次いで、基板を洗浄し、続いて下地薄膜
層２３に通電しながらＣｕメッキ液、Ｎｉメッキ液及び
Ａｕメッキ液に順に浸漬することにより、下地薄膜層２
３の露出した配線パターン部２６に厚さ２μｍのＣｕ膜
２７ａ、厚さ１μｍのＮｉ膜２７ｂ及び厚さ２μｍのＡ
ｕ膜２７ｃからなるメッキ膜２７を形成した（図３
(d)）。更に、残ったフォトレジスト層２５及びその下
に位置するＴｉ薄膜層２４および下地薄膜層２３をそれ
ぞれのエッチング液で除去することによって、配線基板
を製造した（図３(e)）。本実施例によって、アルミナ
基板１上にＣｕのメッキ膜を下地としてＣｕ／Ｎｉ／Ａ
ｕ３層メッキ配線が形成されたことになる。
６のＴｉ薄膜層４をエッチング液（硝酸とフッ酸の混合
液）で除去し、Ｃｕからなる下地薄膜層３を露出させた
（図３(c)）。次いで、基板を洗浄し、続いて下地薄膜
層２３に通電しながらＣｕメッキ液、Ｎｉメッキ液及び
Ａｕメッキ液に順に浸漬することにより、下地薄膜層２
３の露出した配線パターン部２６に厚さ２μｍのＣｕ膜
２７ａ、厚さ１μｍのＮｉ膜２７ｂ及び厚さ２μｍのＡ
ｕ膜２７ｃからなるメッキ膜２７を形成した（図３
(d)）。更に、残ったフォトレジスト層２５及びその下
に位置するＴｉ薄膜層２４および下地薄膜層２３をそれ
ぞれのエッチング液で除去することによって、配線基板
を製造した（図３(e)）。本実施例によって、アルミナ
基板１上にＣｕのメッキ膜を下地としてＣｕ／Ｎｉ／Ａ
ｕ３層メッキ配線が形成されたことになる。
【００３０】得られた配線基板の表面を拡大鏡で観察し
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層２４とフォトレジスト層２５との
密着性が高いため、Ｃｕメッキ液、Ｎｉメッキ液及びＡ
ｕメッキ液のいずれも両者の間に潜り込むことがなく、
また、Ｔｉ薄膜層２４をエッチング除去しても、ノボラ
ック系樹脂であるフォトレジストを侵すことがないの
で、配線パターンににじみが生じなかったからである。
たところ、配線間の短絡はもとより、にじみも生じてい
なかった。Ｔｉ薄膜層２４とフォトレジスト層２５との
密着性が高いため、Ｃｕメッキ液、Ｎｉメッキ液及びＡ
ｕメッキ液のいずれも両者の間に潜り込むことがなく、
また、Ｔｉ薄膜層２４をエッチング除去しても、ノボラ
ック系樹脂であるフォトレジストを侵すことがないの
で、配線パターンににじみが生じなかったからである。
【００３１】更に、本例では、下地薄膜層として、被メ
ッキ可能であると同時に自らもアルミナ基板に無電解メ
ッキ可能なＣｕを用いているので、Ｃｕ１層で上面に配
線に必要な導体をメッキすることができるばかりか、基
板とも密着し、膜構成及び工程が簡単である。
ッキ可能であると同時に自らもアルミナ基板に無電解メ
ッキ可能なＣｕを用いているので、Ｃｕ１層で上面に配
線に必要な導体をメッキすることができるばかりか、基
板とも密着し、膜構成及び工程が簡単である。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によれ
ば、メッキ液の種類に係わらず薄膜層とフォトレジスト
層との間にメッキ液が潜り込むのを防止することができ
る。その結果、ネガ型レジストはもとより、ポジ型レジ
ストによって形成された高い精度の配線パターンを有す
る配線基板を得ることができるので、配線基板の高密度
多層化及び小型化に寄与する。
ば、メッキ液の種類に係わらず薄膜層とフォトレジスト
層との間にメッキ液が潜り込むのを防止することができ
る。その結果、ネガ型レジストはもとより、ポジ型レジ
ストによって形成された高い精度の配線パターンを有す
る配線基板を得ることができるので、配線基板の高密度
多層化及び小型化に寄与する。
【図１】実施例１の製造方法を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図２】実施例２の製造方法を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図３】実施例３の製造方法を工程順に説明する断面図
である。
である。
１，１１，２１ アルミナ基板 ２ ポリイミド樹脂層 ３，１３，２３ 下地薄膜層 ４，１４，２４ Ｔｉ薄膜層 ５，１５，２５ フォトレジスト層 ６，１６，２６ 開口部（配線パターン部） ７，１７，２７ Ａｕメッキ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金森 孝司 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 園田 友美 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】基材上に形成され少なくとも上面が被メッ
キ可能な材質からなる下地薄膜層上に、Ｔｉ薄膜層を形
成する工程と、 その上にフォトレジストを塗布し、露光現像工程を経
て、該フォトレジスト層に所定のパターンの開口部を設
け、前記Ｔｉ薄膜層を露出させる工程と、 該露出したＴｉ薄膜をエッチングにより除去し、前記下
地薄膜層を露出させる工程と、 該露出した下地薄膜層に、メッキを施す工程と、前記フ
ォトレジスト層を除去する工程と、 該フォトレジスト層の下部に位置する前記Ｔｉ薄膜層お
よび下地薄膜層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る配線基板の製造方法。 - 【請求項２】前記基材がポリイミド樹脂等の有機材料で
ある請求項１に記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項３】前記基材がセラミック材料である請求項１
に記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項４】前記下地薄膜層がＣｒからなる下面を有す
る請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板の製造方
法。 - 【請求項５】前記下地薄膜層がＣｕ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮ
ｉのうちから選ばれる１種以上からなる請求項１〜３の
いずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項６】前記フォトレジストがノボラック系樹脂で
ある請求項１〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9334696A JPH0974265A (ja) | 1995-06-28 | 1996-03-21 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-186455 | 1995-06-28 | ||
| JP18645595 | 1995-06-28 | ||
| JP9334696A JPH0974265A (ja) | 1995-06-28 | 1996-03-21 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974265A true JPH0974265A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=26434741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9334696A Pending JPH0974265A (ja) | 1995-06-28 | 1996-03-21 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974265A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108235578A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pcb丝印制作方法、pcb丝印图案及pcb板 |
| JPWO2018180868A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | 電子部品の製造方法 |
| JP2020072166A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板および印刷配線板の製造方法 |
| CN114447552A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-06 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种基于mems工艺的新型微带环行器及其加工方法 |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP9334696A patent/JPH0974265A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018180868A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2019-06-27 | 株式会社アルバック | 電子部品の製造方法 |
| CN108235578A (zh) * | 2018-01-02 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pcb丝印制作方法、pcb丝印图案及pcb板 |
| JP2020072166A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 印刷配線板および印刷配線板の製造方法 |
| CN114447552A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-06 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种基于mems工艺的新型微带环行器及其加工方法 |
| CN114447552B (zh) * | 2022-02-10 | 2023-01-13 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种基于mems工艺的新型微带环行器及其加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040809 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |