JPH0991668A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐蝕性・耐久性に優れた磁気記録媒体を提供
することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度
が高く、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低い
領域がある磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、
環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいこと
から、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅ
が注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、
化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点
から、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで
構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で
構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、か
つ、耐蝕性に優れ、高密度記録に優れたものである。

【０００４】しかし、最近においては、より厳しい使用
環境下での耐久性が求められるようになった。例えば、
Ｆｅ−Ｎ膜は酸に弱く、このような環境下での使用には
耐えられない。従って、本発明の目的は、より耐蝕性・
耐久性に優れた磁気記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高く、上層部と
下層部との間にあってはＯ濃度が低い領域があることを
特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００６】特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＯ
濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間にあって
はＯ濃度が低いことを特徴とする磁気記録媒体によって
達成される。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時において
Ｏ量に山が認められるものであることを特徴とする磁気
記録媒体によって達成される。

【０００７】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけ
るＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０〜５０ａｔ．％、下層部
におけるＯ濃度のピークＯ₂ は１０〜５０ａｔ．％であ
るものが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層
部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ が１０〜５０ａｔ．％
（特に、１５〜４０ａｔ．％）、下層部におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₂ は１０〜５０ａｔ．％（特に、１５〜４
０ａｔ．％）、前記上層部と下層部との中間におけるＯ
濃度Ｏ₃ は５〜３５ａｔ．％（特に、５〜３０ａｔ．
％）であり、Ｏ₁ ＞Ｏ₃ ，Ｏ₂ ＞Ｏ₃ であるものが好ま
しい。

【０００８】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものが好ましい。すなわち、Ｏ濃度において
Ｏ₁やＯ₂ の値を示す山（ピーク）の位置に対応した位
置で、Ｆｅ濃度が低下したものが好ましい。つまり、Ｏ
₁ やＯ₂ の値を示す山の位置にてＦｅ濃度分布には谷が
あるのが好ましい。

【０００９】前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜においては、Ｏ
濃度分布に山が、又、Ｆｅ濃度分布には谷があることを
述べたが、前記山（谷）の間の領域においてはＣ濃度が
ほぼ一定であるのが好ましい。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１０】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８６ａｔ．％ ７ａｔ．％≦Ｃ量≦３０ａｔ．％ ７ａｔ．％≦Ｏ量≦３０ａｔ．％ が好ましい。

【００１１】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高く、上層部と下層
部との間にあってはＯ濃度が低い領域がある。特に、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高い領域があ
り、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低い。

【００１３】あるいは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備え
てなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光
分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量
＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をと
ると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時におい
てＯ量に山が認められるものである。上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０
〜５０ａｔ．％、下層部におけるＯ濃度のピークＯ₂ は
１０〜５０ａｔ．％である。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の上層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ が１０〜５０
ａｔ．％（特に、１５〜４０ａｔ．％）、下層部におけ
るＯ濃度のピーク値Ｏ ₂ は１０〜５０ａｔ．％（特に、
１５〜４０ａｔ．％）、前記上層部と下層部との中間に
おけるＯ濃度Ｏ₃ は５〜３５ａｔ．％（特に、５〜３０
ａｔ．％）であり、Ｏ₁ ＞Ｏ₃ ，Ｏ₂ ＞Ｏ₃ である。

【００１４】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものである。すなわち、Ｏ濃度においてＯ₁
やＯ ₂ の値を示す山（ピーク）の位置に対応した位置
で、Ｆｅ濃度分布には谷がある。前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜においては、Ｏ濃度分布に山が、又、Ｆｅ濃度分布
には谷があることを述べたが、前記山（谷）の間の領域
においてはＣ濃度がほぼ一定である。

【００１５】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる
衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物
質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記
酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突
範囲や衝突量を制御することによって得られる。例え
ば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期近傍の地点
及び堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点の二地点向
けて酸化性物質を供給してやることにより、上層部と下
層部とにＯ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との
間にあってはＯ濃度が低いＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得ら
れる。

【００１７】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は
支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロー
ル、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は
電子銃、１８は真空容器、１９，２０，２１はイオン銃
である。図１では、酸素イオンを照射するタイプのもの
を示したが、酸素ガスを照射するタイプのものでも良
い。そして、イオン銃１９による炭素イオンの供給量、
イオン銃２０，２１による酸素イオンの供給量や向きを
特定のものとした他は、通常のイオンアシスト斜め蒸着
に準じて行わせることによって、本発明になる図３など
のオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得ら
れる。

【００１８】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ₂ 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。

【００１９】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｃ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０^-4〜
１０ ^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持
体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させること
により、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が６００〜６０００
Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着
の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜
７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素イオ
ンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素イオンも蒸着
Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素イオンを、Ｆｅが支持
体上に堆積し始めた蒸着初期及び堆積が終了し終わる蒸
着終期の二地点向けて供給する。前記炭素イオンや酸素
ガス（酸素イオン）の供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が
上記に規定された内容のものになるよう制御される。

【００２０】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設け
られた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この
保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含
珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモン
ドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロ
ファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンド
ライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合の
ものである。従って、図３のオージェプロファイルで
は、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検
出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅ
やＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は極めて困難であり、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けら
れている場合においては、オージェプロファイルにおけ
るＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜にな
ると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）
がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例
では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、
オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しく
なるポイントが界面と考える。

【００２１】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層
である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤
を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、
約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの
潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設け
られたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜
１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート
層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成した
ものであっても良い。

【００２２】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に６．５μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴ
フィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられてい
る。酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入っ
ており、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発
させ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メ
タンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタン
ガス供給量は５０ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上の
Ｆｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、イオン銃２
０に酸素ガスを８ｓｃｃｍ、イオン銃２１に酸素ガスを
１０ｓｃｃｍ供給し、２０００Å厚さのＦｅ−Ｃ−Ｏ系
磁性膜を成膜した。尚、厚さは触針式の段差計で求め
た。

【００２３】次いで、ＰＥＴフィルム１の他面側に、平
均粒径４０ｎｍのカーボンブラックをウレタンプレポリ
マーと塩化ビニル系樹脂とのバインダ中に分散させてな
るバックコート用塗料をダイ塗工方式で乾燥後の厚さが
０．５μｍとなるよう塗布した。この後、ＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法によりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上
にダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を６５Å
厚さ設けた。

【００２４】そして、パーフルオロポリエーテル（モン
テカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＯＬ）をフッ素系
不活性液体（住友３Ｍ社のフロリナートＦＣ−７７）に
０．０５ｗｔ％となるように希釈・分散させた塗料をダ
イ塗工方式により乾燥後の厚さが２０Åとなるよう表面
に塗布し、乾燥させ、これを８ｍｍ幅にスリットして図
２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。

【００２５】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図３に示す。
尚、オージェプロファイルのスタート部は、表面にある
潤滑剤や保護膜によって影響を受ける。このＦｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦ
ｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００
％）を、横軸にスパッタ時間をとると、スパッタ開始近
傍時とスパッタ終了近傍時においてＯ量に山が認められ
る。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部
とにＯ濃度が高い（山）領域があり、上層部と下層部と
の間にあってはＯ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２８ａ
ｔ．％、下層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₂ は２９ａ
ｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＯ濃度Ｏ
₃ は１０〜１２ａｔ．％である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜における二つのピーク値Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した
点においてはＦｅ濃度が低下したものである。又、ピー
ク値Ｏ₁ とピーク値Ｏ₂ との間にあってはＣ濃度はほぼ
一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７６ａｔ．％、Ｃ量は１４ａｔ．％、Ｏ量は１６
ａｔ．％である。

【００２６】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガスを３０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガスを１
５ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガスを２０ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタ
イプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の厚さ２２００Å）を得た。

【００２７】この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＯ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高い（山）領域
があり、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低
い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₁ は３５ａｔ．％、下層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₂は４１ａｔ．％、前記二つのピーク値
を示す間におけるＯ濃度Ｏ₃ は２０〜２３ａｔ．％であ
る。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜における二つのピー
ク値Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものである。又、ピーク値Ｏ₁とピーク値Ｏ₂ との
間にあってはＣ濃度はほぼ一定である。そして、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６７ａｔ．％、Ｃ量は
８ａｔ．％、Ｏ量は２５ａｔ．％である。

【００２８】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガスを１２０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガスを
４ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガスを６ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイ
プの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜
の厚さ３９００Å）を得た。

【００２９】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＯ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高い（山）領域
があり、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低
い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₁ は２３ａｔ．％、下層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₂は１４ａｔ．％、前記二つのピーク値
を示す間におけるＯ濃度Ｏ₃ は５ａｔ．％である。そし
て、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜における二つのピーク値
Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下した
ものである。又、ピーク値Ｏ₁ とピーク値Ｏ₂ との間に
あってはＣ濃度はほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６０ａｔ．％、Ｃ量は３３
ａｔ．％、Ｏ量は７ａｔ．％である。

【００３０】

【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガスを６０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガスを２
０ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガスを３０ｓｃｃｍ
とした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタ
イプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の厚さ１６００Å）を得た。

【００３１】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＯ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度が高い（山）領域
があり、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低
い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₁ は４１ａｔ．％、下層部におけるＯ濃
度のピーク値Ｏ₂は３３ａｔ．％、前記二つのピーク値
を示す間におけるＯ濃度Ｏ₃ は１９〜２６ａｔ．％であ
る。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜における二つのピー
ク値Ｏ₁ ，Ｏ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものである。又、ピーク値Ｏ₁とピーク値Ｏ₂ との
間にあってはＣ濃度はほぼ一定である。そして、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は５０ａｔ．％、Ｃ量は
２０ａｔ．％、Ｏ量は３０ａｔ．％である。

【００３２】

【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガスを５０ｓｃｃｍ、向きを変えたイオン銃２０，２
１への酸素ガスを５ｓｃｃｍ，７ｓｃｃｍとした以外は
実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍ
ＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の厚さ２０
００Å）を得た。

【００３３】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１
ａｔ．％である。

【００３４】

【特性】上記各例の磁気テープについての耐蝕性（ｐＨ
＝４．８の水溶液中に２４時間放置し、飽和磁束密度の
低下；ΔＢｓ）、及び耐久性（スチル耐久性；５時間の
スチル再生後の出力低下）を調べたので、その結果を表
−１に示す。 表−１ ΔＢｓ（％） スチル耐久性（ｄＢ） 実施例１ −６ −０．５ 実施例２ −５ −０．３ 実施例３ −９ −０．９ 実施例４ −４ −０．２ 比較例１ −１２ −１．１

【００３５】

【発明の効果】耐蝕性・耐久性に富むものが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜） ３ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＯ濃度
   が高く、上層部と下層部との間にあってはＯ濃度が低い
   領域があることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時においてＯ量に
   山が認められるものであることを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が１０〜５０ａｔ．％、下層部に
   おけるＯ濃度のピークＯ₂ 値は１０〜５０ａｔ．％であ
   ることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が１０〜５０ａｔ．％、下層部に
   おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₂ は１０〜５０ａｔ．％、前
   記上層部と下層部との中間におけるＯ濃度Ｏ₃ は５〜３
   ５ａｔ．％であり、Ｏ₁ ＞Ｏ₃ ，Ｏ₂ ＞Ｏ₃ であること
   を特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度の
   ピーク値Ｏ₁ ，Ｏ₂に対応した点においてはＦｅ濃度が
   低下したものであることを特徴とする請求項１又は請求
   項２の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   ピーク値Ｏ₁ に対応した点と下層部におけるピーク値Ｏ
   ₂ に対応した点との間においてはＣ濃度がほぼ一定であ
   ることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒
   体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項６いずれか
   の磁気記録媒体。