JPH1012791A - リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH1012791A JPH1012791A JP8161309A JP16130996A JPH1012791A JP H1012791 A JPH1012791 A JP H1012791A JP 8161309 A JP8161309 A JP 8161309A JP 16130996 A JP16130996 A JP 16130996A JP H1012791 A JPH1012791 A JP H1012791A
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- Japan
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- lead
- frame
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- H—ELECTRICITY
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 リードフレームのリードピッチを小さく、か
つ充分な強度を確保する。 【解決手段】 内端部４ａが半導体チップの外部電極と
接続され、外端部４ｃが半導体装置の外部端子となる複
数のリードを一体化したリードフレームにおいて、各リ
ードの内端部４ａを含む内方部分を一体化した内リード
フレーム６と、各リードの外端部４ｃを含む外方部分を
一体化した外リードフレーム８とを接続して形成し、内
リードフレーム６を前記外リードフレーム８よりも板厚
を薄くする。 【効果】 微細化の必要なリード内端部の板厚を薄くす
ることによって、リードピッチの微細化が可能となり、
強度の必要なリード外端部の板厚を厚くすることによっ
て、外端部の強度を確保する。
つ充分な強度を確保する。 【解決手段】 内端部４ａが半導体チップの外部電極と
接続され、外端部４ｃが半導体装置の外部端子となる複
数のリードを一体化したリードフレームにおいて、各リ
ードの内端部４ａを含む内方部分を一体化した内リード
フレーム６と、各リードの外端部４ｃを含む外方部分を
一体化した外リードフレーム８とを接続して形成し、内
リードフレーム６を前記外リードフレーム８よりも板厚
を薄くする。 【効果】 微細化の必要なリード内端部の板厚を薄くす
ることによって、リードピッチの微細化が可能となり、
強度の必要なリード外端部の板厚を厚くすることによっ
て、外端部の強度を確保する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
びそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、イ
ンナーリードの先端ピッチの微細化に適用して有効な技
術に関するものである。
びそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、イ
ンナーリードの先端ピッチの微細化に適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造では、搭載する半導体
チップの外部電極であるパッドに接続されるインナーリ
ードと半導体装置の外部端子となるアウターリードとか
ら夫々なる複数のリードを枠体・ダムバー等によって一
体化したリードフレームが用いられている。
チップの外部電極であるパッドに接続されるインナーリ
ードと半導体装置の外部端子となるアウターリードとか
ら夫々なる複数のリードを枠体・ダムバー等によって一
体化したリードフレームが用いられている。
【０００３】このようなリードフレームは４２アロイ、
銅等の金属薄板をスタンピング加工或いはエッチング加
工して形成されているが、スタンピング加工の加工限界
は、加工ピッチが板厚によって制限され、リード幅で板
厚の８５％、リード間隔で板厚の７５％が最小加工寸法
であり、例えばリードフレーム厚０．１５ｍｍの場合に
はピッチが０．２０ｍｍ程度が限界となっている。この
限界は、エッチング加工の場合も同程度である。
銅等の金属薄板をスタンピング加工或いはエッチング加
工して形成されているが、スタンピング加工の加工限界
は、加工ピッチが板厚によって制限され、リード幅で板
厚の８５％、リード間隔で板厚の７５％が最小加工寸法
であり、例えばリードフレーム厚０．１５ｍｍの場合に
はピッチが０．２０ｍｍ程度が限界となっている。この
限界は、エッチング加工の場合も同程度である。
【０００４】微細化の進展による半導体チップの多機能
化に伴い、半導体装置の外部端子であるピンの数も増加
しており、このような多ピン化に応じてリードフレーム
も微細化が求められている。
化に伴い、半導体装置の外部端子であるピンの数も増加
しており、このような多ピン化に応じてリードフレーム
も微細化が求められている。
【０００５】また、微細化の進展による半導体チップの
小型化に伴い、半導体装置の外形にも小型化が求められ
ており、このような小型化に応じてリードフレームも微
細化が求められている。このようなリードの狭ピッチ化
については日経ＢＰ社刊「ＶＬＳＩパッケージング技
術」下巻第１６５頁乃至第１６７頁に記載されている。
小型化に伴い、半導体装置の外形にも小型化が求められ
ており、このような小型化に応じてリードフレームも微
細化が求められている。このようなリードの狭ピッチ化
については日経ＢＰ社刊「ＶＬＳＩパッケージング技
術」下巻第１６５頁乃至第１６７頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
如く、従来の０．２ｍｍ程度のリードピッチでは対応可
能な半導体チップのパッドピッチとしては０．１２ｍｍ
程度である。リードピッチを小さくするために、板厚を
薄くすることも考えられるが、この方法ではリードフレ
ームの剛性が弱くなり、ハンドリングが難しくなる。特
に、リード成形後のアウターリードが変形しやすく、製
品の歩留りが低下し、品質にも悪影響を与える。
如く、従来の０．２ｍｍ程度のリードピッチでは対応可
能な半導体チップのパッドピッチとしては０．１２ｍｍ
程度である。リードピッチを小さくするために、板厚を
薄くすることも考えられるが、この方法ではリードフレ
ームの剛性が弱くなり、ハンドリングが難しくなる。特
に、リード成形後のアウターリードが変形しやすく、製
品の歩留りが低下し、品質にも悪影響を与える。
【０００７】今後、パッドピッチが０．０６ｍｍ程度ま
で微細化が求められることが考えられ、これを実現する
ためにはリードフレームの改善が必要となってくる。
で微細化が求められることが考えられ、これを実現する
ためにはリードフレームの改善が必要となってくる。
【０００８】本発明の課題は、リードフレームのリード
ピッチを小さく、かつ充分な強度を確保することが可能
な技術を提供することにある。
ピッチを小さく、かつ充分な強度を確保することが可能
な技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の課題と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１０】
【問題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１１】内端部が半導体チップの外部電極と接続さ
れ、外端部が半導体装置の外部端子となる複数のリード
を一体化したリードフレームにおいて、各リードの前記
内端部を含む内方部分を一体化した内リードフレーム
と、各リードの前記外端部を含む外方部分を一体化した
外リードフレームとを接続して形成し、前記内リードフ
レームを前記外リードフレームよりも板厚を薄くする。
れ、外端部が半導体装置の外部端子となる複数のリード
を一体化したリードフレームにおいて、各リードの前記
内端部を含む内方部分を一体化した内リードフレーム
と、各リードの前記外端部を含む外方部分を一体化した
外リードフレームとを接続して形成し、前記内リードフ
レームを前記外リードフレームよりも板厚を薄くする。
【００１２】上述した手段によれば、微細化の必要なリ
ード内端部の板厚を薄くすることによって、リードピッ
チの微細化が可能となり、強度の必要なリード外端部の
板厚を厚くすることによって、外端部の強度を確保す
る。
ード内端部の板厚を薄くすることによって、リードピッ
チの微細化が可能となり、強度の必要なリード外端部の
板厚を厚くすることによって、外端部の強度を確保す
る。
【００１３】以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１に示すのは、本発明の一実施
の形態であるリードフレームを示す平面図である。
の形態であるリードフレームを示す平面図である。
【００１６】本実施の形態のリードフレームは、ＱＦＰ
（Quad Flat Package）型半導体装置用のリードフレー
ムであり、中央に半導体チップ（図示せず）を載置する
タブ１が設けられ、タブ１はタブ吊りリード２によって
第１の枠体３に固定されている。第１の枠体３はその内
縁にて樹脂封止の際に封止樹脂の流出を防止するダムバ
ーの役割を果たしている。
（Quad Flat Package）型半導体装置用のリードフレー
ムであり、中央に半導体チップ（図示せず）を載置する
タブ１が設けられ、タブ１はタブ吊りリード２によって
第１の枠体３に固定されている。第１の枠体３はその内
縁にて樹脂封止の際に封止樹脂の流出を防止するダムバ
ーの役割を果たしている。
【００１７】タブ１の周囲には、半導体チップの外部電
極と接続する複数のリード４の内端部４ａが設けられて
おり、夫々のリード４は、内端部４ａ、中間部４ｂ、外
端部４ｃからなり、中間部４ｂにて板厚の異なる２つの
板材が接続され、外端部４ｃが第２の枠体５に固定され
ている。
極と接続する複数のリード４の内端部４ａが設けられて
おり、夫々のリード４は、内端部４ａ、中間部４ｂ、外
端部４ｃからなり、中間部４ｂにて板厚の異なる２つの
板材が接続され、外端部４ｃが第２の枠体５に固定され
ている。
【００１８】第２の枠体５はリードフレームの外枠とな
っており、通常リードフレームは、図１に示すリードフ
レームのパターンが同一方向に複数形成された多連構造
となっている。
っており、通常リードフレームは、図１に示すリードフ
レームのパターンが同一方向に複数形成された多連構造
となっている。
【００１９】次に、このリードフレームの製造方法を説
明する。
明する。
【００２０】本発明のリードフレームは、各リード４の
内方部分を一体化した内リードフレームと、各リードの
外方部分を一体化した外リードフレームとを接続して形
成する。
内方部分を一体化した内リードフレームと、各リードの
外方部分を一体化した外リードフレームとを接続して形
成する。
【００２１】図２は、内リードフレーム６を示す平面図
であり、本実施の形態では、外周に設けた矩形枠状のタ
イバー７によって、リード４の内方部分である内端部４
ａと中間部４ｂの一部を一体化してある。
であり、本実施の形態では、外周に設けた矩形枠状のタ
イバー７によって、リード４の内方部分である内端部４
ａと中間部４ｂの一部を一体化してある。
【００２２】図３は、外リードフレーム８を示す平面図
であり、本実施の形態では、矩形枠状の第１の枠体３及
び第２の枠体５によって、リード４の外方部分である中
間部４ｂの他部と外端部４ｃとを一体化してある。
であり、本実施の形態では、矩形枠状の第１の枠体３及
び第２の枠体５によって、リード４の外方部分である中
間部４ｂの他部と外端部４ｃとを一体化してある。
【００２３】内リードフレーム６と外リードフレーム８
とは、図４に部分拡大して示すように、内リードフレー
ム６を下にして、タイバー７の部分と外リードフレーム
８のリード４の内端とを重ね合わせる。図５に、図４中
のＡ‐Ａ線に沿った断面を示す。
とは、図４に部分拡大して示すように、内リードフレー
ム６を下にして、タイバー７の部分と外リードフレーム
８のリード４の内端とを重ね合わせる。図５に、図４中
のＡ‐Ａ線に沿った断面を示す。
【００２４】この状態で、図６中斜線を付した領域に
て、スポットウエルディングにより内リードフレーム６
と外リードフレーム８とを接続する。この状態を図７に
示す。
て、スポットウエルディングにより内リードフレーム６
と外リードフレーム８とを接続する。この状態を図７に
示す。
【００２５】この後、図８に部分拡大して示すように、
タイバー７を各リード４間にてレーザ等により切断し内
リードフレーム６の各リード４が夫々独立させ、図１に
示すリードフレームとなる。
タイバー７を各リード４間にてレーザ等により切断し内
リードフレーム６の各リード４が夫々独立させ、図１に
示すリードフレームとなる。
【００２６】このリードフレームを用いた半導体装置の
製造では、図９に示すように、リードフレームのタブ１
に半導体チップ９を樹脂接合、共晶接合或いはハンダ接
合等によって固定し、固定した半導体チップ９の外部電
極とリード４の内端部４ａとを金或いはアルミニウム等
のボンディングワイヤ１０によって接続する。図１０に
図９中のＢ‐Ｂ線に沿った縦断側面図を示す。
製造では、図９に示すように、リードフレームのタブ１
に半導体チップ９を樹脂接合、共晶接合或いはハンダ接
合等によって固定し、固定した半導体チップ９の外部電
極とリード４の内端部４ａとを金或いはアルミニウム等
のボンディングワイヤ１０によって接続する。図１０に
図９中のＢ‐Ｂ線に沿った縦断側面図を示す。
【００２７】この後、エポキシ樹脂などの封止樹脂によ
って、破線にて示すように、第１枠体３の内縁まで樹脂
封止体１１を形成し、第１の枠体３及び第２の枠体５を
切断して各リード４を独立させ、所要形状にリード外端
部４ｃを成形する。
って、破線にて示すように、第１枠体３の内縁まで樹脂
封止体１１を形成し、第１の枠体３及び第２の枠体５を
切断して各リード４を独立させ、所要形状にリード外端
部４ｃを成形する。
【００２８】本発明では、微細化の必要なリード内端部
４ａの形成される内リードフレーム６の板厚を薄くする
ことによって、リードピッチの微細化を可能とし、強度
の必要なリード外端部４ｃの形成される外リードフレー
ム８の板厚を厚くすることによって、外端部４ｃの強度
を確保する。
４ａの形成される内リードフレーム６の板厚を薄くする
ことによって、リードピッチの微細化を可能とし、強度
の必要なリード外端部４ｃの形成される外リードフレー
ム８の板厚を厚くすることによって、外端部４ｃの強度
を確保する。
【００２９】例えば、半導体チップ９の外部電極間ピッ
チ０．０６ｍｍとしても対応できるリードフレーム構造
としては、板材として４２アロイ（Fe-42Ni合金）を使
用した場合、リード先端部４ａのピッチは０．１３ｍｍ
とするために先端部４ａの幅と間隔は各々０．０７ｍ
ｍ、０．０６ｍｍとなり、内リードフレーム６の板厚は
０．０８ｍｍ程度となる。この場合に内リードフレーム
６の板厚を薄くしたため剛性が低下してハンドリング上
問題となることが考えられ、一般的に使用されているリ
ードフレームより硬度が高いＨ材を使用する。外リード
フレーム８の板厚は、強度を確保するために通常の０．
１５ｍｍ程度とする。
チ０．０６ｍｍとしても対応できるリードフレーム構造
としては、板材として４２アロイ（Fe-42Ni合金）を使
用した場合、リード先端部４ａのピッチは０．１３ｍｍ
とするために先端部４ａの幅と間隔は各々０．０７ｍ
ｍ、０．０６ｍｍとなり、内リードフレーム６の板厚は
０．０８ｍｍ程度となる。この場合に内リードフレーム
６の板厚を薄くしたため剛性が低下してハンドリング上
問題となることが考えられ、一般的に使用されているリ
ードフレームより硬度が高いＨ材を使用する。外リード
フレーム８の板厚は、強度を確保するために通常の０．
１５ｍｍ程度とする。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明
は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは
勿論である。
【００３１】例えば、前述した実施の形態ではタイバー
７を外周に設けたが、図１１に示すように、内周に設け
た矩形枠状のタイバー１２によって、リード４の内端部
４ａと中間部４ｂの一部を一体化する構成としてもよ
い。
７を外周に設けたが、図１１に示すように、内周に設け
た矩形枠状のタイバー１２によって、リード４の内端部
４ａと中間部４ｂの一部を一体化する構成としてもよ
い。
【００３２】また、タイバーに替えて絶縁性のフィルム
等によって各リードを一体化して内リードフレームを構
成することも可能であり、更に、前記フィルムとして異
方性導電膜を用い、この導電膜によって内リードフレー
ムと外リードフレームの接続を行なう構成として本発明
を実施することも可能である。これらの構成では前記タ
イバーの切断は不用となる。
等によって各リードを一体化して内リードフレームを構
成することも可能であり、更に、前記フィルムとして異
方性導電膜を用い、この導電膜によって内リードフレー
ムと外リードフレームの接続を行なう構成として本発明
を実施することも可能である。これらの構成では前記タ
イバーの切断は不用となる。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３４】（１）本発明によれば、内リードフレーム
と外リードフレームとを別体としたので、前記内リード
フレームの板厚を薄くすることができるという効果があ
る。
と外リードフレームとを別体としたので、前記内リード
フレームの板厚を薄くすることができるという効果があ
る。
【００３５】（２）本発明によれば、上記効果（１）に
より、リードピッチの微細化が可能となるという効果が
ある。
より、リードピッチの微細化が可能となるという効果が
ある。
【００３６】（３）本発明によれば、上記効果（２）に
より、半導体装置の多ピン化に対応することが可能とな
るという効果がある。
より、半導体装置の多ピン化に対応することが可能とな
るという効果がある。
【００３７】（４）本発明によれば、内リードフレーム
と外リードフレームとを別体としたので、前記外リード
フレームの板厚を厚くすることができるという効果があ
る。
と外リードフレームとを別体としたので、前記外リード
フレームの板厚を厚くすることができるという効果があ
る。
【００３８】（５）本発明によれば、上記効果（４）に
より、リード外端部の強度を確保することができるとい
う効果がある。
より、リード外端部の強度を確保することができるとい
う効果がある。
【００３９】（６）本発明によれば、上記効果（５）に
より、ハンドリングが容易となるという効果がある。
より、ハンドリングが容易となるという効果がある。
【００４０】（７）本発明によれば、上記効果（５）に
より、リードの変形を防止し歩留まりが向上するという
効果がある。
より、リードの変形を防止し歩留まりが向上するという
効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態であるリードフレームを
示す平面図である。
示す平面図である。
【図２】図１に示すリードフレームの内リードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】図１に示すリードフレームの外リードフレーム
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】内リードフレームと外リードフレームとの配置
を示す部分拡大平面図である。
を示す部分拡大平面図である。
【図５】図４中の部分断面図である。
【図６】内リードフレームと外リードフレームと接続状
態を示す部分拡大平面図である。
態を示す部分拡大平面図である。
【図７】内リードフレームと外リードフレームとを接続
した状態を示す平面図である。
した状態を示す平面図である。
【図８】内リードフレームのタイバー切断状態を示す部
分拡大平面図である。
分拡大平面図である。
【図９】リードフレームに半導体チップを搭載した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１０】図９中の縦断側面図である。
【図１１】内リードフレームの変更例を示す平面図であ
る。
る。
１…タブ、２…タブ吊りリード、３…第１の枠体、４…
リード、４ａ…リード内端部、４ｂ…リード中間部、４
ｃ…リード外端部、５…第２の枠体、６…内リードフレ
ーム、７，１２…タイバー、８…外リードフレーム、９
…半導体チップ、１０…ボンディングワイヤ、１１…樹
脂封止体。
リード、４ａ…リード内端部、４ｂ…リード中間部、４
ｃ…リード外端部、５…第２の枠体、６…内リードフレ
ーム、７，１２…タイバー、８…外リードフレーム、９
…半導体チップ、１０…ボンディングワイヤ、１１…樹
脂封止体。
Claims (9)
- 【請求項１】 内端部が半導体チップの外部電極と接続
され、外端部が半導体装置の外部端子となる複数のリー
ドを一体化したリードフレームにおいて、 各リードの前記内端部を含む内方部分を一体化した内リ
ードフレームと、各リードの前記外端部を含む外方部分
を一体化した外リードフレームとを接続して形成したこ
とを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記内リードフレームが前記外リードフ
レームよりも板厚が薄いことを特徴とする請求項１に記
載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記内リードフレームが前記外リードフ
レームよりも強度或いは硬度の高い材料を用いたことを
特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 内端部が半導体チップの外部電極と接続
され、外端部が半導体装置の外部端子となる複数のリー
ドを一体化したリードフレームの製造方法において、 各リードの前記内端部を含む内方部分を一体化した内リ
ードフレームを形成する工程と、 各リードの前記外端部を含む外方部分を一体化した外リ
ードフレームを形成する工程と、 前記内リードフレームと外リードフレームとを接続する
工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造
方法。 - 【請求項５】 前記内リードフレームがタイバーによっ
て一体化されていることを特徴とする請求項４に記載の
リードフレームの製造方法。 - 【請求項６】 前記内リードフレームと外リードフレー
ムとを接続する工程の後に、前記タイバーを切断して、
前記内端部分を各リード毎に分離する工程を有すること
を特徴とする請求項５に記載のリードフレームの製造方
法。 - 【請求項７】 内端部が半導体チップの外部電極と接続
され、外端部が半導体装置の外部端子となる複数のリー
ドを枠体によって一体化したリードフレームを用いた半
導体装置の製造方法において、 各リードの前記内端部を含む内方部分を一体化した内リ
ードフレームと、各リードの前記外端部を含む外方部分
を一体化した外リードフレームとを接続したリードフレ
ームを用い、 前記リードフレームに半導体チップを固定し、前記リー
ドの内端部と半導体チップの外部電極とを接続し、前記
外端部を除くリードと前記半導体チップとを封止した後
に、リードフレームの枠体を切断することを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記内リードフレームが前記外リードフ
レームよりも板厚が薄いことを特徴とする請求項７に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記内リードフレームが前記外リードフ
レームよりも強度或いは硬度の高い材料を用いたことを
特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161309A JPH1012791A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161309A JPH1012791A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012791A true JPH1012791A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15732659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8161309A Pending JPH1012791A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012791A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006074017A (ja) * | 2004-09-04 | 2006-03-16 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP8161309A patent/JPH1012791A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006074017A (ja) * | 2004-09-04 | 2006-03-16 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
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