JPH10125775A - 多層配線半導体集積回路の層間接続装置 - Google Patents
多層配線半導体集積回路の層間接続装置Info
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- JPH10125775A JPH10125775A JP27591396A JP27591396A JPH10125775A JP H10125775 A JPH10125775 A JP H10125775A JP 27591396 A JP27591396 A JP 27591396A JP 27591396 A JP27591396 A JP 27591396A JP H10125775 A JPH10125775 A JP H10125775A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線の各配線層を接続する際の不良発生
度合いを低減した多層配線半導体集積回路の層間接続装
置を提供する。 【解決手段】多層配線された半導体集積回路の一つの配
線層と他の配線層をコンタクトにより接続する装置であ
って、接続すべき各配線層より延在する各配線３，４の
接続箇所に複数のコンタクト６，８をその配線面積を広
げない範囲で形成することができる配線層に限り、前記
各配線の接続箇所に前記複数のコンタクト６，８を併設
し、前記各配線層間を接続するように構成した。
度合いを低減した多層配線半導体集積回路の層間接続装
置を提供する。 【解決手段】多層配線された半導体集積回路の一つの配
線層と他の配線層をコンタクトにより接続する装置であ
って、接続すべき各配線層より延在する各配線３，４の
接続箇所に複数のコンタクト６，８をその配線面積を広
げない範囲で形成することができる配線層に限り、前記
各配線の接続箇所に前記複数のコンタクト６，８を併設
し、前記各配線層間を接続するように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線された半
導体集積回路の各配線層間を接続する際に用いられる層
間接続装置に関するものである。
導体集積回路の各配線層間を接続する際に用いられる層
間接続装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、多層配線は高密度半導体集積回路
には欠かせない技術として注目されているが、この多層
配線の各配線層を接続する際に用いられるコンタクトの
形成については、半導体集積回路の大規模化に伴う配線
の微細化によって高いアスペクト比になり、その信頼性
および初期特性の歩留まりを維持することが大変困難な
状態になってきている。
には欠かせない技術として注目されているが、この多層
配線の各配線層を接続する際に用いられるコンタクトの
形成については、半導体集積回路の大規模化に伴う配線
の微細化によって高いアスペクト比になり、その信頼性
および初期特性の歩留まりを維持することが大変困難な
状態になってきている。
【０００３】以下図面を参照しつつ従来の多層配線半導
体集積回路の層間接続装置の一例について説明する。図
４は各配線層からの配線と、これを接続する際に用いら
れるコンタクトの形成位置を示す平面図であり、図中、
１は一つの配線層に設けられれた第１端子、２は他の配
線層に設けられれた第２端子でこれら両端子を接続する
場合、第１端子１から延長された第１配線３と、第２端
子２から延長された第２配線４を交叉させ、その交点に
コンタクト５を形成することによりこれら第１配線３と
第２配線４は電気的に接続され、従って第１端子１と第
２端子２が接続されることになる。
体集積回路の層間接続装置の一例について説明する。図
４は各配線層からの配線と、これを接続する際に用いら
れるコンタクトの形成位置を示す平面図であり、図中、
１は一つの配線層に設けられれた第１端子、２は他の配
線層に設けられれた第２端子でこれら両端子を接続する
場合、第１端子１から延長された第１配線３と、第２端
子２から延長された第２配線４を交叉させ、その交点に
コンタクト５を形成することによりこれら第１配線３と
第２配線４は電気的に接続され、従って第１端子１と第
２端子２が接続されることになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
集積回路の大規模化によるコンタクト数の飛躍的な増加
により、このコンタクト接続の歩留まりが半導体集積回
路自体の歩留まりに大きく影響するようになってきてい
る現状にあっては、このような従来の構成では対応しき
れなくなってきている。即ち、この従来の構成における
コンタクトの数と半導体集積回路自体の歩留まりとの関
係は、コンタクト１個当たりの不良率をパラメータにし
て図５に示すようになり、半導体集積回路自体の歩留ま
りが低下していることが分かる。
集積回路の大規模化によるコンタクト数の飛躍的な増加
により、このコンタクト接続の歩留まりが半導体集積回
路自体の歩留まりに大きく影響するようになってきてい
る現状にあっては、このような従来の構成では対応しき
れなくなってきている。即ち、この従来の構成における
コンタクトの数と半導体集積回路自体の歩留まりとの関
係は、コンタクト１個当たりの不良率をパラメータにし
て図５に示すようになり、半導体集積回路自体の歩留ま
りが低下していることが分かる。
【０００５】本発明は前記従来の問題点を解決するもの
であり、多層配線の各配線層を接続する際の不良発生度
合いを低減した多層配線半導体集積回路の層間接続装置
を提供することを目的とする。
であり、多層配線の各配線層を接続する際の不良発生度
合いを低減した多層配線半導体集積回路の層間接続装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線半導体
集積回路の層間接続装置は、多層配線された半導体集積
回路の一つの配線層と他の配線層をコンタクトにより接
続する装置であって、接続すべき各配線層より延在する
各配線の接続箇所に前記コンタクトをその配線面積を広
げない範囲で複数個形成することができる配線層に限
り、前記各配線の接続箇所に前記コンタクトを複数個併
設し、前記各配線層間を接続するようにしたものであ
る。
集積回路の層間接続装置は、多層配線された半導体集積
回路の一つの配線層と他の配線層をコンタクトにより接
続する装置であって、接続すべき各配線層より延在する
各配線の接続箇所に前記コンタクトをその配線面積を広
げない範囲で複数個形成することができる配線層に限
り、前記各配線の接続箇所に前記コンタクトを複数個併
設し、前記各配線層間を接続するようにしたものであ
る。
【０００７】この本発明によれば、多数の配線接続箇所
を複数のコンタクトで接続することが可能となって、そ
の接続状態は安定し、半導体集積回路自体の歩留まり向
上に寄与することができる多層配線半導体集積回路の層
間接続装置が得られる。
を複数のコンタクトで接続することが可能となって、そ
の接続状態は安定し、半導体集積回路自体の歩留まり向
上に寄与することができる多層配線半導体集積回路の層
間接続装置が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、前記従来
のものと共通する部分については同一符号を用いるもの
とする。
いて図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、前記従来
のものと共通する部分については同一符号を用いるもの
とする。
【０００９】図１は本発明の多層配線半導体集積回路の
層間接続装置の一実施の形態における各配線層からの配
線と、これを接続する際に用いられるコンタクトの形成
位置を示す平面図であり、図中、１は一つの配線層に設
けられれた第１端子、２は他の配線層に設けられれた第
２端子でこれら両端子を接続する場合、第１端子１から
延長された第１配線３と、第２端子２から延長された第
２配線４を交叉させ、その交点に第１コンタクト６を形
成すると共に、図示のように第１配線３と第２配線４の
周りに他の配線が存在しない場合は、第１配線３から直
角に、これと電気的に連続する第３配線７を設けてこれ
を第２配線４上に延在させ、この位置に第２コンタクト
８を形成することにより第１配線３と第２配線４とは第
１コンタクト６および第２コンタクト８により電気的に
接続される。
層間接続装置の一実施の形態における各配線層からの配
線と、これを接続する際に用いられるコンタクトの形成
位置を示す平面図であり、図中、１は一つの配線層に設
けられれた第１端子、２は他の配線層に設けられれた第
２端子でこれら両端子を接続する場合、第１端子１から
延長された第１配線３と、第２端子２から延長された第
２配線４を交叉させ、その交点に第１コンタクト６を形
成すると共に、図示のように第１配線３と第２配線４の
周りに他の配線が存在しない場合は、第１配線３から直
角に、これと電気的に連続する第３配線７を設けてこれ
を第２配線４上に延在させ、この位置に第２コンタクト
８を形成することにより第１配線３と第２配線４とは第
１コンタクト６および第２コンタクト８により電気的に
接続される。
【００１０】従って第１端子１と第２端子２とは２個の
コンタクトが併設された形で接続されることになり、そ
の接続状態は非常に安定したものとなる。なお、多層配
線半導体集積回路の層によっては配線密度が高く、第１
配線３と第２配線４の周りに配置配線設計ルールぎりぎ
りに他の配線が存在する場合を図２に示しており、図
中、１は一つの配線層に設けられれた第１端子、２は他
の配線層に設けられれた第２端子でこれら両端子を接続
する場合、第１端子１から延長された第１配線３と、前
記第２端子２から延長された第２配線４を交叉させ、そ
の交点にコンタクト５を形成する。この場合、前記他の
配線である第４配線９，第５配線10，第６配線11，第７
配線12が存在するため、図１に示すような複数個のコン
タクトを併設することができないので、このような層に
ついては従来と同様の構成にしておき、図１のような場
合のみ２個のコンタクトを併設した形とする。
コンタクトが併設された形で接続されることになり、そ
の接続状態は非常に安定したものとなる。なお、多層配
線半導体集積回路の層によっては配線密度が高く、第１
配線３と第２配線４の周りに配置配線設計ルールぎりぎ
りに他の配線が存在する場合を図２に示しており、図
中、１は一つの配線層に設けられれた第１端子、２は他
の配線層に設けられれた第２端子でこれら両端子を接続
する場合、第１端子１から延長された第１配線３と、前
記第２端子２から延長された第２配線４を交叉させ、そ
の交点にコンタクト５を形成する。この場合、前記他の
配線である第４配線９，第５配線10，第６配線11，第７
配線12が存在するため、図１に示すような複数個のコン
タクトを併設することができないので、このような層に
ついては従来と同様の構成にしておき、図１のような場
合のみ２個のコンタクトを併設した形とする。
【００１１】このようにコンタクト２個取りの時と、１
個取りの時と、可能な限り２個取りした時の半導体集積
回路自体の良品率は図３に示すようになり、明かに２個
取りの時の良品率が高く、以下、可能な限り２個取りし
た時、１個取りの時の順に良品率は低下して行くことが
分かる。
個取りの時と、可能な限り２個取りした時の半導体集積
回路自体の良品率は図３に示すようになり、明かに２個
取りの時の良品率が高く、以下、可能な限り２個取りし
た時、１個取りの時の順に良品率は低下して行くことが
分かる。
【００１２】本実施の形態は、接続すべき各配線層より
延在する各配線の接続箇所に、コンタクトをその配線面
積を広げない範囲で複数個形成することができる配線層
に限り、前記コンタクトを複数個併設したものであり、
コンタクトを１個用いた場合よりも、その良品率は遥か
に高くなり、半導体集積回路自体の歩留まり向上に寄与
する多層配線半導体集積回路の層間接続装置を提供する
ことができる。
延在する各配線の接続箇所に、コンタクトをその配線面
積を広げない範囲で複数個形成することができる配線層
に限り、前記コンタクトを複数個併設したものであり、
コンタクトを１個用いた場合よりも、その良品率は遥か
に高くなり、半導体集積回路自体の歩留まり向上に寄与
する多層配線半導体集積回路の層間接続装置を提供する
ことができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、配線接続
箇所に形成するコンタクトを可能な限り複数個併設する
ことにより、配線接続の信頼性および初期特性の歩留ま
りを向上させることができるという有利な効果が得られ
る。
箇所に形成するコンタクトを可能な限り複数個併設する
ことにより、配線接続の信頼性および初期特性の歩留ま
りを向上させることができるという有利な効果が得られ
る。
【図１】本発明の多層配線半導体集積回路の層間接続装
置の一実施の形態における各配線層からの配線と、これ
を接続する際に用いられるコンタクトの形成位置を示す
平面図。
置の一実施の形態における各配線層からの配線と、これ
を接続する際に用いられるコンタクトの形成位置を示す
平面図。
【図２】本発明の多層配線半導体集積回路の層間接続装
置の一実施の形態における配線層の説明図。
置の一実施の形態における配線層の説明図。
【図３】本発明の多層配線半導体集積回路の層間接続装
置の一実施の形態におけるコンタクト１個あたりの不良
率と、半導体集積回路自体の良品率との関係を示すグラ
フ。
置の一実施の形態におけるコンタクト１個あたりの不良
率と、半導体集積回路自体の良品率との関係を示すグラ
フ。
【図４】従来の多層配線半導体集積回路の層間接続装置
における各配線層からの配線と、これを接続する際に用
いられるコンタクトの形成位置を示す平面図。
における各配線層からの配線と、これを接続する際に用
いられるコンタクトの形成位置を示す平面図。
【図５】一般の多層配線半導体集積回路の層間接続装置
におけるコンタクトの数と、半導体集積回路自体の良品
率との関係を示すグラフ。
におけるコンタクトの数と、半導体集積回路自体の良品
率との関係を示すグラフ。
１…第１端子、 ２…第２端子、 ３…第１配線、 ４
…第２配線、 ５…コンタクト、 ６…第１コンタク
ト、 ７…第３配線、 ８…第２コンタクト、９…第４
配線、 10…第５配線、 11…第６配線、 12…第７配
線。
…第２配線、 ５…コンタクト、 ６…第１コンタク
ト、 ７…第３配線、 ８…第２コンタクト、９…第４
配線、 10…第５配線、 11…第６配線、 12…第７配
線。
Claims (1)
- 【請求項１】 多層配線された半導体集積回路の一つの
配線層と他の配線層をコンタクトにより接続する装置で
あって、接続すべき各配線層より延在する各配線の接続
箇所に前記コンタクトをその配線面積を広げない範囲で
複数個形成することができる配線層に限り、前記各配線
の接続箇所に前記コンタクトを複数個併設し、前記各配
線層間を接続することを特徴とする多層配線半導体集積
回路の層間接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591396A JP3559845B2 (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 多層配線半導体集積回路の層間接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591396A JP3559845B2 (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 多層配線半導体集積回路の層間接続装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125775A true JPH10125775A (ja) | 1998-05-15 |
| JP3559845B2 JP3559845B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=17562177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27591396A Expired - Fee Related JP3559845B2 (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 多層配線半導体集積回路の層間接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3559845B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6769106B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-07-27 | Renesas Technology Corp. | Method of wiring semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, and computer product |
| US8053813B2 (en) | 2008-02-07 | 2011-11-08 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and layout method thereof |
-
1996
- 1996-10-18 JP JP27591396A patent/JP3559845B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6769106B2 (en) | 2001-07-16 | 2004-07-27 | Renesas Technology Corp. | Method of wiring semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, and computer product |
| US8053813B2 (en) | 2008-02-07 | 2011-11-08 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and layout method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3559845B2 (ja) | 2004-09-02 |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040128 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20040402 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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Effective date: 20040427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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