JPH098204A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法Info
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- JPH098204A JPH098204A JP17428495A JP17428495A JPH098204A JP H098204 A JPH098204 A JP H098204A JP 17428495 A JP17428495 A JP 17428495A JP 17428495 A JP17428495 A JP 17428495A JP H098204 A JPH098204 A JP H098204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- hole
- holes
- metal pin
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3447—Lead-in-hole components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属ピンと基板に設けられたスルーホールと
の接続信頼性に優れた半導体パッケージの製造方法を提
案すること。 【構成】 基板にスルーホールを形成した後、そのスル
ーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半導体
パッケージの製造方法において、スルーホールに金属ピ
ンを嵌入した後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側
から、複数の粒状半田あるいは１粒の球状半田を充填せ
しめ、その後加熱溶融することを特徴とする半導体パッ
ケージの製造方法。
の接続信頼性に優れた半導体パッケージの製造方法を提
案すること。 【構成】 基板にスルーホールを形成した後、そのスル
ーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半導体
パッケージの製造方法において、スルーホールに金属ピ
ンを嵌入した後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側
から、複数の粒状半田あるいは１粒の球状半田を充填せ
しめ、その後加熱溶融することを特徴とする半導体パッ
ケージの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、金属ピンを外部端子
として持つ所謂ＰＧＡ（Pin Grid Array）半導体パッケ
ージの製造方法に関し、特には金属ピンと基板に設けら
れたスルーホールとの接続信頼性に優れた半導体パッケ
ージの製造方法に関する。
として持つ所謂ＰＧＡ（Pin Grid Array）半導体パッケ
ージの製造方法に関し、特には金属ピンと基板に設けら
れたスルーホールとの接続信頼性に優れた半導体パッケ
ージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージの最も汎用の形態とし
て、いわゆるＰＧＡと呼ばれる形態がある。これは、基
板の外周部分に設けられ、基板に実装される半導体部品
と電気的に接続するスルーホールに、外部端子たる金属
ピンを嵌入して半田接続させた構造を持つものである。
従来このようなＰＧＡを製造するにあたり、金属ピンと
スルーホールの半田接続は、半田ディップ法、半田
ペースト印刷後の加熱溶融（リフロー）、冷却する方法
が採用されていた。の半田ディップ法とは、ＰＧＡ基
板の内、半田接続しない部分にはソルダーレジストを被
覆しておき、これを溶融半田に浸漬し、ついで冷却する
方法である。また、の方法は、スルーホールと金属ピ
ンとの間隙に半田ペーストをスクリーン印刷などで充填
しておき、これを加熱溶融、冷却させて半田接続を行う
方法である。
て、いわゆるＰＧＡと呼ばれる形態がある。これは、基
板の外周部分に設けられ、基板に実装される半導体部品
と電気的に接続するスルーホールに、外部端子たる金属
ピンを嵌入して半田接続させた構造を持つものである。
従来このようなＰＧＡを製造するにあたり、金属ピンと
スルーホールの半田接続は、半田ディップ法、半田
ペースト印刷後の加熱溶融（リフロー）、冷却する方法
が採用されていた。の半田ディップ法とは、ＰＧＡ基
板の内、半田接続しない部分にはソルダーレジストを被
覆しておき、これを溶融半田に浸漬し、ついで冷却する
方法である。また、の方法は、スルーホールと金属ピ
ンとの間隙に半田ペーストをスクリーン印刷などで充填
しておき、これを加熱溶融、冷却させて半田接続を行う
方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、のよ
うな方法では、半田量や半田形状が各スルーホール毎に
不均一であり、また溶融半田に浸漬してこれを取り出し
て冷却するため、付着した半田が流れてあたかもツララ
状になり、本来電気的な接続があってはならない回路間
を短絡させることになるため、絶縁信頼性の低下を招く
のである。さらに、のような方法では、半田量が各ス
ルーホール毎に不均一であり、また、表面パッド上に半
田が厚く付着し、実装性の低下の原因となる。
うな方法では、半田量や半田形状が各スルーホール毎に
不均一であり、また溶融半田に浸漬してこれを取り出し
て冷却するため、付着した半田が流れてあたかもツララ
状になり、本来電気的な接続があってはならない回路間
を短絡させることになるため、絶縁信頼性の低下を招く
のである。さらに、のような方法では、半田量が各ス
ルーホール毎に不均一であり、また、表面パッド上に半
田が厚く付着し、実装性の低下の原因となる。
【０００５】このように、従来は金属ピンとスルーホー
ルの半田接続の方法に関して、絶縁信頼性、品質の安定
性に優れた方法は提案されていない。本願発明の目的
は、このような絶縁信頼性、品質の安定性に優れた半導
体パッケージの製造方法を提案する。
ルの半田接続の方法に関して、絶縁信頼性、品質の安定
性に優れた方法は提案されていない。本願発明の目的
は、このような絶縁信頼性、品質の安定性に優れた半導
体パッケージの製造方法を提案する。
【０００６】
【課題を解決する手段】本願発明は、基板にスルーホー
ルを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、半田接続する半導体パッケージの製造方法におい
て、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピ
ンを嵌入した側とは反対側から、複数の粒状半田を該ス
ルーホールに充填せしめ、その後加熱溶融することを特
徴とする半導体パッケージの製造方法と、基板にスルー
ホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌
入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方法に
おいて、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金
属ピンを嵌入した側とは反対側から、１粒の球状半田を
該スルーホールに配置せしめ、その後加熱溶融すること
を特徴とする半導体パッケージの製造方法に関する。前
記粒状半田は、その直径が０．１０〜０．２０ｍｍであ
る。また、前記球状半田の直径は、０．４〜１．０ｍｍ
である。粒状半田あるいは球状半田と半田ペーストは、
異なるものである。半田ペーストは、半田の微細粉と樹
脂や溶剤などを混合して粘度を高くしたものであり、粒
状半田あるいは球状半田は、半田を粒状あるいは球状に
したものであり、粘度を上げるための樹脂は添加しな
い。
ルを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、半田接続する半導体パッケージの製造方法におい
て、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピ
ンを嵌入した側とは反対側から、複数の粒状半田を該ス
ルーホールに充填せしめ、その後加熱溶融することを特
徴とする半導体パッケージの製造方法と、基板にスルー
ホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピンを嵌
入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方法に
おいて、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金
属ピンを嵌入した側とは反対側から、１粒の球状半田を
該スルーホールに配置せしめ、その後加熱溶融すること
を特徴とする半導体パッケージの製造方法に関する。前
記粒状半田は、その直径が０．１０〜０．２０ｍｍであ
る。また、前記球状半田の直径は、０．４〜１．０ｍｍ
である。粒状半田あるいは球状半田と半田ペーストは、
異なるものである。半田ペーストは、半田の微細粉と樹
脂や溶剤などを混合して粘度を高くしたものであり、粒
状半田あるいは球状半田は、半田を粒状あるいは球状に
したものであり、粘度を上げるための樹脂は添加しな
い。
【０００７】
【作用】本願発明では、基板に設けられたスルーホール
に金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌入した側と
は反対側から、そのスルーホールに複数の粒状半田を充
填せしめ、その後加熱溶融することが必要である。粒状
半田は、半田ペーストと異なり、樹脂や溶剤などを含ん
でいないため、スルーホールに入り込んだ粒以外は、基
板に付着したり、残存したりすることがなく、スルーホ
ールのパッドに半田が残存したり、半田ツララができる
こともない。さらに、スルーホールに充填される粒状半
田量はスルーホールと金属ピンにより構成される間隙に
より決まるため、半田量も均一となる。また、従来法で
はスルーホールのランドからスルーホール内へ半田が供
給されるが、本願発明の方法では、スルーホール内から
スルーホールのランドへ半田が供給されるため、ランド
に過剰に半田が残存することもない。スルーホールおよ
び金属ピンはニッケル−金めっきを行うため、表面が金
で被服されており、半田との濡れ性に優れ、溶融した半
田はこの金被服面を伝わり、スルーホールへ供給され
る。この充填された粒状半田を加熱溶融（いわゆるリフ
ロー工程）することにより、金属ピンとスルーホールを
接続する。
に金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌入した側と
は反対側から、そのスルーホールに複数の粒状半田を充
填せしめ、その後加熱溶融することが必要である。粒状
半田は、半田ペーストと異なり、樹脂や溶剤などを含ん
でいないため、スルーホールに入り込んだ粒以外は、基
板に付着したり、残存したりすることがなく、スルーホ
ールのパッドに半田が残存したり、半田ツララができる
こともない。さらに、スルーホールに充填される粒状半
田量はスルーホールと金属ピンにより構成される間隙に
より決まるため、半田量も均一となる。また、従来法で
はスルーホールのランドからスルーホール内へ半田が供
給されるが、本願発明の方法では、スルーホール内から
スルーホールのランドへ半田が供給されるため、ランド
に過剰に半田が残存することもない。スルーホールおよ
び金属ピンはニッケル−金めっきを行うため、表面が金
で被服されており、半田との濡れ性に優れ、溶融した半
田はこの金被服面を伝わり、スルーホールへ供給され
る。この充填された粒状半田を加熱溶融（いわゆるリフ
ロー工程）することにより、金属ピンとスルーホールを
接続する。
【０００８】前記粒状半田は、その直径が０．１０〜
０．２０ｍｍであることが望ましい。その理由は、０．
１０ｍｍ未満では、基板表面（ＰＧＡ以外の場所）に半
田がつまってしまい、流し込みにくく、０．２０ｍｍを
越えると、最も汎用のスルーホール直径０．５５ｍｍに
対して、充填量が安定しないからである。本願発明で
は、基板に設けられたスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に
粒状半田を供給し、ついで超音波などの振動を与えるこ
とにより、スルーホール内壁と金属ピンにより構成され
る間隙に該粒状半田を充填せしめ、その後加熱溶融する
ことが望ましい。金属ピンを嵌入した側とは反対側の基
板面に粒状半田を供給すると、粒状半田は、基板面を転
がり、スルーホールの中に落ち込む。さらに、超音波振
動を与えることにより、基板面に存在する余分な粒状半
田は取り除かれ、またスルーホールの中に充填された粒
状半田は最密充填されるように配列されるため、間隙に
効率的に充填され、加熱溶融した場合でも気泡が残留し
にくくなり、信頼性の高い接続が可能になるのである。
０．２０ｍｍであることが望ましい。その理由は、０．
１０ｍｍ未満では、基板表面（ＰＧＡ以外の場所）に半
田がつまってしまい、流し込みにくく、０．２０ｍｍを
越えると、最も汎用のスルーホール直径０．５５ｍｍに
対して、充填量が安定しないからである。本願発明で
は、基板に設けられたスルーホールに金属ピンを嵌入し
た後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に
粒状半田を供給し、ついで超音波などの振動を与えるこ
とにより、スルーホール内壁と金属ピンにより構成され
る間隙に該粒状半田を充填せしめ、その後加熱溶融する
ことが望ましい。金属ピンを嵌入した側とは反対側の基
板面に粒状半田を供給すると、粒状半田は、基板面を転
がり、スルーホールの中に落ち込む。さらに、超音波振
動を与えることにより、基板面に存在する余分な粒状半
田は取り除かれ、またスルーホールの中に充填された粒
状半田は最密充填されるように配列されるため、間隙に
効率的に充填され、加熱溶融した場合でも気泡が残留し
にくくなり、信頼性の高い接続が可能になるのである。
【０００９】本願にかかるもう一つの発明は、基板にス
ルーホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピン
を嵌入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方
法において、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、そ
の金属ピンを嵌入した側とは反対側から、１粒の球状半
田を該スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこみ配置せしめ、その後加熱溶融することを
特徴とする半導体パッケージの製造方法である。球状半
田は、スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこまれて配置されたもの以外は、基板に付着
したり、残存したりすることがなく、スルーホールのパ
ッドに半田が残存したり、半田ツララができることもな
い。さらに、スルーホールに充填される粒状半田量は球
状半田の大きさにより決まるため、半田量も均一とな
り、その量を調整しやすい。
ルーホールを形成した後、そのスルーホールに金属ピン
を嵌入した後、半田接続する半導体パッケージの製造方
法において、スルーホールに金属ピンを嵌入した後、そ
の金属ピンを嵌入した側とは反対側から、１粒の球状半
田を該スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこみ配置せしめ、その後加熱溶融することを
特徴とする半導体パッケージの製造方法である。球状半
田は、スルーホールおよび金属ピンにより構成される空
隙に落としこまれて配置されたもの以外は、基板に付着
したり、残存したりすることがなく、スルーホールのパ
ッドに半田が残存したり、半田ツララができることもな
い。さらに、スルーホールに充填される粒状半田量は球
状半田の大きさにより決まるため、半田量も均一とな
り、その量を調整しやすい。
【００１０】また、従来法ではスルーホールのランドか
らスルーホール内へ半田が供給されるが、本願発明の方
法では、スルーホール内からスルーホールのランドへ半
田が供給されるため、ランドに過剰に半田が残存するこ
ともない。スルーホールはニッケル−金めっきを行うた
め、表面が金で被服されており、半田との濡れ性に優
れ、溶融した半田はこの金被服面を伝わり、ランドへ供
給される。この充填された粒状半田を加熱溶融（いわゆ
るリフロー工程）することにより、金属ピンとスルーホ
ールを接続する。
らスルーホール内へ半田が供給されるが、本願発明の方
法では、スルーホール内からスルーホールのランドへ半
田が供給されるため、ランドに過剰に半田が残存するこ
ともない。スルーホールはニッケル−金めっきを行うた
め、表面が金で被服されており、半田との濡れ性に優
れ、溶融した半田はこの金被服面を伝わり、ランドへ供
給される。この充填された粒状半田を加熱溶融（いわゆ
るリフロー工程）することにより、金属ピンとスルーホ
ールを接続する。
【００１１】前記粒状半田は、その直径が０．４〜１．
０ｍｍであることが望ましい。この範囲は、汎用のスル
ーホール直径０．５５ｍｍを基準に決められたものであ
り、０．４ｍｍ未満では、半田量が少なくなり、１．０
ｍｍを超えると球状半田が穴に固定されなくなるからで
ある。
０ｍｍであることが望ましい。この範囲は、汎用のスル
ーホール直径０．５５ｍｍを基準に決められたものであ
り、０．４ｍｍ未満では、半田量が少なくなり、１．０
ｍｍを超えると球状半田が穴に固定されなくなるからで
ある。
【００１２】本願発明においては、基板に形成されたス
ルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌
入した側とは反対側の基板面に、該スルーホールに相当
する位置に開口が設けられたマスクを密着し、ついで球
状半田を供給し、該マスクの開口を透過した球状半田を
該スルーホールあるいは金属ピンに接触配置せしめ、そ
の後加熱溶融することが望ましい。この理由は、球状半
田がマスクの開口部に一旦落ち込み、その後スルーホー
ルに入り込むため、球状半田をスルーホールに確実に供
給配置できるからである。
ルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを嵌
入した側とは反対側の基板面に、該スルーホールに相当
する位置に開口が設けられたマスクを密着し、ついで球
状半田を供給し、該マスクの開口を透過した球状半田を
該スルーホールあるいは金属ピンに接触配置せしめ、そ
の後加熱溶融することが望ましい。この理由は、球状半
田がマスクの開口部に一旦落ち込み、その後スルーホー
ルに入り込むため、球状半田をスルーホールに確実に供
給配置できるからである。
【００１３】本願発明における、基板にスルーホールを
形成する方法は常法に従う。例えば、アデティブ法にお
いては、次のような工程が望ましい。 １）基板上に無電解めっき用接着剤を塗布あるいは無電
解めっき用接着剤フィルム積層などの方法で無電解めっ
き用接着剤層を形成する。基板は、ガラスエポキシ基
板、セラミック基板、銅や放熱性基板でもよい。さら
に、基板は、導体回路が形成された絶縁基板であっても
よい。 ２）無電解めっき用接着剤表面を酸や酸化剤で処理して
粗化する。 ３）ドリルでスルーホール形成用の穴を開ける。穴明け
は、粗化処理の前に行ってもよい。 ４）無電解めっき用触媒を付与する。 ５）めっきレジストを形成する。めっきレジストは、感
光性樹脂を塗布あるいは、感光性フィルムを積層して露
光現像、加熱硬化して形成する。 ６）無電解めっきを行い、スルーホールを形成する。こ
のときスルーホールと実装される半導体部品との接続用
の導体回路を同時に形成する。 ７）ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジスト
は、フタロシアニングリーンなどの色素を含有する感光
性樹脂であり、これを塗布、露光現像してソルダーレジ
スト層を形成する。
形成する方法は常法に従う。例えば、アデティブ法にお
いては、次のような工程が望ましい。 １）基板上に無電解めっき用接着剤を塗布あるいは無電
解めっき用接着剤フィルム積層などの方法で無電解めっ
き用接着剤層を形成する。基板は、ガラスエポキシ基
板、セラミック基板、銅や放熱性基板でもよい。さら
に、基板は、導体回路が形成された絶縁基板であっても
よい。 ２）無電解めっき用接着剤表面を酸や酸化剤で処理して
粗化する。 ３）ドリルでスルーホール形成用の穴を開ける。穴明け
は、粗化処理の前に行ってもよい。 ４）無電解めっき用触媒を付与する。 ５）めっきレジストを形成する。めっきレジストは、感
光性樹脂を塗布あるいは、感光性フィルムを積層して露
光現像、加熱硬化して形成する。 ６）無電解めっきを行い、スルーホールを形成する。こ
のときスルーホールと実装される半導体部品との接続用
の導体回路を同時に形成する。 ７）ソルダーレジストを形成する。ソルダーレジスト
は、フタロシアニングリーンなどの色素を含有する感光
性樹脂であり、これを塗布、露光現像してソルダーレジ
スト層を形成する。
【００１４】前記無電解めっき用接着剤としては、樹脂
マトリックスに耐熱性樹脂微粉末を分散した接着剤が望
ましく、耐熱性樹脂粉末は、粒子形状、中空形状、解砕
片状などの各種形状のものを使用でき、特に粒子形状の
場合は、１）平均粒径10μｍ以下の粒子、２）平均粒径
２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させて平均粒径２〜
10μｍの大きさとした凝集粒子、３）平均粒径２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末との混合物、４）平均粒径２〜10μｍの耐熱性樹脂
粉末の表面に平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末もし
くは平均粒径２μｍ以下の無機粉末のいずれか少なくと
も１種を付着させてなる擬似粒子から選ばれることが望
ましい。この理由は、平均粒径10μｍを超えると、アン
カーが深くなり、100 μｍ以下の所謂ファインパターン
を形成できなくなるからであり、一方、上記２）〜４）
の疑似粒子が望ましい理由は、複雑なアンカーを形成で
き、ピール強度を向上させることができからである。使
用する耐熱性樹脂マトリックスとしては、エポキシ樹
脂、エポキシアクリレートなどがよい。耐熱性樹脂粒子
としては、エポキシ樹脂、メランミ樹脂などのアミノ樹
脂が望ましい。
マトリックスに耐熱性樹脂微粉末を分散した接着剤が望
ましく、耐熱性樹脂粉末は、粒子形状、中空形状、解砕
片状などの各種形状のものを使用でき、特に粒子形状の
場合は、１）平均粒径10μｍ以下の粒子、２）平均粒径
２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させて平均粒径２〜
10μｍの大きさとした凝集粒子、３）平均粒径２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末との混合物、４）平均粒径２〜10μｍの耐熱性樹脂
粉末の表面に平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末もし
くは平均粒径２μｍ以下の無機粉末のいずれか少なくと
も１種を付着させてなる擬似粒子から選ばれることが望
ましい。この理由は、平均粒径10μｍを超えると、アン
カーが深くなり、100 μｍ以下の所謂ファインパターン
を形成できなくなるからであり、一方、上記２）〜４）
の疑似粒子が望ましい理由は、複雑なアンカーを形成で
き、ピール強度を向上させることができからである。使
用する耐熱性樹脂マトリックスとしては、エポキシ樹
脂、エポキシアクリレートなどがよい。耐熱性樹脂粒子
としては、エポキシ樹脂、メランミ樹脂などのアミノ樹
脂が望ましい。
【００１５】本願発明においては、スルーホールの直径
は、ＰＧＡのピンの径±０．２ｍｍであることが望まし
い。本願発明では、フリップチップ実装と同時に金属ピ
ン用半田を供給することも可能である。この理由は、フ
リップチップ実装が半田接続の為、同時リフローが可能
になる。本願発明を実施例を用いてより詳細に説明す
る。なお実施例中の番号は、図面の番号である。
は、ＰＧＡのピンの径±０．２ｍｍであることが望まし
い。本願発明では、フリップチップ実装と同時に金属ピ
ン用半田を供給することも可能である。この理由は、フ
リップチップ実装が半田接続の為、同時リフローが可能
になる。本願発明を実施例を用いてより詳細に説明す
る。なお実施例中の番号は、図面の番号である。
【００１６】
（実施例１） （１）常法に従い、ガラスエポキシ基板の両面に３層の
導体回路を有する配線板１を作成した（図１）。 （２）エポキシ樹脂粒子（東レ製、平均粒径3.9 μｍ）
200gを、５ｌのアセトン中に分散させて得たアルミナ粒
子懸濁液中へ、ヘンシェルミキサー内で攪拌しながら、
アセトン１ｌに対してエポキシ樹脂（三井石油化学製）
を30ｇの割合で溶解させたアセトン溶液中にエポキシ樹
脂粉末（東レ製、平均粒径０．５μｍ）300gを分散させ
て得た懸濁液を滴下することにより、上記エポキシ粒子
表面にエポキシ粉末を付着せしめた後、上記アセトンを
除去し、その後、150 ℃に加熱して、疑似粒子を作成し
た。この疑似粒子は、平均粒径が約4.3 μｍであり、約
75重量％が、平均粒径を中心として±２μｍの範囲に存
在していた。
導体回路を有する配線板１を作成した（図１）。 （２）エポキシ樹脂粒子（東レ製、平均粒径3.9 μｍ）
200gを、５ｌのアセトン中に分散させて得たアルミナ粒
子懸濁液中へ、ヘンシェルミキサー内で攪拌しながら、
アセトン１ｌに対してエポキシ樹脂（三井石油化学製）
を30ｇの割合で溶解させたアセトン溶液中にエポキシ樹
脂粉末（東レ製、平均粒径０．５μｍ）300gを分散させ
て得た懸濁液を滴下することにより、上記エポキシ粒子
表面にエポキシ粉末を付着せしめた後、上記アセトンを
除去し、その後、150 ℃に加熱して、疑似粒子を作成し
た。この疑似粒子は、平均粒径が約4.3 μｍであり、約
75重量％が、平均粒径を中心として±２μｍの範囲に存
在していた。
【００１７】（３）ＤＭＤＧに溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製分子量２５００）の
25％アクリル化物を７０重量部、ポリエーテルスルフォ
ン（ＰＥＳ）３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化
成製、商品名：2E4MZ-CN）４重量部、、感光製モノマー
であるカプロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）
イソシアヌレート（東亜合成製、商品名；アロニックス
Ｍ３２５）１０重量部、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）５重量部、光増感剤ミヒラーケトン
（関東化学製）０．５重量部、さらにこの混合物に対し
て前記（２）で作成したエポキシ樹脂疑似粒子を４０重
量部を混合した後、ＮＭＰを添加しながら混合し、ホモ
ディスパー攪拌機で粘度２０００ CPSに調整し、続い
て、３本ロールで混練して感光性接着剤溶液を得た。 （４）この感光性接着剤溶液を、前記（１）で作成した
配線板上に、ロールコーターを用いて塗布し、水平状態
で20分間放置してから、６０℃で乾燥を行なった。
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製分子量２５００）の
25％アクリル化物を７０重量部、ポリエーテルスルフォ
ン（ＰＥＳ）３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化
成製、商品名：2E4MZ-CN）４重量部、、感光製モノマー
であるカプロラクトン変成トリス（アクロキシエチル）
イソシアヌレート（東亜合成製、商品名；アロニックス
Ｍ３２５）１０重量部、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）５重量部、光増感剤ミヒラーケトン
（関東化学製）０．５重量部、さらにこの混合物に対し
て前記（２）で作成したエポキシ樹脂疑似粒子を４０重
量部を混合した後、ＮＭＰを添加しながら混合し、ホモ
ディスパー攪拌機で粘度２０００ CPSに調整し、続い
て、３本ロールで混練して感光性接着剤溶液を得た。 （４）この感光性接着剤溶液を、前記（１）で作成した
配線板上に、ロールコーターを用いて塗布し、水平状態
で20分間放置してから、６０℃で乾燥を行なった。
【００１８】（５）前記（４）の処理を施した配線板
に、100 μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィル
ムを密着させ、超高圧水銀灯500mj ／cm2 で露光した。
これをＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）溶液でスプレー現像することにより、配線板上に10
0 μｍφのバイアホールとなる開口を形成した（図１
ｂ）。さらに、前記配線板を超高圧水銀灯により約3000
mj／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、その後150 ℃で５
時間の加熱処理することによりフォトマスクフィルムに
相当する寸法精度に優れた開口を有する厚さ５０μｍの
樹脂層間接着剤層２を形成した。 （６）前記（５）の処理を施した配線板を、ｐＨ＝１３
に調整した過マンガン酸カリウム（KMnO4 、60 g／l ）
に70℃で15分間浸漬して層間樹脂絶縁層の表面を粗化し
て粗化面４を形成し、次いで、中和溶液（シプレイ製）
に浸漬した後水洗した。 （７）接着剤層の表面を粗化した基板にパラジウム触媒
（シプレイ製）を付与して接着剤層３の表面を活性化さ
せた。
に、100 μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィル
ムを密着させ、超高圧水銀灯500mj ／cm2 で露光した。
これをＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）溶液でスプレー現像することにより、配線板上に10
0 μｍφのバイアホールとなる開口を形成した（図１
ｂ）。さらに、前記配線板を超高圧水銀灯により約3000
mj／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、その後150 ℃で５
時間の加熱処理することによりフォトマスクフィルムに
相当する寸法精度に優れた開口を有する厚さ５０μｍの
樹脂層間接着剤層２を形成した。 （６）前記（５）の処理を施した配線板を、ｐＨ＝１３
に調整した過マンガン酸カリウム（KMnO4 、60 g／l ）
に70℃で15分間浸漬して層間樹脂絶縁層の表面を粗化し
て粗化面４を形成し、次いで、中和溶液（シプレイ製）
に浸漬した後水洗した。 （７）接着剤層の表面を粗化した基板にパラジウム触媒
（シプレイ製）を付与して接着剤層３の表面を活性化さ
せた。
【００１９】（８）ＤＭＤＧ（ジメチルグリコールジメ
チルエーテル）に溶解させたクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製 商品名 ＥＯＣＮ−１０３
Ｓ）のエポキシ基２５％をアクリル化した感光性付与の
オリゴマー（分子量４０００）、ＰＥＳ（分子量１７０
００）、イミダゾール系硬化剤（四国化成製 商品名
２ＰＭＨＺ−ＰＷ）、感光性モノマーであるアクリル化
イソシアネート（東亜合成製 商品名 アロニックス
Ｍ２１５）、光開始剤としてベンゾフェノン（関東化学
製）、光増感剤ミヒラーケトン（関東化学製）を用い、
下記組成でＮＭＰを用いて混合した後、ホモディスパー
攪拌機で粘度３０００ｃｐｓに調整し、続いて３本ロー
ルで混練して、液状レジストを得た。 樹脂組成物：感光性エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ３２５／ＢＰ
／ＭＫ／イミダゾール＝７０／３０／１０／５／０．５
／５ （９）この液状レジストを前記（７）の樹脂絶縁層上に
ロールコーターを用いて塗布し、６０℃で乾燥させて厚
さ約３０μｍのレジスト層を形成した（図２）。
チルエーテル）に溶解させたクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（日本化薬製 商品名 ＥＯＣＮ−１０３
Ｓ）のエポキシ基２５％をアクリル化した感光性付与の
オリゴマー（分子量４０００）、ＰＥＳ（分子量１７０
００）、イミダゾール系硬化剤（四国化成製 商品名
２ＰＭＨＺ−ＰＷ）、感光性モノマーであるアクリル化
イソシアネート（東亜合成製 商品名 アロニックス
Ｍ２１５）、光開始剤としてベンゾフェノン（関東化学
製）、光増感剤ミヒラーケトン（関東化学製）を用い、
下記組成でＮＭＰを用いて混合した後、ホモディスパー
攪拌機で粘度３０００ｃｐｓに調整し、続いて３本ロー
ルで混練して、液状レジストを得た。 樹脂組成物：感光性エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ３２５／ＢＰ
／ＭＫ／イミダゾール＝７０／３０／１０／５／０．５
／５ （９）この液状レジストを前記（７）の樹脂絶縁層上に
ロールコーターを用いて塗布し、６０℃で乾燥させて厚
さ約３０μｍのレジスト層を形成した（図２）。
【００２０】（１０）前記（９）の処理を施した配線板
に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０の導体回路パターンが描画され
たマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯１０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 で露光した。これをトリエチレングリコール
ジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）でスプレー現像処理する
ことにより、配線板上に導体回路パターン部の抜けため
っき用レジストを形成した。さらに超高圧水銀灯によ
り、６０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、１００℃で１時
間、その後１５０℃で３時間の加熱処理を行った。この
めっきレジストは、スルーホール３（直径０．６ｍ
ｍ）、パターン形成とダイパッド５を形成するためのも
のである。 （１１）前記（１０）の配線板を下記に示す組成のアデ
ィティブ用無電解めっき液に１１時間浸漬し、めっき膜
の厚さが１５μｍの無電解銅めっきを施し、導体回路、
スルーホール３、ダイパッド５を形成した。
に、Ｌ／Ｓ＝５０／５０の導体回路パターンが描画され
たマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯１０００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 で露光した。これをトリエチレングリコール
ジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）でスプレー現像処理する
ことにより、配線板上に導体回路パターン部の抜けため
っき用レジストを形成した。さらに超高圧水銀灯によ
り、６０００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、１００℃で１時
間、その後１５０℃で３時間の加熱処理を行った。この
めっきレジストは、スルーホール３（直径０．６ｍ
ｍ）、パターン形成とダイパッド５を形成するためのも
のである。 （１１）前記（１０）の配線板を下記に示す組成のアデ
ィティブ用無電解めっき液に１１時間浸漬し、めっき膜
の厚さが１５μｍの無電解銅めっきを施し、導体回路、
スルーホール３、ダイパッド５を形成した。
【００２１】（１２）ＤＭＤＧに溶解させたクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂日本化薬製商品名 ＥＯＣＮ
−１０３Ｓ）のエポキシ基の２５％アクリル化した感光
性オリゴマー（分子量 ４０００）、ＰＥＳ（分子量
１７０００）、イミダゾール系硬化剤（四国化成製 商
品名 ２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）、感光性モノマーであるア
クリル化イソシアネート（東亜合成製 商品名 アロニ
ックス Ｍ２１５）、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン、光増感剤ミヒラー（関東化学）、着色剤（フタロシ
アニングリーン）を用い、下記組成でＮＭＰを用いて混
合し、ホモディスパー攪拌機で粘度２０００ｃｐｓに調
整し、続いて３本ロールで混練し、液状ソルダーレジス
トを得た。 樹脂組成：感光性エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ３２５／ＢＰ／
ＭＫ／イミダゾール＝７０／３０／１０／５／０．５／
５ （１３）この液状ソルダーレジストを前記配線板上にロ
ールコーターを用いて、塗布して、６０℃で乾燥させ
て、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層を形成した。
ノボラック型エポキシ樹脂日本化薬製商品名 ＥＯＣＮ
−１０３Ｓ）のエポキシ基の２５％アクリル化した感光
性オリゴマー（分子量 ４０００）、ＰＥＳ（分子量
１７０００）、イミダゾール系硬化剤（四国化成製 商
品名 ２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）、感光性モノマーであるア
クリル化イソシアネート（東亜合成製 商品名 アロニ
ックス Ｍ２１５）、光開始剤としてのベンゾフェノ
ン、光増感剤ミヒラー（関東化学）、着色剤（フタロシ
アニングリーン）を用い、下記組成でＮＭＰを用いて混
合し、ホモディスパー攪拌機で粘度２０００ｃｐｓに調
整し、続いて３本ロールで混練し、液状ソルダーレジス
トを得た。 樹脂組成：感光性エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ３２５／ＢＰ／
ＭＫ／イミダゾール＝７０／３０／１０／５／０．５／
５ （１３）この液状ソルダーレジストを前記配線板上にロ
ールコーターを用いて、塗布して、６０℃で乾燥させ
て、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層を形成した。
【００２２】（１４）前記（１３）の処理を施した配線
板に、ダイパッドの一部が隠れるようなパターンが描画
されたマスクフィルムを密着させ、露光した。これをジ
エチレングリコールジエチルエーテル（ＤＭＤＧ）でス
プレー現像処理し、金属パッド上に形成した粗化面が露
出するような開口部１５を形成した。さらに超高圧水銀
灯により３０００ｍｊ／ｃｍ2 で露光し、１００℃で１
時間、その後１５０℃で３時間の加熱処理を行ない、ソ
ルダーレジスト６を得た（図２）。 （１５）常法に従ってスルーホールにニッケルー金めっ
きを施した（図示しない）。 （１６）ダイパッド５が形成された面とは反対の面に金
属ピン９を挿入し（図３）、直径０．１５ｍｍの粒状半
田１０をダイパッド５が形成された面に供給（図４）
後、超音波振動を行い、Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４の粒状半田
を充填した（図５および拡大図を図７に示す）。
板に、ダイパッドの一部が隠れるようなパターンが描画
されたマスクフィルムを密着させ、露光した。これをジ
エチレングリコールジエチルエーテル（ＤＭＤＧ）でス
プレー現像処理し、金属パッド上に形成した粗化面が露
出するような開口部１５を形成した。さらに超高圧水銀
灯により３０００ｍｊ／ｃｍ2 で露光し、１００℃で１
時間、その後１５０℃で３時間の加熱処理を行ない、ソ
ルダーレジスト６を得た（図２）。 （１５）常法に従ってスルーホールにニッケルー金めっ
きを施した（図示しない）。 （１６）ダイパッド５が形成された面とは反対の面に金
属ピン９を挿入し（図３）、直径０．１５ｍｍの粒状半
田１０をダイパッド５が形成された面に供給（図４）
後、超音波振動を行い、Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４の粒状半田
を充填した（図５および拡大図を図７に示す）。
【００２３】（１７）ついで窒素フローで２５０±２０
℃で加熱してリフローして金属ピン９をスルーホール３
に固定した（図６および拡大図として図１２を記載）。
スルーホール内の半田１１には、気泡はみられず、半田
つららも観察されなかった。さらに、各スルーホール内
の半田量も均一であった。スルーホール３のランド４に
も半田の残存は観られなかった。
℃で加熱してリフローして金属ピン９をスルーホール３
に固定した（図６および拡大図として図１２を記載）。
スルーホール内の半田１１には、気泡はみられず、半田
つららも観察されなかった。さらに、各スルーホール内
の半田量も均一であった。スルーホール３のランド４に
も半田の残存は観られなかった。
【００２４】（実施例２） （１）実施例１の（１）〜（１５）までの工程を実施し
た。 （２）スルーホール３の位置に直径０．７ｍｍ程度の開
口が設けられたマスクを基板に密着させた。 （３）半径０．６ｍｍのＰｂ／Ｓｎ＝９／１の球状半田
をマスク面に供給し（図８）、スルーホール内に球状半
田を配置させた（図９および拡大図を図１１に記載す
る）。 （４）ついで窒素フローで２５０℃で加熱してリフロー
して金属ピン９をスルーホール３に固定した（図１０お
よび拡大図として図１２を記載）。スルーホール内の半
田１１には、気泡はみられず、半田つららも観察されな
かった。さらに、各スルーホール内の半田量も均一であ
った。スルーホール３のランド４にも半田の残存は観ら
れなかった。
た。 （２）スルーホール３の位置に直径０．７ｍｍ程度の開
口が設けられたマスクを基板に密着させた。 （３）半径０．６ｍｍのＰｂ／Ｓｎ＝９／１の球状半田
をマスク面に供給し（図８）、スルーホール内に球状半
田を配置させた（図９および拡大図を図１１に記載す
る）。 （４）ついで窒素フローで２５０℃で加熱してリフロー
して金属ピン９をスルーホール３に固定した（図１０お
よび拡大図として図１２を記載）。スルーホール内の半
田１１には、気泡はみられず、半田つららも観察されな
かった。さらに、各スルーホール内の半田量も均一であ
った。スルーホール３のランド４にも半田の残存は観ら
れなかった。
【００２５】（比較例１） （１）実施例の（１）〜（１５）の工程により、プリン
ト配線板を形成した。 （２）Ｐｂ／Ｓｎ＝９／１の半田を２５０℃で溶融させ
た半田浴に該プリント配線板をディップさせた後、これ
を取り出して室温まで冷却して金属ピン９をスルーホー
ル３に固定した（拡大図として図１３を記載）。得られ
た製品は、スルーホールのランド４や金属ピン９にも半
田が残存し、また各スルーホールの半田量にばらつきが
観られた。また、金属ピンの先端には、半田の突起（半
田つらら）が見られた。
ト配線板を形成した。 （２）Ｐｂ／Ｓｎ＝９／１の半田を２５０℃で溶融させ
た半田浴に該プリント配線板をディップさせた後、これ
を取り出して室温まで冷却して金属ピン９をスルーホー
ル３に固定した（拡大図として図１３を記載）。得られ
た製品は、スルーホールのランド４や金属ピン９にも半
田が残存し、また各スルーホールの半田量にばらつきが
観られた。また、金属ピンの先端には、半田の突起（半
田つらら）が見られた。
【００２６】（比較例２） （１）実施例の（１）〜（１５）の工程により、プリン
ト配線板を形成した。 （２）Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４の半田クリームをスルーホー
ルのランドに印刷し、ついで２３５℃で加熱してリフロ
ーして金属ピン９をスルーホール３に固定した（拡大図
として図１４を記載）。得られた製品は、スルーホール
のランド４に半田が残存し、また各スルーホールの半田
量にばらつきが観られた。
ト配線板を形成した。 （２）Ｐｂ／Ｓｎ＝６／４の半田クリームをスルーホー
ルのランドに印刷し、ついで２３５℃で加熱してリフロ
ーして金属ピン９をスルーホール３に固定した（拡大図
として図１４を記載）。得られた製品は、スルーホール
のランド４に半田が残存し、また各スルーホールの半田
量にばらつきが観られた。
【００２７】（比較例３）本実施例は基本的には実施例
１と同様であるが、粒状半田の粒径が０．０５ｍｍであ
った。このとき、ＰＧＡランド以外のパッドに半田付着
があった。 （比較例４）本実施例は基本的には実施例１と同様であ
るが、粒状半田の粒径が０．２５ｍｍであった。このと
き、充填量にばらつきがあった。
１と同様であるが、粒状半田の粒径が０．０５ｍｍであ
った。このとき、ＰＧＡランド以外のパッドに半田付着
があった。 （比較例４）本実施例は基本的には実施例１と同様であ
るが、粒状半田の粒径が０．２５ｍｍであった。このと
き、充填量にばらつきがあった。
【００２８】（比較例５）本実施例は基本的には実施例
２と同様であるが、粒状半田の粒径が０．３ｍｍであっ
た。このとき、スルーホール内に２粒の球状半田が入り
込み、充填量にばらつきが見られた。 （比較例６）本実施例は基本的には実施例２と同様であ
るが、粒状半田の粒径が１．５ｍｍであった。このと
き、半田量が多過ぎ、球状半田が固定されず作業性が低
下した。
２と同様であるが、粒状半田の粒径が０．３ｍｍであっ
た。このとき、スルーホール内に２粒の球状半田が入り
込み、充填量にばらつきが見られた。 （比較例６）本実施例は基本的には実施例２と同様であ
るが、粒状半田の粒径が１．５ｍｍであった。このと
き、半田量が多過ぎ、球状半田が固定されず作業性が低
下した。
【発明の効果】以上説明のように本願発明のプリント配
線板は、金属ピンに半田が付着することもなく、また半
田量にばらつきもなく、半田ツララも観察されず、信頼
性に優れた接続が可能である。
線板は、金属ピンに半田が付着することもなく、また半
田量にばらつきもなく、半田ツララも観察されず、信頼
性に優れた接続が可能である。
【図１】本願発明の製造方法にかかる最初の基板
【図２】本願発明の製造方法にかかるスルーホールが形
成された基板
成された基板
【図３】本願発明の製造方法にかかるスルーホールに金
属ピンを嵌入させた基板
属ピンを嵌入させた基板
【図４】本願発明の製造方法にかかる粒状半田の供給
【図５】本願発明の製造方法にかかる粒状半田を充填し
た状態の基板
た状態の基板
【図６】本願発明の製造方法にかかる粒状半田をリフロ
ーした状態の基板
ーした状態の基板
【図７】粒状半田を充填した基板の拡大断面図
【図８】本願発明の製造方法にかかる球状半田をリフロ
ーした状態の基板
ーした状態の基板
【図９】本願発明の製造方法にかかる球状半田を充填し
た状態の基板
た状態の基板
【図１０】本願発明の製造方法にかかる球状半田をリフ
ローした状態の基板
ローした状態の基板
【図１１】球状半田を充填した基板の拡大断面図
【図１２】リフロー後の基板の拡大断面図
【図１３】半田ディップ法により得られた基板の拡大断
面図
面図
【図１４】スクリーン印刷法により得られた基板の拡大
断面図
断面図
１ ガラスエポキシ基板 ２ 導体回路 ３ スルーホール ４ スルーホールのランド ５ ダイパッド ６ ソルダーレジスト ７ めっきレジスト ８ 接着剤層 ９ 金属ピン １０ 粒状半田 １１ 半田 １２ マスク １３ 球状半田
Claims (6)
- 【請求項１】 基板にスルーホールを形成した後、その
スルーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半
導体パッケージの製造方法において、 スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを
嵌入した側とは反対側から、複数の粒状半田を該スルー
ホールに充填せしめ、その後加熱溶融することを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項２】 前記粒状半田は、その直径が０．１〜
０．２ｍｍである請求項１に記載の半導体パッケージの
製造方法。 - 【請求項３】 前記スルーホールに金属ピンを嵌入した
後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に粒
状半田を供給し、ついで振動を与えることにより、スル
ーホール内壁と金属ピンにより構成される間隙に該粒状
半田を充填せしめ、その後加熱溶融することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項４】 基板にスルーホールを形成し、そのスル
ーホールに金属ピンを嵌入した後、半田接続する半導体
パッケージの製造方法において、 スルーホールに金属ピンを嵌入した後、その金属ピンを
嵌入した側とは反対側から、１粒の球状半田を該スルー
ホールに配置せしめ、その後加熱溶融することを特徴と
する半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項５】 前記球状半田の直径は、０．４〜１．０
ｍｍである請求項４に記載の半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項６】 前記スルーホールに金属ピンを嵌入した
後、その金属ピンを嵌入した側とは反対側の基板面に、
該スルーホールに相当する位置に開口が設けられたマス
クを密着し、ついで球状半田を供給し、該マスクの開口
を透過した球状半田を該スルーホールに配置せしめ、そ
の後加熱溶融することを特徴とする請求項４に記載の半
導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17428495A JPH098204A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17428495A JPH098204A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098204A true JPH098204A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15975986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17428495A Pending JPH098204A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098204A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847393B2 (en) | 1998-12-16 | 2010-12-07 | Ibiden Co., Ltd. | Conductive connecting pins for a package substrate |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP17428495A patent/JPH098204A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847393B2 (en) | 1998-12-16 | 2010-12-07 | Ibiden Co., Ltd. | Conductive connecting pins for a package substrate |
| US7902659B2 (en) | 1998-12-16 | 2011-03-08 | Ibiden Co., Ltd. | Conductive connecting pin and package substrate |
| US8035214B1 (en) | 1998-12-16 | 2011-10-11 | Ibiden Co., Ltd. | Conductive connecting pin for package substance |
| US8110917B2 (en) | 1998-12-16 | 2012-02-07 | Ibiden Co., Ltd. | Package substrate with a conductive connecting pin |
| US8536696B2 (en) | 1998-12-16 | 2013-09-17 | Ibiden Co., Ltd. | Conductive pin attached to package substrate |
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