JPH1013036A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配線導体が高密度に形成することができずまた
全体の形状が大型化する。 【解決手段】上下両主面に貫通する貫通孔５を有する絶
縁基板１と、該絶縁基板１の上面から貫通孔５内壁を経
て下面に導出する導電層６と、前記貫通孔５の内部に充
填された有機樹脂充填体７と、前記絶縁基板１の少なく
とも一主面上に被着され、複数の有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとを
交互に多層に配設するとともに薄膜配線導体４ａの一部
が前記導電層に電気的に接続されている多層配線部とか
ら成る多層配線基板であって、前記少なくとも有機樹脂
絶縁層３ｂに比誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含
有させ、かつ該誘電物フィラーが含有された有機樹脂絶
縁層３ｂをその上下両面に配設されている薄膜配線導体
４ａ、４ｂの一部で対向挟持させることによって容量素
子Ａを形成するとともに該容量素子Ａを薄膜配線導体４
ａ、４ｂに電気的に接続させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品を多数搭載し、所定の電子回路
を構成するようになした混成集積回路装置は、通常、絶
縁基板の内部及び表面にタングステン、モリブデン等の
高融点金属粉末から成る配線導体を形成した構造の配線
基板を準備し、次に前記配線基板の表面に半導体素子や
容量素子、抵抗器等を搭載取着するとともに該半導体素
子等の電極を前記配線導体に接続することによって混成
集積回路装置となる。

【０００３】かかる従来の混成集積回路装置等に使用さ
れる配線基板は一般にセラミックスの積層技術及びスク
リーン印刷法等の厚膜技術を採用することによって製作
されており、具体的には以下の方法によって製作されて
いる。

【０００４】即ち、 （１）先ず、アルミナ等の電気絶縁性に優れたセラミッ
ク原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して複数枚のセ
ラミック生シートを得るとともに該各セラミック生シー
トの上下面にタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る導電ペーストを従来周知のスクリーン印刷
法等の厚膜手法を採用することによって所定パターンに
印刷塗布する。

【０００５】（２）次に前記各セラミック生シートを積
層し、積層体を得るとともにこれを約１５００℃の温度
で焼成し、内部及び表面にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末から成る配線導体を有する絶縁基板を
得る。

【０００６】（３）そして最後に、前記配線導体のう
ち、大気中に露出する表面にニッケル及び金等の耐蝕性
に優れ、良導電性で、半田等のロウ材と濡れ性（反応
性）の良い金属をめっき法により被着させ、これによっ
て製品としての配線基板が完成する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線導体がタングステンやモ
リブデン等の高融点金属粉末から成る導電ペーストをス
クリーン印刷法等の厚膜手法を採用し所定パターンに印
刷塗布することによって形成されており、配線導体の微
細化が困難で配線導体を高密度に形成することができな
いという欠点を有していた。

【０００８】またこの従来の配線基板は表面に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が多数
搭載され、部品の搭載数に応じて大型化してしまうとい
う欠点も有していた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上述の欠点に鑑
み案出されたもので、その目的は配線導体を薄膜形成技
術により形成される薄膜配線導体とするとともに内部に
容量素子を内蔵させることによって小型にして、且つ配
線が高密度の多層配線基板を提供することにある。

【００１０】本発明は、上下両主面に貫通する貫通孔を
有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔内壁を
経て下面に導出する導電層と、前記貫通孔の内部に充填
された有機樹脂充填体と、前記絶縁基板の少なくとも一
主面上に被着され、複数の有機樹脂絶縁層と複数の薄膜
配線導体とを交互に多層に配設するとともに薄膜配線導
体の一部が前記導電層に電気的に接続されている多層配
線部とから成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶
縁層の少なくとも一層に比誘電率が２０以上の誘電物フ
ィラーを含有させるとともに該誘電物フィラーが含有さ
れている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設されてい
る薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによって容
量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線導体間
に電気的接続させたことを特徴とするものである。

【００１１】また本発明は、前記誘電物フィラーの粒径
が直径０．５μｍ乃至５０μｍのチタン酸バリウム、チ
タン酸ストロンチウムの少なくとも１種よりなっている
ことを特徴とするものである。

【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。

【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に比誘電率が２０以上の誘
電物フィラーを含有させるとともに該誘電物フィラーが
含有されている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設さ
れている薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによ
って容量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線
導体間に電気的接続させたことから多層配線基板に半導
体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積
回路装置等となす場合、多層配線基板に別途、容量素子
を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に
実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型
となすことが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は多層配線部である。

【００１５】前記絶縁基板１はその上面に３つの有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの層の薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃを交互に多層に配設して成る多層配線部
２が形成されており、該多層配線部２を支持する支持部
材として作用する。

【００１６】前記絶縁基板１は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織る込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されてい
る場合には、アルミナ、シリカ、カルシア、マグネシア
等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥
漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法を採用することによってセラミ
ックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、
しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち
抜き加工を施し、所定形状となすとともに高温（約１６
００℃）で焼成することによって、或いはアルミナ等の
原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉
末を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によっ
て所定形状に成形し、最後に前記成形体を約１６００℃
の温度で焼成することによって製作され、またガラスエ
ポキシ樹脂から成る場合は、例えばガラス繊維を織り込
んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させるとともに該
エポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることに
よって製作される。

【００１７】また前記絶縁基板１には上下両主面に貫通
する孔径が例えば、直径３００μｍ〜５００μｍの貫通
孔５が形成されており、該貫通孔５の内壁には両端が絶
縁基板１の上下両面に導出する導電層６が被着されてい
る。

【００１８】前記貫通孔５は後述する絶縁基板１の上面
に形成される多層配線部２の薄膜配線導体４ａと外部電
気回路とを電気的に接続する、或いは絶縁基板１の上下
両主面に多層配線部２を配設した場合には両主面の多層
配線部２の薄膜配線導体同士を電気的に接続する導電層
６を形成するための形成孔として作用し、絶縁基板１に
ドリル孔あけ加工法を施すことによって絶縁基板１の所
定位置、所定形状に形成される。

【００１９】更に前記貫通孔５の内壁及び絶縁基板１の
上下両面に被着形成されている導電層６は例えば、銅や
ニッケル等の金属材料から成り、従来周知のめっき法及
びエッチン法を採用することによって貫通孔５の内壁に
両端を絶縁基板１の上下両面に導出させた状態で被着形
成される。

【００２０】前記導電層６は絶縁基板１の主面に配設さ
れる多層配線部２の薄膜配線導体３ａを外部電気回路に
電気的に接続したり、絶縁基板１の上下両主面に配設さ
れる各々の多層配線部２の薄膜配線導体同士を電気的に
接続する作用をなす。

【００２１】また前記絶縁基板１に形成した貫通孔５は
その内部にエポキシ樹脂から成る有機樹脂充填体７が充
填されており、該有機樹脂充填体７によって貫通孔５が
完全に埋められ、同時に有機樹脂充填体７の両端面が絶
縁基板１の上下両主面に被着させた導電層６の面と同一
平面となっている。

【００２２】前記有機樹脂充填体７は絶縁基板１の上面
及び／又は下面に後述する複数の有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃと複数の層の薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃ
とから成る多層配線部２を形成する際、多層配線部２の
各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃの平坦化を維持する作用をなす。

【００２３】尚、前記有機樹脂充填体７は絶縁基板１の
貫通孔５内にエポキシ樹脂の前駆体を充填し、しかる
後、これに８０℃〜２００℃の温度を０．５〜３時間印
加し、完全に熱硬化させることによって絶縁基体１の貫
通孔５内に充填される。

【００２４】更に前記絶縁基板１はその上面３つの有機
樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと３つの層の薄膜配線導体
４ａ、４ｂ、４ｃとが交互に多層に配設された多層配線
部２が形成されており、且つ該薄膜配線導体４ａは導電
層６と電気的に接続されている。

【００２５】前記多層配線部２を構成する有機樹脂絶縁
層３ａ、３ｂ、３ｃは上下に位置する薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃの電気的絶縁を図る作用を為し、各薄膜
配線導体４ａ、４ｂ、４ｃは電気信号を伝達するための
伝達路として作用する。

【００２６】前記多層配線部２の各有機樹脂絶縁層３
ａ、３ｂ、３ｃはエポキシ樹脂から成り、例えば、エポ
キシ樹脂から成る場合、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹
脂前駆体を絶縁基板１の上部にスピンコート法により被
着させ、しかる後、これを約８０℃〜２００℃の熱で
０．５乃至３時間熱処理し、熱硬化させることによって
形成される。

【００２７】また前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃはその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール８が形成され
ており、該スルーホール８は後述する各有機樹脂絶縁層
３ａ、３ｂ、３ｃを介して上下に位置する各薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃの各々を電気的に接続するスルーホ
ール導体９を形成するための形成孔として作用する。

【００２８】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに
設けるスルーホール８は例えば、フォトリソグラフィー
技術、具体的には各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上
にレジスト材を塗布するとともにこれに露光、現像を施
すことによって所定位置に所定形状の窓部を形成し、次
に前記レジスト材の窓部にエッチング液を配し、レジス
ト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
を除去して、有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに穴（ス
ルーホール）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ上より剥離させ除去すること
によって行われる。

【００２９】更に前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３
ｃの各々の上面には所定パターンの薄膜配線導体４ａ、
４ｂ、４ｃが、また各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
に設けたスルーホール８の内壁にはスルーホール導体９
が各々配設されており、スルーホール導体９によって有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの各々を間に挟んで上下
に位置する各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃが電気的に
接続されるようになっている。

【００３０】前記各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃの
上面及びスルーホール８内に配設される薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃ及びスルーホール導体９は銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料を無電解めっき法や
蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成技術及びエッチ
ング加工技術を採用することによって形成され、例えば
銅で形成されている場合には、各有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃの上面及びスルーホール８の内表面に硫酸銅
０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３モル／リッ
トル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リットル、エチ
レンジアミン四酢酸０．３５モル／リットルからなる無
電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０μｍの銅層
を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチング加工法に
より所定パターンに加工することによって各有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃ間及び各有機樹脂絶縁層３ａ、３
ｂ、３ｃのスルーホール８内壁に配設される。この場
合、薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃは薄膜形成技術によ
り形成されることから配線の微細化が可能であり、これ
によって薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃを極めて高密度
に形成することが可能となる。

【００３１】尚、前記多層配線部２は各有機樹脂絶縁層
３ａ、３ｂ、３ｃの厚みが１００μｍを越えると各有機
樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃにフォトリソグラフィー技
術を採用することによってスルーホール８を形成する
際、エッチングの加工時間が長くなってスルーホール８
を所望する鮮明な形状に形成するのが困難となり、また
５μｍ未満となると各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃ
の上面に上下に位置する有機樹脂絶縁層の接合強度を上
げるための粗面加工を施す際、各有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃに不要な穴が形成され上下に位置する薄膜配
線導体４ａ、４ｂ、４ｃに不要な電気的短絡を招来して
しまう危険性がある。従って、前記有機樹脂絶縁層各有
機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃはその各々の厚みを５μ
ｍ乃至１００μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３２】また前記多層配線部２の各薄膜配線導体４
ａ、４ｂ、４ｃはその厚みが１μｍ未満となると各薄膜
配線導体４ａ、４ｂ、４ｃの電気抵抗が大きなものとな
って各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃに所定の電気信号
を伝達させることが困難なものとなり、また４０μｍを
越えると各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃを各有機樹脂
絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃに被着させる際、各薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃ内に大きな応力が内在し、該内在応
力によって各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃが各有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃより剥離し易いものとなる。
従って、前記多層配線部２の各薄膜配線導体４ａ、４
ｂ、４ｃの厚みを１μｍ乃至４０μｍの範囲としておく
ことが好ましい。

【００３３】更に前記薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃは
その表面が中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒ
ａ≦５μｍ、表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高
さ（Ｐｃ）のカウント値を０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１
μｍが３００００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが
３０００個乃至１００００個、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍ
が５００個以下となるように粗しておくと各有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４
ｃとはその接合面積が極めて広いものとなり、その結
果、各有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導
体４ａ、４ｂ、４ｃとの密着性が著しく向上し、有機樹
脂絶縁層３ａ、３ｂ、３ｃや薄膜配線導体４ａ、４ｂ、
４ｃに外力が印加されても該外力によって各有機樹脂絶
縁層３ａ、３ｂ、３ｃと各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４
ｃとの間に剥離が発生することはなく、両者の接合を極
めて強固となすことができる。従って、前記各薄膜配線
導体４ａ、４ｂ、４ｃはその表面が中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、表面の２．５ｍｍ
の長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を０．
０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが３００００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが３０００個乃至１００００個、
１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以下となるように粗
しておくことが好ましい。

【００３４】また更に前記有機樹脂絶縁層３ａ、３ｂ、
３ｃと各薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとからなる配線
導体部２は有機樹脂絶縁層３ｂに比誘電率が２０以上の
誘電物フィラーが含有され、かつ有機樹脂絶縁層３ｂを
その上下両面に配設された薄膜配線導体４ａ、４ｂの一
部で対向挟持せることによって容量素子Ａが形成されて
おり、該容量素子Ａは薄膜配線導体４ａ、４ｂに電気的
に接続されている。

【００３５】前記容量素子Ａの静電容量値は比誘電率が
２０以上の誘電物フィラーが含有された有機樹脂絶縁層
３ｂの比誘電率と、有機樹脂絶縁層３ｂの厚みと、薄膜
配線導体４ａ、４ｂの対向面積の大きさによって決定さ
れ、有機樹脂絶縁層３ｂに含有させる誘電物フィラーの
比誘電率及び薄膜配線導体４ａ、４ｂの対向面積の大き
さを可変することによって所定の静電容量値に調整され
る。

【００３６】前記容量素子Ａは絶縁基板１上に設けた多
層配線部２の内部に内蔵されており、そのためこの多層
配線基板に半導体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭
載して混成集積回路装置等となす場合、多層配線基板に
別途、容量素子を多数実装する必要はなく、その結果、
多層配線基板に実装される部品の数が減り、混成集積回
路装置等を小型となすことが可能となる。

【００３７】尚、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層
３ｂへの含有はエポキシ樹脂等の有機樹脂前駆体を使用
して有機樹脂絶縁層３ｂを形成する際に予め有機樹脂前
駆体に誘電物フィラーを添加混合させておくことによっ
て有機樹脂絶縁層３ｂに含有される。

【００３８】また前記有機樹脂絶縁層３ｂに含有される
誘電物フィラーはその比誘電率が２０（室温１ＭＨｚ）
未満となると有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電率が小さくな
って容量素子Ａの静電容量値が実用に供しない小さな値
となってしまう。従って、前記有機樹脂絶縁層３ｂに含
有される誘電物フィラーはその比誘電率が２０（室温１
ＭＨｚ）以上のものに特定され、チタン酸バリウムやチ
タン酸ストロンチウム等の比誘電率が高い材料が好適に
使用される。

【００３９】更に前記誘電物フィラーはその粒径が直径
０．５μｍ未満となると誘電物フィラーの比表面積が大
きくなってこの誘電物フィラーを添加混合した有機樹脂
前駆体の粘度を高くしてしまい、その結果、この誘電物
フィラーを添加混合した有機樹脂前駆体をスピンコート
法等を採用して有機樹脂絶縁層３ｂを形成する際、有機
樹脂絶縁層３ｂの厚みが不均一となり、有機樹脂絶縁層
３ｂを所定の均一厚みとすることが困難となってしま
い、また５０μｍを越えると誘電物フィラーによって有
機樹脂絶縁層３ｂの表面に凹凸が形成され、容量素子Ａ
が形成される領域における有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電
率にバラツキが発生したり、有機樹脂絶縁層３ｂにおけ
る誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラー
が有機樹脂絶縁層３ｂより脱落したりしてしまう危険性
がある。従って、前記誘電物フィラーはその粒径を直径
０．５μｍ乃至５０μｍの範囲としておくことが好まし
い。

【００４０】また更に前記誘電物フィラーの有機樹脂絶
縁層３ｂへの含有量は、誘電物フィラーの量が有機樹脂
絶縁層３ｂの全有機樹脂量に対し２０重量％未満となる
と有機樹脂絶縁層３ｂの比誘電率が小さく、実用に供す
ることができる容量素子Ａを形成するのが困難となり、
また７５重量％を越えると有機樹脂絶縁層３ｂにおける
誘電物フィラーの接着強度が低下し、誘電物フィラーが
有機樹脂絶縁層３ｂより脱落してしまう危険性がある。
従って、前記誘電物フィラーの有機樹脂絶縁層３ｂへの
含有量は２０重量％乃至７５重量％の範囲としておくこ
とが好ましい。

【００４１】かくして本発明の多層配線基板によれば、
例えば、絶縁基板１の上面に被着させた多層配線部２上
に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動
部品を実装させることによって混成集積回路装置とな
り、絶縁基板１の下面に被着されている導電層６を外部
電気回路に接続すればかかる混成集積回路装置が外部電
気回路に電気的に接続されることとなる。

【００４２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例において
は絶縁基板１の上面のみに複数の有機樹脂絶縁層３ａ、
３ｂ、３ｃと複数の薄膜配線導体４ａ、４ｂ、４ｃとか
ら成る多層配線部２を設けたが、該多層配線部２を絶縁
基板１の下面側のみに設けても、上下の両主面に設けて
もよい。

【００４３】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。

【００４４】また本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層の少なくとも一層に比誘電率が２０以上の誘
電物フィラーを含有させるとともに該誘電物フィラーが
含有されている有機樹脂絶縁層をその上下両面に配設さ
れている薄膜配線導体の一部で対向挟持させることによ
って容量素子を形成するとともに該容量素子を薄膜配線
導体間に電気的接続させたことから多層配線基板に半導
体素子や容量素子、抵抗器等の部品を搭載して混成集積
回路装置等となす場合、多層配線基板に別途、容量素子
を多数実装する必要はなく、その結果、多層配線基板に
実装される部品の数が減り、混成集積回路装置等を小型
となすことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・多層配線部 ３ａ、３ｂ、３ｃ・・有機樹脂絶縁層 ４ａ、４ｂ、４ｃ・・薄膜配線導体 ５・・・貫通孔 ６・・・導電層 ７・・・有機樹脂充填体 Ａ・・・容量素子

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】上下両主面に貫通する貫通孔を有する絶縁
   基板と、該絶縁基板の上面から貫通孔内壁を経て下面に
   導出する導電層と、前記貫通孔の内部に充填された有機
   樹脂充填体と、前記絶縁基板の少なくとも一主面上に被
   着され、複数の有機樹脂絶縁層と複数の薄膜配線導体と
   を交互に多層に配設するとともに薄膜配線導体の一部が
   前記導電層に電気的に接続されている多層配線部とから
   成る多層配線基板であって、前記有機樹脂絶縁層の少な
   くとも一層に比誘電率が２０以上の誘電物フィラーを含
   有させるとともに該誘電物フィラーが含有されている有
   機樹脂絶縁層をその上下両面に配設されている薄膜配線
   導体の一部で対向挟持させることによって容量素子を形
   成するとともに該容量素子を薄膜配線導体間に電気的接
   続させたことを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記誘電物フィラーがチタン酸バリウム、
   チタン酸ストロンチウムの少なくとも１種よりなること
   を特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記誘電物フィラーの粒径が直径０．５μ
   ｍ乃至５０μｍであることを特徴とする請求項１及び請
   求項２に記載の多層配線基板。