JPH09167331A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐蝕性に優れ、かつ、再生特性に優れた磁気
記録媒体を提供することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度は、上層部で
高く、下層部で低く、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけ
るＯ濃度は、上層部で高く、下層部で低い磁気記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるが、Ｆｅは安価であり、かつ、環境
汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことか
ら、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが
注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化
学的に安定なものとする必要が有る。このような観点か
ら、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構
成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構
成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、かつ、
耐久性に優れ、高密度記録に優れたものであると謳われ
ている。

【０００４】しかし、最近においては、より厳しい条件
下での使用がなされるようになった。従って、本発明の
目的は、より耐蝕性に優れ、かつ、再生特性に優れた磁
気記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜におけるＮ濃度は、上層部で高く、下層部で低
く、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度は、上層
部で高く、下層部で低いことを特徴とする磁気記録媒体
によって達成される。

【０００６】特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度は、上層
部で高く、そして下層部に移るにつれて低くなり、前記
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度は、上層部で高
く、そして下層部に移るにつれて低くなることを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。

【０００７】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ
量、及びＯ量に山が認められるものであることを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。

【０００８】特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ
量、及びＯ量に山が認められ、前記山を越えた点からス
パッタが進むにつれてＮ量、及びＯ量は減少するもので
あることを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。

【０００９】上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけ
るＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２０〜４０ａｔ．％であるも
のが好ましい。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部にお
けるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は２０〜４０ａｔ．％である
ものが好ましい。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１０】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８４ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｎ量≦２０ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｏ量≦２０ａｔ．％ が好ましい。

【００１１】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜におけるＮ濃度は、上層部で高く、下層部で低く、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度は、上層部で
高く、下層部で低いものである。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜にお
けるＮ濃度は、上層部で高く、そして下層部に移るにつ
れて低く、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度
は、上層部で高く、下層部に移るにつれて低いものであ
る。

【００１３】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ
量、及びＯ量に山が認められるものである。特に、Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜のオージェ電子分光分析において、縦軸にＦｅ
量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッタ時間をとると、
スパッタ開始近傍時においてＮ量、及びＯ量に山が認め
られ、この山を越えた時点からスパッタが進むにつれて
Ｎ量、及びＯ量は減少するものである。

【００１４】上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけ
るＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２０〜４０ａｔ．％である。
又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度のピ
ーク値Ｏ₁ は２０〜４０ａｔ．％である。そして、Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ に対応
した点、及びＯ濃度のピーク値Ｏ₁ に対応した点におい
てはＦｅ濃度が低下したものである。

【００１５】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１６】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種、及び酸素イオン
や酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突範囲や衝突
量を制御することによって得られる。例えば、Ｆｅの支
持体上への堆積が終わり出した蒸着終期近傍の地点向け
て酸素イオンや酸素活性種を供給すると共に、窒素イオ
ンや窒素活性種も供給してやることにより、上層部にお
いてＮ濃度、及びＯ濃度が高い領域がある本発明のＦｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１７】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体
１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３
は冷却キャンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６はＦ
ｅ、７は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズ
ル、１０はイオン銃である。図１では、酸素ガスを供給
するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するよ
うにしても良い。そして、イオン銃１０による窒素イオ
ンの目標照射位置や供給量、及び酸素ガス供給ノズル９
による酸素ガスの供給量を特定のものとした他は、通常
のイオンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによっ
て、本発明になる図３などのオージェプロファイルのＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１８】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜
の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗
さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉ
Ｏ₂ 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍ
の塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成さ
れている。

【００１９】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜１１が設けられる。例えば、１０^-4
〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させる
ことにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１が５００〜５０
００Å、特に５００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°
〜７０°である。このＦｅの蒸着時には窒素イオンや酸
素ガスを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、窒素イオンや
酸素ガスは、Ｆｅの支持体上への堆積が終わる蒸着終期
向けて主に供給する。前記酸素ガスや窒素イオンの供給
量は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が上記に規定された内容の
ものになるよう制御される。

【００２０】１２は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１２が設けられ
る。１３は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラ
ック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバック
コート層である。尚、バックコート層１３は、例えばＡ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。

【００２１】尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の上に厚さ
が１０〜２００Å程度の保護膜が設けられることが好ま
しい。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファ
イト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素
膜、特にダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜が
設けられることが好ましい。

【００２２】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ５にＦｅ６が入っており、
５ｋＷの電子銃７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴ
フィルム１にＦｅを蒸着させると共に、加速電圧３００
Ｖ、フィラメント電流７．５Ａのカウフマン型イオン銃
１０に１０ｓｃｃｍの窒素ガスを供給すると共に、酸素
ガス供給ノズル９から４０ｓｃｃｍの酸素ガスを供給
し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて酸素ガス及び
窒素イオンを照射する。そして、厚さが２２００ÅのＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜を成膜し、その表面に潤滑剤として
パーフルオロポリエーテルを塗布し、図２に示されるタ
イプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２３】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図３に示す。こ
のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量＝１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、
又、支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが
認められるが、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては
基本的にはＣはないと考える。）を、横軸にスパッタ時
間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及びＯ
量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
の上層部（表面から６００Å以内の深さにある上層部）
にＮ濃度、及びＯ濃度が高い（山）領域があり、以下ス
パッタの進行につれてＮ濃度、及びＯ濃度は低下（場合
によっては平坦な部分もあるが）している。特に、Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ
₁ は２２ａｔ．％、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₁ は２５ａｔ．
％である。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜における二つ
のピーク値Ｎ₁ ，Ｏ₁に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものである。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
におけるＦｅ量は７２ａｔ．％、Ｎ量は１３ａｔ．％、
Ｏ量は１５ａｔ．％である。

【００２４】尚、本発明の磁気記録媒体におけるＦｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜の界面については、一般的な取扱いに従
う。

【００２５】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１０に７ｓｃ
ｃｍの窒素ガス、酸素ガス供給ノズル９に４０ｓｃｃｍ
の酸素ガスを供給した以外は実施例１に準じて行い、図
２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜の厚さ２２３０Å）を得た。

【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及びＯ量
に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部（表面から６００Å以内の深さにある上層部）に
Ｎ濃度、及びＯ濃度が高い（山）領域があり、以下スパ
ッタの進行につれてＮ濃度、及びＯ濃度は低下（場合に
よっては平坦な部分もあるが）している。特に、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁
は１８ａｔ．％、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₁は２６ａｔ．％
である。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜における二つの
ピーク値Ｎ₁ ，Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が
低下したものである。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜に
おけるＦｅ量は７４ａｔ．％、Ｎ量は１２ａｔ．％、Ｏ
量は１４ａｔ．％である。

【００２７】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１０に１０ｓ
ｃｃｍの窒素ガス、酸素ガス供給ノズル９に３２ｓｃｃ
ｍの酸素ガスを供給した以外は実施例１に準じて行い、
図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の厚さ２１８０Å）を得た。

【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及びＯ量
に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部（表面から６００Å以内の深さにある上層部）に
Ｎ濃度、及びＯ濃度が高い（山）領域があり、以下スパ
ッタの進行につれてＮ濃度、及びＯ濃度は低下（場合に
よっては平坦な部分もあるが）している。特に、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁
は２２ａｔ．％、Ｏ濃度のピーク値Ｏ₁は２１ａｔ．％
である。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜における二つの
ピーク値Ｎ₁ ，Ｏ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が
低下したものである。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜に
おけるＦｅ量は７３ａｔ．％、Ｎ量は１４ａｔ．％、Ｏ
量は１３ａｔ．％である。

【００２９】

【実施例４】実施例１に準じて成膜を行い、８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープを得た。尚、本実施例にあっては、Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の成膜後、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を
用いて厚さが２４６０ÅのＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の
上に厚さが１４０Åのダイヤモンドライクカーボンから
なる保護膜を成膜（供給ガスはＣＨ₄ 、照射マイクロ波
は２．４５ＧＨｚで出力６００ｗ、真空度１０ｍＴｏｒ
ｒ）した。

【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及びＯ量
に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の表面から６００Å以内
の深さにある上層部）にＮ濃度、及びＯ濃度が高い
（山）領域があり、以下スパッタの進行につれてＮ濃
度、及びＯ濃度は低下（場合によっては平坦な部分もあ
るが）している。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部
におけるＮ濃度のピーク値Ｎ₁ は２１ａｔ．％、Ｏ濃度
のピーク値Ｏ₁ は２５ａｔ．％である。そして、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜における二つのピーク値Ｎ₁ ，Ｏ₁ に対
応した点においてはＦｅ濃度が低下したものである。そ
して、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７２ａ
ｔ．％、Ｎ量は１３ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．％であ
る。

【００３１】尚、本実施例にあっては、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護
膜が設けられているから、スパッタ開始初期にあっては
保護膜のＣが認められ、この後Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
Ｆｅ，Ｎ，Ｏが認められ出す。

【００３２】

【比較例１】実施例１において、Ｆｅ蒸着部の真ん中を
狙うようセット位置を変更したイオン銃１０に１０ｓｃ
ｃｍの窒素ガスを供給、セット位置を変更した酸素ガス
供給ノズル９に２７ｓｃｃｍの酸素ガスを供給した以外
は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍ
ｍＶＴＲ用磁気テープ（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の厚さ２
２７０Å）を得た。

【００３３】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。尚、このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７６ａｔ．％、Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は８ａ
ｔ．％である。

【００３４】

【特性】上記各例の磁気テープについてのモジュレーシ
ョン及び耐蝕性を調べたので、その結果を表−１に示
す。 ＊モジュレーションは、ヘッド出力を測定できるように
改造したＶＴＲを用い、ヘッド出力をオシロスコープで
観察して求めた。

【００３５】＊耐蝕性は、３０℃、７０％ＲＨの雰囲気
に、塩素、硫化水素、及び二酸化窒素の三種のガスを各
々２０ｐｐｂ，１００ｐｐｂ，２００ｐｐｂの濃度で混
入し、この環境下に１カ月放置した後の磁化量の劣化率
で表示。（バテルＩＩＩテスト）

【００３６】

【発明の効果】耐蝕性に優れ、かつ、再生特性にも優れ
たものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】 １ 支持体 １１ 磁性膜（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/48 Ｃ２３Ｃ 14/48 Ｄ 14/56 14/56 Ｋ (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度は、上層部で
   高く、下層部で低く、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度は、上層部で
   高く、下層部で低いことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度は、上層部で
   高く、そして下層部に移るにつれて低くなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＯ濃度は、上層部で
   高く、そして下層部に移るにつれて低くなることを特徴
   とする磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッ
   タ時間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及
   びＯ量に山が認められるものであることを特徴とする磁
   気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッ
   タ時間をとると、スパッタ開始近傍時においてＮ量、及
   びＯ量に山が認められ、前記山を越えた点からスパッタ
   が進むにつれてＮ量、及びＯ量は減少するものであるこ
   とを特徴とする磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｎ濃度のピーク値Ｎ ₁ が２０〜４０ａｔ．％であること
   を特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒
   体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が２０〜４０ａｔ．％であること
   を特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒
   体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項６いずれか
   の磁気記録媒体。