JPH09167330A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力特性に優れた磁気記録媒体を提供するこ
とである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
が高い領域があり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部
にＯ濃度が高い領域がある磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるが、Ｆｅは安価であり、かつ、環境
汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことか
ら、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが
注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化
学的に安定なものとする必要が有る。このような観点か
ら、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構
成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構
成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、かつ、
耐蝕性に優れ、高密度記録に優れたものであると謳われ
ている。

【０００４】しかし、最近においては、高域における出
力が一層要求されている。従って、本発明の目的は、出
力特性に優れた磁気記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域があ
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い
領域があることを特徴とする磁気記録媒体によって達成
される。

【０００６】特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ
濃度が高い領域があり、前記上層部のＮ濃度が高い領域
と下層部のＮ濃度が高い領域との間にあってはＮ濃度が
低く、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高
い領域があり、上層部と下層部とはＯ濃度が低いことを
特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００７】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終
了近傍時においてＮ量に山が認められ、前記スパッタ開
始近傍時とスパッタ終了近傍時との間においてＯ量に山
が認められるものであることを特徴とする磁気記録媒体
によって達成される。

【０００８】特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終
了近傍時においてのみＮ量に山が認められ、前記スパッ
タ開始近傍時とスパッタ終了近傍時との間においてのみ
Ｏ量に山が認められるものであることを特徴とする磁気
記録媒体によって達成される。

【０００９】上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけ
るＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２０〜４０ａｔ．％、下層部
におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２０〜４０ａｔ．％、
中層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２０〜４０ａ
ｔ．％であるものが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ が２０〜４
０ａｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２
０〜４０ａｔ．％、前記上層部と下層部との間の中層部
におけるＮ濃度Ｎ₃ は５〜２０ａｔ．％、Ｎ₁ ＞Ｎ₃ ，
Ｎ₂ ＞Ｎ₃ であり、かつ、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層
部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ が２０〜４０ａｔ．
％、上層部におけるＯ濃度Ｏ₂ は５〜２０ａｔ．％、下
層部におけるＯ濃度Ｏ₃ は５〜２０ａｔ．％、Ｏ₁ ＞Ｏ
₂ ，Ｏ₁ ＞Ｏ ₃ であるものが好ましい。

【００１０】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₁ がある深さは、最短記録波長の１５〜３
５％（特に、２０〜３０％）が好ましい。又、Ｆｅ−Ｎ
−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ ，Ｎ₂ に対
応した点においてはＦｅ濃度が低下したものが好まし
い。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度のピーク
値Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下したもの
が好ましい。

【００１１】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１２】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８４ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｎ量≦２０ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｏ量≦２０ａｔ．％ が好ましい。

【００１３】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。尚、
磁性膜の下層部は磁性膜における支持体近傍の部分を言
い、磁性膜の上層部は磁性膜における支持体から遠い表
面近傍の部分を言う。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域があり、前
記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域が
ある。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前
記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が
高い領域があり、前記上層部のＮ濃度が高い領域と下層
部のＮ濃度が高い領域との間にあってはＮ濃度が低く、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域
があり、上層部と下層部とはＯ濃度が低い。あるいは、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析において、縦軸にＦ
ｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時において
Ｎ量に山が認められ、前記スパッタ開始近傍時とスパッ
タ終了近傍時との間においてＯ量に山が認められるもの
である。

【００１５】尚、上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部に
おけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２０〜４０ａｔ．％、下
層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２０〜４０ａｔ．
％、中層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２０〜４０
ａｔ．％である。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部
におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ が２０〜４０ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２０〜４０ａ
ｔ．％、前記上層部と下層部との間の中層部におけるＮ
濃度Ｎ₃ は５〜２０ａｔ．％、Ｎ₁ ＞Ｎ₃ ，Ｎ₂＞Ｎ₃
であり、かつ、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部における
Ｏ濃度のピーク値Ｏ₁ が２０〜４０ａｔ．％、上層部に
おけるＯ濃度Ｏ₂ は５〜２０ａｔ．％、下層部における
Ｏ濃度Ｏ₃ は５〜２０ａｔ．％、Ｏ₁ ＞Ｏ₂ ，Ｏ₁ ＞Ｏ
₃ である。

【００１６】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
のピーク値Ｏ₁ がある深さは、最短記録波長の１５〜３
５％（特に、２０〜３０％）である。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ ，Ｎ₂ に対応し
た点においてはＦｅ濃度が低下したものである。又、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対
応した点においてはＦｅ濃度が低下したものである。

【００１７】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１８】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種、及び酸素イオン
や酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突範囲や衝突
量を制御することによって得られる。例えば、Ｆｅが支
持体上に堆積し始めた蒸着初期近傍の地点及び堆積が終
了し終わる蒸着終期近傍の地点の二地点に向けて窒素イ
オンや窒素活性種を主に供給し、又、これらの間におい
て酸素イオンや酸素活性種を主に供給してやることによ
り、上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域があり、上層
部と下層部との間の中層部にあってはＮ濃度が低く、そ
して中層部にあってはＯ濃度が高く、上層部と下層部と
にあってはＯ濃度が低い本発明のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
が得られる。

【００１９】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体
１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３
は冷却キャンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６はＦ
ｅ、７は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズ
ル、１０はイオン銃である。図１では、酸素ガスを供給
するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するよ
うにしても良い。又、イオン銃は図２に示す如くのマス
クＭを用いることによって一台で二箇所に向けて分散照
射できるように工夫したものであるが、二つのイオン銃
を用いても良い。そして、イオン銃１０による窒素イオ
ンの目標照射位置や供給量、及び酸素ガス供給ノズル９
による酸素ガスの供給量を特定のものとした他は、通常
のイオンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによっ
て、本発明になる図４などのオージェプロファイルのＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００２０】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図３に示す。図３中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜
の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗
さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉ
Ｏ₂ 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍ
の塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成さ
れている。

【００２１】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜１１が設けられる。例えば、１０^-4
〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させる
ことにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１が５００〜５０
００Å、特に５００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°
〜７０°である。このＦｅの蒸着時には窒素イオンや酸
素ガスを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、窒素イオン
は、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期および終了
し終わる蒸着終期向けて主に供給する。酸素ガスは、支
持体上にＦｅが堆積する中間の位置向けて主に供給す
る。前記酸素ガスや窒素イオンの供給量は、Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系磁性膜が上記に規定された内容のものになるよう制
御される。

【００２２】１２は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１２が設けられ
る。１３は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラ
ック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバック
コート層である。尚、バックコート層１３は、例えばＡ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。

【００２３】尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の上に厚さ
が１０〜２００Å程度の保護膜が設けられることが好ま
しい。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファ
イト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素
膜、特にダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜が
設けられることが好ましい。

【００２４】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ５にＦｅ６が入っており、
５ｋＷの電子銃７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴ
フィルム１にＦｅを蒸着させると共に、加速電圧３００
Ｖ、フィラメント電流７．５Ａのカウフマン型イオン銃
１０に図２のマスクＭを被せ、１０ｓｃｃｍの窒素ガス
を供給すると共に、酸素ガス供給ノズル９から３０ｓｃ
ｃｍの酸素ガスを供給し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜
に向けて酸素ガス及び窒素イオンを照射する。そして、
厚さが２４５０ÅのＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜を成膜し、そ
の上にパーフルオロポリエーテル（潤滑剤）を塗布し、
図３に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。

【００２５】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図４に示す。こ
のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量＝１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、
又、支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが
認められるが、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては
基本的にはＣはないと考える。）を、横軸にスパッタ時
間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時
においてＮ量に山が認められ、かつ、その中間時におい
てＯ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６００Å
以内の深さにある上層部）にＮ濃度が高い（山）領域が
あり、以下スパッタの進行につれてＮ濃度は低下（場合
によっては平坦な部分もあるが）し、そして下層部（Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から１６００Å以上の深さにあ
る下層部）にもＮ濃度が高い（山）領域がある。かつ、
上層部と下層部との間（中層部、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
表面から６００Å〜１６００Åの深さにある中層部）に
はＯ濃度が高い（山）領域がある。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２３
ａｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２３
ａｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度
Ｎ₃ は１０〜１３ａｔ．％である。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上層部におけるＯ濃度Ｏ ₂ は１０〜１３ａｔ．
％、中層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２５ａｔ．
％、下層部におけるＯ濃度Ｏ₃ は９〜１３ａｔ．％であ
る。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるピーク値Ｎ
₁ ，Ｎ₂ ，Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものである。特に、ピーク値Ｏ₁ に対応した点にお
いてはＦｅ濃度が谷の如く低下していることが判る。そ
して、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７２ａ
ｔ．％、Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１３ａｔ．％であ
る。

【００２６】尚、本発明の磁気記録媒体におけるＦｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜の界面については、一般的な取扱いに従
う。

【００２７】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１０に１０ｓ
ｃｃｍの窒素ガス、酸素ガス供給ノズル９に４０ｓｃｃ
ｍの酸素ガスを供給した以外は実施例１に準じて行い、
図３に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得
た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の膜厚は２４９０Åであ
る。

【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められ、かつ、その中間時において
Ｏ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性
膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６００Å以
内の深さにある上層部）にＮ濃度が高い（山）領域があ
り、以下スパッタの進行につれてＮ濃度は低下（場合に
よっては平坦な部分もあるが）し、そして下層部（Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から１６００Å以上の深さにある
下層部）にもＮ濃度が高い（山）領域がある。かつ、上
層部と下層部との間（中層部、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表
面から６００Å〜１６００Åの深さにある中層部）には
Ｏ濃度が高い（山）領域がある。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２１ａ
ｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２２ａ
ｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ
₃ は９〜１２ａｔ．％である。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性
膜の上層部におけるＯ濃度Ｏ₂ は１２〜１８ａｔ．％、
中層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２６ａｔ．％、
下層部におけるＯ濃度Ｏ₃ は１１〜１８ａｔ．％であ
る。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるピーク値Ｎ
₁ ，Ｎ₂ ，Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものである。特に、ピーク値Ｏ₁ に対応した点にお
いてはＦｅ濃度が谷の如く低下していることが判る。そ
して、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６７ａ
ｔ．％、Ｎ量は１３ａｔ．％、Ｏ量は２０ａｔ．％であ
る。

【００２９】

【実施例３】実施例１に準じて行い、８ｍｍＶＴＲ用磁
気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の膜厚は２
５００Åである。そして、本実施例にあっては、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の成膜後、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用
いてＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の上に厚さが１５０Åの
ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を成膜（供
給ガスはＣＨ₄ 、照射マイクロ波は２．４５ＧＨｚで出
力６００ｗ、真空度１０ｍＴｏｒｒ）した。

【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められ、かつ、その中間時において
Ｏ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性
膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６００Å以
内の深さにある上層部）にＮ濃度が高い（山）領域があ
り、以下スパッタの進行につれてＮ濃度は低下（場合に
よっては平坦な部分もあるが）し、そして下層部（Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から１６００Å以上の深さにある
下層部）にもＮ濃度が高い（山）領域がある。かつ、上
層部と下層部との間（中層部、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表
面から６００Å〜１６００Åの深さにある中層部）には
Ｏ濃度が高い（山）領域がある。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２３ａ
ｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２３ａ
ｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ
₃ は９〜１３ａｔ．％である。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性
膜の上層部におけるＯ濃度Ｏ₂ は１１〜１４ａｔ．％、
中層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２４ａｔ．％、
下層部におけるＯ濃度Ｏ₃ は９〜１４ａｔ．％である。
そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるピーク値Ｎ₁ ，
Ｎ₂ ，Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下した
ものである。特に、ピーク値Ｏ₁ に対応した点において
はＦｅ濃度が谷の如く低下していることが判る。そし
て、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７０ａｔ．
％、Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。

【００３１】尚、本実施例にあっては、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護
膜が設けられているから、スパッタ開始初期にあっては
保護膜のＣが認められ、この後Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
Ｆｅ，Ｎ，Ｏが認められ出す。

【００３２】

【比較例１】実施例１において、セット位置を変更し、
マスクを除けたイオン銃１０に８ｓｃｃｍの窒素ガスを
供給、セット位置を変更した酸素ガス供給ノズル９に２
５ｓｃｃｍの酸素ガスを供給した以外は実施例１に準じ
て行い、図３に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の膜厚は２５１
０Åである。

【００３３】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。尚、このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７６ａｔ．％、Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は８ａ
ｔ．％である。

【００３４】

【特性】上記各例の磁気テープについての再生出力を調
べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ｃ／Ｎ（ｄＢ） 高域出力（ｄＢ） Ｏピーク点深さ（Å） 実施例１ １．１ ０．８ １０００ 実施例２ ０．５ ０．５ １０６０ 実施例３ ０．７ ０．５ １０８０ 比較例１ ０．０ ０．０ １２８０ ＊Ｃ／Ｎは、波長０．４９μｍの信号のピークと、前記信号±２．５ＭＨｚ のノイズレベルとの比で表示 ＊高域出力は、ドラムテスタにてヘッド−テープ相対速度１０ｍ／ｓにて記 録波長０．４９μｍの出力値を比較

【００３５】

【発明の効果】出力が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】イオン銃に装着されたマスクの説明図

【図３】磁気記録媒体の概略断面図

【図４】実施例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例２のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例３のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 １１ 磁性膜（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/48 Ｃ２３Ｃ 14/48 Ｄ 14/56 14/56 Ｋ (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
   が高い領域があり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域
   があることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
   が高い領域があり、前記上層部のＮ濃度が高い領域と下
   層部のＮ濃度が高い領域との間にあってはＮ濃度が低
   く、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部にＯ濃度が高い領域
   があり、上層部と下層部とはＯ濃度が低いことを特徴と
   する磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッ
   タ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近
   傍時においてＮ量に山が認められ、前記スパッタ開始近
   傍時とスパッタ終了近傍時との間においてＯ量に山が認
   められるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｎ濃度のピーク値Ｎ ₁ が２０〜４０ａｔ．％、下層部に
   おけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２０〜４０ａｔ．％、中
   層部におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２０〜４０ａｔ．
   ％であることを特徴とする請求項１〜請求項３いずれか
   の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｎ濃度のピーク値Ｎ ₁ が２０〜４０ａｔ．％、下層部に
   おけるＮ濃度のピーク値Ｎ₂ は２０〜４０ａｔ．％、前
   記上層部と下層部との間の中層部におけるＮ濃度Ｎ₃ は
   ５〜２０ａｔ．％、Ｎ₁ ＞Ｎ₃ ，Ｎ₂ ＞Ｎ₃ であり、か
   つ、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の中層部におけるＯ濃度のピ
   ーク値Ｏ₁ が２０〜４０ａｔ．％、上層部におけるＯ濃
   度Ｏ₂は５〜２０ａｔ．％、下層部におけるＯ濃度Ｏ₃
   は５〜２０ａｔ．％、Ｏ₁ ＞Ｏ ₂ ，Ｏ₁ ＞Ｏ₃ であるこ
   とを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録
   媒体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度の
   ピーク値Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下し
   たものであることを特徴とする請求項１〜請求項５いず
   れかの磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度の
   ピーク値Ｏ₁ がある深さは、最短記録波長の１５〜３５
   ％であることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれか
   の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度の
   ピーク値Ｎ₁ ，Ｎ₂に対応した点においてはＦｅ濃度が
   低下したものであることを特徴とする請求項１〜請求項
   ６いずれかの磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項８いずれか
   の磁気記録媒体。