JPH0983085A - 半導体レーザ装置及びその組立方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその組立方法Info
- Publication number
- JPH0983085A JPH0983085A JP7240085A JP24008595A JPH0983085A JP H0983085 A JPH0983085 A JP H0983085A JP 7240085 A JP7240085 A JP 7240085A JP 24008595 A JP24008595 A JP 24008595A JP H0983085 A JPH0983085 A JP H0983085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser element
- laser device
- shielding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子に外部からの反射戻り光が入らない
ように遮光部材を取り付ける際に半導体レーザ素子に悪
影響を及ぼすことなく遮光を容易に実現できる半導体レ
ーザ装置及びその組立方法を得る。 【解決手段】 半導体レーザ素子１の後端面側に配置さ
れた受光素子２による該半導体レーザ素子１の後面出射
光７の受光に基づいて前面出射光５の強度を制御するよ
うにした半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ
素子１上に、長手方向を上記半導体レーザ素子１の活性
層１ａの設置方向とほぼ直交する方向にして該半導体レ
ーザ素子１上を覆い上記受光素子２に外部から反射戻り
光が入射するのを遮光する遮光部材として、リボンワイ
ヤ１３を半導体レーザ素子１の活性層１ａのある中心部
を避けて該半導体レーザ素子１上にその両脇を熱圧着し
た。
ように遮光部材を取り付ける際に半導体レーザ素子に悪
影響を及ぼすことなく遮光を容易に実現できる半導体レ
ーザ装置及びその組立方法を得る。 【解決手段】 半導体レーザ素子１の後端面側に配置さ
れた受光素子２による該半導体レーザ素子１の後面出射
光７の受光に基づいて前面出射光５の強度を制御するよ
うにした半導体レーザ装置において、上記半導体レーザ
素子１上に、長手方向を上記半導体レーザ素子１の活性
層１ａの設置方向とほぼ直交する方向にして該半導体レ
ーザ素子１上を覆い上記受光素子２に外部から反射戻り
光が入射するのを遮光する遮光部材として、リボンワイ
ヤ１３を半導体レーザ素子１の活性層１ａのある中心部
を避けて該半導体レーザ素子１上にその両脇を熱圧着し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ素
子の後端面側に配置された受光素子による該半導体レー
ザ素子の後面出射光の受光に基づいて前面出射光の強度
を制御するようにした半導体レーザ装置及びその組立方
法に関するものである。
子の後端面側に配置された受光素子による該半導体レー
ザ素子の後面出射光の受光に基づいて前面出射光の強度
を制御するようにした半導体レーザ装置及びその組立方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）及び（ｂ）は従来例に係る半
導体レーザ装置を示す斜視図及び断面図である。図７に
おいて、１は半導体レーザ素子、１ａは半導体レーザ素
子１のほぼ中心部に存在する活性層、２は半導体レーザ
素子１の後端面側に配置された受光素子、３は半導体レ
ーザ素子１を搭載するためのヒートシンク、４は半導体
レーザ素子１への給電用ワイヤ、５は半導体レーザ素子
１の前面出射光、６は外部からの反射戻り光、７は半導
体レーザ素子１の後面出射光、８はステム、９は受光素
子２の取付台である。なお、図７（ａ）に示す斜視図に
はステム８及び取付台９を省略して示している。
導体レーザ装置を示す斜視図及び断面図である。図７に
おいて、１は半導体レーザ素子、１ａは半導体レーザ素
子１のほぼ中心部に存在する活性層、２は半導体レーザ
素子１の後端面側に配置された受光素子、３は半導体レ
ーザ素子１を搭載するためのヒートシンク、４は半導体
レーザ素子１への給電用ワイヤ、５は半導体レーザ素子
１の前面出射光、６は外部からの反射戻り光、７は半導
体レーザ素子１の後面出射光、８はステム、９は受光素
子２の取付台である。なお、図７（ａ）に示す斜視図に
はステム８及び取付台９を省略して示している。
【０００３】図示構成に係る半導体レーザ装置におい
て、半導体レーザ素子１は、通常、へき開にて端面を作
製するため、１個の素子で前端面と後端面の２つの端面
を有する。よって、半導体レーザ素子１の駆動時には、
前面出射光５と後面出射光７の両者が発生することにな
る。受光素子２はその後面出射光７を受光するので、該
受光素子２で発生するモニター電流を検出して、半導体
レーザ素子１への駆動電流を上記モニター電流が一定に
なるように制御しながら流せば、前面出射光５の強度を
常に一定に制御（Automatic Power Control ：以下、Ａ
ＰＣ制御と称す）することができる。
て、半導体レーザ素子１は、通常、へき開にて端面を作
製するため、１個の素子で前端面と後端面の２つの端面
を有する。よって、半導体レーザ素子１の駆動時には、
前面出射光５と後面出射光７の両者が発生することにな
る。受光素子２はその後面出射光７を受光するので、該
受光素子２で発生するモニター電流を検出して、半導体
レーザ素子１への駆動電流を上記モニター電流が一定に
なるように制御しながら流せば、前面出射光５の強度を
常に一定に制御（Automatic Power Control ：以下、Ａ
ＰＣ制御と称す）することができる。
【０００４】ところが、通常、半導体レーザ素子１は、
光学系を介して外部の光ファイバや光ディスク、励起対
象物等と結合するような構造として使用されることが多
く、前面出射光５の強度を常に一定に制御すべく、受光
素子２を半導体レーザ素子１の後側に配置した場合に、
外部からの反射戻り光６が受光素子２に入り、半導体レ
ーザ素子１の後面出射光７だけを正確に検出することが
できず、従って、その場合には前面出射光５の強度を正
確に制御できなくなるという問題点があった。
光学系を介して外部の光ファイバや光ディスク、励起対
象物等と結合するような構造として使用されることが多
く、前面出射光５の強度を常に一定に制御すべく、受光
素子２を半導体レーザ素子１の後側に配置した場合に、
外部からの反射戻り光６が受光素子２に入り、半導体レ
ーザ素子１の後面出射光７だけを正確に検出することが
できず、従って、その場合には前面出射光５の強度を正
確に制御できなくなるという問題点があった。
【０００５】このため、図８に示すように、半導体レー
ザ素子１の上部に、受光素子２に外部からの反射戻り光
６が入らないようにダイボンド用遮光部材１０を半田に
よりダイボンドする方法や、図９に示すように、半導体
レーザ素子１の中心部に位置する活性層１ａ上に遮光・
給電用リボンワイヤ固定用ポスト１２に接続された遮光
用リボンワイヤ１１を全面に亙って熱圧着する方法が考
えられている。
ザ素子１の上部に、受光素子２に外部からの反射戻り光
６が入らないようにダイボンド用遮光部材１０を半田に
よりダイボンドする方法や、図９に示すように、半導体
レーザ素子１の中心部に位置する活性層１ａ上に遮光・
給電用リボンワイヤ固定用ポスト１２に接続された遮光
用リボンワイヤ１１を全面に亙って熱圧着する方法が考
えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８及
び図９に示す方法では、半導体レーザ素子１に半田や熱
圧着によって余分な熱応力が加わることになり、半導体
レーザ素子１に悪影響を及ぼす。また、半田として低融
点半田を用いた場合には半田の経時的変化によるウイス
カー（髭状の突起）の成長により半導体レーザ素子１と
他の部材とのジャンクション短絡の危険性があるなどの
問題点があった。
び図９に示す方法では、半導体レーザ素子１に半田や熱
圧着によって余分な熱応力が加わることになり、半導体
レーザ素子１に悪影響を及ぼす。また、半田として低融
点半田を用いた場合には半田の経時的変化によるウイス
カー（髭状の突起）の成長により半導体レーザ素子１と
他の部材とのジャンクション短絡の危険性があるなどの
問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、受光素子に外部からの反射戻り
光が入らないように遮光部材を取り付ける際に半導体レ
ーザ素子に悪影響を及ぼすことなく遮光を容易に実現で
きる半導体レーザ装置及びその組立方法を得ることを目
的としている。
ためになされたもので、受光素子に外部からの反射戻り
光が入らないように遮光部材を取り付ける際に半導体レ
ーザ素子に悪影響を及ぼすことなく遮光を容易に実現で
きる半導体レーザ装置及びその組立方法を得ることを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザ素子の後端面側に配置された
受光素子による該半導体レーザ素子の後面出射光の受光
に基づいて前面出射光の強度を制御するようにした半導
体レーザ装置において、上記半導体レーザ素子上に、長
手方向を上記半導体レーザ素子の活性層の設置方向とほ
ぼ直交する方向にして該半導体レーザ素子上を覆い上記
受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光する
遮光部材を設けたことを特徴とするものである。
ーザ装置は、半導体レーザ素子の後端面側に配置された
受光素子による該半導体レーザ素子の後面出射光の受光
に基づいて前面出射光の強度を制御するようにした半導
体レーザ装置において、上記半導体レーザ素子上に、長
手方向を上記半導体レーザ素子の活性層の設置方向とほ
ぼ直交する方向にして該半導体レーザ素子上を覆い上記
受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光する
遮光部材を設けたことを特徴とするものである。
【０００９】また、上記遮光部材は、上記半導体レーザ
素子の活性層のある中心部を避けて該半導体レーザ素子
上に両脇を圧着してなることを特徴とするものである。
素子の活性層のある中心部を避けて該半導体レーザ素子
上に両脇を圧着してなることを特徴とするものである。
【００１０】また、上記遮光部材として、上記半導体レ
ーザ素子への給電用リボンワイヤを併用したことを特徴
とするものである。
ーザ素子への給電用リボンワイヤを併用したことを特徴
とするものである。
【００１１】また、上記遮光部材は、上記半導体レーザ
素子を搭載するヒートシンクの両脇に設けた一対のボン
ディングポストに取り付けられてなることを特徴とする
ものである。
素子を搭載するヒートシンクの両脇に設けた一対のボン
ディングポストに取り付けられてなることを特徴とする
ものである。
【００１２】また、上記遮光部材は、コ字形でなり、そ
の両脚部が上記半導体レーザ素子を搭載したヒートシン
ク上に立設されダイボンディングされてなることを特徴
とするものである。
の両脚部が上記半導体レーザ素子を搭載したヒートシン
ク上に立設されダイボンディングされてなることを特徴
とするものである。
【００１３】さらに、この発明に係る半導体レーザ装置
の組立方法は、半導体レーザ素子を搭載するためのヒー
トシンクに連結されたステムに該半導体レーザ素子の後
面出射光を受光する受光素子を取り付け、その受光素子
にアノード電極をワイヤを用いてワイヤボンディングす
る工程と、上記受光素子に対し後面出射光を出射するヒ
ートシンク上の位置に半導体レーザ素子を半田を用いて
ダイボンディングする工程と、上記半導体レーザ素子上
に長手方向を該半導体レーザ素子の活性層の設置方向と
ほぼ直交する方向にして半導体レーザ素子上を覆い上記
受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光する
遮光部材を設ける工程と、上記半導体レーザ素子にアノ
ード電極をワイヤを用いてボンディングする工程と、上
記半導体レーザ素子の前面出射光の出射側に窓を設けた
封止用のキャップを上記ステムに固定する工程と、上記
キャップの窓の前面に光学系を接続する工程とを備えた
ものである。
の組立方法は、半導体レーザ素子を搭載するためのヒー
トシンクに連結されたステムに該半導体レーザ素子の後
面出射光を受光する受光素子を取り付け、その受光素子
にアノード電極をワイヤを用いてワイヤボンディングす
る工程と、上記受光素子に対し後面出射光を出射するヒ
ートシンク上の位置に半導体レーザ素子を半田を用いて
ダイボンディングする工程と、上記半導体レーザ素子上
に長手方向を該半導体レーザ素子の活性層の設置方向と
ほぼ直交する方向にして半導体レーザ素子上を覆い上記
受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光する
遮光部材を設ける工程と、上記半導体レーザ素子にアノ
ード電極をワイヤを用いてボンディングする工程と、上
記半導体レーザ素子の前面出射光の出射側に窓を設けた
封止用のキャップを上記ステムに固定する工程と、上記
キャップの窓の前面に光学系を接続する工程とを備えた
ものである。
【００１４】
実施の形態１．図１（ａ）及び（ｂ）は実施の形態１に
係る半導体レーザ装置を示す斜視図及び断面図である。
図１において、図７（ａ）及び（ｂ）に示す従来例と同
一部分と同一符号を付してその説明は省略する。この実
施の形態１に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザ素
子１の後面出射光７を受光素子２で受光することにより
半導体レーザ素子１の前面出射光５を制御する際に、受
光素子２に外部からの反射戻り光６を遮光するための遮
光部材として、例えば金でなるリボンワイヤ１３を長手
方向を半導体レーザ素子１の活性層の設置方向とほぼ直
交する方向に該半導体レーザ素子１を覆いようにして、
活性層のある半導体レーザ素子１の中心部を避けて半導
体レーザ素子１上に固着する。
係る半導体レーザ装置を示す斜視図及び断面図である。
図１において、図７（ａ）及び（ｂ）に示す従来例と同
一部分と同一符号を付してその説明は省略する。この実
施の形態１に係る半導体レーザ装置は、半導体レーザ素
子１の後面出射光７を受光素子２で受光することにより
半導体レーザ素子１の前面出射光５を制御する際に、受
光素子２に外部からの反射戻り光６を遮光するための遮
光部材として、例えば金でなるリボンワイヤ１３を長手
方向を半導体レーザ素子１の活性層の設置方向とほぼ直
交する方向に該半導体レーザ素子１を覆いようにして、
活性層のある半導体レーザ素子１の中心部を避けて半導
体レーザ素子１上に固着する。
【００１５】上記リボンワイヤ１３の素材としての金
は、ヤング率の低い柔らかな材料であり、また、半導体
レーザ素子１への固着は、活性層１ａのある半導体レー
ザ素子１の中心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だ
けを熱圧着する。このようにすることにより、半導体レ
ーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかることを回
避することができ、半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼ
すことなく、外部からの反射戻り光６に対する遮光を容
易に実現できると共に、半導体レーザ素子１の前面出射
光５を安定して制御することができる。
は、ヤング率の低い柔らかな材料であり、また、半導体
レーザ素子１への固着は、活性層１ａのある半導体レー
ザ素子１の中心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だ
けを熱圧着する。このようにすることにより、半導体レ
ーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかることを回
避することができ、半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼ
すことなく、外部からの反射戻り光６に対する遮光を容
易に実現できると共に、半導体レーザ素子１の前面出射
光５を安定して制御することができる。
【００１６】この場合、上記リボンワイヤ１３の厚さと
しては、数１０μｍ〜数１００μｍ程度で良い。外部か
らの反射戻り光６は、通常、光学系のレンズ１４を介し
て半導体レーザ素子１へ戻ってくるので、半導体レーザ
素子１の活性層１ａからわずかにずれた位置に焦点を結
ぶことになる。従って、遮光部材として半導体レーザ素
子１上に固着されるリボンワイヤ１３の厚さは数１０μ
ｍ〜数１００μｍ程度であれば、受光素子２に入射する
外部からの反射戻り光６を十分遮光できる。
しては、数１０μｍ〜数１００μｍ程度で良い。外部か
らの反射戻り光６は、通常、光学系のレンズ１４を介し
て半導体レーザ素子１へ戻ってくるので、半導体レーザ
素子１の活性層１ａからわずかにずれた位置に焦点を結
ぶことになる。従って、遮光部材として半導体レーザ素
子１上に固着されるリボンワイヤ１３の厚さは数１０μ
ｍ〜数１００μｍ程度であれば、受光素子２に入射する
外部からの反射戻り光６を十分遮光できる。
【００１７】次に、上記構成に係る半導体レーザ装置の
組立方法について詳述する。図２（ａ）〜（ｆ）は半導
体レーザ装置の組立工程に係るフローを示すものであ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ヒートシンク３に
連結されたステム８に設けられた取付台９に半導体レー
ザ素子１の後面出射光を受光する受光素子２を取り付
け、この受光素子２にアノード電極１５をワイヤ１７を
用いてワイヤボンディングする。ここで、受光素子２と
しては、Ｓｉ素材の受光面が５００×５００μｍの角形
でなる。なお、図中、１４は半導体レーザ素子１のアノ
ード電極、１６は半導体レーザ素子１のカソード電極及
び受光素子２のカソード電極部分を示す。
組立方法について詳述する。図２（ａ）〜（ｆ）は半導
体レーザ装置の組立工程に係るフローを示すものであ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ヒートシンク３に
連結されたステム８に設けられた取付台９に半導体レー
ザ素子１の後面出射光を受光する受光素子２を取り付
け、この受光素子２にアノード電極１５をワイヤ１７を
用いてワイヤボンディングする。ここで、受光素子２と
しては、Ｓｉ素材の受光面が５００×５００μｍの角形
でなる。なお、図中、１４は半導体レーザ素子１のアノ
ード電極、１６は半導体レーザ素子１のカソード電極及
び受光素子２のカソード電極部分を示す。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、上記受光
素子２に対し後面出射光を出射するヒートシンク３上の
位置に半導体レーザ素子１をＡｕＳｎ半田を用いて３４
０℃でダイボンディングする。この半導体レーザ素子１
としては、０．８６μｍ帯の出力光を出射するＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系の材質でなり、そのチップ幅は６００
μｍ、チップ厚さは１００μｍ、共振器長は７５０μｍ
であり、表面から５μｍの深さにレーザ光を放出して導
波する活性層１ａが存在する。
素子２に対し後面出射光を出射するヒートシンク３上の
位置に半導体レーザ素子１をＡｕＳｎ半田を用いて３４
０℃でダイボンディングする。この半導体レーザ素子１
としては、０．８６μｍ帯の出力光を出射するＡｌＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ系の材質でなり、そのチップ幅は６００
μｍ、チップ厚さは１００μｍ、共振器長は７５０μｍ
であり、表面から５μｍの深さにレーザ光を放出して導
波する活性層１ａが存在する。
【００１９】そして、図２（ｃ）に示すように、半導体
レーザ素子１上に、受光素子２に入射する外部からの反
射戻り光６を遮光する遮光部材として、素材が金でなる
リボンワイヤ１３の長手方向を半導体レーザ素子１の活
性層の設置方向とほぼ直交する方向にして活性層のある
半導体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにして載置し
（図１（ａ）参照）、活性層１ａのある半導体レーザ素
子１の中心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だけを
熱圧着する。
レーザ素子１上に、受光素子２に入射する外部からの反
射戻り光６を遮光する遮光部材として、素材が金でなる
リボンワイヤ１３の長手方向を半導体レーザ素子１の活
性層の設置方向とほぼ直交する方向にして活性層のある
半導体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにして載置し
（図１（ａ）参照）、活性層１ａのある半導体レーザ素
子１の中心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だけを
熱圧着する。
【００２０】ここで、上記リボンワイヤ１３は、厚さが
１００μｍ、幅が１００μｍ、長さが６００μｍでな
り、半導体レーザ素子１への熱圧着温度を２００℃とし
ている。該リボンワイヤ１３の素材としての金は、ヤン
グ率の低い柔らかな材料であり、また、半導体レーザ素
子１への固着は、活性層のある半導体レーザ素子１の中
心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だけを熱圧着す
るので、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力
がかかることを回避することができ、半導体レーザ素子
１に悪影響を及ぼすことがない。
１００μｍ、幅が１００μｍ、長さが６００μｍでな
り、半導体レーザ素子１への熱圧着温度を２００℃とし
ている。該リボンワイヤ１３の素材としての金は、ヤン
グ率の低い柔らかな材料であり、また、半導体レーザ素
子１への固着は、活性層のある半導体レーザ素子１の中
心部を避けて該リボンワイヤ１３の両脇だけを熱圧着す
るので、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力
がかかることを回避することができ、半導体レーザ素子
１に悪影響を及ぼすことがない。
【００２１】その後、図２（ｄ）に示すように、半導体
レーザ素子１にアノード電極１４をワイヤ１８を用いて
給電用のワイヤボンディングを行う。そして、図２
（ｅ）に示すように、半導体レーザ素子１の前面出射光
５の出射側に窓１９ａを設けた封止用のキャップ１９を
ステム８に溶接で固定し、さらに、図２（ｆ）に示すよ
うに、窓１９ａの前面にレンズ１４を配置して光学系と
接続する。
レーザ素子１にアノード電極１４をワイヤ１８を用いて
給電用のワイヤボンディングを行う。そして、図２
（ｅ）に示すように、半導体レーザ素子１の前面出射光
５の出射側に窓１９ａを設けた封止用のキャップ１９を
ステム８に溶接で固定し、さらに、図２（ｆ）に示すよ
うに、窓１９ａの前面にレンズ１４を配置して光学系と
接続する。
【００２２】従って、この実施の形態１によれば、半導
体レーザ素子１上に、長手方向を上記半導体レーザ素子
１の活性層１ａの設置方向とほぼ直交する方向にして該
半導体レーザ素子１上を覆い上記受光素子２に外部から
反射戻り光が入射するのを遮光する遮光部材を、上記半
導体レーザ素子１の活性層１ａのある中心部を避けて該
半導体レーザ素子１上に両脇を圧着するようにして設け
たので、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力
がかかることを回避することができ、半導体レーザ素子
１に悪影響を及ぼすことなく、外部からの反射戻り光６
に対する遮光を容易に実現できると共に、半導体レーザ
素子１の前面出射光５を安定して制御することができ
る。
体レーザ素子１上に、長手方向を上記半導体レーザ素子
１の活性層１ａの設置方向とほぼ直交する方向にして該
半導体レーザ素子１上を覆い上記受光素子２に外部から
反射戻り光が入射するのを遮光する遮光部材を、上記半
導体レーザ素子１の活性層１ａのある中心部を避けて該
半導体レーザ素子１上に両脇を圧着するようにして設け
たので、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力
がかかることを回避することができ、半導体レーザ素子
１に悪影響を及ぼすことなく、外部からの反射戻り光６
に対する遮光を容易に実現できると共に、半導体レーザ
素子１の前面出射光５を安定して制御することができ
る。
【００２３】なお、この実施の形態１において、半導体
レーザ素子１としてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、受光素
子２としてＳｉ系のものを用いたが、その他、半導体レ
ーザ素子１としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の長波半導
体レーザ素子やＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の可視光
半導体レーザ素子、受光素子２としてＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰ系のものを用いた場合にも適用できるのは勿論であ
る。
レーザ素子１としてＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、受光素
子２としてＳｉ系のものを用いたが、その他、半導体レ
ーザ素子１としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の長波半導
体レーザ素子やＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰ系の可視光
半導体レーザ素子、受光素子２としてＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰ系のものを用いた場合にも適用できるのは勿論であ
る。
【００２４】実施の形態２．次に、図３は実施の形態２
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態２に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、金ペレット２０を用い、実施の形態１と同様
に、この金ペレット２０の長手方向を半導体レーザ素子
１の活性層の設置方向とほぼ直交する方向にして活性層
１ａのある半導体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにし
て半導体レーザ素子１上に載置し、活性層のある半導体
レーザ素子１の中心部を避けて該金ペレット２０の両脇
だけを熱圧着または超音波圧着する。
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態２に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、金ペレット２０を用い、実施の形態１と同様
に、この金ペレット２０の長手方向を半導体レーザ素子
１の活性層の設置方向とほぼ直交する方向にして活性層
１ａのある半導体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにし
て半導体レーザ素子１上に載置し、活性層のある半導体
レーザ素子１の中心部を避けて該金ペレット２０の両脇
だけを熱圧着または超音波圧着する。
【００２５】ここで、用いる金ペレット２０の大きさは
外部からの反射戻り光６を充分に遮光できる大きさを有
し、その長手方向の長さは受光素子２の幅相当、厚さは
数１０〜数１００程度で良い。このようにすることによ
り、実施の形態１と同様にして、半導体レーザ素子１の
活性層１ａ付近に熱応力がかかることを回避することが
でき、半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼすことがな
い。
外部からの反射戻り光６を充分に遮光できる大きさを有
し、その長手方向の長さは受光素子２の幅相当、厚さは
数１０〜数１００程度で良い。このようにすることによ
り、実施の形態１と同様にして、半導体レーザ素子１の
活性層１ａ付近に熱応力がかかることを回避することが
でき、半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼすことがな
い。
【００２６】実施の形態３．次に、図４は実施の形態３
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態３に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、ヒートシンク３の両脇に設けた一対のボンデ
ィングポスト２２、２２にリボンワイヤ２１を取り付け
る。このリボンワイヤ２１は、実施の形態１と同様に、
その長手方向を半導体レーザ素子１の活性層の設置方向
とほぼ直交する方向にして半導体レーザ素子１上に載置
されるようになされており、実施の形態１とは半導体レ
ーザ素子１上に直接熱圧着する必要がない点が異なる。
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態３に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、ヒートシンク３の両脇に設けた一対のボンデ
ィングポスト２２、２２にリボンワイヤ２１を取り付け
る。このリボンワイヤ２１は、実施の形態１と同様に、
その長手方向を半導体レーザ素子１の活性層の設置方向
とほぼ直交する方向にして半導体レーザ素子１上に載置
されるようになされており、実施の形態１とは半導体レ
ーザ素子１上に直接熱圧着する必要がない点が異なる。
【００２７】ここで、用いるリボンワイヤ２１の幅は、
受光素子２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光で
きる幅で、受光素子２のサイズや配置などによって異な
るが、数１０〜数１００程度で良い。このようにするこ
とにより、実施の形態１のように半導体レーザ素子１上
に遮光部材を直接熱圧着する必要がないことから、半導
体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかること
は全くなく、熱応力により半導体レーザ素子１に悪影響
を及ぼすことがない。
受光素子２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光で
きる幅で、受光素子２のサイズや配置などによって異な
るが、数１０〜数１００程度で良い。このようにするこ
とにより、実施の形態１のように半導体レーザ素子１上
に遮光部材を直接熱圧着する必要がないことから、半導
体レーザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかること
は全くなく、熱応力により半導体レーザ素子１に悪影響
を及ぼすことがない。
【００２８】実施の形態４．次に、図５は実施の形態４
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態４に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、コ字形部材２３を用い、このコ字形部材２３
は、実施の形態１と同様に、両脚部間の梁部の長手方向
を半導体レーザ素子１の活性層１ａの設置方向とほぼ直
交する方向にして半導体レーザ素子１上を覆うように両
脚部がヒートシンク３上に立設される形でダイボンディ
ングされており、実施の形態１とは半導体レーザ素子１
上に直接熱圧着する必要がない点が異なる。
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態４に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、コ字形部材２３を用い、このコ字形部材２３
は、実施の形態１と同様に、両脚部間の梁部の長手方向
を半導体レーザ素子１の活性層１ａの設置方向とほぼ直
交する方向にして半導体レーザ素子１上を覆うように両
脚部がヒートシンク３上に立設される形でダイボンディ
ングされており、実施の形態１とは半導体レーザ素子１
上に直接熱圧着する必要がない点が異なる。
【００２９】ここで、遮光部材としてのコ字形部材２３
は、例えば金属、セラミック等を用いるが、ヒートシン
ク３へのダイボンディングが可能であれば特に問題はな
い。また、半導体レーザ素子１とコ字形部材２３の梁部
との隙間は、なるべく小さい方が良いが、半導体レーザ
素子１への荷重がかからないように、数μｍ〜数１０μ
ｍ程度ある方が好ましい。このようにすることにより、
実施の形態３と同様にして半導体レーザ素子１上に遮光
部材を直接熱圧着する必要がないことから、半導体レー
ザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかることは全く
なく、熱応力により半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼ
すことがない。
は、例えば金属、セラミック等を用いるが、ヒートシン
ク３へのダイボンディングが可能であれば特に問題はな
い。また、半導体レーザ素子１とコ字形部材２３の梁部
との隙間は、なるべく小さい方が良いが、半導体レーザ
素子１への荷重がかからないように、数μｍ〜数１０μ
ｍ程度ある方が好ましい。このようにすることにより、
実施の形態３と同様にして半導体レーザ素子１上に遮光
部材を直接熱圧着する必要がないことから、半導体レー
ザ素子１の活性層１ａ付近に熱応力がかかることは全く
なく、熱応力により半導体レーザ素子１に悪影響を及ぼ
すことがない。
【００３０】実施の形態５．次に、図６は実施の形態５
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態５に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、リボンワイヤ２４を用い、実施の形態１と同
様に、その長手方向を半導体レーザ素子１の活性層の設
置方向とほぼ直交する方向にして活性層１ａのある半導
体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにして載置し、活性
層１ａのある半導体レーザ素子１の中心部を避けて該リ
ボンワイヤ２４の両脇だけを熱圧着する。また、このと
き、実施の形態１のように、半導体レーザ素子１への給
電用ワイヤ４を別に設けずにリボンワイヤ２４を給電用
ワイヤとしても用いる。
に係る半導体レーザ装置を示す斜視図である。この実施
の形態５に係る半導体レーザ装置においては、受光素子
２に入射する外部からの反射戻り光６を遮光する遮光部
材として、リボンワイヤ２４を用い、実施の形態１と同
様に、その長手方向を半導体レーザ素子１の活性層の設
置方向とほぼ直交する方向にして活性層１ａのある半導
体レーザ素子１の中心部を跨ぐようにして載置し、活性
層１ａのある半導体レーザ素子１の中心部を避けて該リ
ボンワイヤ２４の両脇だけを熱圧着する。また、このと
き、実施の形態１のように、半導体レーザ素子１への給
電用ワイヤ４を別に設けずにリボンワイヤ２４を給電用
ワイヤとしても用いる。
【００３１】このようにすることにより、実施の形態１
と同様にして、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に
熱応力がかかることを回避することができ、半導体レー
ザ素子１に悪影響を及ぼすことがない。また、遮光部材
としてのリボンワイヤ２４を給電用ワイヤとしても用い
るので部品点数を削減できる。
と同様にして、半導体レーザ素子１の活性層１ａ付近に
熱応力がかかることを回避することができ、半導体レー
ザ素子１に悪影響を及ぼすことがない。また、遮光部材
としてのリボンワイヤ２４を給電用ワイヤとしても用い
るので部品点数を削減できる。
【００３２】以上のように、この発明に係る半導体レー
ザ装置及びその組立方法によれば、半導体レーザ素子上
に、長手方向を上記半導体レーザ素子の活性層の設置方
向とほぼ直交する方向にして該半導体レーザ素子上を覆
い上記受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮
光する遮光部材を、上記半導体レーザ素子の活性層のあ
る中心部を避けて該半導体レーザ素子上に両脇を圧着す
るようにして設けたので、半導体レーザ素子の活性層付
近に熱応力がかかることを回避することができ、半導体
レーザ素子に悪影響を及ぼすことなく、外部からの反射
戻り光に対する遮光を容易に実現できると共に、半導体
レーザ素子の前面出射光を安定して制御することができ
ると共に、その組立が極めて容易なものとなる。
ザ装置及びその組立方法によれば、半導体レーザ素子上
に、長手方向を上記半導体レーザ素子の活性層の設置方
向とほぼ直交する方向にして該半導体レーザ素子上を覆
い上記受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮
光する遮光部材を、上記半導体レーザ素子の活性層のあ
る中心部を避けて該半導体レーザ素子上に両脇を圧着す
るようにして設けたので、半導体レーザ素子の活性層付
近に熱応力がかかることを回避することができ、半導体
レーザ素子に悪影響を及ぼすことなく、外部からの反射
戻り光に対する遮光を容易に実現できると共に、半導体
レーザ素子の前面出射光を安定して制御することができ
ると共に、その組立が極めて容易なものとなる。
【００３３】また、受光素子に入射する外部からの反射
戻り光を遮光する遮光部材として、半導体レーザ素子へ
の給電用ワイヤを併用する場合には部品点数を削減でき
る。
戻り光を遮光する遮光部材として、半導体レーザ素子へ
の給電用ワイヤを併用する場合には部品点数を削減でき
る。
【００３４】また、遮光部材を、半導体レーザ素子を搭
載するヒートシンクの両脇に設けた一対のボンディング
ポストに取り付けた場合や、コ字形でなり、その両脚部
が半導体レーザ素子を搭載したヒートシンク上に立設さ
れダイボンディングされて遮光部材の場合には、半導体
レーザ素子上に該遮光部材を直接熱圧着する必要がない
ことから、半導体レーザ素子の活性層付近に熱応力がか
かることは全くなく、熱応力により半導体レーザ素子１
に悪影響を及ぼすことがないという効果がある。
載するヒートシンクの両脇に設けた一対のボンディング
ポストに取り付けた場合や、コ字形でなり、その両脚部
が半導体レーザ素子を搭載したヒートシンク上に立設さ
れダイボンディングされて遮光部材の場合には、半導体
レーザ素子上に該遮光部材を直接熱圧着する必要がない
ことから、半導体レーザ素子の活性層付近に熱応力がか
かることは全くなく、熱応力により半導体レーザ素子１
に悪影響を及ぼすことがないという効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図と断面図である。
装置を示す斜視図と断面図である。
【図２】 図１に示す半導体レーザ装置の組立方法を説
明するフロー図である。
明するフロー図である。
【図３】 この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図４】 この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図５】 この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図６】 この発明の実施の形態５に係る半導体レーザ
装置を示す斜視図である。
装置を示す斜視図である。
【図７】 従来例に係る半導体レーザ装置を示す斜視図
と断面図である。
と断面図である。
【図８】 他の従来例に係る半導体レーザ装置を示す斜
視図である。
視図である。
【図９】 さらに他の従来例に係る半導体レーザ装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１ 半導体レーザ素子、１ａ 活性層、２ 受光素子、
３ ヒートシンク、５ 前面出射光、６ 外部からの反
射戻り光、７ 後面出射光、８ ステム、１３ リボン
ワイヤ（遮光部材）、１４ 半導体レーザ素子１のアノ
ード電極、１８ ワイヤ、１９ キャップ、１９ａ
窓、２０ 金パレット（遮光部材）、２１ リボンワイ
ヤ（遮光部材）、２２ ボンディングポスト、２３ コ
字形部材（遮光部材）、２４ リボンワイヤ（遮光部
材）。
３ ヒートシンク、５ 前面出射光、６ 外部からの反
射戻り光、７ 後面出射光、８ ステム、１３ リボン
ワイヤ（遮光部材）、１４ 半導体レーザ素子１のアノ
ード電極、１８ ワイヤ、１９ キャップ、１９ａ
窓、２０ 金パレット（遮光部材）、２１ リボンワイ
ヤ（遮光部材）、２２ ボンディングポスト、２３ コ
字形部材（遮光部材）、２４ リボンワイヤ（遮光部
材）。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子の後端面側に配置され
た受光素子による該半導体レーザ素子の後面出射光の受
光に基づいて前面出射光の強度を制御するようにした半
導体レーザ装置において、上記半導体レーザ素子上に、
長手方向を上記半導体レーザ素子の活性層の設置方向と
ほぼ直交する方向にして該半導体レーザ素子上を覆い上
記受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光す
る遮光部材を設けたことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 上記遮光部材は、上記半導体レーザ素子
の活性層のある中心部を避けて該半導体レーザ素子上に
両脇を圧着してなることを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ装置。 - 【請求項３】 上記遮光部材として、上記半導体レーザ
素子への給電用リボンワイヤを併用したことを特徴とす
る請求項２記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 上記遮光部材は、上記半導体レーザ素子
を搭載するヒートシンクの両脇に設けた一対のボンディ
ングポストに取り付けられてなることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 上記遮光部材は、コ字形でなり、その両
脚部が上記半導体レーザ素子を搭載したヒートシンク上
に立設されダイボンディングされてなることを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 半導体レーザ素子を搭載するためのヒー
トシンクに連結されたステムに該半導体レーザ素子の後
面出射光を受光する受光素子を取り付け、その受光素子
にアノード電極をワイヤを用いてワイヤボンディングす
る工程と、上記受光素子に対し後面出射光を出射するヒ
ートシンク上の位置に半導体レーザ素子を半田を用いて
ダイボンディングする工程と、上記半導体レーザ素子上
に長手方向を該半導体レーザ素子の活性層の設置方向と
ほぼ直交する方向にして半導体レーザ素子上を覆い上記
受光素子に外部から反射戻り光が入射するのを遮光する
遮光部材を設ける工程と、上記半導体レーザ素子にアノ
ード電極をワイヤを用いてボンディングする工程と、上
記半導体レーザ素子の前面出射光の出射側に窓を設けた
封止用のキャップを上記ステムに固定する工程と、上記
キャップの窓の前面に光学系を接続する工程とを備えた
半導体レーザ装置の組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24008595A JP3771609B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体レーザ装置及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24008595A JP3771609B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体レーザ装置及びその組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983085A true JPH0983085A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3771609B2 JP3771609B2 (ja) | 2006-04-26 |
Family
ID=17054267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24008595A Expired - Fee Related JP3771609B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 半導体レーザ装置及びその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3771609B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085785A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュール |
| JP2007073830A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 半導体レーザ装置および光学モジュール |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP24008595A patent/JP3771609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085785A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュール |
| JP2007073830A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 半導体レーザ装置および光学モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3771609B2 (ja) | 2006-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5309460A (en) | Semiconductor laser with encapsulated lead members | |
| JP2539089B2 (ja) | 半導体レ―ザ増幅器および半導体レ―ザ増幅装置 | |
| US20050196112A1 (en) | Transmitting optical subassembly capable of monitoring the front beam of the semiconductor laser diode | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| US5422905A (en) | Closely spaced dual diode lasers | |
| EP1353421B1 (en) | Optical module with a monitor photo diode | |
| JP3771609B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその組立方法 | |
| JP3245838B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6012782A (ja) | 発光ダイオ−ド実装構造 | |
| US20030231674A1 (en) | Laser diode | |
| JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05243690A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001208939A (ja) | 光素子モジュール、モニタ付レーザチップの製造方法、積層チップの実装方法、光素子モジュールの製造方法 | |
| JP3074092B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05323158A (ja) | レ−ザダイオ−ド結合装置及びその組立方法 | |
| JP3318083B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS62276515A (ja) | 光電子装置およびサブキヤリア | |
| JP3660305B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP3059831B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP7082418B2 (ja) | 半導体レーザー装置 | |
| JPH04352377A (ja) | 半導体レーザ素子用サブマウント | |
| JP3229695B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63287084A (ja) | 半導体レ−ザモジュ−ル | |
| JP2000266968A (ja) | 光半導体モジュール | |
| JPH02296388A (ja) | 半導体発光素子の実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050517 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060210 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100217 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110217 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120217 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130217 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |