JPH0982233A - 電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管 - Google Patents
電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管Info
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- JPH0982233A JPH0982233A JP23872395A JP23872395A JPH0982233A JP H0982233 A JPH0982233 A JP H0982233A JP 23872395 A JP23872395 A JP 23872395A JP 23872395 A JP23872395 A JP 23872395A JP H0982233 A JPH0982233 A JP H0982233A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた高密度電流動作特性を維持しながら、
電子放射量の減少を防いでいる電子放射物質層15を有
する陰極を備えた電子管を提供する。 【構成】 陰極金属基体14の表面に電子放射物質層1
5を有する陰極を備えた電子管において、電子放射物質
層15は、陰極金属基体14の表面に形成されたアルカ
リ土類金属酸化物からなる第1層17と、第1層17の
表面に形成された希土類金属酸化物を含んだアルカリ土
類金属酸化物からなる第2層18と、第2層18の表面
に形成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第3層1
9とからなる3層構造になっている。この場合、第2層
18は、希土類金属酸化物が遊離バリウム(Ba)を付
着拘束して遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持
し、第3層19は、希土類金属酸化物のように電子放射
に寄与しない物質を含まないので、優れた高電流密度動
作特性と大きな電子放射特性とを同時に発揮できる。
電子放射量の減少を防いでいる電子放射物質層15を有
する陰極を備えた電子管を提供する。 【構成】 陰極金属基体14の表面に電子放射物質層1
5を有する陰極を備えた電子管において、電子放射物質
層15は、陰極金属基体14の表面に形成されたアルカ
リ土類金属酸化物からなる第1層17と、第1層17の
表面に形成された希土類金属酸化物を含んだアルカリ土
類金属酸化物からなる第2層18と、第2層18の表面
に形成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第3層1
9とからなる3層構造になっている。この場合、第2層
18は、希土類金属酸化物が遊離バリウム(Ba)を付
着拘束して遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持
し、第3層19は、希土類金属酸化物のように電子放射
に寄与しない物質を含まないので、優れた高電流密度動
作特性と大きな電子放射特性とを同時に発揮できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子放射物質層を有す
る陰極を備えた電子管に係わり、特に、電子放射物質層
を、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層と希土類金
属を含有するアルカリ土類金属酸化物からなる第2層と
アルカリ土類金属酸化物からなる第3層との3層構造に
した電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管に関す
る。
る陰極を備えた電子管に係わり、特に、電子放射物質層
を、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層と希土類金
属を含有するアルカリ土類金属酸化物からなる第2層と
アルカリ土類金属酸化物からなる第3層との3層構造に
した電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、カラー受像管やデータ表示管等
の画像表示用電子管においては、情報の多様化や情報の
高密度化等に伴って、表示面に表示される画像の高精細
化が要望されている。かかる要望を満たすためには、画
像表示用電子管に用いられる陰極が、高電流密度状態に
おいて長時間にわたり安定した電子放射特性を維持でき
るものでなければならない。
の画像表示用電子管においては、情報の多様化や情報の
高密度化等に伴って、表示面に表示される画像の高精細
化が要望されている。かかる要望を満たすためには、画
像表示用電子管に用いられる陰極が、高電流密度状態に
おいて長時間にわたり安定した電子放射特性を維持でき
るものでなければならない。
【0003】この場合、このような要望を満たす陰極を
備えた電子管として、代表的なものに、特開平5−12
983号に開示のものがある。
備えた電子管として、代表的なものに、特開平5−12
983号に開示のものがある。
【0004】ここで、図3は、特開平5−12983号
に開示された陰極の構成を示す断面図である。
に開示された陰極の構成を示す断面図である。
【0005】図3において、31は円筒状陰極スリーブ
(陰極金属基体)、32は帽状陰極金属基体、33は希
土類金属を含んだアルカリ土類金属酸化物層(電子放射
物質層)、34はヒーター、35はアルカリ土類金属酸
化物からなる第1層、36は希土類金属酸化物、例え
ば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の複合
酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層
である。
(陰極金属基体)、32は帽状陰極金属基体、33は希
土類金属を含んだアルカリ土類金属酸化物層(電子放射
物質層)、34はヒーター、35はアルカリ土類金属酸
化物からなる第1層、36は希土類金属酸化物、例え
ば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の複合
酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層
である。
【0006】そして、円筒状陰極スリーブ31や陰極ス
リーブ31の一端を封止する帽状陰極金属基体32は、
高融点金属、例えば、ニッケル(Ni)を主成分とし、
その中に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(M
g)の還元性金属を含んだ材料からなるもので、この円
筒状陰極スリーブ31にヒーター34が内包され、傍熱
型の陰極が構成される。また、陰極金属基体32は、頂
部表面に2層構造の電子放射物質層33が被着形成され
る。この場合、電子放射物質層33は、陰極金属基体3
2の頂部表面に接するように被着形成されたアルカリ土
類金属酸化物からなる第1層35と、第1層35の表面
に被着形成されたバリウムスカンデート(Ba2Sc2O
5 )等の希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物からなる第2層36とからなっている。
リーブ31の一端を封止する帽状陰極金属基体32は、
高融点金属、例えば、ニッケル(Ni)を主成分とし、
その中に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(M
g)の還元性金属を含んだ材料からなるもので、この円
筒状陰極スリーブ31にヒーター34が内包され、傍熱
型の陰極が構成される。また、陰極金属基体32は、頂
部表面に2層構造の電子放射物質層33が被着形成され
る。この場合、電子放射物質層33は、陰極金属基体3
2の頂部表面に接するように被着形成されたアルカリ土
類金属酸化物からなる第1層35と、第1層35の表面
に被着形成されたバリウムスカンデート(Ba2Sc2O
5 )等の希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物からなる第2層36とからなっている。
【0007】前記構成の電子放射物質層33を製造する
には、始めに、陰極金属基体32の頂部表面にアルカリ
土類金属炭酸塩の第1層を被着形成させ、その第1層の
上にバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土
類金属酸化物を含有したアルカリ土類金属炭酸塩の第2
層を被着形成させた後、電子管製造工程における熱処理
時の熱分解によって、第1層及び第2層のアルカリ土類
金属炭酸塩をそれぞれアルカリ土類金属酸化物に変化さ
せ、前記第1層35及び前記第2層36を形成するよう
にしている。
には、始めに、陰極金属基体32の頂部表面にアルカリ
土類金属炭酸塩の第1層を被着形成させ、その第1層の
上にバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土
類金属酸化物を含有したアルカリ土類金属炭酸塩の第2
層を被着形成させた後、電子管製造工程における熱処理
時の熱分解によって、第1層及び第2層のアルカリ土類
金属炭酸塩をそれぞれアルカリ土類金属酸化物に変化さ
せ、前記第1層35及び前記第2層36を形成するよう
にしている。
【0008】かかる構成にすれば、電子放射物質層33
の電子放射表面側に形成されたバリウムスカンデート
(Ba2Sc2O5 )等の希土類金属酸化物を含んだアル
カリ土類金属酸化物からなる第1層35は、陰極金属基
体32中の還元性元素によって生成された遊離バリウム
(Ba)を第1層35内に付着拘束させ、電子放射物質
層33中の遊離バリウム(Ba)が高濃度状態になるよ
うに維持する。その結果、陰極を高電流密度の状態で動
作させた場合においても、電子放射物質層33内のジュ
ール熱の発生が少なくなり、しかも、バリウム(Ba)
の蒸発の程度も少なくなる。
の電子放射表面側に形成されたバリウムスカンデート
(Ba2Sc2O5 )等の希土類金属酸化物を含んだアル
カリ土類金属酸化物からなる第1層35は、陰極金属基
体32中の還元性元素によって生成された遊離バリウム
(Ba)を第1層35内に付着拘束させ、電子放射物質
層33中の遊離バリウム(Ba)が高濃度状態になるよ
うに維持する。その結果、陰極を高電流密度の状態で動
作させた場合においても、電子放射物質層33内のジュ
ール熱の発生が少なくなり、しかも、バリウム(Ba)
の蒸発の程度も少なくなる。
【0009】このように、特開平5−12983号に開
示された陰極は、高密度電流状態、例えば、2A/cm
2 を超える大電流状態で動作させたとしても、電流エミ
ッションの低下が少なく、長寿命の陰極を実現すること
ができるものである。
示された陰極は、高密度電流状態、例えば、2A/cm
2 を超える大電流状態で動作させたとしても、電流エミ
ッションの低下が少なく、長寿命の陰極を実現すること
ができるものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】特開平5−12983
号に開示された陰極は、一応、長時間にわたって安定し
た電子放射特性を得ることができるものであるが、電子
放射物質層33から放射される電子放射の量について
は、何等考慮されていないものである。
号に開示された陰極は、一応、長時間にわたって安定し
た電子放射特性を得ることができるものであるが、電子
放射物質層33から放射される電子放射の量について
は、何等考慮されていないものである。
【0011】一般に、バリウムスカンデート(Ba2S
c2O5 )等の希土類金属酸化物は、遊離バリウム(B
a)を付着拘束させ、電子放射物質層33中の遊離バリ
ウム(Ba)を高濃度状態に維持させる働きを有するも
のであるが、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )
等の希土類金属酸化物自体は、全く電子放射に寄与しな
いものであるため、高密度電流動作特性を向上させよう
としてバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希
土類金属酸化物の含有量を増大させると、電子放射物質
層33からの電子放射量が減少するようになる。
c2O5 )等の希土類金属酸化物は、遊離バリウム(B
a)を付着拘束させ、電子放射物質層33中の遊離バリ
ウム(Ba)を高濃度状態に維持させる働きを有するも
のであるが、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )
等の希土類金属酸化物自体は、全く電子放射に寄与しな
いものであるため、高密度電流動作特性を向上させよう
としてバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希
土類金属酸化物の含有量を増大させると、電子放射物質
層33からの電子放射量が減少するようになる。
【0012】このように、特開平5−12983号に開
示された陰極は、高密度電流動作特性を向上させるため
にバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土類
金属酸化物の含有量を増大させると、電子放射物質層3
3からの電子放射量が減少してしまうという問題があ
る。
示された陰極は、高密度電流動作特性を向上させるため
にバリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土類
金属酸化物の含有量を増大させると、電子放射物質層3
3からの電子放射量が減少してしまうという問題があ
る。
【0013】そして、この問題点は、バリウムスカンデ
ート(Ba2Sc2O5 )等の希土類金属酸化物の含有量
が増大する程、電子放射物質層33からの電子放射量が
明かに減少していることが実験によっても確かめられ
た。
ート(Ba2Sc2O5 )等の希土類金属酸化物の含有量
が増大する程、電子放射物質層33からの電子放射量が
明かに減少していることが実験によっても確かめられ
た。
【0014】本発明は、前記問題点を解決するもので、
その目的は、優れた高密度電流動作特性を維持しなが
ら、電子放射量の減少を防いでいる電子放射物質層を有
する陰極を備えた電子管を提供することにある。
その目的は、優れた高密度電流動作特性を維持しなが
ら、電子放射量の減少を防いでいる電子放射物質層を有
する陰極を備えた電子管を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、陰極金属基体の表面に電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管において、前記電子放射物質
層は、前記陰極金属基体の表面に形成されたアルカリ土
類金属酸化物からなる第1層と、前記第1層の表面に形
成された希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物からなる第2層と、前記第2層の表面に形成された
アルカリ土類金属酸化物からなる第3層とにより構成さ
れた3層構造である手段を備える。
に、本発明は、陰極金属基体の表面に電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管において、前記電子放射物質
層は、前記陰極金属基体の表面に形成されたアルカリ土
類金属酸化物からなる第1層と、前記第1層の表面に形
成された希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物からなる第2層と、前記第2層の表面に形成された
アルカリ土類金属酸化物からなる第3層とにより構成さ
れた3層構造である手段を備える。
【0016】
【作用】前記手段によれば、陰極金属基体の表面に被着
形成させる電子放射物質層を、陰極金属基体の表面に形
成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第1層と、こ
の第1層の表面に形成された希土類金属酸化物を含んだ
アルカリ土類金属酸化物からなる第2層と、この第2層
の表面に形成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第
3層とによって3層構造になるように構成しており、第
2層においては、遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に
保つようにして、電子放射物質層における遊離バリウム
(Ba)濃度を高い状態に維持させているとともに、第
3層においては、通常の電子放射を行うことができるの
で、電子放射物質層からの電子放射量が酸化物陰極のそ
れとほぼ同様になり、優れた高電流密度動作特性と大き
な電子放射特性を発揮させることができる。
形成させる電子放射物質層を、陰極金属基体の表面に形
成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第1層と、こ
の第1層の表面に形成された希土類金属酸化物を含んだ
アルカリ土類金属酸化物からなる第2層と、この第2層
の表面に形成されたアルカリ土類金属酸化物からなる第
3層とによって3層構造になるように構成しており、第
2層においては、遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に
保つようにして、電子放射物質層における遊離バリウム
(Ba)濃度を高い状態に維持させているとともに、第
3層においては、通常の電子放射を行うことができるの
で、電子放射物質層からの電子放射量が酸化物陰極のそ
れとほぼ同様になり、優れた高電流密度動作特性と大き
な電子放射特性を発揮させることができる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【0018】図1は、本発明に係わる電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管の一実施例の概略構成を示す
断面図であって、電子管としてカラー受像管である場合
の例を示すものである。
有する陰極を備えた電子管の一実施例の概略構成を示す
断面図であって、電子管としてカラー受像管である場合
の例を示すものである。
【0019】図1において、1はパネル部、2はファン
ネル部、3はネック部、4は螢光膜、5はシャドウマス
ク、6は磁気シールド、7は偏向ヨーク、8はピュリテ
イ調整用マグネット、9はセンタービームスタティック
コンバーゼンス調整用マグネット、10はサイドビーム
スタティックコンバーゼンス調整用マグネット、11は
電子銃、12は電子ビームである。
ネル部、3はネック部、4は螢光膜、5はシャドウマス
ク、6は磁気シールド、7は偏向ヨーク、8はピュリテ
イ調整用マグネット、9はセンタービームスタティック
コンバーゼンス調整用マグネット、10はサイドビーム
スタティックコンバーゼンス調整用マグネット、11は
電子銃、12は電子ビームである。
【0020】そして、カラー受像管を構成する管体は、
前側に設けられるパネル部1と、電子銃11を収納して
いる細長のネック部3と、パネル部1及びネック部3を
結合するホーン形のファンネル部2とからなっている。
パネル部1は、その内面に螢光膜4が被着形成され、こ
の螢光膜4に対向するようにシャドウマスク5が固定配
置される。パネル部1とファンネル部2の結合部分の内
側には磁気シールド6が配置され、ファンネル部2とネ
ック部3の結合部分の外側には偏向ヨーク7が配置され
る。ネック部3の外側に、ピュリテイ調整用マグネット
8、センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット9、サイドビームスタティックコンバーゼン
ス調整用マグネット10が並設配置され、電子銃11か
ら投射された3本の電子ビーム(1本だけが図示されて
いる)12は、偏向ヨーク7の磁界によって所定方向に
偏向された後、シャドウマスク5にある多くの電子ビー
ム通過孔(図示なし)を通して螢光膜4における対応す
る色の画素に到達するように構成されている。
前側に設けられるパネル部1と、電子銃11を収納して
いる細長のネック部3と、パネル部1及びネック部3を
結合するホーン形のファンネル部2とからなっている。
パネル部1は、その内面に螢光膜4が被着形成され、こ
の螢光膜4に対向するようにシャドウマスク5が固定配
置される。パネル部1とファンネル部2の結合部分の内
側には磁気シールド6が配置され、ファンネル部2とネ
ック部3の結合部分の外側には偏向ヨーク7が配置され
る。ネック部3の外側に、ピュリテイ調整用マグネット
8、センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット9、サイドビームスタティックコンバーゼン
ス調整用マグネット10が並設配置され、電子銃11か
ら投射された3本の電子ビーム(1本だけが図示されて
いる)12は、偏向ヨーク7の磁界によって所定方向に
偏向された後、シャドウマスク5にある多くの電子ビー
ム通過孔(図示なし)を通して螢光膜4における対応す
る色の画素に到達するように構成されている。
【0021】前記構成によるカラー受像管における動
作、即ち、画像表示動作は、既知のカラー受像管におけ
る画像表示動作と全く同じであるので、このカラー受像
管における画像表示動作は、その説明を省略する。
作、即ち、画像表示動作は、既知のカラー受像管におけ
る画像表示動作と全く同じであるので、このカラー受像
管における画像表示動作は、その説明を省略する。
【0022】続いて、図2は、図1に図示のカラー受像
管の電子銃11に用いられる電子放射物質層を有する陰
極の構成の一例を示す断面図である。
管の電子銃11に用いられる電子放射物質層を有する陰
極の構成の一例を示す断面図である。
【0023】図2において、13は円筒状陰極スリーブ
(陰極金属基体)、14は帽状陰極金属基体、15は電
子放射物質層、16はヒーター、17はアルカリ土類金
属酸化物からなる第1層、18は希土類金属酸化物、例
えば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の複
合酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2
層、19はアルカリ土類金属酸化物からなる第3層であ
る。
(陰極金属基体)、14は帽状陰極金属基体、15は電
子放射物質層、16はヒーター、17はアルカリ土類金
属酸化物からなる第1層、18は希土類金属酸化物、例
えば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の複
合酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2
層、19はアルカリ土類金属酸化物からなる第3層であ
る。
【0024】そして、円筒状陰極スリーブ13及び帽状
陰極金属基体14は、高融点金属、例えば、ニッケル
(Ni)を主成分とし、その中に少量のシリコン(S
i)やマグネシウム(Mg)の還元性金属を含んだ金属
材料で構成されており、帽状陰極金属基体14は、円筒
状陰極スリーブ13の一端を封止するように嵌合され、
円筒状陰極スリーブ13の内部にはヒーター16が内包
され、傍熱型の陰極を構成している。電子放射物質層1
5は、帽状陰極金属基体14の頂部表面に被着形成され
ており、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17
と、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土
類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる
第2層18と、アルカリ土類金属酸化物からなる第3層
19とによって構成された3層構造になっている。この
場合、帽状陰極金属基体14側に第1層17が形成さ
れ、その上に第2層18が形成され、電子放射表面側に
第3層19が形成されている。
陰極金属基体14は、高融点金属、例えば、ニッケル
(Ni)を主成分とし、その中に少量のシリコン(S
i)やマグネシウム(Mg)の還元性金属を含んだ金属
材料で構成されており、帽状陰極金属基体14は、円筒
状陰極スリーブ13の一端を封止するように嵌合され、
円筒状陰極スリーブ13の内部にはヒーター16が内包
され、傍熱型の陰極を構成している。電子放射物質層1
5は、帽状陰極金属基体14の頂部表面に被着形成され
ており、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17
と、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等の希土
類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる
第2層18と、アルカリ土類金属酸化物からなる第3層
19とによって構成された3層構造になっている。この
場合、帽状陰極金属基体14側に第1層17が形成さ
れ、その上に第2層18が形成され、電子放射表面側に
第3層19が形成されている。
【0025】本実施例の電子放射物質層15において、
アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17及び第3層
19は、いずれも、バリウム・ストロンチウム・カルシ
ウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕等からな
るものであり、希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる第2層18は、バリウム・ストロン
チウム・カルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)C
O3 〕、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等か
らなるものである。
アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17及び第3層
19は、いずれも、バリウム・ストロンチウム・カルシ
ウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕等からな
るものであり、希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる第2層18は、バリウム・ストロン
チウム・カルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)C
O3 〕、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O5 )等か
らなるものである。
【0026】ここにおいて、アルカリ土類金属酸化物か
らなる第1層17及び第3層19、それに、希土類金属
酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層
18を形成させる手順の一例について述べる。
らなる第1層17及び第3層19、それに、希土類金属
酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層
18を形成させる手順の一例について述べる。
【0027】まず、アルカリ土類金属酸化物からなる第
1層17と第3層19については、54重量%の硝酸バ
リウム(BaNO3 )、39重量%の硝酸ストロンチウ
ム(SrNO3 )、7重量%の硝酸カルシウム(CaN
O3 )の混合溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )
を添加してバリウム・ストロンチウム・カルシウムの炭
酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕を沈殿させ、これ
らの沈殿物(粉末)にニトロセルロースラッカー、酢酸
ブチルを加えてローリング混合し、第1の懸濁液を調製
する。
1層17と第3層19については、54重量%の硝酸バ
リウム(BaNO3 )、39重量%の硝酸ストロンチウ
ム(SrNO3 )、7重量%の硝酸カルシウム(CaN
O3 )の混合溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )
を添加してバリウム・ストロンチウム・カルシウムの炭
酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕を沈殿させ、これ
らの沈殿物(粉末)にニトロセルロースラッカー、酢酸
ブチルを加えてローリング混合し、第1の懸濁液を調製
する。
【0028】次に、希土類金属酸化物を含んだアルカリ
土類金属酸化物からなる第2層18については、53重
量%の硝酸バリウム(BaNO3 )、38重量%の硝酸
ストロンチウム(SrNO3 )、6重量%の硝酸カルシ
ウム(CaNO3 )の混合溶液に、炭酸ナトリウム(N
a2 CO3 )を添加してバリウム・ストロンチウム・カ
ルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕を沈
殿させ、これらの沈殿物(粉末)に3重量%のバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2O5 )を混合し、この混合
物にニトロセルロースラッカー、酢酸ブチルを加えてロ
ーリング混合させ、第2の懸濁液を調製する。
土類金属酸化物からなる第2層18については、53重
量%の硝酸バリウム(BaNO3 )、38重量%の硝酸
ストロンチウム(SrNO3 )、6重量%の硝酸カルシ
ウム(CaNO3 )の混合溶液に、炭酸ナトリウム(N
a2 CO3 )を添加してバリウム・ストロンチウム・カ
ルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO3 〕を沈
殿させ、これらの沈殿物(粉末)に3重量%のバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2O5 )を混合し、この混合
物にニトロセルロースラッカー、酢酸ブチルを加えてロ
ーリング混合させ、第2の懸濁液を調製する。
【0029】続いて、ニッケル(Ni)を主成分とする
帽状陰極金属基体14の頂部表面に、スプレー法により
第1の懸濁液を塗布して約10μmの厚さの第1層17
を形成し、次に、この第1層17の上に、同様にスプレ
ー法により第2の懸濁液を塗布して約50μmの厚さの
第2層18を形成し、さらに、この第2層18の上に、
同様にスプレー法により再び第1の懸濁液を塗布して約
5μmの厚さの第3層19を形成し、3層構造の電子放
射物質層15を形成する。
帽状陰極金属基体14の頂部表面に、スプレー法により
第1の懸濁液を塗布して約10μmの厚さの第1層17
を形成し、次に、この第1層17の上に、同様にスプレ
ー法により第2の懸濁液を塗布して約50μmの厚さの
第2層18を形成し、さらに、この第2層18の上に、
同様にスプレー法により再び第1の懸濁液を塗布して約
5μmの厚さの第3層19を形成し、3層構造の電子放
射物質層15を形成する。
【0030】次いで、電子管の真空排気工程において、
この電子放射物質層15をヒーター18によって加熱
し、電子放射物質層15内にあるバリウム・ストロンチ
ウム・カルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO
3 〕を分解することにより、バリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物〔(Ba・Sr・Ca)O〕と
し、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17及び第
3層、それに、希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる第2層18を形成し、その後に、9
00乃至1100℃の雰囲気中で加熱して活性化を行
い、所要の陰極を形成させるものである。
この電子放射物質層15をヒーター18によって加熱
し、電子放射物質層15内にあるバリウム・ストロンチ
ウム・カルシウムの炭酸塩〔(Ba・Sr・Ca)CO
3 〕を分解することにより、バリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物〔(Ba・Sr・Ca)O〕と
し、アルカリ土類金属酸化物からなる第1層17及び第
3層、それに、希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類
金属酸化物からなる第2層18を形成し、その後に、9
00乃至1100℃の雰囲気中で加熱して活性化を行
い、所要の陰極を形成させるものである。
【0031】前記構成による電子放射物質層15を有す
る陰極によれば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O
5 )等の希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物の第2層18においては、希土類金属酸化物による
遊離バリウム(Ba)の付着機能によって、遊離バリウ
ム(Ba)を高濃度状態に保ち、電子放射物質層15に
おける遊離バリウム(Ba)濃度を高い状態に維持させ
ることができるだけでなく、アルカリ土類金属酸化物か
らなる第3層19においては、希土類金属酸化物のよう
に電子放射を行わない物質が含まれておらず、電子放射
を損なうものがないので、電子放射物質層15からの電
子放射量を酸化物陰極の電子放射量とほぼ同様にするこ
とができ、優れた高電流密度動作特性と大きな電子放射
特性を発揮する電子放射物質層15を有する陰極が得ら
れる。
る陰極によれば、バリウムスカンデート(Ba2Sc2O
5 )等の希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物の第2層18においては、希土類金属酸化物による
遊離バリウム(Ba)の付着機能によって、遊離バリウ
ム(Ba)を高濃度状態に保ち、電子放射物質層15に
おける遊離バリウム(Ba)濃度を高い状態に維持させ
ることができるだけでなく、アルカリ土類金属酸化物か
らなる第3層19においては、希土類金属酸化物のよう
に電子放射を行わない物質が含まれておらず、電子放射
を損なうものがないので、電子放射物質層15からの電
子放射量を酸化物陰極の電子放射量とほぼ同様にするこ
とができ、優れた高電流密度動作特性と大きな電子放射
特性を発揮する電子放射物質層15を有する陰極が得ら
れる。
【0032】なお、本実施例においては、希土類金属酸
化物を含んだアルカリ土類金属酸化物層17に含まれる
希土類金属として、バリウム(Ba)とスカンジウム
(Sc)の複合酸化物、即ち、バリウムスカンデート
(Ba2Sc2O5 )を用いた例を挙げて説明したが、本
発明において使用可能な希土類金属酸化物は、バリウム
(Ba)とスカンジウム(Sc)の複合酸化物に限られ
るものではなく、他の希土類金属酸化物、例えば、バリ
ウム(Ba)とイットリウム(Y)の複合酸化物、また
は、バリウム(Ba)とセリウム(Ce)の複合酸化物
を用いた場合も、バリウム(Ba)とスカンジウム(S
c)の複合酸化物を用いた場合と同様に機能させること
ができる。
化物を含んだアルカリ土類金属酸化物層17に含まれる
希土類金属として、バリウム(Ba)とスカンジウム
(Sc)の複合酸化物、即ち、バリウムスカンデート
(Ba2Sc2O5 )を用いた例を挙げて説明したが、本
発明において使用可能な希土類金属酸化物は、バリウム
(Ba)とスカンジウム(Sc)の複合酸化物に限られ
るものではなく、他の希土類金属酸化物、例えば、バリ
ウム(Ba)とイットリウム(Y)の複合酸化物、また
は、バリウム(Ba)とセリウム(Ce)の複合酸化物
を用いた場合も、バリウム(Ba)とスカンジウム(S
c)の複合酸化物を用いた場合と同様に機能させること
ができる。
【0033】また、本実施例においては、希土類金属酸
化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層1
8として、この第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )が3重量%である場合を例に挙げて説明したが、
本発明において、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )の含有量は3重量%のものに限られず、0.01
乃至15重量%の間であれば、任意の含有量を選ぶこと
ができる。即ち、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )の含有量が0.01重量%以下のときは、希土類
金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第
2層18を設けたことの機能が失われ、一方、第2層1
8に含まれる希土類金属酸化物、例えば、バリウム(B
a)とスカンジウム(Sc)の複合酸化物であるバリウ
ムスカンデート(Ba2Sc2O5 )の含有量が15重量
%を超えると、却って希土類金属酸化物を含ませたこと
による機能が劣化するようになる。そして、本実施例の
陰極において、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )のより好適な含有量としては、1乃至3重量%の
範囲内である。
化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第2層1
8として、この第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )が3重量%である場合を例に挙げて説明したが、
本発明において、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )の含有量は3重量%のものに限られず、0.01
乃至15重量%の間であれば、任意の含有量を選ぶこと
ができる。即ち、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )の含有量が0.01重量%以下のときは、希土類
金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる第
2層18を設けたことの機能が失われ、一方、第2層1
8に含まれる希土類金属酸化物、例えば、バリウム(B
a)とスカンジウム(Sc)の複合酸化物であるバリウ
ムスカンデート(Ba2Sc2O5 )の含有量が15重量
%を超えると、却って希土類金属酸化物を含ませたこと
による機能が劣化するようになる。そして、本実施例の
陰極において、第2層18に含まれる希土類金属酸化
物、例えば、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)
の複合酸化物であるバリウムスカンデート(Ba2Sc2
O5 )のより好適な含有量としては、1乃至3重量%の
範囲内である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
陰極金属基体の頂部表面に被着形成させる電子放射物質
層を、陰極金属基体の表面に形成したアルカリ土類金属
酸化物からなる第1層と、この第1層の表面に形成した
希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物から
なる第2層と、この第2層の表面に形成したアルカリ土
類金属酸化物からなる第3層とによる3層構造で構成し
ており、この中で、第2層においては、遊離バリウム
(Ba)を高濃度状態に保つようにして、電子放射物質
層における遊離バリウム(Ba)濃度を高い状態に維持
させるとともに、第3層においては、通常の電子放射を
行うことができるので、電子放射物質層からの電子放射
量が酸化物陰極のそれとほぼ同様になり、その結果、優
れた高電流密度動作特性と大きな電子放射特性とを同時
に発揮できる電子管を得ることができるという効果があ
る。
陰極金属基体の頂部表面に被着形成させる電子放射物質
層を、陰極金属基体の表面に形成したアルカリ土類金属
酸化物からなる第1層と、この第1層の表面に形成した
希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物から
なる第2層と、この第2層の表面に形成したアルカリ土
類金属酸化物からなる第3層とによる3層構造で構成し
ており、この中で、第2層においては、遊離バリウム
(Ba)を高濃度状態に保つようにして、電子放射物質
層における遊離バリウム(Ba)濃度を高い状態に維持
させるとともに、第3層においては、通常の電子放射を
行うことができるので、電子放射物質層からの電子放射
量が酸化物陰極のそれとほぼ同様になり、その結果、優
れた高電流密度動作特性と大きな電子放射特性とを同時
に発揮できる電子管を得ることができるという効果があ
る。
【図1】本発明に係わる電子放射物質層を有する陰極を
備えた電子管の一実施例の概略構成を示す断面図であ
る。
備えた電子管の一実施例の概略構成を示す断面図であ
る。
【図2】図1に図示された電子管の電子銃に用いられる
電子放射物質層を有する陰極の構成の一例を示す断面図
である。
電子放射物質層を有する陰極の構成の一例を示す断面図
である。
【図3】既知の電子管の電子銃に用いられる電子放射物
質層を有する陰極の構成の一例を示す断面図である。
質層を有する陰極の構成の一例を示す断面図である。
1 パネル部 2 ファンネル部 3 ネック部 4 螢光膜 5 シャドウマスク 6 磁気シールド 7 偏向ヨーク 8 ピュリテイ調整用マグネット 9 センタービームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 10 サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 11 電子銃 12 電子ビーム 13 円筒状金属スリーブ(陰極金属基体) 14 帽状陰極金属基体 15 電子放射物質層 16 ヒーター 17 アルカリ土類金属酸化物からなる第1層 18 希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化
物からなる第2層 19 アルカリ土類金属酸化物からなる第3層
マグネット 10 サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 11 電子銃 12 電子ビーム 13 円筒状金属スリーブ(陰極金属基体) 14 帽状陰極金属基体 15 電子放射物質層 16 ヒーター 17 アルカリ土類金属酸化物からなる第1層 18 希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化
物からなる第2層 19 アルカリ土類金属酸化物からなる第3層
Claims (4)
- 【請求項1】 陰極金属基体の表面に電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管において、前記電子放射物質
層は、前記陰極金属基体の表面に形成されたアルカリ土
類金属酸化物からなる第1層と、前記第1層の表面に形
成された希土類金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸
化物からなる第2層と、前記第2層の表面に形成された
アルカリ土類金属酸化物からなる第3層とにより構成さ
れた3層構造であることを特徴とする電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管。 - 【請求項2】 前記第2層に含まれる希土類金属酸化物
は、バリウム(Ba)とスカンジウム(Sc)の複合酸
化物であることを特徴とする請求項1に記載の電子放射
物質層を有する陰極を備えた電子管。 - 【請求項3】 前記第2層に含まれる希土類金属酸化物
は、バリウム(Ba)とイットリウム(Y)の複合酸化
物またはバリウム(Ba)とセリウム(Ce)の複合酸
化物であることを特徴とする請求項1に記載の電子放射
物質層を有する陰極を備えた電子管。 - 【請求項4】 前記第2層は、0.01乃至15重量%
の範囲の希土類金属酸化物を含んでいることを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれかに記載の電子放射物質層を
有する陰極を備えた電子管。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23872395A JPH0982233A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管 |
| TW085110637A TW324103B (en) | 1995-09-18 | 1996-08-31 | Electron tube comprising a cathode with electron emission material layer |
| US08/709,735 US5808404A (en) | 1995-09-18 | 1996-09-09 | Electron tube including a cathode having an electron emissive material layer |
| KR1019960040463A KR970017767A (ko) | 1995-09-18 | 1996-09-18 | 전자방사물질층을 가진 음극을 구비한 전자관 |
| CN96111305A CN1147684A (zh) | 1995-09-18 | 1996-09-18 | 阴极有电子发射材料层的电子管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23872395A JPH0982233A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982233A true JPH0982233A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17034309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23872395A Pending JPH0982233A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 電子放射物質層を有する陰極を備えた電子管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5808404A (ja) |
| JP (1) | JPH0982233A (ja) |
| KR (1) | KR970017767A (ja) |
| CN (1) | CN1147684A (ja) |
| TW (1) | TW324103B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105244244A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-13 | 甘肃虹光电子有限责任公司 | 一种氧化物阴极 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2876591B2 (ja) * | 1996-11-29 | 1999-03-31 | 三菱電機株式会社 | 電子管用陰極 |
| TW388048B (en) | 1997-04-30 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | Cathode-ray tube and electron gun thereof |
| JP3696720B2 (ja) | 1997-07-09 | 2005-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 含浸型陰極とその製造方法 |
| JPH11102636A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Matsushita Electron Corp | 陰極、陰極の製造方法、受像管 |
| KR19990033174A (ko) * | 1997-10-23 | 1999-05-15 | 손욱 | 전자관용 음극 |
| US6140753A (en) * | 1997-12-30 | 2000-10-31 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Cathode for an electron gun |
| US6238122B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-05-29 | Exhaust Etiquette | Display device and method therefor |
| US6495949B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-12-17 | Orion Electric Co., Ltd. | Electron tube cathode |
| KR100315123B1 (ko) | 2000-01-10 | 2001-11-29 | 김순택 | 전자빔 장치용 음극 물질 |
| WO2002025682A1 (en) * | 2000-09-19 | 2002-03-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Cathode ray tube comprising a cathode of a composite material |
| KR100413499B1 (ko) * | 2002-02-07 | 2004-01-03 | 엘지.필립스디스플레이(주) | 음극선관용 음극 |
| FR2839197A1 (fr) * | 2002-04-25 | 2003-10-31 | Thomson Licensing Sa | Cathode a oxyde pour canon a electrons a zone emissive plus dense et moins epaisse |
| JP2004022271A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Hitachi Displays Ltd | 陰極線管 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023454B2 (ja) * | 1978-11-29 | 1985-06-07 | 株式会社日立製作所 | 電子管陰極 |
| US4404492A (en) * | 1981-08-24 | 1983-09-13 | North American Philips Consumer Electronics Corp. | Cathode structure for cathode ray tubes and method for producing same |
| JPS61183838A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Hitachi Ltd | 含浸形カソ−ド |
| JPS63224127A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極 |
| US4823044A (en) * | 1988-02-10 | 1989-04-18 | Ceradyne, Inc. | Dispenser cathode and method of manufacture therefor |
| JP2758244B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-05-28 | 三菱電機株式会社 | 電子管用陰極 |
| KR940011717B1 (ko) * | 1990-10-05 | 1994-12-23 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 전자관음극 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP23872395A patent/JPH0982233A/ja active Pending
-
1996
- 1996-08-31 TW TW085110637A patent/TW324103B/zh active
- 1996-09-09 US US08/709,735 patent/US5808404A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-18 CN CN96111305A patent/CN1147684A/zh active Pending
- 1996-09-18 KR KR1019960040463A patent/KR970017767A/ko not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105244244A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-13 | 甘肃虹光电子有限责任公司 | 一种氧化物阴极 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1147684A (zh) | 1997-04-16 |
| US5808404A (en) | 1998-09-15 |
| KR970017767A (ko) | 1997-04-30 |
| TW324103B (en) | 1998-01-01 |
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