JPH10104814A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH10104814A JPH10104814A JP25626996A JP25626996A JPH10104814A JP H10104814 A JPH10104814 A JP H10104814A JP 25626996 A JP25626996 A JP 25626996A JP 25626996 A JP25626996 A JP 25626996A JP H10104814 A JPH10104814 A JP H10104814A
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- JP
- Japan
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- pattern
- area
- file
- device pattern
- mask
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はマスク露光及び露光データに関
し、大容量化に対処する露光方法及び露光データの作成
方法を確立する。 【解決手段】 フォトレジストのポジ型或いはネガ型
を共有に使用可能なマスクの製造方法において、マスク
に露光する露光データ１を分割し、該露光データ１中に
未露光領域を画定するブランキングパターン８を配置す
る。
し、大容量化に対処する露光方法及び露光データの作成
方法を確立する。 【解決手段】 フォトレジストのポジ型或いはネガ型
を共有に使用可能なマスクの製造方法において、マスク
に露光する露光データ１を分割し、該露光データ１中に
未露光領域を画定するブランキングパターン８を配置す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスク露光及びそれ
に用いる露光データの作成方法に関する。近年のマスク
製造工程には、微細パターンの解像や、高精度な寸法要
求が必須であり、そのため使用されるポジ型やネガ型の
フォトレジストの特性を有効に活用し、所望のマスク製
品を作成する必要がある。
に用いる露光データの作成方法に関する。近年のマスク
製造工程には、微細パターンの解像や、高精度な寸法要
求が必須であり、そのため使用されるポジ型やネガ型の
フォトレジストの特性を有効に活用し、所望のマスク製
品を作成する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来例の説明図である。図におい
て、１は露光データ、２はデバイスパターン領域、３は
デバイスパターン、４は周辺パターン領域、５は周辺パ
ターン、30は遮光パターン、31は装置位置合わせパター
ンである。
て、１は露光データ、２はデバイスパターン領域、３は
デバイスパターン、４は周辺パターン領域、５は周辺パ
ターン、30は遮光パターン、31は装置位置合わせパター
ンである。
【０００３】従来のマスク製造でのフォトレジスト対応
方法として、１ファイルに作成された露光データを露光
装置に配置させ、露光焼付けを行う他、必要により、露
光時に露光ビームの出力コントロール等による白黒反転
を行い、マスクの作成を行っていた。
方法として、１ファイルに作成された露光データを露光
装置に配置させ、露光焼付けを行う他、必要により、露
光時に露光ビームの出力コントロール等による白黒反転
を行い、マスクの作成を行っていた。
【０００４】この場合、図８（ａ）に示した露光データ
１において、１ファイルに作成された露光データ１を露
光装置に配置させる場合、露光に使用される周辺パター
ン領域４内の周辺パターン５のデータならびにデバイス
パターン領域２内のデバイスパターン３等を全部１ファ
イルにまとめる必要がある。
１において、１ファイルに作成された露光データ１を露
光装置に配置させる場合、露光に使用される周辺パター
ン領域４内の周辺パターン５のデータならびにデバイス
パターン領域２内のデバイスパターン３等を全部１ファ
イルにまとめる必要がある。
【０００５】先ず、レチクル作成を例にあげれば、一つ
のレチクルを作成する場合、半導体ウェーハ内の１チッ
プ内の半導体素子を構成するデバイスパターン３の他
に、１チップの周縁を形成するスクライブライン上に存
在し得る装置位置合わせパターン31や特性モニターパタ
ーンの他、マスクやレチクルを用いた露光時のチップ領
域以外を遮蔽する遮光パターン30や露光装置にマスクや
レチクルを装填する際の位置決めに用いる装置位置合わ
せパターン31が実際のデバイスパターン３の周囲に作成
され、それらのデバイスパターン３以外を総称して周辺
パターン５と称し、これらの１ファイルに全部治められ
る。
のレチクルを作成する場合、半導体ウェーハ内の１チッ
プ内の半導体素子を構成するデバイスパターン３の他
に、１チップの周縁を形成するスクライブライン上に存
在し得る装置位置合わせパターン31や特性モニターパタ
ーンの他、マスクやレチクルを用いた露光時のチップ領
域以外を遮蔽する遮光パターン30や露光装置にマスクや
レチクルを装填する際の位置決めに用いる装置位置合わ
せパターン31が実際のデバイスパターン３の周囲に作成
され、それらのデバイスパターン３以外を総称して周辺
パターン５と称し、これらの１ファイルに全部治められ
る。
【０００６】また、メモリ素子のように膨大なセル領域
を擁している場合、複数のセルブロックに分割されてお
り、れのようなデバイスパターン３のセルブロックは原
則として同一形状のデバイスパターン３であるが、全部
を露光データ１に収容するため、データの増大が著し
い。
を擁している場合、複数のセルブロックに分割されてお
り、れのようなデバイスパターン３のセルブロックは原
則として同一形状のデバイスパターン３であるが、全部
を露光データ１に収容するため、データの増大が著し
い。
【０００７】例えば、図８（ｂ）に示すように露光デー
タ１のマスクパターン内にセルブロック等のデバイスパ
ターン３が２×２の配置で４個存在する場合には露光装
置に配置する１ファイルにまとめられたデータは今まで
の周辺パターン５と個々のデバイスパターン３を合わせ
たデータの４倍程に増大してしまう。
タ１のマスクパターン内にセルブロック等のデバイスパ
ターン３が２×２の配置で４個存在する場合には露光装
置に配置する１ファイルにまとめられたデータは今まで
の周辺パターン５と個々のデバイスパターン３を合わせ
たデータの４倍程に増大してしまう。
【０００８】更に、デバイスパターン３中に、例えば図
８（ｃ）に示すような配線パターン等、０度、45度、90
度以外の任意角を有する形状のデバイスパターン３があ
る場合には任意角の斜辺32の線分を直角、つまり９０度
角の連続した微細な階段状の斜辺近似階段状パターン33
に近似変換（又はビットマップ変換）を行うため、１フ
ァイルにまとめられるデバイスパターン３のデータが多
い程、露光データ量も幾何級数的に増大する。
８（ｃ）に示すような配線パターン等、０度、45度、90
度以外の任意角を有する形状のデバイスパターン３があ
る場合には任意角の斜辺32の線分を直角、つまり９０度
角の連続した微細な階段状の斜辺近似階段状パターン33
に近似変換（又はビットマップ変換）を行うため、１フ
ァイルにまとめられるデバイスパターン３のデータが多
い程、露光データ量も幾何級数的に増大する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この従来方法の欠点と
して、露光に必要なデータを１ファイルとして露光装置
のディスク上に配置させる必要があるため、露光装置の
ディスクを更に大容量化させる問題があった。
して、露光に必要なデータを１ファイルとして露光装置
のディスク上に配置させる必要があるため、露光装置の
ディスクを更に大容量化させる問題があった。
【００１０】本発明は、以上の点を鑑み、大容量化に対
処する露光方法及び露光データの作成方法を確立するこ
とを目的として提供されるものである。
処する露光方法及び露光データの作成方法を確立するこ
とを目的として提供されるものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、本発明のブランキングパターンを用いた原理
動作フロー、図２は本発明の周辺パターンとデバイスパ
ターンを収容したファイルの組み合わせを示した図であ
る。
図であり、本発明のブランキングパターンを用いた原理
動作フロー、図２は本発明の周辺パターンとデバイスパ
ターンを収容したファイルの組み合わせを示した図であ
る。
【００１２】図において、１は露光データ、２はデバイ
スパターン領域、３はデバイスパターン、４は周辺パタ
ーン領域、５は周辺パターン、６は周辺パターンファイ
ル、７はブランキング領域、８はブランキングパター
ン、９は対ブランキング有効領域、10はデバイスパター
ンファイルである。
スパターン領域、３はデバイスパターン、４は周辺パタ
ーン領域、５は周辺パターン、６は周辺パターンファイ
ル、７はブランキング領域、８はブランキングパター
ン、９は対ブランキング有効領域、10はデバイスパター
ンファイルである。
【００１３】図１（ａ）は設計データより作成される露
光データ１の分割方法で、半導体素子を形成するデバイ
スパターン３のあるデバイスパターン領域２と、スクラ
イブ領域やその中に必要に応じて作成される位置合わせ
パターンやモニターパターン、更にスクライブ領域周縁
の遮光パターンやレチクル・マスクの露光装置への位置
決めパターン等の周辺パターン５を総括する周辺パター
ン領域４とに分割する。
光データ１の分割方法で、半導体素子を形成するデバイ
スパターン３のあるデバイスパターン領域２と、スクラ
イブ領域やその中に必要に応じて作成される位置合わせ
パターンやモニターパターン、更にスクライブ領域周縁
の遮光パターンやレチクル・マスクの露光装置への位置
決めパターン等の周辺パターン５を総括する周辺パター
ン領域４とに分割する。
【００１４】ここで、図中の露光データを、図１（ｂ）
に示すブランキングパターンファイル６とデバイスパタ
ーンファイル10とに分割し、分割された周辺パターンフ
ァイル６中にデバイスパターン領域２の未露光領域をコ
ントロールするためのブランキング領域７としてブラン
キングパターン８を発生させる。
に示すブランキングパターンファイル６とデバイスパタ
ーンファイル10とに分割し、分割された周辺パターンフ
ァイル６中にデバイスパターン領域２の未露光領域をコ
ントロールするためのブランキング領域７としてブラン
キングパターン８を発生させる。
【００１５】この時、周辺パターンファイル６の中で
は、ブランキングパターンなし（図１（ｂ）左図）と本
発明のブランキングパターンあり（図１（ｂ）右図）を
配置させ、露光データ１の準備を完了する。
は、ブランキングパターンなし（図１（ｂ）左図）と本
発明のブランキングパターンあり（図１（ｂ）右図）を
配置させ、露光データ１の準備を完了する。
【００１６】次いで、図１で作成された露光データ１を
使用し、図２に示す本発明のデバイスパターンファイル
と周辺パターンファイルの組み合わせを示した表に従っ
て、周辺パターンファイル６からデバイスパターンファ
イルの10順で露光を行い焼付けを完了する。
使用し、図２に示す本発明のデバイスパターンファイル
と周辺パターンファイルの組み合わせを示した表に従っ
て、周辺パターンファイル６からデバイスパターンファ
イルの10順で露光を行い焼付けを完了する。
【００１７】これにより、ネガ型或いはポジ型のフォト
レジストのタイプに関係なく露光を行うことが出来る。
また、本発明の露光方法により、露光データ１の分割が
可能となり、露光装置のディスク上に配置させる露光デ
ータ量を減少させることができ、従来の問題点を解決す
ることができる。
レジストのタイプに関係なく露光を行うことが出来る。
また、本発明の露光方法により、露光データ１の分割が
可能となり、露光装置のディスク上に配置させる露光デ
ータ量を減少させることができ、従来の問題点を解決す
ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図３は本発明の第一の実施例の説
明図であり、ＭＯＳメモリのセルアレイ等の繰り返しパ
ターンのブランキング発生方法である。図４は本発明の
第二の実施例の説明図であり、デバイスパターン以外の
周縁パターンがある場合の周辺パターン領域へのデバイ
スパターン領域のブランキング発生方法である。図５は
本発明の第三の実施例の説明図であり、第二の実施例の
繰り返しパターンが複数種類存在する場合のブランキン
グ発生方法である。図６は本発明の第四の実施例の説明
図であり、セルアレイ領域の繰り返しパターンに通常パ
ターンが接触している場合のブランキング発生方法であ
る。そして、図７は本発明の露光装置のシステム構成を
示す図である。
明図であり、ＭＯＳメモリのセルアレイ等の繰り返しパ
ターンのブランキング発生方法である。図４は本発明の
第二の実施例の説明図であり、デバイスパターン以外の
周縁パターンがある場合の周辺パターン領域へのデバイ
スパターン領域のブランキング発生方法である。図５は
本発明の第三の実施例の説明図であり、第二の実施例の
繰り返しパターンが複数種類存在する場合のブランキン
グ発生方法である。図６は本発明の第四の実施例の説明
図であり、セルアレイ領域の繰り返しパターンに通常パ
ターンが接触している場合のブランキング発生方法であ
る。そして、図７は本発明の露光装置のシステム構成を
示す図である。
【００１９】図において、１は露光データ、２はデバイ
スパターン領域、３はデバイスパターン、４は周辺パタ
ーン領域、５は周辺パターン、６は周辺パターンファイ
ル、７はブランキング領域、８はブランキングパター
ン、９は対ブランキング有効領域、10はデバイスパター
ンファイル、11はデバイスパターン親ファイル、12はデ
バイスパターン子ファイル、13は繰り返しデバイスパタ
ーン、14は繰り返しデバイスパターン領域、15は耐湿リ
ングパターン、16はスクライブライン領域、17はスクラ
イブライン、18は通常デバイスパターン、19は繰り返し
デバイスパターン、20はセルアレイ領域、21はセルアレ
イ繰り返しデバイスパターン、22はセルアレイ領域ファ
イル、23はパターンフィット領域、24は繰り返しパター
ンファイル、25はセルアレイ領域ブランキングパター
ン、26は繰り返しパターン領域ブランキングパターン、
27はパターン接触部、28は子ファイル移行パターン、29
は削除パターンである。
スパターン領域、３はデバイスパターン、４は周辺パタ
ーン領域、５は周辺パターン、６は周辺パターンファイ
ル、７はブランキング領域、８はブランキングパター
ン、９は対ブランキング有効領域、10はデバイスパター
ンファイル、11はデバイスパターン親ファイル、12はデ
バイスパターン子ファイル、13は繰り返しデバイスパタ
ーン、14は繰り返しデバイスパターン領域、15は耐湿リ
ングパターン、16はスクライブライン領域、17はスクラ
イブライン、18は通常デバイスパターン、19は繰り返し
デバイスパターン、20はセルアレイ領域、21はセルアレ
イ繰り返しデバイスパターン、22はセルアレイ領域ファ
イル、23はパターンフィット領域、24は繰り返しパター
ンファイル、25はセルアレイ領域ブランキングパター
ン、26は繰り返しパターン領域ブランキングパターン、
27はパターン接触部、28は子ファイル移行パターン、29
は削除パターンである。
【００２０】本発明の第一の実施例を図３により説明す
る。ＭＯＳメモリのセルアレイ等の繰り返しパターンの
ブランキング配置方法は、図３（ａ）に示すような設計
データから得られた露光データ１を図３（ｃ）に示すよ
うなデバイスパターンファイル10と図３（ｂ）に示すよ
うな周辺パターンファイルに分割する。
る。ＭＯＳメモリのセルアレイ等の繰り返しパターンの
ブランキング配置方法は、図３（ａ）に示すような設計
データから得られた露光データ１を図３（ｃ）に示すよ
うなデバイスパターンファイル10と図３（ｂ）に示すよ
うな周辺パターンファイルに分割する。
【００２１】本項目では、デバイスパターンファイル10
をデバイスパターン親ファイル11として、更にセルアレ
イのような繰り返しデバイスパターン13をデバイスパタ
ーン子ファイル12として繰り返しデバイスパターン13の
数のデバイスパターン子ファイル12に分割し、デバイス
パターン親ファイル11と複数のデバイスパターン子ファ
イル12を造る。そして、分割されたデバイスパターン親
ファイル11中に繰り返しデバイスパターン領域14の未露
光領域をコントロールするためのブランキングパターン
８を発生させる。
をデバイスパターン親ファイル11として、更にセルアレ
イのような繰り返しデバイスパターン13をデバイスパタ
ーン子ファイル12として繰り返しデバイスパターン13の
数のデバイスパターン子ファイル12に分割し、デバイス
パターン親ファイル11と複数のデバイスパターン子ファ
イル12を造る。そして、分割されたデバイスパターン親
ファイル11中に繰り返しデバイスパターン領域14の未露
光領域をコントロールするためのブランキングパターン
８を発生させる。
【００２２】この時、デバイスパターン親ファイル11中
では繰り返しデバイスパターン13の有無により、ブラン
キングパターン有りとブランキングパターン無しを配置
させ、露光データ１の準備をする。
では繰り返しデバイスパターン13の有無により、ブラン
キングパターン有りとブランキングパターン無しを配置
させ、露光データ１の準備をする。
【００２３】そして、図３で作成された露光データ１を
使用し、前述の図２に示す表に従って周辺パターンファ
イル６、デバイスパターン親ファイル11、デバイスパタ
ーン子ファイル12の順で露光焼付けを完了させる。
使用し、前述の図２に示す表に従って周辺パターンファ
イル６、デバイスパターン親ファイル11、デバイスパタ
ーン子ファイル12の順で露光焼付けを完了させる。
【００２４】このように、デバイスパターンファイル10
内で本発明の処理を行うことにより、更なる露光データ
１の分割が可能となり、繰り返しデバイスパターン13の
数の多い程、露光装置のディスク上に配置する露光デー
タ量を大幅に減少させることができることとなる。
内で本発明の処理を行うことにより、更なる露光データ
１の分割が可能となり、繰り返しデバイスパターン13の
数の多い程、露光装置のディスク上に配置する露光デー
タ量を大幅に減少させることができることとなる。
【００２５】次に本発明の第二の実施例を図４により説
明する。
明する。
【００２６】図４はデバイスパターン領域の周辺パター
ンファイル中へのブランキング発生方法である。図４
（ａ）に示すように、デバイスパターン３と周辺パター
ンであるスクライブ領域・との間にモニターパターンや
耐湿リングパターン15のような、いずれにも属さない
か、いずれにも属する可能性のあるパターンが設計デー
タや露光データ中に存在する場合、いずれにしても、デ
バイスパターン領域と周辺パターン領域とのはっきりし
た切り分けが必要となる。
ンファイル中へのブランキング発生方法である。図４
（ａ）に示すように、デバイスパターン３と周辺パター
ンであるスクライブ領域・との間にモニターパターンや
耐湿リングパターン15のような、いずれにも属さない
か、いずれにも属する可能性のあるパターンが設計デー
タや露光データ中に存在する場合、いずれにしても、デ
バイスパターン領域と周辺パターン領域とのはっきりし
た切り分けが必要となる。
【００２７】その場合、ａ＝ブランキング有効エリア＝
パターン切りわけとする。このａの決定方法は、設計デ
ータや露光データ上に別途入力する切り分け専用のエリ
アラインデータのものを使用するか、若しくは、図に示
す露光データの場合では、耐湿リングパターン15、又は
スクライブ領域・上のチップ領域認識パターンの外測部
からスクライブライン17の内側で一番近いワイヤボンデ
ィングパターン（電極パッド）、又はデバイスパターン
までの間でパターンシフト量を加味し、任意に設定を行
う。
パターン切りわけとする。このａの決定方法は、設計デ
ータや露光データ上に別途入力する切り分け専用のエリ
アラインデータのものを使用するか、若しくは、図に示
す露光データの場合では、耐湿リングパターン15、又は
スクライブ領域・上のチップ領域認識パターンの外測部
からスクライブライン17の内側で一番近いワイヤボンデ
ィングパターン（電極パッド）、又はデバイスパターン
までの間でパターンシフト量を加味し、任意に設定を行
う。
【００２８】図４に示した実施例では、耐湿リングパタ
ーン15の内測部でａを設定して分割し、デバイスパター
ン領域中のブランキングパターン８とは別個に周辺パタ
ーンファイル中へブランキングパターン８を発生したも
のである。
ーン15の内測部でａを設定して分割し、デバイスパター
ン領域中のブランキングパターン８とは別個に周辺パタ
ーンファイル中へブランキングパターン８を発生したも
のである。
【００２９】次に、本発明の第三の実施例として、ＭＯ
Ｓメモリのセルアレイ等の繰り返しパターン部のデバイ
スパターン親ファイル中へのブランキング発生方法につ
いて、図５により説明する。
Ｓメモリのセルアレイ等の繰り返しパターン部のデバイ
スパターン親ファイル中へのブランキング発生方法につ
いて、図５により説明する。
【００３０】ＭＯＳメモリのように多数のセルアレイが
整然と繰り返して配置されているパターンの場合には、
先ず、デバイスパターン親ファイルとデバイスパターン
子ファイルとに露光データの分割を行う。この場合、ｂ
＝ブランキング有効エリア＝パターン部の切り分けとす
る。
整然と繰り返して配置されているパターンの場合には、
先ず、デバイスパターン親ファイルとデバイスパターン
子ファイルとに露光データの分割を行う。この場合、ｂ
＝ブランキング有効エリア＝パターン部の切り分けとす
る。
【００３１】この決定方法は、露光データ上に別途入力
する切り分け専用のエリアラインデータのものを使用す
るか、若しくは図に示す設計データでは、通常、パター
ンの近接部からセルアレイ配置領域内のデバイスパター
ンのパターンフィット領域（パターン突起部を最外周と
する四角形の領域を示す）までの間でパターンシフト量
を加味し、任意に設定を行う。
する切り分け専用のエリアラインデータのものを使用す
るか、若しくは図に示す設計データでは、通常、パター
ンの近接部からセルアレイ配置領域内のデバイスパター
ンのパターンフィット領域（パターン突起部を最外周と
する四角形の領域を示す）までの間でパターンシフト量
を加味し、任意に設定を行う。
【００３２】次に、本発明の第四の実施例を図６により
説明する。図６（ａ）に示すように、デバイスパターン
親ファイル11中には通常パターン11の他にセルアレイ領
域ブランキングパターン25と繰り返しパターン領域ブラ
ンキングパターン26の二種類のブランキングパターンを
有する場合がある。
説明する。図６（ａ）に示すように、デバイスパターン
親ファイル11中には通常パターン11の他にセルアレイ領
域ブランキングパターン25と繰り返しパターン領域ブラ
ンキングパターン26の二種類のブランキングパターンを
有する場合がある。
【００３３】そして、図６（ｂ）は通常デバイスパター
ン18がセルアレイ領域子ファイル22上に侵入して、セル
アレイ領域子ファイル22内のセルアレイ繰り返しデバイ
スパターン21に接触している場合の、パターン処理方法
である。
ン18がセルアレイ領域子ファイル22上に侵入して、セル
アレイ領域子ファイル22内のセルアレイ繰り返しデバイ
スパターン21に接触している場合の、パターン処理方法
である。
【００３４】繰り返しデバイスパターンが存在し、デバ
イスパターン親ファイルとデバイスパターン子ファイル
に分割される場合、例外として左図のように、デバイス
パターン親ファイル中の通常パターンがデバイスパター
ン子ファイルに侵入し、デバイスパターン子ファイル内
の繰り返しデバイスパターンに接触している場合が考え
られる。
イスパターン親ファイルとデバイスパターン子ファイル
に分割される場合、例外として左図のように、デバイス
パターン親ファイル中の通常パターンがデバイスパター
ン子ファイルに侵入し、デバイスパターン子ファイル内
の繰り返しデバイスパターンに接触している場合が考え
られる。
【００３５】この場合は、図６（ｂ）に示すように、対
ブランキング有効領域内で通常パターン18を切断し、デ
バイスパターン子ファイル中にそのパターンを移行す
る。そして、このパターンを含んだデバイスパターン子
ファイルは新規に登録され、デバイスパターン子ファイ
ルの新規の配置座標、デバイスパターン親ファイル11上
の配置座標とも、デバイスパターン子ファイルの旧子フ
ァイルとは差別される。
ブランキング有効領域内で通常パターン18を切断し、デ
バイスパターン子ファイル中にそのパターンを移行す
る。そして、このパターンを含んだデバイスパターン子
ファイルは新規に登録され、デバイスパターン子ファイ
ルの新規の配置座標、デバイスパターン親ファイル11上
の配置座標とも、デバイスパターン子ファイルの旧子フ
ァイルとは差別される。
【００３６】これは、ファイル分割を行った場合の侵入
する通常パターンの消滅を回復する機能を持たせたもの
である。最後に、本発明に用いる露光装置のシステム構
成について説明する。
する通常パターンの消滅を回復する機能を持たせたもの
である。最後に、本発明に用いる露光装置のシステム構
成について説明する。
【００３７】設計データより得られた露光データにおい
て、デバイスパターンファイル等の中にブランキングが
必要な場合には、図７に示す装置のブランキング発生情
報Ａの中に所要のブランキング領域の画定、ブラン
キング配置座標指示、パターン白黒判定状況、露光
するレジストのポジ型・ネガ型の指定等を入力し、露光
データＢにはメインデータ（通常デバイスパターン
等）、周辺データ（周辺パターン等）、繰り返しデ
ータ（繰り返しパターン等）を入力し、Ａの情報を元に
Ｂの露光データのデータの変更や削除を行い、露光コン
トロールシステムで露光データのコントロールを行う。
そして、このコントロール指令により電子ビーム露光装
置等を用いてガラスマスク或いはレチクル等の露光焼付
Ｄの操作を行う。
て、デバイスパターンファイル等の中にブランキングが
必要な場合には、図７に示す装置のブランキング発生情
報Ａの中に所要のブランキング領域の画定、ブラン
キング配置座標指示、パターン白黒判定状況、露光
するレジストのポジ型・ネガ型の指定等を入力し、露光
データＢにはメインデータ（通常デバイスパターン
等）、周辺データ（周辺パターン等）、繰り返しデ
ータ（繰り返しパターン等）を入力し、Ａの情報を元に
Ｂの露光データのデータの変更や削除を行い、露光コン
トロールシステムで露光データのコントロールを行う。
そして、このコントロール指令により電子ビーム露光装
置等を用いてガラスマスク或いはレチクル等の露光焼付
Ｄの操作を行う。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光装置に配置する露光データに関して、特にＭＯＳメ
モリのセルブロック等の繰り返しパターンが膨大になる
程、露光データを大幅に減少でき、また各ファイルの任
意の組み合わせ選択により、ポジ型、ネガ型のフォトレ
ジストいずれへも容易に対応したマスク露光が行え、高
集積、超微細、大規模パターンのマスク露光の効率化に
寄与するところが大きい。
露光装置に配置する露光データに関して、特にＭＯＳメ
モリのセルブロック等の繰り返しパターンが膨大になる
程、露光データを大幅に減少でき、また各ファイルの任
意の組み合わせ選択により、ポジ型、ネガ型のフォトレ
ジストいずれへも容易に対応したマスク露光が行え、高
集積、超微細、大規模パターンのマスク露光の効率化に
寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明のパターン組み合わせ図
【図３】 本発明の第一の実施例の説明図
【図４】 本発明の第二の実施例の説明図
【図５】 本発明の第三の実施例の説明図
【図６】 本発明の第四の実施例の説明図
【図７】 本発明のシステム構成図
【図８】 従来例の説明図
図において １ 露光データ ２ デバイスパターン領域 ３ デバイスパターン ４ 周辺パターン領域 ５ 周辺パターン ６ 周辺パターンファイル ７ ブランキング領域 ８ ブランキングパターン ９ 対ブランキング有効領域 10 デバイスパターンファイル 11 デバイスパターン親ファイル 12 デバイスパターン子ファイル 13 繰り返しデバイスパターン 14 繰り返しデバイスパターン領域 15 耐湿リングパターン 16 スクライブライン領域 17 スクライブライン 18 通常デバイスパターン 19 繰り返しデバイスパターン 20 セルアレイ領域 21 セルアレイ繰り返しデバイスパターン 22 セルアレイ領域ファイル 23 パターンフィット領域 24 繰り返しパターンファイル 25 セルアレイ領域ブランキングパターン 26 繰り返しパターン領域ブランキングパターン 27 パターン接触部 28 子ファイル移行パターン 29 削除パターン
Claims (7)
- 【請求項１】 フォトレジストのポジ型或いはネガ型
を共有に使用可能なマスクの製造方法において、マスク
に露光する露光データを分割し、該露光データ中に、未
露光領域を画定するブランキングパターンを配置する工
程を含むことを特徴とするマスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記露光データをデバイスパターン領
域を含むデバイスパターンファイルと、スクライブ領域
及びその周縁領域を含む周辺パターンファイルに分割
し、且つ該デバイスパターン領域の未露光領域を画定す
るブランキングパターンを配置することを特徴とする請
求項１記載のマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記ブランキングパターンを前記デバ
イスパターンファイル中に発生させるか否かを前記フォ
トレジストがポジ型かネガ型かによって判断することを
特徴とする請求項２記載のマスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記デバイスパターン領域内に複数の
同一デバイスパターン或いは繰り返しデバイスパターン
があるとき、前記デバイスパターンファイルを同一デバ
イスパターンまたは繰り返しデバイスパターンの一つを
デバイスパターンの子ファイルとし、前記デバイスパタ
ーンの親ファイルから階層化分割することを特徴とする
請求項１記載のマスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記デバイスパターンの親ファイル中
に前記デバイスパターンの子ファイル領域を覆う複数の
前記ブランキングパターンを発生させることを特徴とす
る請求項４記載のマスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記繰り返しデバイスパターン領域に
前記繰り返しパターン以外のパターンが侵入ときには、
繰り返しデバイスパターン領域を分離し、新たなデバイ
スパターンの子ファイルを発生させることを特徴とする
請求項４記載のマスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記ブランキングパターンファイルの
使用情報と前記デバイスパターンファイルの反転情報に
よって、露光データを変換或いは削除することを特徴と
するマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25626996A JPH10104814A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25626996A JPH10104814A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104814A true JPH10104814A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17290307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25626996A Pending JPH10104814A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10104814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546956B1 (ko) * | 1998-08-26 | 2006-02-01 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 노광 데이터 작성 방법 |
| WO2008111198A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | フォトマスク |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244740A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-26 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH02139911A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Fujitsu Ltd | レチクル作成方法 |
| JPH04177347A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-24 | Nec Yamaguchi Ltd | 縮小投影露光機用レチクル |
| JPH06301197A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-10-28 | Texas Instr Inc <Ti> | 大規模な型を写真食刻するためのレティクル並びに方法 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25626996A patent/JPH10104814A/ja active Pending
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