JPH0997752A - タンタル陽極体の製造方法 - Google Patents
タンタル陽極体の製造方法Info
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- JPH0997752A JPH0997752A JP25155995A JP25155995A JPH0997752A JP H0997752 A JPH0997752 A JP H0997752A JP 25155995 A JP25155995 A JP 25155995A JP 25155995 A JP25155995 A JP 25155995A JP H0997752 A JPH0997752 A JP H0997752A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】低密度焼結領域とこれに埋め込まれた高密度焼
結領域とを備えるタンタル焼結体の高密度焼結領域に、
タンタル線を溶接で固着した構造のタンタル陽極体を製
造する方法で、焼結を二回実施する従来の方法に比べ、
コンデンサとしたときの漏れ電流が小さいタンタル陽極
体を製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】低密度成形体の形成工程(ステップS2
A)で、形成された低密度成形体を、型穴としてのダイ
中にそのまま保持しておく。次のタンタル線の溶接工程
(ステップ6A)では、低密度成形体をダイ中に保持し
たままの状態でタンタル線を溶接する。従来の製造方法
では必要であった、低密度成形体の機械的強度強化のた
めの焼結が不要になり、実施すべき焼結がただ一回(ス
テップS7)になるので、陽極体中への酸素の拡散が減
じ陽極体中の酸素含有量が減る結果、含有酸素に起因す
る漏れ電流が減少する。生産性も、向上する。
結領域とを備えるタンタル焼結体の高密度焼結領域に、
タンタル線を溶接で固着した構造のタンタル陽極体を製
造する方法で、焼結を二回実施する従来の方法に比べ、
コンデンサとしたときの漏れ電流が小さいタンタル陽極
体を製造できる製造方法を提供する。 【解決手段】低密度成形体の形成工程(ステップS2
A)で、形成された低密度成形体を、型穴としてのダイ
中にそのまま保持しておく。次のタンタル線の溶接工程
(ステップ6A)では、低密度成形体をダイ中に保持し
たままの状態でタンタル線を溶接する。従来の製造方法
では必要であった、低密度成形体の機械的強度強化のた
めの焼結が不要になり、実施すべき焼結がただ一回(ス
テップS7)になるので、陽極体中への酸素の拡散が減
じ陽極体中の酸素含有量が減る結果、含有酸素に起因す
る漏れ電流が減少する。生産性も、向上する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、タンタル固体電解
コンデンサに用いられるタンタル陽極体の製造方法に関
し、特に、陽極リード線となるべきタンタル線がタンタ
ル焼結体に溶接されている構造のタンタル陽極体を製造
する方法に関する。
コンデンサに用いられるタンタル陽極体の製造方法に関
し、特に、陽極リード線となるべきタンタル線がタンタ
ル焼結体に溶接されている構造のタンタル陽極体を製造
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサに用いられ
るタンタル陽極体(陽極リード線が導電的に固着された
柱状のタンタル焼結体)を製造するには、陽極リード
線となるべきタンタル線を、タンタル粉末を加圧成形し
て柱状の成形体とする際に予め成形体に埋設しておい
て、タンタル線付きの柱状成形体にしてから、両者を共
に焼結する方法と、先ず(タンタル線のない)柱状の
成形体だけを形成し、これを予め焼結した後、その柱状
焼結体にタンタル線を溶接する方法とがある。の方法
によると、成形体内部のタンタル線の埋設部分でタンタ
ル線とタンタル粉末との結合が弱く、焼結後にタンタル
線が抜けたり電気的接続不良が生じることがある。後者
の方法は、その点を改良するために発明されたものであ
って、タンタル線と焼結体との結合を溶接に変更するこ
とにより、両者の間の結合力を高めている。本発明は上
記の、タンタル線と焼結体とが溶接により結合された
構造のタンタル陽極体を製造する方法に係るものであ
る。
るタンタル陽極体(陽極リード線が導電的に固着された
柱状のタンタル焼結体)を製造するには、陽極リード
線となるべきタンタル線を、タンタル粉末を加圧成形し
て柱状の成形体とする際に予め成形体に埋設しておい
て、タンタル線付きの柱状成形体にしてから、両者を共
に焼結する方法と、先ず(タンタル線のない)柱状の
成形体だけを形成し、これを予め焼結した後、その柱状
焼結体にタンタル線を溶接する方法とがある。の方法
によると、成形体内部のタンタル線の埋設部分でタンタ
ル線とタンタル粉末との結合が弱く、焼結後にタンタル
線が抜けたり電気的接続不良が生じることがある。後者
の方法は、その点を改良するために発明されたものであ
って、タンタル線と焼結体との結合を溶接に変更するこ
とにより、両者の間の結合力を高めている。本発明は上
記の、タンタル線と焼結体とが溶接により結合された
構造のタンタル陽極体を製造する方法に係るものであ
る。
【0003】ところで、上記の溶接を用いたタンタル
陽極体には、例えば特公昭60ー51254号公報や或
いは特開平2ー185013号公報に記載されているも
ののような、焼結体の密度が焼結体全体に亘って均一な
構造のものと、例えば特公平5ー1609号公報に開示
されているもののような、タンタル線が溶接される部分
の密度を高くしたものとがあるが、いずれの場合も焼結
が二回行われる点が共通している。すなわち、予め(タ
ンタル線のない柱状の)成形体のみを焼結し、その焼結
体表面にタンタル線を溶接した後、再度、焼結を行う。
第一回目の成形体のみに対する焼結は、所定の容量を得
るためと、成形体に機械的強度を与えるためのものであ
る。タンタル線溶接後の第二回目の焼結は、溶接時の高
熱により溶接部分近傍に酸化変質層が生じコンデンサと
したときの漏れ電流の増大など、電気的劣化が起るのを
防ぐためのものであって、再焼結によって上記の酸化変
質層をクリーニングするのである。
陽極体には、例えば特公昭60ー51254号公報や或
いは特開平2ー185013号公報に記載されているも
ののような、焼結体の密度が焼結体全体に亘って均一な
構造のものと、例えば特公平5ー1609号公報に開示
されているもののような、タンタル線が溶接される部分
の密度を高くしたものとがあるが、いずれの場合も焼結
が二回行われる点が共通している。すなわち、予め(タ
ンタル線のない柱状の)成形体のみを焼結し、その焼結
体表面にタンタル線を溶接した後、再度、焼結を行う。
第一回目の成形体のみに対する焼結は、所定の容量を得
るためと、成形体に機械的強度を与えるためのものであ
る。タンタル線溶接後の第二回目の焼結は、溶接時の高
熱により溶接部分近傍に酸化変質層が生じコンデンサと
したときの漏れ電流の増大など、電気的劣化が起るのを
防ぐためのものであって、再焼結によって上記の酸化変
質層をクリーニングするのである。
【0004】ここで、上記の溶接構造の陽極体でタンタ
ル線と焼結体との間の結合力は、焼結体の密度に依存
し、低密度の場合の方が高密度の場合より、低い。しか
るに近年、コンデンサを小型大容量化するために、微粉
末を用いたり空孔率を大きくする傾向にある。すなわ
ち、焼結体が低密度化し、タンタル線の焼結体に対する
固着力が低下しつつある。上記特公平5ー1609号公
報は、このような焼結体の低密度化に伴うタンタル線の
固着力低下を防ぐことを目的とする発明であって、焼結
体のタンタル線溶接部近傍のみを高密度にしてタンタル
線と焼結体との結合力を高めている。本発明の適用対象
のタンタル陽極体は、上記特公平5ー1609号公報記
載のタンタル陽極体と同じく、焼結体のタンタル線溶接
部近傍の密度が高くされた構造を持つ。
ル線と焼結体との間の結合力は、焼結体の密度に依存
し、低密度の場合の方が高密度の場合より、低い。しか
るに近年、コンデンサを小型大容量化するために、微粉
末を用いたり空孔率を大きくする傾向にある。すなわ
ち、焼結体が低密度化し、タンタル線の焼結体に対する
固着力が低下しつつある。上記特公平5ー1609号公
報は、このような焼結体の低密度化に伴うタンタル線の
固着力低下を防ぐことを目的とする発明であって、焼結
体のタンタル線溶接部近傍のみを高密度にしてタンタル
線と焼結体との結合力を高めている。本発明の適用対象
のタンタル陽極体は、上記特公平5ー1609号公報記
載のタンタル陽極体と同じく、焼結体のタンタル線溶接
部近傍の密度が高くされた構造を持つ。
【0005】図4に、上述の特公平5ー1609号公報
記載のタンタル陽極体の断面図を示す。図4を参照し
て、タンタル陽極体1では、柱状の焼結体2の一つの端
面に、軸方向に向くタンタル線3が直立に溶接されてい
る。焼結体2内部の大部分は相対的に低密度であるが、
その低密度焼結領域2Bの中のタンタル線溶接部4近傍
に、相対的に高密度の領域2Aが埋め込まれている。タ
ンタル線3はその焼結体の高密度焼結領域2Aに溶接さ
れている。
記載のタンタル陽極体の断面図を示す。図4を参照し
て、タンタル陽極体1では、柱状の焼結体2の一つの端
面に、軸方向に向くタンタル線3が直立に溶接されてい
る。焼結体2内部の大部分は相対的に低密度であるが、
その低密度焼結領域2Bの中のタンタル線溶接部4近傍
に、相対的に高密度の領域2Aが埋め込まれている。タ
ンタル線3はその焼結体の高密度焼結領域2Aに溶接さ
れている。
【0006】図4に示すタンタル陽極体は、以下のよう
にして製造される。この陽極体の製造工程のフローチャ
ートを示す図5及び、成形体、焼結体の断面を製造工程
順に示す図6〜図7を参照して、先ず、タンタル粉末を
加圧成形して、高密度焼結領域2Aとなるべき柱状の成
形体(以後、高密度ペレットと記す)を形成する(図
5、ステップS1)。
にして製造される。この陽極体の製造工程のフローチャ
ートを示す図5及び、成形体、焼結体の断面を製造工程
順に示す図6〜図7を参照して、先ず、タンタル粉末を
加圧成形して、高密度焼結領域2Aとなるべき柱状の成
形体(以後、高密度ペレットと記す)を形成する(図
5、ステップS1)。
【0007】次に、同じくタンタル粉末を加圧成形し、
低密度焼結領域2Bとなるべき柱状の成形体(以後、低
密度ペレットと記す)を作る(図5、ステップS2)。
このとき、低密度ペレット形成と同時にその中に、予め
形成しておいた上記の高密度ペレットを埋め込む。すな
わち、図6(a)に示すように、加圧成形のときの型穴
となるダイ21と加圧用下パンチ22とで作られる穴の
中に、タンタル粉末24を充填する。その際、予め高密
度ペレット5Aを下パンチ22上にセットして置く。そ
して、図6(b)に示すように、上パンチ23と下パン
チ22とで粉末に圧力を加え、高密度ペレット5Aが埋
め込まれた低密度ペレット5Bとする。その後、図6
(c)に示すように、上パンチ23と下パンチ22とを
上昇させ、低密度ペレット5Bをダイ21から排出する
(図5、ステップS3)。このようにして形成された低
密度ペレット5Bの下側端面には、高密度ペレット5A
が露出している。以後、このような、高密度ペレット5
Aを内部に含む低密度ペレット5Bを、複合ペレットと
呼ぶこととする。
低密度焼結領域2Bとなるべき柱状の成形体(以後、低
密度ペレットと記す)を作る(図5、ステップS2)。
このとき、低密度ペレット形成と同時にその中に、予め
形成しておいた上記の高密度ペレットを埋め込む。すな
わち、図6(a)に示すように、加圧成形のときの型穴
となるダイ21と加圧用下パンチ22とで作られる穴の
中に、タンタル粉末24を充填する。その際、予め高密
度ペレット5Aを下パンチ22上にセットして置く。そ
して、図6(b)に示すように、上パンチ23と下パン
チ22とで粉末に圧力を加え、高密度ペレット5Aが埋
め込まれた低密度ペレット5Bとする。その後、図6
(c)に示すように、上パンチ23と下パンチ22とを
上昇させ、低密度ペレット5Bをダイ21から排出する
(図5、ステップS3)。このようにして形成された低
密度ペレット5Bの下側端面には、高密度ペレット5A
が露出している。以後、このような、高密度ペレット5
Aを内部に含む低密度ペレット5Bを、複合ペレットと
呼ぶこととする。
【0008】次いで、上記の複合ペレットを真空中で焼
結して(図5、ステップS4)焼結体を得た後、その高
密度焼結領域2Aの露出面にタンタル線3を溶接する。
すなわち、図7(a)に示すように、焼結の結果得られ
た焼結体2を溶接電極31でクランプする一方、タンタ
ル線3を同じく電極32でクランプする(図5、ステッ
プS5)。そして、図7(b)に示すように、タンタル
線3を焼結体2に突当てとし、電極31,32間に電流
を流し溶接を行う(図5、ステップS6)。更に、図7
(c)に示すように、タンタル線3側の電極32を開放
し、続いて図7(d)に示すように、焼結体2側の電極
を開放する。
結して(図5、ステップS4)焼結体を得た後、その高
密度焼結領域2Aの露出面にタンタル線3を溶接する。
すなわち、図7(a)に示すように、焼結の結果得られ
た焼結体2を溶接電極31でクランプする一方、タンタ
ル線3を同じく電極32でクランプする(図5、ステッ
プS5)。そして、図7(b)に示すように、タンタル
線3を焼結体2に突当てとし、電極31,32間に電流
を流し溶接を行う(図5、ステップS6)。更に、図7
(c)に示すように、タンタル線3側の電極32を開放
し、続いて図7(d)に示すように、焼結体2側の電極
を開放する。
【0009】最後に、上述のタンタル線付きの焼結体2
を再度真空中で焼結して(図5、ステップS7)、タン
タル陽極体を得る。
を再度真空中で焼結して(図5、ステップS7)、タン
タル陽極体を得る。
【0010】本発明との関連で、上記特公平5ー160
9号公報記載のタンタル陽極体の製造方法に特徴的なの
は、ステップS4及びステップS7で、二回の焼結を行
っていることである。既に述べたように、第一回目の焼
結は、その後の溶接工程で複合ペレットにクラック、欠
け或いは割れなどの破損が生じないように、これに機械
的強度を与えるためのものであり、第二回目の焼結は、
溶接で生じた酸化変質層によりコンデンサの漏れ電流が
悪化しないように、変質層をクリーニングするためのも
のである。
9号公報記載のタンタル陽極体の製造方法に特徴的なの
は、ステップS4及びステップS7で、二回の焼結を行
っていることである。既に述べたように、第一回目の焼
結は、その後の溶接工程で複合ペレットにクラック、欠
け或いは割れなどの破損が生じないように、これに機械
的強度を与えるためのものであり、第二回目の焼結は、
溶接で生じた酸化変質層によりコンデンサの漏れ電流が
悪化しないように、変質層をクリーニングするためのも
のである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、図5に示
す従来の製造方法に従って製造したタンタル固体電解コ
ンデンサの漏れ電流特性が、予めタンタル線を成形体に
埋設してから焼結を行うもののような、一回の焼結で製
造されたコンデンサの漏れ電流特性に比べて劣ることに
注目した。そして、研究の結果、上記の漏れ電流特性の
悪化がタンタル陽極体の酸素含有量が多いことによるも
のであること及び、その高酸素含有性が焼結を二回繰り
返すことに基づくものであることを見出した。すなわ
ち、一度焼結したタンタル焼結体を空気中に曝すと焼結
体の表面は酸素を吸着し、その吸着された酸素が二度目
の焼結で焼結体内部へ拡散して行き酸化変質層を形成す
るからである。
す従来の製造方法に従って製造したタンタル固体電解コ
ンデンサの漏れ電流特性が、予めタンタル線を成形体に
埋設してから焼結を行うもののような、一回の焼結で製
造されたコンデンサの漏れ電流特性に比べて劣ることに
注目した。そして、研究の結果、上記の漏れ電流特性の
悪化がタンタル陽極体の酸素含有量が多いことによるも
のであること及び、その高酸素含有性が焼結を二回繰り
返すことに基づくものであることを見出した。すなわ
ち、一度焼結したタンタル焼結体を空気中に曝すと焼結
体の表面は酸素を吸着し、その吸着された酸素が二度目
の焼結で焼結体内部へ拡散して行き酸化変質層を形成す
るからである。
【0012】焼結を二回実施する製造方法は又、一回で
済ませる製造方法に比べ、生産効率が低く経済性に欠け
る。
済ませる製造方法に比べ、生産効率が低く経済性に欠け
る。
【0013】したがって本発明は、低密度の領域中に高
密度の領域を埋め込んだタンタル焼結体の高密度焼結領
域にタンタル線を溶接で固着させた構造のタンタル陽極
体を製造する方法であって、焼結を二回実施する従来の
製造方法によるタンタル陽極体に比べ、コンデンサとし
たときの漏れ電流が小さいタンタル陽極体を製造する方
法を提供することを目的とするものである。
密度の領域を埋め込んだタンタル焼結体の高密度焼結領
域にタンタル線を溶接で固着させた構造のタンタル陽極
体を製造する方法であって、焼結を二回実施する従来の
製造方法によるタンタル陽極体に比べ、コンデンサとし
たときの漏れ電流が小さいタンタル陽極体を製造する方
法を提供することを目的とするものである。
【0014】本発明の他の目的は、そのような漏れ電流
特性に優れたタンタル陽極体を効率良く製造する方法を
提供することを目的とするものである。
特性に優れたタンタル陽極体を効率良く製造する方法を
提供することを目的とするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明のタンタル陽極体
の製造方法は、相対的に低密度の多孔質タンタル中に、
相対的に高密度の多孔質タンタルが前記低密度の多孔質
タンタルから一部露出するように埋め込まれた構造のタ
ンタル焼結体と、前記高密度の多孔質タンタルの露出表
面に溶接されたタンタル線とを含むタンタル陽極体を製
造する方法であって、予めタンタル粉末を加圧成形して
前記高密度の多孔質タンタルとなるべき第1の成形体を
形成する工程と、タンタル粉末を加圧成形して前記タン
タル焼結体となるべき、内部に前記第1の成形体が埋め
込まれた第2の成形体を形成する工程と、その第2の成
形体中に埋め込まれた第1の成形体の前記露出表面に前
記タンタル線を溶接する工程と、前記タンタル線溶接後
の第2の成形体を焼結する工程とを含むタンタル陽極体
の製造方法において、前記第2の成形体の形成工程で
は、加圧成形の外型となるダイの型穴中に、タンタル粉
末と前記予め形成した第1の成形体とを、その第1の成
形体がタンタル粉末中に埋め込まれるように充填した
後、押型部品のパンチで加圧することにより前記第2の
成形体を形成した後、その形成された第2の成形体をそ
のまま前記ダイ中に保持すると共に、前記タンタル線の
溶接工程では、前記第2の成形体をダイ中に保持した状
態で前記第1の成形体の露出表面にタンタル線を溶接す
ることにより、タンタル陽極体の製造に際して実施すべ
き焼結が一回であるようにしたことを特徴とする。
の製造方法は、相対的に低密度の多孔質タンタル中に、
相対的に高密度の多孔質タンタルが前記低密度の多孔質
タンタルから一部露出するように埋め込まれた構造のタ
ンタル焼結体と、前記高密度の多孔質タンタルの露出表
面に溶接されたタンタル線とを含むタンタル陽極体を製
造する方法であって、予めタンタル粉末を加圧成形して
前記高密度の多孔質タンタルとなるべき第1の成形体を
形成する工程と、タンタル粉末を加圧成形して前記タン
タル焼結体となるべき、内部に前記第1の成形体が埋め
込まれた第2の成形体を形成する工程と、その第2の成
形体中に埋め込まれた第1の成形体の前記露出表面に前
記タンタル線を溶接する工程と、前記タンタル線溶接後
の第2の成形体を焼結する工程とを含むタンタル陽極体
の製造方法において、前記第2の成形体の形成工程で
は、加圧成形の外型となるダイの型穴中に、タンタル粉
末と前記予め形成した第1の成形体とを、その第1の成
形体がタンタル粉末中に埋め込まれるように充填した
後、押型部品のパンチで加圧することにより前記第2の
成形体を形成した後、その形成された第2の成形体をそ
のまま前記ダイ中に保持すると共に、前記タンタル線の
溶接工程では、前記第2の成形体をダイ中に保持した状
態で前記第1の成形体の露出表面にタンタル線を溶接す
ることにより、タンタル陽極体の製造に際して実施すべ
き焼結が一回であるようにしたことを特徴とする。
【0016】本発明のタンタル陽極体の製造方法によれ
ば、高密度ペレットを埋め込んだ低密度ペレット(複合
ペレット)を形成した後、その複合ペレットをダイから
取り出さずダイ中に残したままで、タンタル線の溶接を
行う。従来の製造方法とは異って、溶接に際して複合ペ
レットをダイから取り出し、改めて溶接用電極でクラン
プすることをしないので、複合ペレットにクランプに対
する機械的強度を持たせるためにこれを予め焼結してお
く必要は、ない。
ば、高密度ペレットを埋め込んだ低密度ペレット(複合
ペレット)を形成した後、その複合ペレットをダイから
取り出さずダイ中に残したままで、タンタル線の溶接を
行う。従来の製造方法とは異って、溶接に際して複合ペ
レットをダイから取り出し、改めて溶接用電極でクラン
プすることをしないので、複合ペレットにクランプに対
する機械的強度を持たせるためにこれを予め焼結してお
く必要は、ない。
【0017】本発明によれば、従来二回必要であった焼
結工程が、一回で良い。従って、生産効率が、高い。
結工程が、一回で良い。従って、生産効率が、高い。
【0018】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明の製造方
法によるタンタル陽極体の、製造工程のフローチャート
図である。本発明者は発明の一実施の形態として、図1
に示すフローチャート図に基づき、図4に断面を示す構
造のタンタル陽極体を製造した。図2〜図3は、本実施
の形態によるタンタル陽極体の断面を、製造工程順に示
す図である。
て、図面を参照して説明する。図1は、本発明の製造方
法によるタンタル陽極体の、製造工程のフローチャート
図である。本発明者は発明の一実施の形態として、図1
に示すフローチャート図に基づき、図4に断面を示す構
造のタンタル陽極体を製造した。図2〜図3は、本実施
の形態によるタンタル陽極体の断面を、製造工程順に示
す図である。
【0019】図4を参照して、本実施の形態によるタン
タル陽極体1は、円柱状の焼結体2と、その焼結体2に
軸方向を向いて直立に溶接されたタンタル線3とからな
る。焼結体2は円柱状の低密度焼結領域2Bと、この低
密度焼結領域に、同心で且つ軸に垂直な一表面が露出す
るように埋め込まれた高密度焼結領域2Aを備えてい
る。低密度焼結領域2Bは、タンタル粉末を3〜5g/
ccに加圧成形した低密度ペレットから得られる。高密
度焼結領域2Aは同じくタンタル粉末を、7g/cc以
上の密度に加圧成形した高密度ペレットから得られる。
タル陽極体1は、円柱状の焼結体2と、その焼結体2に
軸方向を向いて直立に溶接されたタンタル線3とからな
る。焼結体2は円柱状の低密度焼結領域2Bと、この低
密度焼結領域に、同心で且つ軸に垂直な一表面が露出す
るように埋め込まれた高密度焼結領域2Aを備えてい
る。低密度焼結領域2Bは、タンタル粉末を3〜5g/
ccに加圧成形した低密度ペレットから得られる。高密
度焼結領域2Aは同じくタンタル粉末を、7g/cc以
上の密度に加圧成形した高密度ペレットから得られる。
【0020】本実施の形態によるタンタル陽極体は、下
記の製造工程により製造される。図1〜図4を参照し
て、先ず、高密度焼結領域2Aとなるべき高密度ペレッ
トを加圧成形する(図1、ステップS1)。すなわち、
図2(a)に示すように、加圧成形の際の型穴となる貫
通孔を備えるダイ11と、ダイの貫通孔の下部より嵌入
してタンタル粉末14を充填する際の孔底となる下パン
チ12と、下パンチと協働してタンタル粉末14を加圧
硬化させる上パンチ13とを使用し、公知の手段により
タンタル粉末14をダイ11の孔の中に充填する。そし
て、図2(b)に示すように、上パンチ13を下降させ
ると同時に下パンチ12を上昇させ、7g/cc以上の
密度となるに十分な圧力で加圧硬化させて高密度ペレッ
ト5Aとする。次いで、図2(c)に示すように、上パ
ンチ13を所定位置まで上昇させた後下パンチ12を上
昇させ、ダイ中の高密度ペレット5Aを排出する。
記の製造工程により製造される。図1〜図4を参照し
て、先ず、高密度焼結領域2Aとなるべき高密度ペレッ
トを加圧成形する(図1、ステップS1)。すなわち、
図2(a)に示すように、加圧成形の際の型穴となる貫
通孔を備えるダイ11と、ダイの貫通孔の下部より嵌入
してタンタル粉末14を充填する際の孔底となる下パン
チ12と、下パンチと協働してタンタル粉末14を加圧
硬化させる上パンチ13とを使用し、公知の手段により
タンタル粉末14をダイ11の孔の中に充填する。そし
て、図2(b)に示すように、上パンチ13を下降させ
ると同時に下パンチ12を上昇させ、7g/cc以上の
密度となるに十分な圧力で加圧硬化させて高密度ペレッ
ト5Aとする。次いで、図2(c)に示すように、上パ
ンチ13を所定位置まで上昇させた後下パンチ12を上
昇させ、ダイ中の高密度ペレット5Aを排出する。
【0021】次に、上記の高密度ペレット5Aを低密度
ペレット5Bに埋め込んで、複合ペレットを形成する
(図1、ステップS2A)。すなわち、図3(a)に示
すように、ダイ21と下パンチ22とで形成される粉末
充填孔にタンタル粉末24を充填した後、充填孔上端の
露出面中央部に前述の高密度ペレット5Aを埋める。そ
の後、図3(b)に示すように、上パンチ23を下降さ
せると共に下パンチ22を上昇させ、低密度ペレット5
Bとなるべき部分が3〜5g/ccの密度となるに十分
な圧力で加圧硬化させて、複合ぺレット5を得る。更
に、図2(c)に示すように、上パンチ23を所定の位
置まで上昇させる。
ペレット5Bに埋め込んで、複合ペレットを形成する
(図1、ステップS2A)。すなわち、図3(a)に示
すように、ダイ21と下パンチ22とで形成される粉末
充填孔にタンタル粉末24を充填した後、充填孔上端の
露出面中央部に前述の高密度ペレット5Aを埋める。そ
の後、図3(b)に示すように、上パンチ23を下降さ
せると共に下パンチ22を上昇させ、低密度ペレット5
Bとなるべき部分が3〜5g/ccの密度となるに十分
な圧力で加圧硬化させて、複合ぺレット5を得る。更
に、図2(c)に示すように、上パンチ23を所定の位
置まで上昇させる。
【0022】次いで、上記の複合ペレット5に、タンタ
ル線3を溶接する(図1、ステップS6A)。すなわ
ち、図2(d)に示すように、予め所定の長さ(この場
合は、6mm)に切断しておいたタンタル線3を、溶接
電極32でクランプする。その後、図2(e)に示すよ
うに、タンタル線3の先端が高密度ペレット5Aの露出
面中央に接触するまで電極32を下降させることによっ
て、タンタル線3を高密度ペレット5Aに突当てとし、
電極32と下パンチ22との間に電流を流して、複合ペ
レット5がダイ21中に保持された状態で溶接を行う。
更に、図2(f)に示すように、電極32を所定の位置
まで上昇させ、図2(g)に示すように、下パンチ22
を上昇させ溶接済みの複合ペレット5を排出して、タン
タル線の溶接を完了する。
ル線3を溶接する(図1、ステップS6A)。すなわ
ち、図2(d)に示すように、予め所定の長さ(この場
合は、6mm)に切断しておいたタンタル線3を、溶接
電極32でクランプする。その後、図2(e)に示すよ
うに、タンタル線3の先端が高密度ペレット5Aの露出
面中央に接触するまで電極32を下降させることによっ
て、タンタル線3を高密度ペレット5Aに突当てとし、
電極32と下パンチ22との間に電流を流して、複合ペ
レット5がダイ21中に保持された状態で溶接を行う。
更に、図2(f)に示すように、電極32を所定の位置
まで上昇させ、図2(g)に示すように、下パンチ22
を上昇させ溶接済みの複合ペレット5を排出して、タン
タル線の溶接を完了する。
【0023】最後に、ダイから取り出した複合ペレット
5を真空中で、温度1600℃,時間30分間の条件で
焼結して(図1、ステップS7)、本実施の形態のタン
タル陽極体を得る。
5を真空中で、温度1600℃,時間30分間の条件で
焼結して(図1、ステップS7)、本実施の形態のタン
タル陽極体を得る。
【0024】本実施の形態においては、複合ペレットへ
のタンタル線の溶接に際し、複合ペレット5の周囲をダ
イ21で保持しているので、複合ペレット5の機械的強
度が低くても、これにクラックや欠け或いは割れを発生
させることなくタンタル線2の溶接が可能である。従っ
て、タンタル陽極体の製造に当って焼結作業は、タンタ
ル線溶接後の一回だけで良い。
のタンタル線の溶接に際し、複合ペレット5の周囲をダ
イ21で保持しているので、複合ペレット5の機械的強
度が低くても、これにクラックや欠け或いは割れを発生
させることなくタンタル線2の溶接が可能である。従っ
て、タンタル陽極体の製造に当って焼結作業は、タンタ
ル線溶接後の一回だけで良い。
【0025】本発明者は、本実施の形態により得たタン
タル陽極体およびこれを用いて製造したコンデンサと、
図5に示す従来の製造方法により得たタンタル陽極体お
よびこれを用いて製造したコンデンサについて、酸素含
有量および漏れ電流を比較した。その結果を、表1に示
す。
タル陽極体およびこれを用いて製造したコンデンサと、
図5に示す従来の製造方法により得たタンタル陽極体お
よびこれを用いて製造したコンデンサについて、酸素含
有量および漏れ電流を比較した。その結果を、表1に示
す。
【0026】
【表1】
【0027】表1を参照すると、本実施の形態によるタ
ンタル固体電解コンデンサの漏れ電流は、従来の製造方
法によるコンデンサの漏れ電流の約1/2.5に激減し
ている。これは、本実施の形態によるタンタル陽極体の
酸素含有量が、従来の製造方法によるタンタル陽極体の
酸素含有量の約60%に減じていることによるものであ
ると考えられる。
ンタル固体電解コンデンサの漏れ電流は、従来の製造方
法によるコンデンサの漏れ電流の約1/2.5に激減し
ている。これは、本実施の形態によるタンタル陽極体の
酸素含有量が、従来の製造方法によるタンタル陽極体の
酸素含有量の約60%に減じていることによるものであ
ると考えられる。
【0028】尚、本発明の実施の形態において、高密度
焼結領域2Aの直径は、タンタル線3の直径の4〜5倍
程度であるのが適当であり、又、タンタル陽極体1の直
径の1/4以上1/2以下であるのが望ましいことが分
った。
焼結領域2Aの直径は、タンタル線3の直径の4〜5倍
程度であるのが適当であり、又、タンタル陽極体1の直
径の1/4以上1/2以下であるのが望ましいことが分
った。
【0029】尚また、本実施の形態においては、高密度
焼結領域2Aの形状を円柱とした例について述べたが、
角柱あるいは球形であっても良いことは、明かであろ
う。また、低密度焼結領域2Bも円柱に限らず、角柱で
あっても良い。
焼結領域2Aの形状を円柱とした例について述べたが、
角柱あるいは球形であっても良いことは、明かであろ
う。また、低密度焼結領域2Bも円柱に限らず、角柱で
あっても良い。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のタンタル
陽極体の製造方法では、高密度ペレットを含む低密度ぺ
レットからなる複合ペレットをダイ中に保持したまま、
タンタル線の溶接を行う。これにより本発明によれば、
従来、複合ペレットに機械的強度を与えるために行って
いた焼結作業を省き、溶接により生じる不純物層のクリ
ーニングのための焼結の一度に減じ、陽極体中の酸素含
有量を低下させることができるので、コンデンサの漏れ
電流特性を改善できる。
陽極体の製造方法では、高密度ペレットを含む低密度ぺ
レットからなる複合ペレットをダイ中に保持したまま、
タンタル線の溶接を行う。これにより本発明によれば、
従来、複合ペレットに機械的強度を与えるために行って
いた焼結作業を省き、溶接により生じる不純物層のクリ
ーニングのための焼結の一度に減じ、陽極体中の酸素含
有量を低下させることができるので、コンデンサの漏れ
電流特性を改善できる。
【0031】又、生産性を向上させることができる。
【図1】本発明の製造方法を説明するための、製造工程
のフローチャート図である。
のフローチャート図である。
【図2】一実施の形態によるタンタル陽極体の断面を、
製造工程順に示す図である。
製造工程順に示す図である。
【図3】一実施の形態によるタンタル陽極体の断面を製
造工程順に示す図であって、図2に続く工程における断
面を示す図である。
造工程順に示す図であって、図2に続く工程における断
面を示す図である。
【図4】タンタル線を溶接により固着した構造のタンタ
ル陽極体であって、低密度焼結領域と高密度焼結領域と
を備えるタンタル陽極体の断面を示す図である。
ル陽極体であって、低密度焼結領域と高密度焼結領域と
を備えるタンタル陽極体の断面を示す図である。
【図5】従来のタンタル陽極体の製造方法を説明するた
めの、製造工程のフローチャート図である。
めの、製造工程のフローチャート図である。
【図6】従来の製造方法によるタンタル陽極体の断面を
製造工程順に示す図である。
製造工程順に示す図である。
【図7】従来の製造方法によるタンタル陽極体の断面を
製造工程順に示す図であって、図6に続く工程における
断面を示す図である。
製造工程順に示す図であって、図6に続く工程における
断面を示す図である。
1 タンタル陽極体 2 焼結体 2A 高密度焼結領域 2B 低密度焼結領域 3 タンタル線 4 溶接部 5 成形体 5A 高密度ペレット 5B 低密度ペレット 11,21 ダイ 12,22 下パンチ 13,23 上パンチ 14,24 タンタル粉末 31,32 溶接電極
Claims (1)
- 【請求項1】 相対的に低密度の多孔質タンタル中に、
相対的に高密度の多孔質タンタルが前記低密度の多孔質
タンタルから一部露出するように埋め込まれた構造のタ
ンタル焼結体と、前記高密度の多孔質タンタルの露出表
面に溶接されたタンタル線とを含むタンタル陽極体を製
造する方法であって、予めタンタル粉末を加圧成形して
前記高密度の多孔質タンタルとなるべき第1の成形体を
形成する工程と、タンタル粉末を加圧成形して前記タン
タル焼結体となるべき、内部に前記第1の成形体が埋め
込まれた第2の成形体を形成する工程と、その第2の成
形体中に埋め込まれた第1の成形体の前記露出表面に前
記タンタル線を溶接する工程と、前記タンタル線溶接後
の第2の成形体を焼結する工程とを含むタンタル陽極体
の製造方法において、 前記第2の成形体の形成工程では、加圧成形の外型とな
るダイの型穴中に、タンタル粉末と前記予め形成した第
1の成形体とを、その第1の成形体がタンタル粉末中に
埋め込まれるように充填した後、押型部品のパンチで加
圧することにより前記第2の成形体を形成した後、その
形成された第2の成形体をそのまま前記ダイ中に保持す
ると共に、 前記タンタル線の溶接工程では、前記第2の成形体をダ
イ中に保持した状態で前記第1の成形体の露出表面にタ
ンタル線を溶接することにより、 タンタル陽極体の製造に際して実施すべき焼結が一回で
あるようにしたことを特徴とするタンタル陽極体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25155995A JP2792480B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | タンタル陽極体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25155995A JP2792480B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | タンタル陽極体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997752A true JPH0997752A (ja) | 1997-04-08 |
| JP2792480B2 JP2792480B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=17224625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25155995A Expired - Lifetime JP2792480B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | タンタル陽極体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792480B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010186A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ用陽極素子、およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25155995A patent/JP2792480B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010186A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ用陽極素子、およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792480B2 (ja) | 1998-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980519 |