JPH0997713A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0997713A JPH0997713A JP25231995A JP25231995A JPH0997713A JP H0997713 A JPH0997713 A JP H0997713A JP 25231995 A JP25231995 A JP 25231995A JP 25231995 A JP25231995 A JP 25231995A JP H0997713 A JPH0997713 A JP H0997713A
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- metal magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁力が大きく、高密度記録に対応できる磁
気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、前記金属磁性膜
は、支持体に近い側はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支
持体から遠い側はＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜である磁気
記録媒体。
気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、前記金属磁性膜
は、支持体に近い側はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支
持体から遠い側はＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜である磁気
記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ系金属磁性膜
を有する磁気記録媒体に関する。
を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を蒸着やスパッ
タ等の乾式メッキ手段で構成した金属薄膜型の磁気記録
媒体が広く知られている。この磁性膜を構成する材料と
して種々のものが有る。このような磁性材料は、これま
で、主として、Ｃｏ−ＮｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が
用いられている。
タ等の乾式メッキ手段で構成した金属薄膜型の磁気記録
媒体が広く知られている。この磁性膜を構成する材料と
して種々のものが有る。このような磁性材料は、これま
で、主として、Ｃｏ−ＮｉやＣｏ−Ｃｒ系の磁性合金が
用いられている。
【０００３】しかし、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒ等は価格が高
い。又、公害問題なども心配されている。前記の問題点
に鑑みて、Ｆｅが注目されている。このＦｅは、価格が
安く、かつ、公害問題を引き起こすことも少ない。そし
て、Ｆｅ系金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜や
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が提案されている。
い。又、公害問題なども心配されている。前記の問題点
に鑑みて、Ｆｅが注目されている。このＦｅは、価格が
安く、かつ、公害問題を引き起こすことも少ない。そし
て、Ｆｅ系金属磁性膜として、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜や
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が提案されている。
【０００４】しかし、これまで提案されて来たＦｅ系金
属磁性膜は高密度記録に不可欠な保磁力が充分ではなか
った。この点についての研究を鋭意押し進めて行ってい
る中に、磁性膜を特定の構造のものにしておけば良いこ
とが判って来た。この知見を基にして本発明が達成され
たものであり、保磁力が大きく、高密度記録に対応でき
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。
属磁性膜は高密度記録に不可欠な保磁力が充分ではなか
った。この点についての研究を鋭意押し進めて行ってい
る中に、磁性膜を特定の構造のものにしておけば良いこ
とが判って来た。この知見を基にして本発明が達成され
たものであり、保磁力が大きく、高密度記録に対応でき
る磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支
持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気
記録媒体であって、前記金属磁性膜は、支持体に近い側
はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支持体から遠い側はＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜であることを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気
記録媒体であって、前記金属磁性膜は、支持体に近い側
はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支持体から遠い側はＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜であることを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体であって、支持体に近い側
にＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁
性膜が設けられ、前記Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜の上にＦｅ
−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設けられてなることを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
設けられてなる磁気記録媒体であって、支持体に近い側
にＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁
性膜が設けられ、前記Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜の上にＦｅ
−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設けられてなることを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
【０００７】又、支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、前記
複数のＦｅ系金属磁性膜は、第１の磁性膜成膜工程、及
び第２の磁性膜成膜工程を経て成膜されたものであり、
前記第１の磁性膜成膜工程は、Ｆｅ系材料を支持体に向
けて飛散・堆積せしめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁
性膜に向けて窒素イオン（又は窒素ガス）を照射する工
程とを具備し、前記第２の磁性膜成膜工程は、Ｆｅ系材
料を前記第１の磁性膜成膜工程で成膜された磁性膜に向
けて飛散・堆積せしめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁
性膜に向けて窒素イオン（又は窒素ガス）を照射する工
程と、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射する工程とを
具備してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
によって達成される。
設けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、前記
複数のＦｅ系金属磁性膜は、第１の磁性膜成膜工程、及
び第２の磁性膜成膜工程を経て成膜されたものであり、
前記第１の磁性膜成膜工程は、Ｆｅ系材料を支持体に向
けて飛散・堆積せしめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁
性膜に向けて窒素イオン（又は窒素ガス）を照射する工
程とを具備し、前記第２の磁性膜成膜工程は、Ｆｅ系材
料を前記第１の磁性膜成膜工程で成膜された磁性膜に向
けて飛散・堆積せしめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁
性膜に向けて窒素イオン（又は窒素ガス）を照射する工
程と、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射する工程とを
具備してなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
によって達成される。
【０００８】尚、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜の厚さは５０〜
７００Å（特に、１００〜５００Å）、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
金属磁性膜の厚さは１３００〜２０００Å（特に、１５
００〜２０００Å）が好ましい。
７００Å（特に、１００〜５００Å）、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
金属磁性膜の厚さは１３００〜２０００Å（特に、１５
００〜２０００Å）が好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体は、支
持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気
記録媒体であって、前記金属磁性膜は、支持体に近い側
はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支持体から遠い側はＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜である。あるいは、支持体上に
複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
であって、支持体に近い側にＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3
Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁性膜が設けられ、前記Ｆｅ−
Ｎ系金属磁性膜の上にＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設け
られてなる。
持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気
記録媒体であって、前記金属磁性膜は、支持体に近い側
はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、支持体から遠い側はＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜である。あるいは、支持体上に
複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
であって、支持体に近い側にＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3
Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁性膜が設けられ、前記Ｆｅ−
Ｎ系金属磁性膜の上にＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設け
られてなる。
【００１０】本発明になる磁気記録媒体の製造方法は、
支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁
気記録媒体の製造方法であって、前記複数のＦｅ系金属
磁性膜は、第１の磁性膜成膜工程、及び第２の磁性膜成
膜工程を経て成膜されたものであり、前記第１の磁性膜
成膜工程は、Ｆｅ系材料を支持体に向けて飛散・堆積せ
しめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素
イオンを照射する工程とを具備し、前記第２の磁性膜成
膜工程は、Ｆｅ系材料を前記第１の磁性膜成膜工程で成
膜された磁性膜に向けて飛散・堆積せしめる工程と、堆
積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射する
工程と、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射する工程と
を具備するものである。
支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設けられてなる磁
気記録媒体の製造方法であって、前記複数のＦｅ系金属
磁性膜は、第１の磁性膜成膜工程、及び第２の磁性膜成
膜工程を経て成膜されたものであり、前記第１の磁性膜
成膜工程は、Ｆｅ系材料を支持体に向けて飛散・堆積せ
しめる工程と、堆積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素
イオンを照射する工程とを具備し、前記第２の磁性膜成
膜工程は、Ｆｅ系材料を前記第１の磁性膜成膜工程で成
膜された磁性膜に向けて飛散・堆積せしめる工程と、堆
積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射する
工程と、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射する工程と
を具備するものである。
【００１１】尚、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜の厚さは５０〜
７００Å（特に、１００〜５００Å）、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
金属磁性膜の厚さは１３００〜２０００Å（特に、１５
００〜２０００Å）である。又、上記本発明のＦｅ−Ｎ
系金属磁性膜において、Ｆｅ：Ｎは５０〜７５ａｔ．
％：２５〜５０ａｔ．％が好ましい。より好ましくは、
５５〜７０ａｔ．％：３０〜４５ａｔ．％である。Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜において、Ｆｅ：Ｎ：Ｏは５２〜
８３ａｔ．％：１０〜２５ａｔ．％：７〜２３ａｔ．％
が好ましい。より好ましくは、５８〜７７ａｔ．％：１
３〜２２ａｔ．％：１０〜２０ａｔ．％である。
７００Å（特に、１００〜５００Å）、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
金属磁性膜の厚さは１３００〜２０００Å（特に、１５
００〜２０００Å）である。又、上記本発明のＦｅ−Ｎ
系金属磁性膜において、Ｆｅ：Ｎは５０〜７５ａｔ．
％：２５〜５０ａｔ．％が好ましい。より好ましくは、
５５〜７０ａｔ．％：３０〜４５ａｔ．％である。Ｆｅ
−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜において、Ｆｅ：Ｎ：Ｏは５２〜
８３ａｔ．％：１０〜２５ａｔ．％：７〜２３ａｔ．％
が好ましい。より好ましくは、５８〜７７ａｔ．％：１
３〜２２ａｔ．％：１０〜２０ａｔ．％である。
【００１２】そして、上記のようにして構成させたＦｅ
系金属磁性膜は、下層側に斜方晶系Ｆｅ2 Ｎ及び／又は
六方晶系Ｆｅ3 Ｎを有する為、コラム構造を有するもの
になる為、高保磁力でありながら、飽和磁束密度の低下
も少ない。このような磁気記録媒体は、蒸着やスパッタ
等のＰＶＤ（フィジカルベーパーデポジション）法を用
いることで作製できる。例えば、成膜速度が大きな蒸着
法を例にとって説明すると次のようになる。先ず、例え
ば全金属成分中Ｆｅが９５〜９８．５ｗｔ％（所謂、純
度が９５〜９８．５ｗｔ％のＦｅ）、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ
の合計量が０〜０．０５ｗｔ％（０であることに越した
ことはないが、不可避不純物として多少含まれる場合が
有る。又、含有するにしても、ＡｕとＰｔとＡｇの合計
量を出来るだけ少なく、例えば０．０５ｗｔ％以下に抑
える）、残りがその他の金属成分（例えば、Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｒ等）であるＦｅ系金属材料を、斜め蒸着
装置のルツボの中に入れる。このような純度（９５〜９
８．５ｗｔ％）のＦｅ材料を用いたのは、純度が９８．
５ｗｔ％以上と言ったような高純度のＦｅを用いる場合
に比べて遙に安価であるからによる。勿論、９８．５ｗ
ｔ％以上の高純度のＦｅを用いても良い。そして、斜め
蒸着装置内を所定の真空度に排気すると共に、電子銃あ
るいはその他の手段によりＦｅ系金属材料を蒸発（飛
散）させ、走行する支持上にＦｅ系金属粒子を付着・堆
積させる。この付着・堆積に際して、Ｆｅ系金属粒子堆
積面に向けて窒素イオンを照射する。この窒素イオンの
照射量が従来より多いことが特徴の一つである。因み
に、窒素イオンを照射するイオンガンへの窒素ガス供給
量は従来（真空槽内の真空度が７×１０-5Ｔｏｒｒであ
るとすると、従来の窒素ガス供給量は５ｓｃｃｍ程度）
の約２倍以上である。
系金属磁性膜は、下層側に斜方晶系Ｆｅ2 Ｎ及び／又は
六方晶系Ｆｅ3 Ｎを有する為、コラム構造を有するもの
になる為、高保磁力でありながら、飽和磁束密度の低下
も少ない。このような磁気記録媒体は、蒸着やスパッタ
等のＰＶＤ（フィジカルベーパーデポジション）法を用
いることで作製できる。例えば、成膜速度が大きな蒸着
法を例にとって説明すると次のようになる。先ず、例え
ば全金属成分中Ｆｅが９５〜９８．５ｗｔ％（所謂、純
度が９５〜９８．５ｗｔ％のＦｅ）、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ
の合計量が０〜０．０５ｗｔ％（０であることに越した
ことはないが、不可避不純物として多少含まれる場合が
有る。又、含有するにしても、ＡｕとＰｔとＡｇの合計
量を出来るだけ少なく、例えば０．０５ｗｔ％以下に抑
える）、残りがその他の金属成分（例えば、Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｒ等）であるＦｅ系金属材料を、斜め蒸着
装置のルツボの中に入れる。このような純度（９５〜９
８．５ｗｔ％）のＦｅ材料を用いたのは、純度が９８．
５ｗｔ％以上と言ったような高純度のＦｅを用いる場合
に比べて遙に安価であるからによる。勿論、９８．５ｗ
ｔ％以上の高純度のＦｅを用いても良い。そして、斜め
蒸着装置内を所定の真空度に排気すると共に、電子銃あ
るいはその他の手段によりＦｅ系金属材料を蒸発（飛
散）させ、走行する支持上にＦｅ系金属粒子を付着・堆
積させる。この付着・堆積に際して、Ｆｅ系金属粒子堆
積面に向けて窒素イオンを照射する。この窒素イオンの
照射量が従来より多いことが特徴の一つである。因み
に、窒素イオンを照射するイオンガンへの窒素ガス供給
量は従来（真空槽内の真空度が７×１０-5Ｔｏｒｒであ
るとすると、従来の窒素ガス供給量は５ｓｃｃｍ程度）
の約２倍以上である。
【００１３】次いで、前記第１の成膜工程によるＦｅ2
Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁性膜を成
膜した後、第２の成膜工程を経てＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁
性膜を設ける。この第２の成膜工程は、従来から知られ
ている手法を採用できる。すなわち、Ｆｅ系材料を前記
第１の成膜工程で成膜された磁性膜に向けて飛散・堆積
せしめ、堆積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素イオン
を照射すると共に、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射
することにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設けられ
る。
Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金属磁性膜を成
膜した後、第２の成膜工程を経てＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁
性膜を設ける。この第２の成膜工程は、従来から知られ
ている手法を採用できる。すなわち、Ｆｅ系材料を前記
第１の成膜工程で成膜された磁性膜に向けて飛散・堆積
せしめ、堆積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素イオン
を照射すると共に、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射
することにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜が設けられ
る。
【００１４】上記のようにして１３５０〜２７００Å厚
さのＦｅ系金属磁性膜が設けられると、必要に応じて、
ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒化珪素な
どからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜がＦｅ系
金属磁性膜上に設けられる。又、パーフルオロポリエー
テル等のフッ素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設
けられる。
さのＦｅ系金属磁性膜が設けられると、必要に応じて、
ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、窒化珪素な
どからなる５０〜２００Å程度の厚さの保護膜がＦｅ系
金属磁性膜上に設けられる。又、パーフルオロポリエー
テル等のフッ素系の潤滑剤が２０〜７０Å程度の厚さ設
けられる。
【００１５】そして、上記のように構成させた磁気記録
媒体は、高い保磁力、かつ、高い飽和磁束密度を有する
ものであり、高密度記録に対応できる。しかも、耐蝕性
にも優れていた。かつ、磁性材料のＦｅは安価で、公害
問題を起こし難い。特に、高純度Ｆｅを用いなくても良
いから、コストがより低廉である。
媒体は、高い保磁力、かつ、高い飽和磁束密度を有する
ものであり、高密度記録に対応できる。しかも、耐蝕性
にも優れていた。かつ、磁性材料のＦｅは安価で、公害
問題を起こし難い。特に、高純度Ｆｅを用いなくても良
いから、コストがより低廉である。
【００１６】
【実施例１】図１は本発明になる磁気記録媒体の製造装
置の概略図、図２はイオンガンの概略図である。図１
中、１は非磁性の支持体、例えばＰＥＴフィルム、２ａ
はＰＥＴフィルム１の供給側ロール、２ｂはＰＥＴフィ
ルム１の巻取側ロール、３ａ，３ｂは冷却キャンロー
ル、４ａ，４ｂは遮蔽板、５ａ，５ｂはルツボ、６ａ，
６ｂはＦｅ系磁性金属、７ａ，７ｂは電子銃、８ａ，８
ｂは真空槽、９ａ，９ｂはイオンガン、１０は酸素ガス
供給ノズルである。このイオンガン９ａ，９ｂは、図２
に示す構成であり、０．３ｍｍφのタングステンのカソ
ード１１に８Ａの電流を流し、アノード１２とスクリー
ングリッド１３との間に５００Ｖの電位差が形成できる
ものであって、ノズル１４より窒素ガスが供給されるこ
とによって、窒素イオンが放出されるよう構成されたも
のである。尚、１５はマグネットである。
置の概略図、図２はイオンガンの概略図である。図１
中、１は非磁性の支持体、例えばＰＥＴフィルム、２ａ
はＰＥＴフィルム１の供給側ロール、２ｂはＰＥＴフィ
ルム１の巻取側ロール、３ａ，３ｂは冷却キャンロー
ル、４ａ，４ｂは遮蔽板、５ａ，５ｂはルツボ、６ａ，
６ｂはＦｅ系磁性金属、７ａ，７ｂは電子銃、８ａ，８
ｂは真空槽、９ａ，９ｂはイオンガン、１０は酸素ガス
供給ノズルである。このイオンガン９ａ，９ｂは、図２
に示す構成であり、０．３ｍｍφのタングステンのカソ
ード１１に８Ａの電流を流し、アノード１２とスクリー
ングリッド１３との間に５００Ｖの電位差が形成できる
ものであって、ノズル１４より窒素ガスが供給されるこ
とによって、窒素イオンが放出されるよう構成されたも
のである。尚、１５はマグネットである。
【００１７】本実施例の磁気記録媒体（磁気テープ）は
図１に示す斜め蒸着装置を用いることによって得られ
る。すなわち、６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１を供
給側ロール２ａと巻取側ロール２ｂとの間に掛け渡し、
冷却キャンロール３ａに沿って走行させる。真空槽８ａ
内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ、例えば５×１０-6Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に排気した後、出力３ｋＷの電子銃７ａ
からの電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属
（純度が９５〜９８．５ｗｔ％のＦｅ）を溶融、蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１上に２００ÅのＦｅ−Ｎ系金属磁
性膜を設けた。尚、この成膜時に、窒素ガス供給ノズル
１４から窒素ガスを８０ｓｃｃｍ供給し、イオンガン９
ａから金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射し、金属磁
性膜をＦｅ2Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金
属磁性膜にした。
図１に示す斜め蒸着装置を用いることによって得られ
る。すなわち、６．３μｍ厚さのＰＥＴフィルム１を供
給側ロール２ａと巻取側ロール２ｂとの間に掛け渡し、
冷却キャンロール３ａに沿って走行させる。真空槽８ａ
内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ、例えば５×１０-6Ｔｏｒ
ｒ程度の真空度に排気した後、出力３ｋＷの電子銃７ａ
からの電子ビーム加熱によりルツボ５ａ内の磁性金属
（純度が９５〜９８．５ｗｔ％のＦｅ）を溶融、蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１上に２００ÅのＦｅ−Ｎ系金属磁
性膜を設けた。尚、この成膜時に、窒素ガス供給ノズル
１４から窒素ガスを８０ｓｃｃｍ供給し、イオンガン９
ａから金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射し、金属磁
性膜をＦｅ2Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦｅ−Ｎ系金
属磁性膜にした。
【００１８】このＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦ
ｅ−Ｎ系金属磁性膜が形成された後、ＰＥＴフィルム１
は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ、例えば５×１０-6Ｔｏｒｒ
程度の真空度に排気された真空槽８ｂ内の冷却キャンロ
ール３ｂに案内され、出力１５ｋＷの電子銃７ｂからの
電子ビーム加熱によりルツボ５ｂ内の磁性金属（純度が
９９．９ｗｔ％のＦｅ）を溶融、蒸発させ、Ｆｅ−Ｎ系
金属磁性膜上に厚さが１６００ÅのＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属
磁性膜を設けた。尚、この成膜時に、窒素ガス供給ノズ
ル１４から窒素ガスを９ｓｃｃｍ供給し、イオンガン９
ａから金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射すると共
に、酸素ガス供給ノズル１０から金属磁性膜に向けて酸
素ガスを１４ｓｃｃｍ照射し、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性
膜にした。
ｅ−Ｎ系金属磁性膜が形成された後、ＰＥＴフィルム１
は１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ、例えば５×１０-6Ｔｏｒｒ
程度の真空度に排気された真空槽８ｂ内の冷却キャンロ
ール３ｂに案内され、出力１５ｋＷの電子銃７ｂからの
電子ビーム加熱によりルツボ５ｂ内の磁性金属（純度が
９９．９ｗｔ％のＦｅ）を溶融、蒸発させ、Ｆｅ−Ｎ系
金属磁性膜上に厚さが１６００ÅのＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属
磁性膜を設けた。尚、この成膜時に、窒素ガス供給ノズ
ル１４から窒素ガスを９ｓｃｃｍ供給し、イオンガン９
ａから金属磁性膜に向けて窒素イオンを照射すると共
に、酸素ガス供給ノズル１０から金属磁性膜に向けて酸
素ガスを１４ｓｃｃｍ照射し、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性
膜にした。
【００１９】このようにして得られたＦｅ−Ｎ系金属磁
性膜とＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜との積層膜を有する原
反の裏面に、平均粒径が４０ｎｍのカーボンブラックと
平均粒径が８０ｎｍのカーボンブラックとを２：１の割
合で混ぜ、ウレタン系樹脂と塩化ビニル系樹脂とのバイ
ンダ樹脂中に分散させたバックコート用塗料をダイコー
ティング方式により乾燥膜厚が０．５μｍとなるよう塗
布し、乾燥させた。
性膜とＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜との積層膜を有する原
反の裏面に、平均粒径が４０ｎｍのカーボンブラックと
平均粒径が８０ｎｍのカーボンブラックとを２：１の割
合で混ぜ、ウレタン系樹脂と塩化ビニル系樹脂とのバイ
ンダ樹脂中に分散させたバックコート用塗料をダイコー
ティング方式により乾燥膜厚が０．５μｍとなるよう塗
布し、乾燥させた。
【００２０】この後、パーフルオロポリエーテル（ＦＯ
ＭＢＬＩＮ ＺＤＯＬ モンテカチーニ社製）をフッ素
系不活性液体（フロリナート ＦＣ−７７ 住友３Ｍ社
製）に０．０５ｗｔ％となるよう希釈した塗料を用い
て、ダイコーティング方式により乾燥膜厚が２０Åとな
るようＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜上に塗布し、１０５℃
で乾燥させた。
ＭＢＬＩＮ ＺＤＯＬ モンテカチーニ社製）をフッ素
系不活性液体（フロリナート ＦＣ−７７ 住友３Ｍ社
製）に０．０５ｗｔ％となるよう希釈した塗料を用い
て、ダイコーティング方式により乾燥膜厚が２０Åとな
るようＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜上に塗布し、１０５℃
で乾燥させた。
【００２１】この後、８ｍｍ幅にスリットし、カセット
に装填して、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープとした。
に装填して、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープとした。
【００２２】
【実施例２】実施例１において、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜
の厚さを１００Å、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜の成膜時
における窒素ガス供給ノズル１４からの窒素ガス供給量
を１０ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル１０からの酸素ガ
ス供給量を１３ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて
行った。
の厚さを１００Å、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜の成膜時
における窒素ガス供給ノズル１４からの窒素ガス供給量
を１０ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル１０からの酸素ガ
ス供給量を１３ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて
行った。
【００２３】
【比較例１】実施例１において、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜
を設けず、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜のみを設けるよう
にした以外は実施例１に準じて行った。尚、Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系金属磁性膜の成膜時における窒素ガス供給ノズル１
４からの窒素ガス供給量を２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給
ノズル１０からの酸素ガス供給量を３０ｓｃｃｍとし
た。
を設けず、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜のみを設けるよう
にした以外は実施例１に準じて行った。尚、Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系金属磁性膜の成膜時における窒素ガス供給ノズル１
４からの窒素ガス供給量を２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給
ノズル１０からの酸素ガス供給量を３０ｓｃｃｍとし
た。
【００２４】
【比較例２】実施例１において、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁
性膜を設けず、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜のみを設けるよう
にした以外は実施例１に準じて行った。尚、Ｆｅ−Ｎ系
金属磁性膜の成膜時における窒素ガス供給ノズル１４か
らの窒素ガス供給量を５ｓｃｃｍとした。
性膜を設けず、Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜のみを設けるよう
にした以外は実施例１に準じて行った。尚、Ｆｅ−Ｎ系
金属磁性膜の成膜時における窒素ガス供給ノズル１４か
らの窒素ガス供給量を５ｓｃｃｍとした。
【００２５】
【特性】上記実施例１で得た金属磁性膜の断面ＴＥＭ像
を図３に示す。又、オージェ電子分光分析（電子銃の加
速電圧１０ｋｖ；エミッション電流１０ｎＡ；倍率１０
００倍；エッチングガスはＡｒであって、そのガスをイ
オンガンに導入し、加速電圧２ｋｖ、イオン電流２００
ｎＡで５０秒間エッチングしては測定することを繰り返
し、膜の深さ方向の分析を行う）による結果を図４及び
図５に示す。
を図３に示す。又、オージェ電子分光分析（電子銃の加
速電圧１０ｋｖ；エミッション電流１０ｎＡ；倍率１０
００倍；エッチングガスはＡｒであって、そのガスをイ
オンガンに導入し、加速電圧２ｋｖ、イオン電流２００
ｎＡで５０秒間エッチングしては測定することを繰り返
し、膜の深さ方向の分析を行う）による結果を図４及び
図５に示す。
【００２６】これによれば、本発明になるＦｅ−Ｎ系金
属磁性膜は、斜めコラム構造を有し、この磁気コラムの
上層より下層（支持体側）の方が窒素濃度が高く、又、
断面ＴＥＭ像での下層の電子線回折からＦｅ2 Ｎ及びＦ
ｅ3 Ｎで構成されたものであることが判る。そして、得
られた上記実施例および比較例の磁気テープについて、
磁気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ）及び耐蝕性
（６０℃、９０％ＲＨの環境下に１週間置いた後の、飽
和磁束密度の減少率ΔＢｓ）を調べたので、その結果を
表−１に示す。
属磁性膜は、斜めコラム構造を有し、この磁気コラムの
上層より下層（支持体側）の方が窒素濃度が高く、又、
断面ＴＥＭ像での下層の電子線回折からＦｅ2 Ｎ及びＦ
ｅ3 Ｎで構成されたものであることが判る。そして、得
られた上記実施例および比較例の磁気テープについて、
磁気特性（保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ）及び耐蝕性
（６０℃、９０％ＲＨの環境下に１週間置いた後の、飽
和磁束密度の減少率ΔＢｓ）を調べたので、その結果を
表−１に示す。
【００２７】 表−１ 保磁力Ｈｃ（Ｏｅ） 飽和磁束密度Ｂｓ（Ｇ） 耐蝕性ΔＢｓ（％） 実施例１ １６３０ ５３００ ３ 実施例２ １６２０ ４８００ ２ 比較例１ １５８０ ３８００ １ 比較例２ ３８０ １２０００ ７ これによれば、本実施例になるものは、比較例１（磁性
膜がＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜のみ）や比較例２（磁性
膜がＦｅ−Ｎ系金属磁性膜のみ）のものに比べて、保磁
力および飽和磁束密度などの総合特性に優れており、電
磁変換特性の良好なことが窺える。
膜がＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜のみ）や比較例２（磁性
膜がＦｅ−Ｎ系金属磁性膜のみ）のものに比べて、保磁
力および飽和磁束密度などの総合特性に優れており、電
磁変換特性の良好なことが窺える。
【００２８】又、耐蝕性にも優れていることも判る。
【００２９】
【発明の効果】安価なＦｅ系材料を用いて高密度記録に
適し、かつ、耐蝕性に富む磁気記録媒体が得られる。
適し、かつ、耐蝕性に富む磁気記録媒体が得られる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造装置の概略図
【図２】イオンガンの概略図
【図３】実施例１の金属磁性膜の断面ＴＥＭ像
【図４】実施例１の金属磁性膜のオージェ電子分光分析
のグラフ
のグラフ
【図５】実施例２の金属磁性膜のオージェ電子分光分析
のグラフ
のグラフ
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/85 7303−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 5/85 Ａ Ｈ０１Ｆ 41/20 Ｈ０１Ｆ 41/20 (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、 前記金属磁性膜は、 支持体に近い側はＦｅ−Ｎ系金属磁性膜であり、 支持体から遠い側はＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、 支持体に近い側にＦｅ2 Ｎ及び／又はＦｅ3 Ｎを含むＦ
ｅ−Ｎ系金属磁性膜が設けられ、 前記Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜の上にＦｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁
性膜が設けられてなることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎ系金属磁性膜は厚さが５０〜７
００Å、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系金属磁性膜は厚さが１３００〜
２０００Åであることを特徴とする請求項１または請求
項２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 支持体上に複数のＦｅ系金属磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体の製造方法であって、 前記複数のＦｅ系金属磁性膜は、第１の磁性膜成膜工
程、及び第２の磁性膜成膜工程を経て成膜されたもので
あり、 前記第１の磁性膜成膜工程は、 Ｆｅ系材料を支持体に向けて飛散・堆積せしめる工程
と、堆積したＦｅ系金属磁性膜に向けて窒素イオン（又
は窒素ガス）を照射する工程とを具備し、 前記第２の磁性膜成膜工程は、 Ｆｅ系材料を前記第１の磁性膜成膜工程で成膜された磁
性膜に向けて飛散・堆積せしめる工程と、堆積したＦｅ
系金属磁性膜に向けて窒素イオン（又は窒素ガス）を照
射する工程と、酸素イオン（又は酸素ガス）を照射する
工程とを具備してなることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25231995A JPH0997713A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25231995A JPH0997713A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997713A true JPH0997713A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17235608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25231995A Pending JPH0997713A (ja) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997713A (ja) |
-
1995
- 1995-09-29 JP JP25231995A patent/JPH0997713A/ja active Pending
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