JPH10107436A - プリント配線板とその製造方法 - Google Patents
プリント配線板とその製造方法Info
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっきレジストと導体回路との密着性および
ヒートサイクル特性等の信頼性に優れたプリント配線板
と、このプリント配線板を有利に製造する方法を提案す
ること。 【解決手段】 基板1上に形成された樹脂絶縁層3,4
の表面に、めっきレジスト6を介してめっきレジスト非
形成部分に導体回路7を設けてなるプリント配線板にお
いて、前記めっきレジスト6は導体回路7と接触するそ
の側壁部が粗面化され、かつその粗面化された側壁部に
はめっき用触媒核10が付与されていることを特徴とする
プリント配線板であり、無電解めっきによる前記導体回
路7の形成に当たっては、めっきレジスト6の側壁部を
含む表面を粗面化し、このめっきレジスト6の表面を含
む基板表面全体にめっき用触媒核10を付与して無電解め
っきを施した後、めっきレジスト6上の導体パターン非
形成面に析出した無電解めっき膜を除去する、ことを特
徴とする。
ヒートサイクル特性等の信頼性に優れたプリント配線板
と、このプリント配線板を有利に製造する方法を提案す
ること。 【解決手段】 基板1上に形成された樹脂絶縁層3,4
の表面に、めっきレジスト6を介してめっきレジスト非
形成部分に導体回路7を設けてなるプリント配線板にお
いて、前記めっきレジスト6は導体回路7と接触するそ
の側壁部が粗面化され、かつその粗面化された側壁部に
はめっき用触媒核10が付与されていることを特徴とする
プリント配線板であり、無電解めっきによる前記導体回
路7の形成に当たっては、めっきレジスト6の側壁部を
含む表面を粗面化し、このめっきレジスト6の表面を含
む基板表面全体にめっき用触媒核10を付与して無電解め
っきを施した後、めっきレジスト6上の導体パターン非
形成面に析出した無電解めっき膜を除去する、ことを特
徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板と
その製造方法に関し、特に、めっきレジストと導体回路
との密着性およびヒートサイクル特性等の信頼性に優れ
たプリント配線板と、このプリント配線板を有利に製造
する方法について提案する。
その製造方法に関し、特に、めっきレジストと導体回路
との密着性およびヒートサイクル特性等の信頼性に優れ
たプリント配線板と、このプリント配線板を有利に製造
する方法について提案する。
【0002】
【従来の技術】アディティブ配線板は、基板上に、樹脂
絶縁層(無電解めっき用接着剤層)を形成し、次いで導
体パターン非形成部分にめっきレジストを形成し、その
後、このめっきレジストを除く部分に無電解めっきを施
して導体回路を形成する、一連の処理を含む工程を経て
製造される。
絶縁層(無電解めっき用接着剤層)を形成し、次いで導
体パターン非形成部分にめっきレジストを形成し、その
後、このめっきレジストを除く部分に無電解めっきを施
して導体回路を形成する、一連の処理を含む工程を経て
製造される。
【0003】このアディティブ配線板において形成する
上記めっきレジストは、特開平6−3179045 号公報で開
示されているように、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる樹脂
組成物の層で構成したものが知られている。
上記めっきレジストは、特開平6−3179045 号公報で開
示されているように、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる樹脂
組成物の層で構成したものが知られている。
【0004】このようなアディティブ配線板は、めっき
レジストを樹脂組成物の層で構成し、一方、導体回路を
金属層で構成することから、対面する側壁面で互いに接
する前記めっきレジストと前記導体回路とは、熱膨張率
が著しく異なる。また、めっきレジストは、ファインパ
ターンの要請から従来、導体回路と接触する側壁面を平
滑な面としていた。
レジストを樹脂組成物の層で構成し、一方、導体回路を
金属層で構成することから、対面する側壁面で互いに接
する前記めっきレジストと前記導体回路とは、熱膨張率
が著しく異なる。また、めっきレジストは、ファインパ
ターンの要請から従来、導体回路と接触する側壁面を平
滑な面としていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そのため、基板上にめ
っきレジストを永久レジストとして残留させるプリント
配線板の場合、めっきレジストと導体回路との対面する
側壁面では、平滑であるが故に良好な密着性が得られ
ず、しかも、熱膨張率が互いに異なるためにヒートサイ
クルによって樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)に
向けてクラックが発生するといった問題があった。
っきレジストを永久レジストとして残留させるプリント
配線板の場合、めっきレジストと導体回路との対面する
側壁面では、平滑であるが故に良好な密着性が得られ
ず、しかも、熱膨張率が互いに異なるためにヒートサイ
クルによって樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)に
向けてクラックが発生するといった問題があった。
【0006】また、めっきレジストを介してレジスト非
形成部分に導体回路を設けた配線基板の表面を研磨して
平滑化し、さらにその上に樹脂絶縁層と導体回路を形成
するプリント配線板の場合にも、ヒートサイクルによっ
てめっきレジストと導体回路の界面から樹脂絶縁層に向
けてクラックが発生するという問題があった。この理由
は、研磨により導体回路が研磨方向に塑性変形して突起
ができ、めっきレジストと導体回路との熱膨張率差によ
って、この突起に応力が集中し、ここからクラックが発
生するものと考えられる。
形成部分に導体回路を設けた配線基板の表面を研磨して
平滑化し、さらにその上に樹脂絶縁層と導体回路を形成
するプリント配線板の場合にも、ヒートサイクルによっ
てめっきレジストと導体回路の界面から樹脂絶縁層に向
けてクラックが発生するという問題があった。この理由
は、研磨により導体回路が研磨方向に塑性変形して突起
ができ、めっきレジストと導体回路との熱膨張率差によ
って、この突起に応力が集中し、ここからクラックが発
生するものと考えられる。
【0007】本発明の主たる目的は、先行技術が抱えて
いる上述した問題を解消し、耐熱性や電気特性に優れる
ことはもちろん、とくにめっきレジストと導体回路との
密着性が極めて優れ、かつヒートサイクル特性等の信頼
性にも優れたプリント配線板を提供することにある。本
発明の他の目的は、上記プリント配線板を有利に製造す
るための方法を提供することにある。
いる上述した問題を解消し、耐熱性や電気特性に優れる
ことはもちろん、とくにめっきレジストと導体回路との
密着性が極めて優れ、かつヒートサイクル特性等の信頼
性にも優れたプリント配線板を提供することにある。本
発明の他の目的は、上記プリント配線板を有利に製造す
るための方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的の実
現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成
とする発明を完成するに至った。すなわち、 (1) 本発明のプリント配線板は、基板上に形成された樹
脂絶縁層の表面に、めっきレジストを介してめっきレジ
スト非形成部分に導体回路を設けてなるプリント配線板
において、前記めっきレジストは導体回路と接触するそ
の側壁部が粗面化され、かつその粗面化された側壁部に
はめっき用触媒核が付与されていることを特徴とする。
現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成
とする発明を完成するに至った。すなわち、 (1) 本発明のプリント配線板は、基板上に形成された樹
脂絶縁層の表面に、めっきレジストを介してめっきレジ
スト非形成部分に導体回路を設けてなるプリント配線板
において、前記めっきレジストは導体回路と接触するそ
の側壁部が粗面化され、かつその粗面化された側壁部に
はめっき用触媒核が付与されていることを特徴とする。
【0009】ここで、本発明にかかる上記プリント配線
板において、前記めっきレジストは、熱可塑性樹脂と感
光性樹脂からなる樹脂複合体を樹脂成分とすることが望
ましく、前記樹脂絶縁層は無電解めっき用接着剤層であ
ることが望ましく、また、前記めっきレジストの表面
は、導体回路の表面と同一平面上になるように研磨して
平滑化されていることが望ましい。
板において、前記めっきレジストは、熱可塑性樹脂と感
光性樹脂からなる樹脂複合体を樹脂成分とすることが望
ましく、前記樹脂絶縁層は無電解めっき用接着剤層であ
ることが望ましく、また、前記めっきレジストの表面
は、導体回路の表面と同一平面上になるように研磨して
平滑化されていることが望ましい。
【0010】(2) 本発明にかかる上記プリント配線板の
製造方法は、基板上に、樹脂絶縁層を形成し、次いで、
樹脂絶縁層表面の導体パターンを除く部分にめっきレジ
ストを形成し、その後、めっきレジスト非形成部分に無
電解めっきによる導体回路を形成するプリント配線板の
製造方法において、前記無電解めっきによる導体回路の
形成に当たり、めっきレジストの側壁部を含む表面を粗
面化し、このめっきレジストの表面を含む基板表面全体
にめっき用触媒核を付与して無電解めっきを施した後、
めっきレジスト上の導体パターン非形成面に析出した無
電解めっき膜を除去する、ことを特徴とする。
製造方法は、基板上に、樹脂絶縁層を形成し、次いで、
樹脂絶縁層表面の導体パターンを除く部分にめっきレジ
ストを形成し、その後、めっきレジスト非形成部分に無
電解めっきによる導体回路を形成するプリント配線板の
製造方法において、前記無電解めっきによる導体回路の
形成に当たり、めっきレジストの側壁部を含む表面を粗
面化し、このめっきレジストの表面を含む基板表面全体
にめっき用触媒核を付与して無電解めっきを施した後、
めっきレジスト上の導体パターン非形成面に析出した無
電解めっき膜を除去する、ことを特徴とする。
【0011】ここで、本発明にかかる上記製造方法にお
いて、前記めっきレジストの形成に当たっては、基板上
に、熱可塑性樹脂と感光性樹脂の混合樹脂を樹脂成分と
する組成物を塗布して乾燥し、露光,現像処理して硬化
させると同時に、そのめっきレジストの側壁部を含む表
面を、溶剤にて処理することによって前記混合樹脂の熱
可塑性樹脂部分のみを溶解除去し粗面化する、ことが望
ましい。また、前記樹脂絶縁層は、無電解めっき用接着
剤を用いて形成することが望ましく、前記めっきレジス
トの表面は、導体回路の表面と同一平面上になるように
研磨して平滑化することが望ましい。
いて、前記めっきレジストの形成に当たっては、基板上
に、熱可塑性樹脂と感光性樹脂の混合樹脂を樹脂成分と
する組成物を塗布して乾燥し、露光,現像処理して硬化
させると同時に、そのめっきレジストの側壁部を含む表
面を、溶剤にて処理することによって前記混合樹脂の熱
可塑性樹脂部分のみを溶解除去し粗面化する、ことが望
ましい。また、前記樹脂絶縁層は、無電解めっき用接着
剤を用いて形成することが望ましく、前記めっきレジス
トの表面は、導体回路の表面と同一平面上になるように
研磨して平滑化することが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明は、無電解めっきによる導
体回路の形成に当たり、めっきレジストの側壁部を含む
表面を粗面化し、このめっきレジストの表面を含む基板
表面全体に触媒核を付与して無電解めっきを施した後、
めっきレジスト上の導体パターン非形成面に析出した無
電解めっき膜を除去する点に特徴がある。
体回路の形成に当たり、めっきレジストの側壁部を含む
表面を粗面化し、このめっきレジストの表面を含む基板
表面全体に触媒核を付与して無電解めっきを施した後、
めっきレジスト上の導体パターン非形成面に析出した無
電解めっき膜を除去する点に特徴がある。
【0013】これにより、めっきレジストの導体回路と
接触するその側壁部が粗面化されると、この粗面にめっ
きが析出して導体が形成されるので、めっきレジストと
めっき導体が強固に密着し、ひいてはヒートサイクル時
においても、導体回路とめっきレジストの界面に接する
樹脂絶縁層に応力が発生して、クラックが生じることも
ない。また、めっきレジストを介してめっきレジスト非
形成部分に導体回路を設けた配線基板の表面を研磨して
平滑化し、さらにその上に樹脂絶縁層と導体回路を形成
するプリント配線板の場合にも、研磨しためっきレジス
トと導体回路とは完全に密着した状態を維持でき、ヒー
トサイクルによってめっきレジストと導体回路の界面か
ら樹脂絶縁層に向けてクラックが発生することはない。
接触するその側壁部が粗面化されると、この粗面にめっ
きが析出して導体が形成されるので、めっきレジストと
めっき導体が強固に密着し、ひいてはヒートサイクル時
においても、導体回路とめっきレジストの界面に接する
樹脂絶縁層に応力が発生して、クラックが生じることも
ない。また、めっきレジストを介してめっきレジスト非
形成部分に導体回路を設けた配線基板の表面を研磨して
平滑化し、さらにその上に樹脂絶縁層と導体回路を形成
するプリント配線板の場合にも、研磨しためっきレジス
トと導体回路とは完全に密着した状態を維持でき、ヒー
トサイクルによってめっきレジストと導体回路の界面か
ら樹脂絶縁層に向けてクラックが発生することはない。
【0014】ここで、めっきレジストの表面を粗面化す
る方法として、市販のめっきレジストを用いる場合には
クロム酸や過マンガン酸カリウムなどの酸化剤による処
理がある。特に、本発明では、熱可塑性樹脂と感光性樹
脂からなる樹脂複合体を樹脂成分とするめっきレジスト
を用い、溶剤による処理によってめっきレジストの表面
を粗面化することが望ましい。
る方法として、市販のめっきレジストを用いる場合には
クロム酸や過マンガン酸カリウムなどの酸化剤による処
理がある。特に、本発明では、熱可塑性樹脂と感光性樹
脂からなる樹脂複合体を樹脂成分とするめっきレジスト
を用い、溶剤による処理によってめっきレジストの表面
を粗面化することが望ましい。
【0015】すなわち、基板上に、熱可塑性樹脂と感光
性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とする組成物(めっきレジ
スト組成物)を塗布して乾燥し、露光,現像処理して硬
化させると、感光性樹脂の樹脂マトリックス中に熱可塑
性樹脂が散在した状態の樹脂複合体を樹脂成分とするめ
っきレジストが、導体パターン非形成部分に形成され
る。そして一方で、前記めっきレジストを溶剤にて処理
すると、前記樹脂複合体の感光性樹脂は溶剤に溶解せ
ず、めっきレジストの表面部分に存在している前記樹脂
複合体の熱可塑性樹脂のみが溶剤によって選択的に溶解
除去される。その結果、めっきレジストの側壁部を含む
表面は、アンカー(窪み)が形成されて粗化面となる。
性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とする組成物(めっきレジ
スト組成物)を塗布して乾燥し、露光,現像処理して硬
化させると、感光性樹脂の樹脂マトリックス中に熱可塑
性樹脂が散在した状態の樹脂複合体を樹脂成分とするめ
っきレジストが、導体パターン非形成部分に形成され
る。そして一方で、前記めっきレジストを溶剤にて処理
すると、前記樹脂複合体の感光性樹脂は溶剤に溶解せ
ず、めっきレジストの表面部分に存在している前記樹脂
複合体の熱可塑性樹脂のみが溶剤によって選択的に溶解
除去される。その結果、めっきレジストの側壁部を含む
表面は、アンカー(窪み)が形成されて粗化面となる。
【0016】このような本発明において、熱可塑性樹脂
と感光性樹脂を樹脂成分とする上記樹脂複合体は、熱可
塑性樹脂と感光性樹脂が相分離した構造、例えば、球状
ドメイン構造あるいは共連続構造を有する樹脂複合体で
あることが望ましい。ここに、球状ドメイン構造とは、
感光性樹脂の海の中に熱可塑性樹脂の島が分散した状態
の構造を意味し、共連続構造とは、感光性樹脂のマトリ
ックス中に熱可塑性樹脂の球状粒子が連続してつながり
一つの相を形成した状態の構造を意味する。これらの構
造を有する樹脂複合体は、熱可塑性樹脂の相が感光性樹
脂マトリックス中に明確に存在するので、これを溶剤に
て処理すると、熱可塑性樹脂だけが選択的に溶解除去さ
れ、レジスト表面に明確な凹凸(アンカー)を有する粗
化面を形成することができる。
と感光性樹脂を樹脂成分とする上記樹脂複合体は、熱可
塑性樹脂と感光性樹脂が相分離した構造、例えば、球状
ドメイン構造あるいは共連続構造を有する樹脂複合体で
あることが望ましい。ここに、球状ドメイン構造とは、
感光性樹脂の海の中に熱可塑性樹脂の島が分散した状態
の構造を意味し、共連続構造とは、感光性樹脂のマトリ
ックス中に熱可塑性樹脂の球状粒子が連続してつながり
一つの相を形成した状態の構造を意味する。これらの構
造を有する樹脂複合体は、熱可塑性樹脂の相が感光性樹
脂マトリックス中に明確に存在するので、これを溶剤に
て処理すると、熱可塑性樹脂だけが選択的に溶解除去さ
れ、レジスト表面に明確な凹凸(アンカー)を有する粗
化面を形成することができる。
【0017】本発明において、上記樹脂複合体を樹脂成
分とするめっきレジストは、基板上に、熱可塑性樹脂と
感光性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とするめっきレジスト
組成物を塗布して乾燥し、次いで、これを露光,現像処
理したのち硬化させることにより形成することが望まし
い。ここで、上記感光性樹脂は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートが望ましい。ノボラック型エポキシ
樹脂は、剛直骨格を持ち、耐塩基性に優れているからで
ある。ノボラック型エポキシ樹脂としては、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂が望ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポ
リエーテルスルフォン、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニルなどが挙げられる。
分とするめっきレジストは、基板上に、熱可塑性樹脂と
感光性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とするめっきレジスト
組成物を塗布して乾燥し、次いで、これを露光,現像処
理したのち硬化させることにより形成することが望まし
い。ここで、上記感光性樹脂は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートが望ましい。ノボラック型エポキシ
樹脂は、剛直骨格を持ち、耐塩基性に優れているからで
ある。ノボラック型エポキシ樹脂としては、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂が望ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポ
リエーテルスルフォン、ポリスチレン、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニルなどが挙げられる。
【0018】めっきレジスト組成物の樹脂成分である上
記感光性樹脂の硬化剤としては、イミダゾール硬化剤を
使用することが望ましい。特に、イミダゾール硬化剤で
硬化したエポキシ樹脂は、耐熱性や耐薬品性に優れ、塩
基に対する特性に優れるからである。
記感光性樹脂の硬化剤としては、イミダゾール硬化剤を
使用することが望ましい。特に、イミダゾール硬化剤で
硬化したエポキシ樹脂は、耐熱性や耐薬品性に優れ、塩
基に対する特性に優れるからである。
【0019】このイミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。粉末では均一混練が難しく、液状
の方が均一に混練できるからである。このような液状イ
ミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル-2- メチルイミ
ダゾール(品名:1B2MZ )、1-シアノエチル-2- エチル
-4- メチルイミダゾール(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル
-2- エチルイミダゾール(品名:2E4MZ )が挙げられ
る。イミダゾール硬化剤の添加量は、1〜10重量%とす
ることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内に
あれば均一混合がしやすいからである。
あることが望ましい。粉末では均一混練が難しく、液状
の方が均一に混練できるからである。このような液状イ
ミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル-2- メチルイミ
ダゾール(品名:1B2MZ )、1-シアノエチル-2- エチル
-4- メチルイミダゾール(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル
-2- エチルイミダゾール(品名:2E4MZ )が挙げられ
る。イミダゾール硬化剤の添加量は、1〜10重量%とす
ることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内に
あれば均一混合がしやすいからである。
【0020】このような本発明にかかるめっきレジスト
組成物には、その他に、開始剤であるベンゾフェノンや
増感剤であるミヒラーケトン、耐熱性や耐塩基性の改
善、可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のた
めに感光性モノマー、レベリング剤としてのアクリル酸
エステルポリマーを添加混合することができる。
組成物には、その他に、開始剤であるベンゾフェノンや
増感剤であるミヒラーケトン、耐熱性や耐塩基性の改
善、可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のた
めに感光性モノマー、レベリング剤としてのアクリル酸
エステルポリマーを添加混合することができる。
【0021】開始剤(光重合開始剤)であるベンゾフェ
ノンと増感剤(光重合助剤)であるミヒラーケトンは、
加熱したグリコールエーテル系溶剤中に同時に溶解さ
せ、これを感光性樹脂と熱可塑性樹脂の樹脂混合物(め
っきレジスト組成物)に相溶させることが望ましい。ミ
ヒラーケトンのみでは、上記溶剤に対する溶解度が低
く、加熱しても溶解残渣が生じ、常温にすると析出して
しまうからである。ベンゾフェノンとミヒラーケトンを
上記溶剤中で同時に混合すると完全に溶解する理由は、
不明であるが、ベンゾフェノンとミヒラーケトンが溶剤
中で錯体に類似する構造となり、この錯体に類似した構
造を形成することによって、ミヒラーケトンの溶解性を
高めているのではないかと推定している。このような方
法によれば、ベンゾフェノンとミヒラーケトンはグリコ
ールエーテル系溶媒中に完全に溶解するので、これを相
溶させた前記樹脂混合物は均一相となる。その結果、前
記樹脂混合物の層は、露光,現像処理によって未露光部
が完全に除去できる。
ノンと増感剤(光重合助剤)であるミヒラーケトンは、
加熱したグリコールエーテル系溶剤中に同時に溶解さ
せ、これを感光性樹脂と熱可塑性樹脂の樹脂混合物(め
っきレジスト組成物)に相溶させることが望ましい。ミ
ヒラーケトンのみでは、上記溶剤に対する溶解度が低
く、加熱しても溶解残渣が生じ、常温にすると析出して
しまうからである。ベンゾフェノンとミヒラーケトンを
上記溶剤中で同時に混合すると完全に溶解する理由は、
不明であるが、ベンゾフェノンとミヒラーケトンが溶剤
中で錯体に類似する構造となり、この錯体に類似した構
造を形成することによって、ミヒラーケトンの溶解性を
高めているのではないかと推定している。このような方
法によれば、ベンゾフェノンとミヒラーケトンはグリコ
ールエーテル系溶媒中に完全に溶解するので、これを相
溶させた前記樹脂混合物は均一相となる。その結果、前
記樹脂混合物の層は、露光,現像処理によって未露光部
が完全に除去できる。
【0022】ベンゾフェノンとミヒラーケトンを溶解さ
せる上記グリコールエーテル系溶剤は、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル(DMDG)および/またはト
リエチレングリコールジメチルエーテル(DMTG)で
あることが望ましい。これらの溶剤は、30〜50℃程度の
加温によりベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶
解させることができるからである。
せる上記グリコールエーテル系溶剤は、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル(DMDG)および/またはト
リエチレングリコールジメチルエーテル(DMTG)で
あることが望ましい。これらの溶剤は、30〜50℃程度の
加温によりベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶
解させることができるからである。
【0023】添加成分としての上記熱硬化性樹脂は、ビ
スフェノール型エポキシ樹脂であることが望ましい。ビ
スフェノール型エポキシ樹脂は、耐塩基性を向上させる
ことができるからである。ビスフェノール型エポキシ樹
脂には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合
には前者が、塗布性を重視する場合には後者がよい。
スフェノール型エポキシ樹脂であることが望ましい。ビ
スフェノール型エポキシ樹脂は、耐塩基性を向上させる
ことができるからである。ビスフェノール型エポキシ樹
脂には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合
には前者が、塗布性を重視する場合には後者がよい。
【0024】添加成分としてのアクリル酸エステルポリ
マーは、めっきレジスト組成物全体を均一化させること
ができる。この場合、従来のような液状レジストを得る
ために実施した混練が不要となる。このようなアクリル
酸エステルポリマーによれば、レジスト組成物中に消泡
剤を分散させる必要性がなくなるので、現像残りを発生
させることがなく、レジスト表面を平滑にすることがで
きる。アクリル酸エステルポリマーとは、分子量 500〜
5000で、アクリル酸あるいはメタクリル酸などとアルコ
ールとのエステルの1種もしくは2種以上のものを重合
させた重合体である。
マーは、めっきレジスト組成物全体を均一化させること
ができる。この場合、従来のような液状レジストを得る
ために実施した混練が不要となる。このようなアクリル
酸エステルポリマーによれば、レジスト組成物中に消泡
剤を分散させる必要性がなくなるので、現像残りを発生
させることがなく、レジスト表面を平滑にすることがで
きる。アクリル酸エステルポリマーとは、分子量 500〜
5000で、アクリル酸あるいはメタクリル酸などとアルコ
ールとのエステルの1種もしくは2種以上のものを重合
させた重合体である。
【0025】なお、本発明において、上記添加成分を配
合しためっきレジスト組成物は、望ましくは、加温され
たグリコールエーテル系溶媒にベンゾフェノンとミヒラ
ーケトンを同時に溶解混合して混合液を調製し、この混
合液とノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート、熱可
塑性樹脂およびイミダゾール硬化剤を混合し、さらに必
要に応じてアクリル酸エステルポリマーや感光性モノマ
ー、ビスフェノール型エポキシ樹脂などを混ぜて、均一
溶液を調製することによって得られる。
合しためっきレジスト組成物は、望ましくは、加温され
たグリコールエーテル系溶媒にベンゾフェノンとミヒラ
ーケトンを同時に溶解混合して混合液を調製し、この混
合液とノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート、熱可
塑性樹脂およびイミダゾール硬化剤を混合し、さらに必
要に応じてアクリル酸エステルポリマーや感光性モノマ
ー、ビスフェノール型エポキシ樹脂などを混ぜて、均一
溶液を調製することによって得られる。
【0026】本発明において、上述しためっきレジスト
組成物を用いて形成しためっきレジストは、側壁面を含
む表面を溶剤で処理することによって、熱可塑性樹脂部
分だけを溶解除去して粗面化される。
組成物を用いて形成しためっきレジストは、側壁面を含
む表面を溶剤で処理することによって、熱可塑性樹脂部
分だけを溶解除去して粗面化される。
【0027】ここで、めっきレジストの表面粗化のため
に使用される上記溶剤としては、DMDG(ジエチレン
グリコールジメチルエーテル)やDMTG(トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル)などのグリコールエー
テル系溶剤や、NMP(N−メチルピロリドン)やDM
F(ジメチルフォルムアミド)、塩化メチレンなどがあ
る。
に使用される上記溶剤としては、DMDG(ジエチレン
グリコールジメチルエーテル)やDMTG(トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル)などのグリコールエー
テル系溶剤や、NMP(N−メチルピロリドン)やDM
F(ジメチルフォルムアミド)、塩化メチレンなどがあ
る。
【0028】以下に、本発明にかかるプリント配線板の
製造方法について説明する。 (1)まず、コア基板の表面に、内層銅パターンを形成す
る。この基板への銅パターンの形成は、銅張積層板をエ
ッチングして行うか、あるいは、ガラスエポキシ基板や
ポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板
に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面
を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施して行
う方法がある。なお、コア基板には、スルーホールが形
成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層
を電気的に接続することができる。
製造方法について説明する。 (1)まず、コア基板の表面に、内層銅パターンを形成す
る。この基板への銅パターンの形成は、銅張積層板をエ
ッチングして行うか、あるいは、ガラスエポキシ基板や
ポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基板
に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表面
を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施して行
う方法がある。なお、コア基板には、スルーホールが形
成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層
を電気的に接続することができる。
【0029】(2)次に、前記 (1)で内層銅パターンを形
成した基板の上に、樹脂絶縁層を形成する。特に、本発
明では、樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤層を用
いることが望ましい。
成した基板の上に、樹脂絶縁層を形成する。特に、本発
明では、樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤層を用
いることが望ましい。
【0030】この無電解めっき用接着剤は、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が分散さ
れてなるものが最適である。これは、酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子を溶解して除去することによ
り、表面に蛸壺状のアンカーを形成でき、導体回路との
密着性を改善できるからである。
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が分散さ
れてなるものが最適である。これは、酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子を溶解して除去することによ
り、表面に蛸壺状のアンカーを形成でき、導体回路との
密着性を改善できるからである。
【0031】上記無電解めっき用接着剤において、酸あ
るいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、感光化し
た熱硬化性樹脂、感光化した熱硬化性樹脂と熱可塑性樹
脂の複合体が望ましい。感光化することにより、露光、
現像により、バイアホールを容易に形成できるからであ
る。また、熱可塑性樹脂と複合化することにより靱性を
向上させることができ、導体回路のピール強度の向上、
ヒートサイクルによるバイアホール部分のクラック発生
を防止できるからである。具体的には、エポキシ樹脂を
アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシア
クリレートやエポキシアクリレートとポリエーテルスル
ホンとの複合体がよい。エポキシアクリレートは、全エ
ポキシ基の20〜80%がアクリル酸やメタクリル酸などと
反応したものが望ましい。
るいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂としては、感光化し
た熱硬化性樹脂、感光化した熱硬化性樹脂と熱可塑性樹
脂の複合体が望ましい。感光化することにより、露光、
現像により、バイアホールを容易に形成できるからであ
る。また、熱可塑性樹脂と複合化することにより靱性を
向上させることができ、導体回路のピール強度の向上、
ヒートサイクルによるバイアホール部分のクラック発生
を防止できるからである。具体的には、エポキシ樹脂を
アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシア
クリレートやエポキシアクリレートとポリエーテルスル
ホンとの複合体がよい。エポキシアクリレートは、全エ
ポキシ基の20〜80%がアクリル酸やメタクリル酸などと
反応したものが望ましい。
【0032】上記無電解めっき用接着剤において、前記
耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径が10μm以下の耐
熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉
末を凝集させて平均粒径2〜10μmの大きさとした凝集
粒子、平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末と平均
粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか
少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子から選ばれる
ことが望ましい。これらは、複雑なアンカーを形成でき
るからである。耐熱性樹脂粒子の樹脂としては、エポキ
シ樹脂、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナ
ミン樹脂)などがよい。特に、エポキシ樹脂は、そのオ
リゴマーの種類、硬化剤の種類、架橋密度を変えること
により任意に酸や酸化剤に対する溶解度を変えることが
できる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂オリ
ゴマーをアミン系硬化剤で硬化処理したものは、酸化剤
に溶解しやすい。しかし、ノボラックエポキシ樹脂オリ
ゴマーをイミダゾール系硬化剤で硬化させたものは、酸
化剤に溶解しにくい。
耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径が10μm以下の耐
熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉
末を凝集させて平均粒径2〜10μmの大きさとした凝集
粒子、平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末と平均
粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が
2μm以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか
少なくとも1種を付着させてなる疑似粒子から選ばれる
ことが望ましい。これらは、複雑なアンカーを形成でき
るからである。耐熱性樹脂粒子の樹脂としては、エポキ
シ樹脂、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナ
ミン樹脂)などがよい。特に、エポキシ樹脂は、そのオ
リゴマーの種類、硬化剤の種類、架橋密度を変えること
により任意に酸や酸化剤に対する溶解度を変えることが
できる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂オリ
ゴマーをアミン系硬化剤で硬化処理したものは、酸化剤
に溶解しやすい。しかし、ノボラックエポキシ樹脂オリ
ゴマーをイミダゾール系硬化剤で硬化させたものは、酸
化剤に溶解しにくい。
【0033】なお、本発明の方法では、上記樹脂絶縁層
は、1回の塗布で形成される必要はなく、複数回塗布す
ることにより形成してもよい。例えば、最初に未硬化の
樹脂絶縁材を塗布し、これを乾燥した後、さらに無電解
めっき用接着剤を塗布して2層構造の樹脂絶縁層とする
ことができる。また、下層を平均粒径が 0.1〜0.3 μm
以下の耐熱性樹脂粉末を含有する無電解めっき用接着剤
の層とし、上層を平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉
末と平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末の混合物を
含有する無電解めっき用接着剤の層とした2層構造の樹
脂絶縁層とすることも可能である。
は、1回の塗布で形成される必要はなく、複数回塗布す
ることにより形成してもよい。例えば、最初に未硬化の
樹脂絶縁材を塗布し、これを乾燥した後、さらに無電解
めっき用接着剤を塗布して2層構造の樹脂絶縁層とする
ことができる。また、下層を平均粒径が 0.1〜0.3 μm
以下の耐熱性樹脂粉末を含有する無電解めっき用接着剤
の層とし、上層を平均粒径が10μm以下の耐熱性樹脂粉
末と平均粒径が2μm以下の耐熱性樹脂粉末の混合物を
含有する無電解めっき用接着剤の層とした2層構造の樹
脂絶縁層とすることも可能である。
【0034】(3) 上記(2) で形成した樹脂絶縁層を乾燥
した後、感光性樹脂の場合は、露光、現像することによ
り、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化したのちレー
ザー加工することにより、バイアホール用の開口部を設
ける。
した後、感光性樹脂の場合は、露光、現像することによ
り、また、熱硬化性樹脂の場合は、熱硬化したのちレー
ザー加工することにより、バイアホール用の開口部を設
ける。
【0035】(4) 次に、めっきレジストを形成する。特
に本発明では、基板上に、前述した熱可塑性樹脂と感光
性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とする組成物の溶液を塗布
して乾燥し、紫外線を照射して露光し、現像処理したの
ち硬化させることにより、めっきレジストを形成するこ
とが望ましい。
に本発明では、基板上に、前述した熱可塑性樹脂と感光
性樹脂の混合樹脂を樹脂成分とする組成物の溶液を塗布
して乾燥し、紫外線を照射して露光し、現像処理したの
ち硬化させることにより、めっきレジストを形成するこ
とが望ましい。
【0036】(5) 前記(4) で形成しためっきレジストの
側壁部を含む表面は、溶剤にて処理することによって熱
可塑性樹脂部分のみを溶解除去して粗面化される。ここ
で、めっきレジストの表面に露出している熱可塑性樹脂
の溶解除去は、めっきレジストを有する基板を溶剤に浸
漬するか、または基板に溶剤をスプレーするなどの手段
によって行う。なお、上記組成物以外の市販等のめっき
レジスト組成物を用いて形成されためっきレジストは、
クロム酸や過マンガン酸カリウムなどの酸化剤による浸
漬処理やスプレー処理によって、その表面が粗面化され
る。
側壁部を含む表面は、溶剤にて処理することによって熱
可塑性樹脂部分のみを溶解除去して粗面化される。ここ
で、めっきレジストの表面に露出している熱可塑性樹脂
の溶解除去は、めっきレジストを有する基板を溶剤に浸
漬するか、または基板に溶剤をスプレーするなどの手段
によって行う。なお、上記組成物以外の市販等のめっき
レジスト組成物を用いて形成されためっきレジストは、
クロム酸や過マンガン酸カリウムなどの酸化剤による浸
漬処理やスプレー処理によって、その表面が粗面化され
る。
【0037】(6) 前記(5) でめっきレジストの表面を粗
面化した後、その基板表面に触媒核を付与する。このと
き、触媒核は、導体パターン形成面のみならず、めっき
レジストの表面にも付与される。この触媒核の付与に
は、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いることが
望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコ
ロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱
処理を行うことが望ましい。このような触媒核としては
パラジウムがよい。
面化した後、その基板表面に触媒核を付与する。このと
き、触媒核は、導体パターン形成面のみならず、めっき
レジストの表面にも付与される。この触媒核の付与に
は、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いることが
望ましく、一般的には、塩化パラジウムやパラジウムコ
ロイドを使用する。なお、触媒核を固定するために加熱
処理を行うことが望ましい。このような触媒核としては
パラジウムがよい。
【0038】(7) 前記(6) の処理を終えた基板の表面に
一次めっきを施す。このとき、一次めっき膜は、導体パ
ターン形成面のみならず、めっきレジストの表面にも形
成される。この一次めっきとしては、銅、ニッケル、コ
バルトおよびリンから選ばれる少なくとも2種以上の金
属イオンを使用した合金めっきであることが望ましい。
この理由は、これらの合金は強度が高く、ピール強度を
向上させることができるからである。上記一次めっきの
無電解めっき液において、銅、ニッケルおよびコバルト
から選ばれる少なくとも2種以上の金属イオンを使用す
ることが必要であるが、この理由は、これらの合金は強
度が高く、ピール強度を向上させることができるからで
ある。
一次めっきを施す。このとき、一次めっき膜は、導体パ
ターン形成面のみならず、めっきレジストの表面にも形
成される。この一次めっきとしては、銅、ニッケル、コ
バルトおよびリンから選ばれる少なくとも2種以上の金
属イオンを使用した合金めっきであることが望ましい。
この理由は、これらの合金は強度が高く、ピール強度を
向上させることができるからである。上記一次めっきの
無電解めっき液において、銅、ニッケルおよびコバルト
から選ばれる少なくとも2種以上の金属イオンを使用す
ることが必要であるが、この理由は、これらの合金は強
度が高く、ピール強度を向上させることができるからで
ある。
【0039】上記一次めっきの無電解めっき液におい
て、銅、ニッケル、コバルトイオンと塩基性条件下で安
定した錯体を形成する錯化剤としては、ヒドロキシカル
ボン酸を用いることが望ましい。上記一次めっきの無電
解めっき液において、金属イオンを還元して金属元素に
するための還元剤は、アルデヒド、次亜リン酸塩(ホス
フィン酸塩と呼ばれる)、水素化ホウ素塩、ヒドラジン
から選ばれる少なくとも1種であることが望ましい。こ
れらの還元剤は、水溶性であり、還元力に優れるからで
ある。特に、ニッケルを析出させる点では次亜リン酸塩
が望ましい。上記一次めっきの無電解めっき液におい
て、塩基性条件下に調整するためのpH調整剤として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウムから選ばれる少なくとも1種の塩基性化合物を用い
ることが望ましい。塩基性条件下において、ヒドロキシ
カルボン酸はニッケルイオンなどと錯体を形成するから
である。このヒドロキシカルボン酸としては、クエン
酸、リンゴ酸、酒石酸などが望ましい。これらは、ニッ
ケル、コバルト、銅と錯体を形成しやすいからである。
前記ヒドロキシカルボンの濃度は 0.1〜0.8 Mであるこ
とが望ましい。この理由は、 0.1Mより少ないと十分な
錯体が形成できず、異常析出や液の分解が生じる。一
方、0.8 Mを超えると析出速度が遅くなったり、水素の
発生が多くなったりするなどの不具合が発生するからで
ある。
て、銅、ニッケル、コバルトイオンと塩基性条件下で安
定した錯体を形成する錯化剤としては、ヒドロキシカル
ボン酸を用いることが望ましい。上記一次めっきの無電
解めっき液において、金属イオンを還元して金属元素に
するための還元剤は、アルデヒド、次亜リン酸塩(ホス
フィン酸塩と呼ばれる)、水素化ホウ素塩、ヒドラジン
から選ばれる少なくとも1種であることが望ましい。こ
れらの還元剤は、水溶性であり、還元力に優れるからで
ある。特に、ニッケルを析出させる点では次亜リン酸塩
が望ましい。上記一次めっきの無電解めっき液におい
て、塩基性条件下に調整するためのpH調整剤として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシ
ウムから選ばれる少なくとも1種の塩基性化合物を用い
ることが望ましい。塩基性条件下において、ヒドロキシ
カルボン酸はニッケルイオンなどと錯体を形成するから
である。このヒドロキシカルボン酸としては、クエン
酸、リンゴ酸、酒石酸などが望ましい。これらは、ニッ
ケル、コバルト、銅と錯体を形成しやすいからである。
前記ヒドロキシカルボンの濃度は 0.1〜0.8 Mであるこ
とが望ましい。この理由は、 0.1Mより少ないと十分な
錯体が形成できず、異常析出や液の分解が生じる。一
方、0.8 Mを超えると析出速度が遅くなったり、水素の
発生が多くなったりするなどの不具合が発生するからで
ある。
【0040】上記一次めっきの無電解めっき液は、ビピ
リジルを含有してなることが望ましい。この理由は、ビ
ピリジルはめっき浴中の金属酸化物の発生を抑制してノ
ジュールの発生を抑制できるからである。なお、銅イオ
ン、ニッケルイオン、コバルトイオンは、硫酸銅、硫酸
ニッケル、硫酸コバルト、塩化銅、塩化ニッケル、塩化
コバルトなどの銅、ニッケル、コバルトの化合物を溶解
させることにより供給する。
リジルを含有してなることが望ましい。この理由は、ビ
ピリジルはめっき浴中の金属酸化物の発生を抑制してノ
ジュールの発生を抑制できるからである。なお、銅イオ
ン、ニッケルイオン、コバルトイオンは、硫酸銅、硫酸
ニッケル、硫酸コバルト、塩化銅、塩化ニッケル、塩化
コバルトなどの銅、ニッケル、コバルトの化合物を溶解
させることにより供給する。
【0041】このような無電解めっき液により形成され
た一次めっき膜は、無電解めっき用接着剤層の粗化面に
対する追従性に優れ、粗化面の形態をそのままトレース
する。そのため、一次めっき膜は、粗化面と同様にアン
カーを持つ。従って、この一次めっき膜上に形成される
二次めっき膜は、このアンカーにより、密着性が確保さ
れるのである。従って、一次めっき膜は、ピール強度を
支配するために、上述したような無電解めっき液によっ
て析出する強度が高いめっき膜が望ましく、一方、二次
めっき膜は、電気導電性が高く、析出速度が早いことが
望ましいので、複合めっきよりも単純な銅めっき液によ
って析出するめっき膜が望ましい。
た一次めっき膜は、無電解めっき用接着剤層の粗化面に
対する追従性に優れ、粗化面の形態をそのままトレース
する。そのため、一次めっき膜は、粗化面と同様にアン
カーを持つ。従って、この一次めっき膜上に形成される
二次めっき膜は、このアンカーにより、密着性が確保さ
れるのである。従って、一次めっき膜は、ピール強度を
支配するために、上述したような無電解めっき液によっ
て析出する強度が高いめっき膜が望ましく、一方、二次
めっき膜は、電気導電性が高く、析出速度が早いことが
望ましいので、複合めっきよりも単純な銅めっき液によ
って析出するめっき膜が望ましい。
【0042】(8) 上記(7) で形成した一次めっき膜の上
に二次めっきを施す。この二次めっきによるめっき膜
は、銅めっき膜であることが望ましい。上記二次めっき
の無電解めっき液は、銅イオン、トリアルカノールアミ
ン、還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液におい
て、銅イオンの濃度が 0.005〜0.015mol/l、pH調整
剤の濃度が、0.25〜0.35 mol/lであり、還元剤の濃度
が0.01〜0.04 mol/lである無電解めっき液を用いるこ
とが望ましい。このめっき液は、浴が安定であり、ノジ
ュールなどの発生が少ないからである。上記二次めっき
の無電解めっき液において、トリアルカノールアミンの
濃度は0.1〜0.8 Mであることが望ましい。この範囲で
めっき析出反応が最も進行しやすいからである。このト
リアルカノールアミンは、トリエタノールアミン、トリ
イソパノールアミン、トリメタノールアミン、トリプロ
パノールアミンから選ばれる少なくとも1種であること
が望ましい。水溶性だからである。上記二次めっきの無
電解めっき液において、還元剤は、アルデヒド、次亜リ
ン酸塩、水素化ホウ素塩、ヒドラジンから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。水溶性であり、塩基
性条件下で還元力を持つからである。pH調整剤は、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムか
ら選ばれる少なくとも1種であることが望ましい。
に二次めっきを施す。この二次めっきによるめっき膜
は、銅めっき膜であることが望ましい。上記二次めっき
の無電解めっき液は、銅イオン、トリアルカノールアミ
ン、還元剤、pH調整剤からなる無電解めっき液におい
て、銅イオンの濃度が 0.005〜0.015mol/l、pH調整
剤の濃度が、0.25〜0.35 mol/lであり、還元剤の濃度
が0.01〜0.04 mol/lである無電解めっき液を用いるこ
とが望ましい。このめっき液は、浴が安定であり、ノジ
ュールなどの発生が少ないからである。上記二次めっき
の無電解めっき液において、トリアルカノールアミンの
濃度は0.1〜0.8 Mであることが望ましい。この範囲で
めっき析出反応が最も進行しやすいからである。このト
リアルカノールアミンは、トリエタノールアミン、トリ
イソパノールアミン、トリメタノールアミン、トリプロ
パノールアミンから選ばれる少なくとも1種であること
が望ましい。水溶性だからである。上記二次めっきの無
電解めっき液において、還元剤は、アルデヒド、次亜リ
ン酸塩、水素化ホウ素塩、ヒドラジンから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。水溶性であり、塩基
性条件下で還元力を持つからである。pH調整剤は、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムか
ら選ばれる少なくとも1種であることが望ましい。
【0043】(8) めっきレジスト上の導体パターン非形
成面に析出した無電解めっき膜を除去する。この除去
は、研磨あるいはエッチングにより行うことができる。
特に研磨は、基板表面を平滑化するという点でより有利
である。これにより、一次めっき膜と二次めっき膜から
なるバイアホールを含む導体回路が形成される。
成面に析出した無電解めっき膜を除去する。この除去
は、研磨あるいはエッチングにより行うことができる。
特に研磨は、基板表面を平滑化するという点でより有利
である。これにより、一次めっき膜と二次めっき膜から
なるバイアホールを含む導体回路が形成される。
【0044】(9)さらに、必要に応じて (2)〜(8) の処
理を繰り返して、所望の多層プリント配線板を得る。こ
うして得られた多層プリント配線板の表層は、表面が粗
化された樹脂絶縁層のその粗化面にめっきレジストが形
成され、このめっきレジストの導体回路と接触するその
側壁部が粗面化され、そのめっきレジストの非形成面に
導体回路が露出した状態で設けられた構造になってい
る。このため、露出した上記導体回路は、はんだ層を形
成する部分に開口を有するソルダーレジストで被覆して
保護する。
理を繰り返して、所望の多層プリント配線板を得る。こ
うして得られた多層プリント配線板の表層は、表面が粗
化された樹脂絶縁層のその粗化面にめっきレジストが形
成され、このめっきレジストの導体回路と接触するその
側壁部が粗面化され、そのめっきレジストの非形成面に
導体回路が露出した状態で設けられた構造になってい
る。このため、露出した上記導体回路は、はんだ層を形
成する部分に開口を有するソルダーレジストで被覆して
保護する。
【0045】(10) そして、上記ソルダーレジスト開口
部のはんだ層を形成する部分(パッド部分)に、ニッケ
ル−金めっきを施し、この部分に、はんだ転写法やスク
リーン印刷法などにより、はんだ層を形成する。なお、
はんだ転写法は、フィルム上にはんだパターンを形成
し、このはんだパターンをパッドに接触させながら加熱
リフローしてはんだをパッドに転写する方法である。な
お、はんだ層ははんだバンプであってもよい。
部のはんだ層を形成する部分(パッド部分)に、ニッケ
ル−金めっきを施し、この部分に、はんだ転写法やスク
リーン印刷法などにより、はんだ層を形成する。なお、
はんだ転写法は、フィルム上にはんだパターンを形成
し、このはんだパターンをパッドに接触させながら加熱
リフローしてはんだをパッドに転写する方法である。な
お、はんだ層ははんだバンプであってもよい。
【0046】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて説明する。 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μ
mの銅箔9がラミネートされてなる銅張積層板を出発材
料とした(図1(a) 参照)。この銅張積層板の銅箔9を
常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基
板1の両面に内層銅パターン2を形成した(図1(b) 参
照)。
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18μ
mの銅箔9がラミネートされてなる銅張積層板を出発材
料とした(図1(a) 参照)。この銅張積層板の銅箔9を
常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基
板1の両面に内層銅パターン2を形成した(図1(b) 参
照)。
【0047】(2) 前記(1) で内層銅パターン2を形成し
た基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂し
てソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機
酸からなる触媒溶液で処理してPd触媒を付与し、この
触媒を活性化した後、無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導電体とバイアホールパッドの表面にCu−Ni−P
合金の厚さ2.5 μmの凹凸層(粗化面)を形成した。そ
してさらに、その基板を水洗いし、ホウふっ化スズーチ
オ尿素液からなる無電解スズめっき浴に50℃で1時間浸
漬し、前記Cu−Ni−P合金の粗化面の表面に厚さ0.3 μ
mのスズ置換めっき層を形成した。
た基板を水洗いし、乾燥した後、その基板を酸性脱脂し
てソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機
酸からなる触媒溶液で処理してPd触媒を付与し、この
触媒を活性化した後、無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導電体とバイアホールパッドの表面にCu−Ni−P
合金の厚さ2.5 μmの凹凸層(粗化面)を形成した。そ
してさらに、その基板を水洗いし、ホウふっ化スズーチ
オ尿素液からなる無電解スズめっき浴に50℃で1時間浸
漬し、前記Cu−Ni−P合金の粗化面の表面に厚さ0.3 μ
mのスズ置換めっき層を形成した。
【0048】(3) クレゾールノボラックエポキシ樹脂の
25%アクリル化物(日本化薬製)70重量部、ポリエーテ
ルスルフォン(三井東圧製)25重量部、ベンゾフェノン
4重量部、ミヒラーケトン0.4 重量部およびイミダゾー
ル系硬化剤を混合した後、N−メチルピロリドン(NM
P)を添加しながらホモディスパ攪拌器で粘度30Pa・s
に調整し、さらに3本ロールで混練して層間絶縁剤を得
た。
25%アクリル化物(日本化薬製)70重量部、ポリエーテ
ルスルフォン(三井東圧製)25重量部、ベンゾフェノン
4重量部、ミヒラーケトン0.4 重量部およびイミダゾー
ル系硬化剤を混合した後、N−メチルピロリドン(NM
P)を添加しながらホモディスパ攪拌器で粘度30Pa・s
に調整し、さらに3本ロールで混練して層間絶縁剤を得
た。
【0049】(4) DMDG(ジメチルグリコールジメチ
ルエーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物
を70重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)30重量
部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-
CN)4重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変
成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜
合成製、商品名:アロニックスM325 )10重量部、光開
始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)5重量部、
光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.5 重
量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平
均粒径5.5 μmのものを35重量部、平均粒径0.5 μmの
ものを5重量部を混合した後、ノルマルメチルピロリド
ン(NMP)を添加しながら混合し、ホモディスパー攪
拌機で粘度2000cps に調整し、続いて3本ロールで混練
して感光性接着剤溶液を得た。
ルエーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物
を70重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)30重量
部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-
CN)4重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン変
成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東亜
合成製、商品名:アロニックスM325 )10重量部、光開
始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)5重量部、
光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)0.5 重
量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子の平
均粒径5.5 μmのものを35重量部、平均粒径0.5 μmの
ものを5重量部を混合した後、ノルマルメチルピロリド
ン(NMP)を添加しながら混合し、ホモディスパー攪
拌機で粘度2000cps に調整し、続いて3本ロールで混練
して感光性接着剤溶液を得た。
【0050】(5) 前記(3) で得た層間絶縁剤を、前記
(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコータを用い
て塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で乾燥
(プリベーク)を行い、絶縁剤層3を形成した。さらに
絶縁剤層3の上に、前記(4) で得た感光性接着剤溶液
を、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放
置してから、60℃で乾燥(プリベーク)を行い、接着剤
層4を形成した(図1(c) 参照)。
(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコータを用い
て塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で乾燥
(プリベーク)を行い、絶縁剤層3を形成した。さらに
絶縁剤層3の上に、前記(4) で得た感光性接着剤溶液
を、ロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分間放
置してから、60℃で乾燥(プリベーク)を行い、接着剤
層4を形成した(図1(c) 参照)。
【0051】(6) 前記(5) で絶縁剤層3と接着剤層4か
らなる層間樹脂絶縁層を形成した基板の両面に、バイア
ホールが描画されたフォトマスクフィルムを載置し、紫
外線を照射して露光する。 (7) 露光した基板をトリエチレングリコールジメチルエ
ーテル(DMTG)でスプレー現像することにより、層
間樹脂絶縁層に 100μmφのバイアホールとなる開口を
形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて3000mJ
/cm2 で露光し、100℃で1時間、その後 150℃で5時
間加熱処理することにより、フォトマスクフィルムに相
当する寸法精度に優れた開口(バイアホール形成用開口
5)を有する厚さ50μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)
を形成した。なお、バイアホールとなる開口には、スズ
メッキ層を部分的に露出させる。
らなる層間樹脂絶縁層を形成した基板の両面に、バイア
ホールが描画されたフォトマスクフィルムを載置し、紫
外線を照射して露光する。 (7) 露光した基板をトリエチレングリコールジメチルエ
ーテル(DMTG)でスプレー現像することにより、層
間樹脂絶縁層に 100μmφのバイアホールとなる開口を
形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯にて3000mJ
/cm2 で露光し、100℃で1時間、その後 150℃で5時
間加熱処理することにより、フォトマスクフィルムに相
当する寸法精度に優れた開口(バイアホール形成用開口
5)を有する厚さ50μmの層間樹脂絶縁層(2層構造)
を形成した。なお、バイアホールとなる開口には、スズ
メッキ層を部分的に露出させる。
【0052】(8) 前記(6),(7) でバイアホール形成用開
口5を形成した基板を、クロム酸に2分間浸漬し、次い
で、層間樹脂絶縁層中のエポキシ樹脂粒子を溶解して、
当該層間樹脂絶縁層の表面を粗化し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬したから水洗いした(図1(d)
参照)。
口5を形成した基板を、クロム酸に2分間浸漬し、次い
で、層間樹脂絶縁層中のエポキシ樹脂粒子を溶解して、
当該層間樹脂絶縁層の表面を粗化し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬したから水洗いした(図1(d)
参照)。
【0053】(9) DMDGに溶解させた60重量部のクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポ
キシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
(分子量4000)を46.67 g、メチルエチルケトンに溶解
させた80重量部のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油
化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾール硬
化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)1.6 g、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、商
品名:R604 )3g、同じく多価アクリルモノマー(共
栄社化学製、商品名:DPE6A )1.5 gを混合し、さらに
これらの混合物の全重量に対して 0.5重量部の2-エチル
ヘキシルアクリレート、ブチルアクリレート、エチルア
クリレート、ヒドロキシアクリレートからなるアクリル
酸エステルポリマーを0.36g、NMPに溶解させた30%
ポリエーテルスルフォン(PES)を12g混合して攪拌
して混合液Aを調製した。一方で、光開始剤としてのベ
ンゾフェノン(関東化学製)2g、光増感剤としてのミ
ヒラーケトン(関東化学製)0.2 gを40℃に加温した3
gのDMDGに溶解させて混合液Bを調製した。上記混
合液Aと上記混合液Bを混合攪拌して液状レジスト組成
物を得た。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポ
キシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
(分子量4000)を46.67 g、メチルエチルケトンに溶解
させた80重量部のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油
化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾール硬
化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)1.6 g、感光性
モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、商
品名:R604 )3g、同じく多価アクリルモノマー(共
栄社化学製、商品名:DPE6A )1.5 gを混合し、さらに
これらの混合物の全重量に対して 0.5重量部の2-エチル
ヘキシルアクリレート、ブチルアクリレート、エチルア
クリレート、ヒドロキシアクリレートからなるアクリル
酸エステルポリマーを0.36g、NMPに溶解させた30%
ポリエーテルスルフォン(PES)を12g混合して攪拌
して混合液Aを調製した。一方で、光開始剤としてのベ
ンゾフェノン(関東化学製)2g、光増感剤としてのミ
ヒラーケトン(関東化学製)0.2 gを40℃に加温した3
gのDMDGに溶解させて混合液Bを調製した。上記混
合液Aと上記混合液Bを混合攪拌して液状レジスト組成
物を得た。
【0054】(10)上記(8) の処理を終えた基板の両面
に、上記液状レジスト組成物をロールコーターを用いて
塗布し、70℃で60分の乾燥を行い、PESとエポキシア
クリレートを相分離させて、厚さ30μm樹脂層を形成し
た。
に、上記液状レジスト組成物をロールコーターを用いて
塗布し、70℃で60分の乾燥を行い、PESとエポキシア
クリレートを相分離させて、厚さ30μm樹脂層を形成し
た。
【0055】(11)上記(10)で形成した樹脂層にパターン
が描画されたマスクを積層し、1000mJ/cm2 の条件で紫
外線を照射して露光し、次いで、75℃で15分の加熱処理
を行って硬化した。
が描画されたマスクを積層し、1000mJ/cm2 の条件で紫
外線を照射して露光し、次いで、75℃で15分の加熱処理
を行って硬化した。
【0056】(12)上記(11)で露光した樹脂層をDMTG
+水からなる現像液で溶解現像し、基板上に導体回路パ
ターン部の抜けためっきレジストを形成し、更に、超高
圧水銀灯にて6000mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、
その後、 150℃で3時間の加熱処理を行い、層間樹脂絶
縁層の上に永久レジスト6を形成した。
+水からなる現像液で溶解現像し、基板上に導体回路パ
ターン部の抜けためっきレジストを形成し、更に、超高
圧水銀灯にて6000mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、
その後、 150℃で3時間の加熱処理を行い、層間樹脂絶
縁層の上に永久レジスト6を形成した。
【0057】(13)前記(12)で形成した永久レジスト6に
対し、N−メチルピロリドン(NMP)を吹きつけて、
永久レジスト6の側壁部を含む表面に存在するPESの
みを選択的に溶解除去することにより、永久レジスト6
の表面を粗面化した(図1(e)参照)。
対し、N−メチルピロリドン(NMP)を吹きつけて、
永久レジスト6の側壁部を含む表面に存在するPESの
みを選択的に溶解除去することにより、永久レジスト6
の表面を粗面化した(図1(e)参照)。
【0058】(14)前記(13)で粗面化処理を行った基板に
対し、パラジウム触媒(アトテック製)を付与すること
により、めっきレジストの表面を含む基板表面全体に触
媒核10を付けた。
対し、パラジウム触媒(アトテック製)を付与すること
により、めっきレジストの表面を含む基板表面全体に触
媒核10を付けた。
【0059】(15)前記(14)の処理を終えた基板に、予
め、めっき前処理(具体的には硫酸処理等および触媒核
の活性化)を行い、その後、無電解銅めっき浴(一次め
っき浴、二次めっき浴)による無電解めっきによって、
めっきレジスト表面および導体パターン形成部に厚さ15
μm程度の無電解銅めっきを析出させた(図1(f) 参
照)。
め、めっき前処理(具体的には硫酸処理等および触媒核
の活性化)を行い、その後、無電解銅めっき浴(一次め
っき浴、二次めっき浴)による無電解めっきによって、
めっきレジスト表面および導体パターン形成部に厚さ15
μm程度の無電解銅めっきを析出させた(図1(f) 参
照)。
【0060】(16)前記(15)でアディティブ法による導体
層を形成した基板の片面を、ベルトサンダーを用い、♯
600 のベルト研磨紙により研磨し、めっきレジスト上の
導体パターン非形成面に析出した無電解めっき膜を除去
して、外層銅パターン7,バイアホール8を形成した。
このとき、永久レジストの表面とバイアホールを含む導
体回路の最上面とが同一平面上に揃うまで研磨した。次
いで、ベルトサンダーによる傷を取り除くために、バフ
研磨を行った(バフ研磨のみの研磨でもよい)。このよ
うな一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行
い、基板両面がフラット(平滑)なプリント基板を形成
した(図1(g) 参照)。
層を形成した基板の片面を、ベルトサンダーを用い、♯
600 のベルト研磨紙により研磨し、めっきレジスト上の
導体パターン非形成面に析出した無電解めっき膜を除去
して、外層銅パターン7,バイアホール8を形成した。
このとき、永久レジストの表面とバイアホールを含む導
体回路の最上面とが同一平面上に揃うまで研磨した。次
いで、ベルトサンダーによる傷を取り除くために、バフ
研磨を行った(バフ研磨のみの研磨でもよい)。このよ
うな一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行
い、基板両面がフラット(平滑)なプリント基板を形成
した(図1(g) 参照)。
【0061】(17)前述した工程を繰り返すことにより、
アディティブ法による導体層を更にもう一層形成した。
そして、このように配線層をビルドアップして行くこと
により6層の多層プリント配線板を製造した(図1(h)
参照)。
アディティブ法による導体層を更にもう一層形成した。
そして、このように配線層をビルドアップして行くこと
により6層の多層プリント配線板を製造した(図1(h)
参照)。
【0062】(比較例)基本的に実施例と同様である
が、DMDGに溶解させたクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂(日本化薬製、商品名:EOCN−103S)のエポキ
シ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分
子量4000)、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品
名:2E4MZ-CN)、感光性モノマーであるアクリル系イソ
シアネート(東亜合成製:商品名アロニックスM215
)、光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学
製)、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)
を以下の組成でNMPを用いて混合して、ホモディスパ
ー攪拌機で粘度3000cps に調整し、続いて3本ロールで
混練して得た液状レジスト組成物を用い、多層プリント
配線板を製造した。 レジスト組成物;感光性エポキシ/PES /M215 /BP/
MK/イミダゾール=70/30/10/5/0.5 /5 なお、本比較例では、層間樹脂絶縁層の表面を粗化した
後、触媒核を付与した基板上に、上記液状レジスト組成
物を塗布して乾燥し、露光、現像処理して硬化させて、
めっきレジストを形成した。このとき、めっきレジスト
表面の粗化処理は行わなかった。
が、DMDGに溶解させたクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂(日本化薬製、商品名:EOCN−103S)のエポキ
シ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分
子量4000)、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品
名:2E4MZ-CN)、感光性モノマーであるアクリル系イソ
シアネート(東亜合成製:商品名アロニックスM215
)、光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学
製)、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)
を以下の組成でNMPを用いて混合して、ホモディスパ
ー攪拌機で粘度3000cps に調整し、続いて3本ロールで
混練して得た液状レジスト組成物を用い、多層プリント
配線板を製造した。 レジスト組成物;感光性エポキシ/PES /M215 /BP/
MK/イミダゾール=70/30/10/5/0.5 /5 なお、本比較例では、層間樹脂絶縁層の表面を粗化した
後、触媒核を付与した基板上に、上記液状レジスト組成
物を塗布して乾燥し、露光、現像処理して硬化させて、
めっきレジストを形成した。このとき、めっきレジスト
表面の粗化処理は行わなかった。
【0063】上記の実施例と比較例で製造した多層プリ
ント配線板について、−65℃〜125℃で2000回のヒート
サイクル試験を行った。その結果、実施例では、導体回
路とめっきレジストの界面に接する上下の層間樹脂絶縁
層に、何らクラックは発生しなかった。これに対し比較
例では、図2に示すように、導体回路とめっきレジスト
の界面に接する上下の層間樹脂絶縁層に、クラックが発
生した。
ント配線板について、−65℃〜125℃で2000回のヒート
サイクル試験を行った。その結果、実施例では、導体回
路とめっきレジストの界面に接する上下の層間樹脂絶縁
層に、何らクラックは発生しなかった。これに対し比較
例では、図2に示すように、導体回路とめっきレジスト
の界面に接する上下の層間樹脂絶縁層に、クラックが発
生した。
【0064】即ち、配線基板の研磨によって導体回路が
塑性変形すると、導体回路とめっきレジストの界面には
図2および図3に示すような突起が生じる。本発明によ
れば、この研磨面の上にさらに層間樹脂絶縁層を形成し
ても、ヒートサイクル試験により、層間樹脂絶縁層にク
ラックは発生しないことが確認できた。
塑性変形すると、導体回路とめっきレジストの界面には
図2および図3に示すような突起が生じる。本発明によ
れば、この研磨面の上にさらに層間樹脂絶縁層を形成し
ても、ヒートサイクル試験により、層間樹脂絶縁層にク
ラックは発生しないことが確認できた。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、め
っきレジストのめっき導体と接触する部分が粗面化され
るので、耐熱性や電気特性に優れることはもちろん、と
くにめっきレジストと導体回路との密着性が極めて優
れ、かつヒートサイクル特性等の信頼性にも優れたプリ
ント配線板を提供することができる。
っきレジストのめっき導体と接触する部分が粗面化され
るので、耐熱性や電気特性に優れることはもちろん、と
くにめっきレジストと導体回路との密着性が極めて優
れ、かつヒートサイクル特性等の信頼性にも優れたプリ
ント配線板を提供することができる。
【図1】実施例における本発明にかかるプリント配線板
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図2】比較例のプリント配線板に関するヒートサイク
ル試験後の状態を示す拡大断面略図である。
ル試験後の状態を示す拡大断面略図である。
【図3】実施例のプリント配線板に関するヒートサイク
ル試験後の状態を示す拡大断面略図である。
ル試験後の状態を示す拡大断面略図である。
1 基板 2 内層銅パターン 3 絶縁剤層(層間樹脂絶縁層) 4 接着剤層(層間樹脂絶縁層) 5 バイアホール用開口 6 めっきレジスト(永久レジスト) 7 外層銅パターン(めっきレジストを介した導体回
路) 8 バイアホール 9 銅箔 10 めっき用触媒核
路) 8 バイアホール 9 銅箔 10 めっき用触媒核
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に形成された樹脂絶縁層の表面
に、めっきレジストを介してめっきレジスト非形成部分
に導体回路を設けてなるプリント配線板において、 前記めっきレジストは導体回路と接触するその側壁部が
粗面化され、かつその粗面化された側壁部にはめっき用
触媒核が付与されていることを特徴とするプリント配線
板。 - 【請求項2】 前記めっきレジストは、熱可塑性樹脂と
感光性樹脂からなる樹脂複合体を樹脂成分とすることを
特徴とする請求項1に記載のプリント配線板。 - 【請求項3】 前記樹脂絶縁層が無電解めっき用接着剤
層であることを特徴とする請求項1に記載のプリント配
線板。 - 【請求項4】 前記めっきレジストの表面は、導体回路
の表面と同一平面上になるように研磨して平滑化したも
のであることを特徴とする請求項1に記載のプリント配
線板。 - 【請求項5】 基板上に、樹脂絶縁層を形成し、次い
で、樹脂絶縁層表面の導体パターンを除く部分にめっき
レジストを形成し、その後、めっきレジスト非形成部分
に無電解めっきによる導体回路を形成するプリント配線
板の製造方法において、 前記無電解めっきによる導体回路の形成に当たり、めっ
きレジストの側壁部を含む表面を粗面化し、このめっき
レジストの表面を含む基板表面全体にめっき用触媒核を
付与して無電解めっきを施した後、めっきレジスト上の
導体パターン非形成面に析出した無電解めっき膜を除去
する、ことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 【請求項6】 前記めっきレジストの形成に当たり、基
板上に、熱可塑性樹脂と感光性樹脂の混合樹脂を樹脂成
分とする組成物を塗布して乾燥し、露光,現像処理して
硬化させると同時に、そのめっきレジストの側壁面を含
む表面を、溶剤にて処理することによって前記混合樹脂
の熱可塑性樹脂部分のみを溶解除去し粗面化する、こと
を特徴とする請求項5に記載の製造方法。 - 【請求項7】 前記樹脂絶縁層は、無電解めっき用接着
剤を用いて形成することを特徴とする請求項5に記載の
製造方法。 - 【請求項8】 前記めっきレジストの表面は、導体回路
の表面と同一平面上になるように研磨して平滑化するこ
とを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25705596A JPH10107436A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プリント配線板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25705596A JPH10107436A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プリント配線板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107436A true JPH10107436A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17301119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25705596A Pending JPH10107436A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プリント配線板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107436A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000282247A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-10 | Ibiden Co Ltd | 無電解めっき液、無電解めっき方法、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 |
| JP2007144820A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | プリント配線板用積層体、及び、それを用いたプリント配線板の作製方法 |
| JP2008118162A (ja) * | 2008-01-29 | 2008-05-22 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25705596A patent/JPH10107436A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
| US7827680B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Electroplating process of electroplating an elecrically conductive sustrate |
| US8065794B2 (en) | 1998-09-14 | 2011-11-29 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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