JPH10114425A - ボート - Google Patents
ボートInfo
- Publication number
- JPH10114425A JPH10114425A JP27085496A JP27085496A JPH10114425A JP H10114425 A JPH10114425 A JP H10114425A JP 27085496 A JP27085496 A JP 27085496A JP 27085496 A JP27085496 A JP 27085496A JP H10114425 A JPH10114425 A JP H10114425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- semiconductor wafer
- groove
- supporting
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハを取り出すことが容易なボート
を提供する。 【解決手段】半導体製造装置における半導体ウェーハ1
の反応炉への搬入と反応炉からの搬出に使用するボート
において、ボートの内側面に設けられたボート支柱61
の溝62の半導体ウェーハ支持面に、半導体ウェーハ1
を点接触で支持するウェーハ支持ブロック64を設け
る。
を提供する。 【解決手段】半導体製造装置における半導体ウェーハ1
の反応炉への搬入と反応炉からの搬出に使用するボート
において、ボートの内側面に設けられたボート支柱61
の溝62の半導体ウェーハ支持面に、半導体ウェーハ1
を点接触で支持するウェーハ支持ブロック64を設け
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おける半導体ウェーハの反応炉への搬入と反応炉からの
搬出に使用するボートに関するものである。
おける半導体ウェーハの反応炉への搬入と反応炉からの
搬出に使用するボートに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、縦型炉を有する半導体製造装置
の概略を示す斜視図である。
の概略を示す斜視図である。
【0003】この装置において処理を施す半導体ウェー
ハ1は、ウェーハ授受装置2に搬入され、カセットスト
ッカ3に収納された後、移載機4を介してボート6に搭
載される。半導体ウェーハ1を搭載したボート6は、ボ
ートエレベータ5によって反応炉7内へ搬入され、反応
炉7内において半導体ウェーハ1に所定の処理が施され
る。
ハ1は、ウェーハ授受装置2に搬入され、カセットスト
ッカ3に収納された後、移載機4を介してボート6に搭
載される。半導体ウェーハ1を搭載したボート6は、ボ
ートエレベータ5によって反応炉7内へ搬入され、反応
炉7内において半導体ウェーハ1に所定の処理が施され
る。
【0004】図5は、半導体ウェーハ1を搭載した従来
のボート6の詳細を示す部分断面図である。
のボート6の詳細を示す部分断面図である。
【0005】図に示すように、従来のボート6の内側面
にはボート支柱61が設けられており、該ボート支柱6
1には、半導体ウェーハ1の端部を支持するための、支
持面がボート支柱61の長手方向に直角で互いに平行な
複数の溝62が設けられている。処理を施す半導体ウェ
ーハ1は、端部を溝62に挿入してボート6に搭載し、
反応炉7内へ搬入して、所定の処理を施す。
にはボート支柱61が設けられており、該ボート支柱6
1には、半導体ウェーハ1の端部を支持するための、支
持面がボート支柱61の長手方向に直角で互いに平行な
複数の溝62が設けられている。処理を施す半導体ウェ
ーハ1は、端部を溝62に挿入してボート6に搭載し、
反応炉7内へ搬入して、所定の処理を施す。
【0006】図6は、このようなボート6に半導体ウェ
ーハ1を搭載して反応炉7内へ搬入し、CVD(化学気
相蒸着)膜63等の厚膜(厚さ100Å以上の多結晶シ
リコン膜等)を成膜した場合の状態を示す図である。図
に示すように、半導体ウェーハ1と溝62の支持面との
接触面積は広く、また、半導体ウェーハ1と溝62との
隙間にもCVD膜63が堆積する。
ーハ1を搭載して反応炉7内へ搬入し、CVD(化学気
相蒸着)膜63等の厚膜(厚さ100Å以上の多結晶シ
リコン膜等)を成膜した場合の状態を示す図である。図
に示すように、半導体ウェーハ1と溝62の支持面との
接触面積は広く、また、半導体ウェーハ1と溝62との
隙間にもCVD膜63が堆積する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のボート6に
おいては、半導体ウェーハ1と溝62との隙間にもCV
D膜63が堆積し、半導体ウェーハ1と溝62の支持面
との接触面積も広いので、半導体ウェーハ1と溝62と
が接着状態となり、ボート6を反応炉7から搬出した
後、半導体ウェーハ1をボート6から取り出すことが困
難になるという問題があった。
おいては、半導体ウェーハ1と溝62との隙間にもCV
D膜63が堆積し、半導体ウェーハ1と溝62の支持面
との接触面積も広いので、半導体ウェーハ1と溝62と
が接着状態となり、ボート6を反応炉7から搬出した
後、半導体ウェーハ1をボート6から取り出すことが困
難になるという問題があった。
【0008】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、半導体ウェーハを取り出すことが容易なボ
ートを提供することを目的とする。
れたもので、半導体ウェーハを取り出すことが容易なボ
ートを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、ボートの内側面に設けられたボ
ート支柱の溝の半導体ウェーハ支持面に、半導体ウェー
ハを点接触で支持するウェーハ支持ブロックを設ける。
め、本発明においては、ボートの内側面に設けられたボ
ート支柱の溝の半導体ウェーハ支持面に、半導体ウェー
ハを点接触で支持するウェーハ支持ブロックを設ける。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明に係るボートを示す
部分断面図、図2は図1A部の拡大図、図3は図2のB
−B断面図である。
部分断面図、図2は図1A部の拡大図、図3は図2のB
−B断面図である。
【0011】図に示すように、本発明に係るボートにお
いては、ボート支柱61の溝62の半導体ウェーハ1支
持面に、半導体ウェーハ1を点接触で支持するウェーハ
支持ブロック64を設ける。
いては、ボート支柱61の溝62の半導体ウェーハ1支
持面に、半導体ウェーハ1を点接触で支持するウェーハ
支持ブロック64を設ける。
【0012】このような、溝62の支持面にウェーハ支
持ブロック64を設けたボートにおいては、図3に示す
ように、ウェーハ支持ブロック64は半導体ウェーハ1
によって覆われた位置にあるので、CVD等を施して
も、半導体ウェーハ1はウェーハ支持ブロック64によ
って点接触の状態が保たれる。また、図2に示すよう
に、CVD膜63等の厚膜を成膜した場合にも、半導体
ウェーハ1と溝62との間には充分な隙間が存在するの
で、隙間にCVD膜63が堆積して半導体ウェーハ1と
溝62とが接着状態となり取り出しにくくなるというこ
とはない。
持ブロック64を設けたボートにおいては、図3に示す
ように、ウェーハ支持ブロック64は半導体ウェーハ1
によって覆われた位置にあるので、CVD等を施して
も、半導体ウェーハ1はウェーハ支持ブロック64によ
って点接触の状態が保たれる。また、図2に示すよう
に、CVD膜63等の厚膜を成膜した場合にも、半導体
ウェーハ1と溝62との間には充分な隙間が存在するの
で、隙間にCVD膜63が堆積して半導体ウェーハ1と
溝62とが接着状態となり取り出しにくくなるというこ
とはない。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るボー
トにおいては、半導体ウェーハとボートのボート支柱の
溝とが接着状態となることがないので、半導体ウェーハ
をボートから搬出する際の移載不具合を防止することが
可能となる。このため、半導体ウェーハ及びボートの破
損が防止でき、ボートの整備に要する工数の低減が可能
となり、半導体製造工程の効率と経済性とを向上するこ
とが可能となるという効果がある。
トにおいては、半導体ウェーハとボートのボート支柱の
溝とが接着状態となることがないので、半導体ウェーハ
をボートから搬出する際の移載不具合を防止することが
可能となる。このため、半導体ウェーハ及びボートの破
損が防止でき、ボートの整備に要する工数の低減が可能
となり、半導体製造工程の効率と経済性とを向上するこ
とが可能となるという効果がある。
【図1】本発明に係るボートを示す部分断面図である。
【図2】図1A部の拡大図である。
【図3】図2のB−B断面図である。
【図4】縦型炉を有する半導体製造装置の概略を示す斜
視図である。
視図である。
【図5】半導体ウェーハを搭載した従来のボートの詳細
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図6】従来のボートを用いて半導体ウェーハにCVD
膜等の厚膜を成膜した場合の状態を示す図である。
膜等の厚膜を成膜した場合の状態を示す図である。
1…半導体ウェーハ 2…ウェーハ授受装置 3…カセットストッカ 4…移載機 5…ボートエレベータ 6…ボート 7…反応炉 61…ボート支柱 62…溝 63…CVD膜 64…ウェーハ支持ブロック
Claims (1)
- 【請求項1】半導体製造装置における半導体ウェーハの
反応炉への搬入と反応炉からの搬出に使用するボートに
おいて、上記ボートの内側面に設けられたボート支柱の
溝の半導体ウェーハ支持面に、上記半導体ウェーハを点
接触で支持するウェーハ支持ブロックを設けることを特
徴とするボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27085496A JPH10114425A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27085496A JPH10114425A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10114425A true JPH10114425A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17491912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27085496A Pending JPH10114425A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10114425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112113A1 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボート |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP27085496A patent/JPH10114425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112113A1 (ja) * | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボート |
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