JPH0991664A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒
体を提供することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域
がある磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、
環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいこと
から、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅ
が注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、
化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点
から、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで
構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で
構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、Ｓ／
Ｎに優れたものであると謳われている。

【０００４】しかし、最近においては、よりノイズが少
なく、高いＳ／Ｎが求められるようになった。従って、
本発明の目的は、ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れた磁気
記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域があることを特徴
とする磁気記録媒体によって達成される。特に、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部、中層部、及び下層部にＯ濃度が高い領域
があることを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。

【０００６】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始から終了における中間時においてＯ量
に山が認められるものであることを特徴とする磁気記録
媒体によって達成される。

【０００７】特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始近傍時、スパッタ終了近傍時、及び前
記の中間時においてＯ量に山が認められるものであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００８】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部におけ
るＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０〜５０ａｔ．％であるも
のが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部に
おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ が１０〜５０ａｔ．％、上
層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₂ が１０〜５０ａｔ．
％、下層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₃ が１０〜５０
ａｔ．％であるものが好ましい。

【０００９】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものが好ましい。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層
部におけるピーク値Ｏ₂ に対応した点と下層部における
ピーク値Ｏ₃ に対応した点との間においてはＣ濃度がほ
ぼ一定であるものが好ましい。

【００１０】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１１】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｃ量≦２５ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｏ量≦２５ａｔ．％ が好ましい。

【００１２】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、複
数の磁性膜からなるものでも良い。更に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良いが、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられる磁性膜が
ない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが
好ましく、すなわち下層に如何なる磁性膜があっても良
いが、本発明が規定する内容のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が
最上層にあるのが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の中層部にＯ濃度が高い領域がある。特に、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部、中層部、及び下層部にＯ濃度が高い領域
がある。

【００１４】あるいは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備え
てなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光
分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量
＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をと
ると、スパッタ開始から終了における中間時においてＯ
量に山が認められるものである。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオ
ージェ電子分光分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及
びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時、スパッタ終
了近傍時、及び前記の中間時においてＯ量に山が認めら
れるものである。

【００１５】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部におけ
るＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０〜５０ａｔ．％である。
上層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₂ は１０〜５０ａ
ｔ．％、下層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₃ は１０〜
５０ａｔ．％である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度が低下したものである。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の上層部におけるピーク値Ｏ₂ に対応した点と下層部
におけるピーク値Ｏ₃ に対応した点との間においてはＣ
濃度がほぼ一定である。

【００１６】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１７】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる
衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物
質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記
酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突
範囲や衝突量を制御することによって得られる。例え
ば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期近傍の地点
及び堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点、及びこれ
らの間の中間地点の三地点向けて酸化性物質を供給して
やることにより、上層部、下層部、及び中層部にＯ濃度
が高い領域があるＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１８】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は
支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロー
ル、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は
電子銃、１８は真空容器、１９，２０，２１，２２はイ
オン銃である。図１では、酸素イオンを供給するタイプ
のものを示したが、ノズル等により直接酸素ガスを供給
し、膜中に酸素を含有させるようにしても良い。そし
て、イオン銃１９，２０，２１，２２による炭素イオン
や酸素イオンの供給量や向きを特定のものとした他は、
通常のイオンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることに
よって、本発明になる図３などのオージェプロファイル
のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１９】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ₂ 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。

【００２０】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｃ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０^-4〜
１０ ^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持
体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させること
により、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００００
Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着
の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜
７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素イオ
ンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素イオンも蒸着
Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素イオンを、Ｆｅが支持
体上に堆積し始めた蒸着初期及び堆積が終了し終わる蒸
着終期、並びにこれらの中間の三地点向けて供給する。
前記炭素イオンや酸素イオンの供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
磁性膜が上記に規定された内容のものになるよう制御さ
れる。

【００２１】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設け
られた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この
保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含
珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモン
ドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロ
ファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンド
ライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合の
ものである。従って、図３のオージェプロファイルで
は、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検
出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅ
やＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は極めて困難なるも、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けら
れている場合においては、オージェプロファイルにおけ
るＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜にな
ると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）
がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例
では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、
オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しく
なるポイントが界面と考える。

【００２２】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層
である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤
を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、
約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの
潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設け
られたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜
１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート
層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成した
ものであっても良い。

【００２３】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入ってお
り、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタ
ンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタンガ
ス供給量は４０ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦ
ｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、酸素ガスをイ
オン銃２０，２１，２２（イオン銃２０，２１には５ｓ
ｃｃｍ、イオン銃２２には３ｓｃｃｍ）に供給し、図２
に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２４】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図３に示す。こ
のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、スパ
ッタ開始から終了における中間時においてＯ量にピーク
値Ｏ₁ ２４ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域がある。
特に、スパッタ開始から終了における中間時においてＯ
量にピーク値Ｏ₁ ２４ａｔ．％の山、スパッタ開始近傍
時においてＯ量にピーク値Ｏ₂ １７ａｔ．％の山、スパ
ッタ終了近傍時においてＯ量にピーク値Ｏ₃ １８ａｔ．
％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜
の中層部、上層部、及び下層部にＯ濃度が高い領域があ
る。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度のピ
ーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度は、例えば
谷の如く、低くなっている。又、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₂
に対応した点においてはＦｅ濃度は、例えば谷の如く、
低くなっている。又、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₃ に対応した
点においてはＦｅ濃度は低くなっているが、これより深
い部分ではＦｅが基本的に少なくなるから、谷のように
はならない。又、ピーク値Ｏ₂ とピーク値Ｏ₃ との間に
おいてはＣ濃度がほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７３ａｔ．％、Ｃ量は１３
ａｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。

【００２５】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を７０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
ス供給量を３ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガス供給
量を２ｓｃｃｍ、イオン銃２２への酸素ガス供給量を５
ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示
されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＯ量にピーク値Ｏ₁ ２０ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＯ量にピーク値Ｏ₁ ２０ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＯ量にピーク値Ｏ₂ ４５ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＯ量にピーク
値Ｏ₃ ３１ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＯ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｏ濃
度のピーク値Ｏ₂ に対応した点においてもＦｅ濃度が低
くなっている。又、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₃ に対応した点
においてもＦｅ濃度は低くなっているが、これより深い
部分ではＦｅが基本的に少なくなるから、谷のようには
ならない。又、ピーク値Ｏ₂ とピーク値Ｏ₃ との間にお
いてはＣ濃度がほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜におけるＦｅ量は７０ａｔ．％、Ｃ量は２０ａ
ｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。

【００２７】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を７５ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
ス供給量を５ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガス供給
量を５ｓｃｃｍ、イオン銃２２への酸素ガス供給量を５
ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示
されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＯ量にピーク値Ｏ₁ １７ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＯ量にピーク値Ｏ₁ １７ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＯ量にピーク値Ｏ₂ ２０ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＯ量にピーク
値Ｏ₃ ２２ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＯ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｏ濃
度のピーク値Ｏ₂ に対応した点においてもＦｅ濃度は低
くなっている。又、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₃ に対応した点
においてもＦｅ濃度は低くなっているが、これより深い
部分ではＦｅが基本的に少なくなるから、谷のようには
ならない。又、ピーク値Ｏ₂ とピーク値Ｏ₃ との間にお
いてはＣ濃度がほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜におけるＦｅ量は６３ａｔ．％、Ｃ量は２３ａ
ｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。

【００２９】

【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を２５ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
ス供給量を７ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガス供給
量を５ｓｃｃｍ、イオン銃２２への酸素ガス供給量を１
０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に
示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＯ量にピーク値Ｏ₁ ３１ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＯ量にピーク値Ｏ₁ ３１ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＯ量にピーク値Ｏ₂ ３６ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＯ量にピーク
値Ｏ₃ ３１ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＯ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｏ濃
度のピーク値Ｏ₂ に対応した点においてもＦｅ濃度は低
くなっている。又、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₃ に対応した点
においてもＦｅ濃度は低くなっているが、これより深い
部分ではＦｅが基本的に少なくなるから、谷のようには
ならない。又、ピーク値Ｏ₂ とピーク値Ｏ₃ との間にお
いてはＣ濃度がほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜におけるＦｅ量は７２ａｔ．％、Ｃ量は８ａ
ｔ．％、Ｏ量は２０ａｔ．％である。

【００３１】

【実施例５】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を４０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
ス供給量を０ｓｃｃｍ、イオン銃２１への酸素ガス供給
量を０ｓｃｃｍ、イオン銃２２への酸素ガス供給量を１
２ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に
示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００３２】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＯ量にピーク値Ｏ₁ ２８ａｔ．％の山（一つの山）が
認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部
にのみＯ濃度が高い領域がある。特に、スパッタ開始か
ら終了における中間時においてＯ量にピーク値Ｏ₁ ２８
ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
磁性膜の中層部にのみＯ濃度が高い領域がある。そし
て、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度のピーク値Ｏ
₁ に対応した点においてはＦｅ濃度は、例えば谷の如
く、低くなっている。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＦｅ量は７３ａｔ．％、Ｃ量は１２ａｔ．％、Ｏ
量は１５ａｔ．％である。

【００３３】

【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を５０ｓｃｃｍ、セット位置を変えたイオ
ン銃２０への酸素ガス供給量を１０ｓｃｃｍとした以外
は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００３４】この磁気テープのオージェプロファイルを
図８に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１
ａｔ．％である。

【００３５】

【特性】上記各例の磁気テープをカセットに装填し、こ
れをノイズメータをつないだＶＴＲに装填してＳ／Ｎ
（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）を調べたので、その結果を
表−１に示す。 表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） Ｃ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） ＡＭ ＰＭ 実施例１ ＋１．５ ＋０．８ ＋０．７ 実施例２ ＋０．５ ＋０．８ ＋０．５ 実施例３ ＋１．９ ＋１．０ ＋１．１ 実施例４ ＋１．３ ＋０．７ ＋１．２ 実施例５ ＋１．７ ＋１．１ ＋１．３ 比較例１ ０ ０ ０ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）

【００３６】

【発明の効果】ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れたものが
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】実施例５のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図８】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜） ３ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域
   があることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層
   部にＯ濃度が高い領域があることを特徴とする磁気記録
   媒体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始から終了における中間時においてＯ量に山が
   認められるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始近傍時、スパッタ終了近傍時、及び前記の中
   間時においてＯ量に山が認められるものであることを特
   徴とする磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が１０〜５０ａｔ．％であること
   を特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒
   体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が１０〜５０ａｔ．％、上層部に
   おけるＯ濃度のピーク値Ｏ₂ が１０〜５０ａｔ．％、下
   層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₃ が１０〜５０ａｔ．
   ％であることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
   の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度の
   ピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下し
   たものであることを特徴とする請求項１〜請求項６いず
   れかの磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   ピーク値Ｏ₂ に対応した点と下層部におけるピーク値Ｏ
   ₃ に対応した点との間においてはＣ濃度がほぼ一定であ
   ることを特徴とする請求項１〜請求項７いずれかの磁気
   記録媒体。
9. 【請求項９】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項８いずれか
   の磁気記録媒体。