JPH11186434A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH11186434A JPH11186434A JP9349117A JP34911797A JPH11186434A JP H11186434 A JPH11186434 A JP H11186434A JP 9349117 A JP9349117 A JP 9349117A JP 34911797 A JP34911797 A JP 34911797A JP H11186434 A JPH11186434 A JP H11186434A
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- organic resin
- resin insulating
- insulating layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】配線導体を高密度に形成することができず、ま
た配線導体に半導体素子等を確実、強固に電気的接続す
ることができない。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル導体６を介して電気的に接続してなり、最上層の有機
樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電気的
に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパ
ッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記ボンデ
ィングパッド７の表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、
Ｐｔの少なくとも一種から成る被覆層８を被着させた。
た配線導体に半導体素子等を確実、強固に電気的接続す
ることができない。 【解決手段】基板１上に、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とを交互に積層するとともに上下に位置する薄
膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けたスルーホー
ル導体６を介して電気的に接続してなり、最上層の有機
樹脂絶縁層２ａ上面に、前記薄膜配線導体層３と電気的
に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパ
ッド７を設けて成る多層配線基板であって、前記ボンデ
ィングパッド７の表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、
Ｐｔの少なくとも一種から成る被覆層８を被着させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。
【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては、通常酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
ク体としては、通常酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて微
細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多
層配線基板が採用されるようになってきた。
を従来周知の厚膜形成技術により形成するのに変えて微
細化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多
層配線基板が採用されるようになってきた。
【０００７】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解メッキ法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体層と
を交互に積層させたるとともに、上下に位置する薄膜配
線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を
介して電気的に接続させた構造を有しており、最上層の
有機樹脂絶縁層上面に前記薄膜配線導体層と電気的に接
続するボンディングパッドを形成しておき、該ボンディ
ングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗
器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続させるよう
になっている。
した多層配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体から成
るセラミックスやガラス繊維を織り込んだガラス布にエ
ポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキシ樹脂
等から成る基板の上面にスピンコート法及び熱硬化処理
によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂から成る
絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解メッキ法
や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラフィー技
術を採用することによって形成される薄膜配線導体層と
を交互に積層させたるとともに、上下に位置する薄膜配
線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を
介して電気的に接続させた構造を有しており、最上層の
有機樹脂絶縁層上面に前記薄膜配線導体層と電気的に接
続するボンディングパッドを形成しておき、該ボンディ
ングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗
器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続させるよう
になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層を交互に積層して成る多
層配線基板は、最上層の有機樹脂絶縁層上面に形成した
ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続さ
せる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが発生して、
ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に接続させ
ることができないという欠点を有していた。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層を交互に積層して成る多
層配線基板は、最上層の有機樹脂絶縁層上面に形成した
ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続さ
せる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが発生して、
ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に接続させ
ることができないという欠点を有していた。
【０００９】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに、
配線導体に半導体素子や容量素子等の電極を確実、強固
に電気的接続させることができる多層配線基板を提供す
ることにある。
で、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、
配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに、
配線導体に半導体素子や容量素子等の電極を確実、強固
に電気的接続させることができる多層配線基板を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するととも
に上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設け
たスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最
上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体と電気
的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディング
パッドを設けて成る多層配線基板であって、前記ボンデ
ィングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐ
ｔの少なくとも一種から成る被覆層を被着させたことを
特徴とするものである。
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するととも
に上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設け
たスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最
上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体と電気
的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディング
パッドを設けて成る多層配線基板であって、前記ボンデ
ィングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐ
ｔの少なくとも一種から成る被覆層を被着させたことを
特徴とするものである。
【００１１】また本発明は前記被覆層の厚みが３μｍ乃
至１０μｍであることを特徴とするものである。
至１０μｍであることを特徴とするものである。
【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。
上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配線
の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。
【００１３】また本発明の多層基板によれば、ボンディ
ングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ
等から成る硬質で、良導性で、且つ半導体素子等の電極
と接合しやすい金属材料の被覆層を被着させたことか
ら、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容
量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接
続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが形成さ
れるのが前記被覆層の配設によって有効に阻止され、そ
の結果、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品
や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に
電気的接続させることが可能となる。
ングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ
等から成る硬質で、良導性で、且つ半導体素子等の電極
と接合しやすい金属材料の被覆層を被着させたことか
ら、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容
量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接
続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが形成さ
れるのが前記被覆層の配設によって有効に阻止され、そ
の結果、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品
や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に
電気的接続させることが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜
配線導体層である。
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は基板、２は有機樹脂絶縁層、３は薄膜
配線導体層である。
【００１５】前記基板１はその上面に有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とからなる多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
と薄膜配線導体層３とからなる多層配線部４が配設され
ており、該多層配線部４を支持する支持部材として作用
する。
【００１６】前記基板１は酸化アルミニウム質焼結体や
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等の粉末原料に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知
のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用する
ことによってセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすと
ともに高温（約１６００℃）で焼成することによって、
或いは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該
原料粉末をプレス成型機によって所定形状に成形し、最
後に前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することに
よって製作され、またガラスエポキシ樹脂からなる場合
には、例えば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹
脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体
を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
ムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表
面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体や炭化
珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更にはガラ
ス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させたガラ
スエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されており、例
えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成されている場合
には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等の粉末原料に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知
のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用する
ことによってセラミックグリーンシート（セラミック生
シート）を形成し、しかる後、前記セラミックグリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすと
ともに高温（約１６００℃）で焼成することによって、
或いは酸化アルミニウム等の原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合して原料粉末を調整するとともに該
原料粉末をプレス成型機によって所定形状に成形し、最
後に前記成形体を約１６００℃の温度で焼成することに
よって製作され、またガラスエポキシ樹脂からなる場合
には、例えば、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹
脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆体
を所定の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００１７】また、前記基板１はその上面に有機樹脂絶
縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層されて
形成される多層配線部４が被着されており、該多層配線
部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜
配線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄
膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。
縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層されて
形成される多層配線部４が被着されており、該多層配線
部４を構成する有機樹脂絶縁層２は上下に位置する薄膜
配線導体層３の電気的絶縁をはかる作用をなし、また薄
膜配線導体層３は電気信号を伝達するための伝達路とし
て作用する。
【００１８】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２は、
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂当の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２００
℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることに
よって形成させる。
エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂当の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を基板１の上部にスピンコー
ト法により被着させ、しかる後、これを８０℃〜２００
℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化させることに
よって形成させる。
【００１９】更に前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体６を形成するための形成
孔として作用する。
はその各々の所定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚
みに対して約１．５倍程度のスルーホール５が形成され
ており、該スルーホール５は後述する有機樹脂絶縁層２
を介して上下に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気
的に接続するスルーホール導体６を形成するための形成
孔として作用する。
【００２０】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
ル５は有機樹脂絶縁層２に従来周知のフォトリソグラフ
ィー技術を採用することによって所定の径に形成され
る。
【００２１】また前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々配設されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
定パターンの薄膜配線導体層３が、更に各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール５の内壁にはスルーホール導
体６が各々配設されており、スルーホール導体６によっ
て間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各薄膜
配線導体層３の各々が電気的に接続されるようになって
いる。
【００２２】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体層６は銅、アルミニウム等の金属材料を無
電解メッキ法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成
技術及びフォトリソグラフィー技術を採用することによ
って形成され、例えば、銅で形成されている場合には、
有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表面
に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
から成る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０
μｍの銅を被着させ、しかる後、前記銅層をフォトリソ
グラフィー技術により所定パターンに加工することによ
って各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホール５内壁に
配設される。この場合、薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体６は薄膜形成技術により形成されることから配
線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導体層
３を極めて高密度に形成することが可能となる。
ホール５の内壁に配設される薄膜配線導体層３及びスル
ーホール導体層６は銅、アルミニウム等の金属材料を無
電解メッキ法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成
技術及びフォトリソグラフィー技術を採用することによ
って形成され、例えば、銅で形成されている場合には、
有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール５の内表面
に、硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
から成る無電解銅メッキ浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０
μｍの銅を被着させ、しかる後、前記銅層をフォトリソ
グラフィー技術により所定パターンに加工することによ
って各有機樹脂絶縁層２間、及びスルーホール５内壁に
配設される。この場合、薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体６は薄膜形成技術により形成されることから配
線の微細化が可能であり、これによって薄膜配線導体層
３を極めて高密度に形成することが可能となる。
【００２３】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
体層３とを交互に多層に配設して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと
有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固となすこ
とができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹脂絶
縁層２はその上面をエッチング加工法等によって粗し、
中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ
の粗面としておくことが好ましい。
【００２４】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され、上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な
電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前
記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１０
０μｍの範囲としておくことが好ましい。
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフィー技術を採用することによってスルーホール
５を形成する際、エッチング加工時間が長くなってスル
ーホール５を所望する鮮明な形状に形成するのが困難と
なり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上面
に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げる
ための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な穴
が形成され、上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な
電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前
記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１０
０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００２５】更に、前記多層配線部４の各薄膜配線導体
層３はその厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体層
３の電気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体層３
に所定の電気信号を伝達させることが困難なものとな
り、また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹
脂絶縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３内に大き
な応力が発生内在し、該大きな内在応力によって薄膜配
線導体層３が有機樹脂絶縁層２より剥離し易いものとな
る。従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の
厚みは１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ま
しい。
層３はその厚みが１μｍ未満となると各薄膜配線導体層
３の電気抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体層３
に所定の電気信号を伝達させることが困難なものとな
り、また４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹
脂絶縁層２に被着させる際に薄膜配線導体層３内に大き
な応力が発生内在し、該大きな内在応力によって薄膜配
線導体層３が有機樹脂絶縁層２より剥離し易いものとな
る。従って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の
厚みは１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ま
しい。
【００２６】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド７が、
また前記ボンディングパッド７の表面には金属材料から
成る被覆層８が被着されている。
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２ａの上面に薄膜配線導体
層３と電気的に接続しているボンディングパッド７が、
また前記ボンディングパッド７の表面には金属材料から
成る被覆層８が被着されている。
【００２７】前記ボンディングパッド７は、半導体素子
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極が
熱圧着等によって接続され、これによって半導体素子等
の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が薄膜配線
導体層３に電気的に接続されることとなる。
等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極が
熱圧着等によって接続され、これによって半導体素子等
の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品が薄膜配線
導体層３に電気的に接続されることとなる。
【００２８】前記ボンディングパッド７は、薄膜配線導
体層３と同じ金属材料、具体的には銅、アルミニウム等
の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に
薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記薄膜配線導
体層３と電気的接続をもって形成される。
体層３と同じ金属材料、具体的には銅、アルミニウム等
の金属材料から成り、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ上に
薄膜配線導体層３を形成する際に同時に前記薄膜配線導
体層３と電気的接続をもって形成される。
【００２９】また、前記ボンディングパッド７の表面に
はＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属材料から
成る被覆層８が被着されており、該Ｃｏ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属から成る被覆層８は硬質で外力
印加によって変形しにくいことからボンディングパッド
７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受
動部品の電極を熱圧着等により接続させる際、最上層の
有機樹脂絶縁層２ａにへこみが形成されることはほとん
ど無く、これによってボンディングパッド７に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極
が熱圧着等によって確実、強固に電気的接続されること
となる。
はＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属材料から
成る被覆層８が被着されており、該Ｃｏ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属から成る被覆層８は硬質で外力
印加によって変形しにくいことからボンディングパッド
７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受
動部品の電極を熱圧着等により接続させる際、最上層の
有機樹脂絶縁層２ａにへこみが形成されることはほとん
ど無く、これによってボンディングパッド７に半導体素
子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極
が熱圧着等によって確実、強固に電気的接続されること
となる。
【００３０】また前記Ｃｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ等の金属材料は比抵抗が１１×１０-6Ω・ｃｍ以下で
良導電性であることからボンディングパッド７に半導体
素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電
極を接続させた場合、被覆層８がボンディングパッド７
と半導体素子等との電気的接続を阻害することはなく、
両者を極めて良好に電気的接続することができる。
ｔ等の金属材料は比抵抗が１１×１０-6Ω・ｃｍ以下で
良導電性であることからボンディングパッド７に半導体
素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電
極を接続させた場合、被覆層８がボンディングパッド７
と半導体素子等との電気的接続を阻害することはなく、
両者を極めて良好に電気的接続することができる。
【００３１】更に前記Ｃｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ等の金属材料は表面酸化しにくく表面状態が安定して
いることからボンディングパッド７に半導体素子等の電
極を熱圧着等により接続させる際、被覆層８がボンディ
ングパッド７と半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品の電極との接続を阻害することもな
く、両者を極めて確実、強固に電気的接続することがで
きる。
ｔ等の金属材料は表面酸化しにくく表面状態が安定して
いることからボンディングパッド７に半導体素子等の電
極を熱圧着等により接続させる際、被覆層８がボンディ
ングパッド７と半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品の電極との接続を阻害することもな
く、両者を極めて確実、強固に電気的接続することがで
きる。
【００３２】前記被覆層８はＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ等をめっき法やスパッタ法、蒸着法等の技術を
使用することによってボンディングパッド７の表面に被
着される。
ｄ、Ｐｔ等をめっき法やスパッタ法、蒸着法等の技術を
使用することによってボンディングパッド７の表面に被
着される。
【００３３】前記被覆層８はまたその厚みが３μｍ未満
となるとボンディングパッド７に半導体素子等の能動部
品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等に
より接続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層２ａにへこ
みが発生して、ボンディングパッド７に半導体素子等の
能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確
実、強固に接続させることが困難となる傾向にあり、ま
た１０μｍを超えると被覆層８を形成する際、被覆層８
の内部に大きな応力が発生内在して被覆層８とボンディ
ングパッド７との密着力が劣化し、両者間に剥離等を招
来する危険性がある。従って、前記被覆層８はその厚み
を３μｍ乃至１０μｍの範囲にしておくことが好まし
い。
となるとボンディングパッド７に半導体素子等の能動部
品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等に
より接続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層２ａにへこ
みが発生して、ボンディングパッド７に半導体素子等の
能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確
実、強固に接続させることが困難となる傾向にあり、ま
た１０μｍを超えると被覆層８を形成する際、被覆層８
の内部に大きな応力が発生内在して被覆層８とボンディ
ングパッド７との密着力が劣化し、両者間に剥離等を招
来する危険性がある。従って、前記被覆層８はその厚み
を３μｍ乃至１０μｍの範囲にしておくことが好まし
い。
【００３４】かくして、本発明の多層配線基板によれ
ば、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面に設けたボンディ
ングパッド７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品を接続させることによって半導体装置
や混成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３の一部を
外部電気回路に接続させれば前記半導体素子や容量素子
等が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
ば、最上層の有機樹脂絶縁層２ａ表面に設けたボンディ
ングパッド７に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵
抗器等の受動部品を接続させることによって半導体装置
や混成集積回路装置となり、薄膜配線導体層３の一部を
外部電気回路に接続させれば前記半導体素子や容量素子
等が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３５】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に積層して形成される多層配線部４を被
着させたが、多層配線部４を基板１の下面側のみに設け
ても、上下の両主面に設けてもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に積層して形成される多層配線部４を被
着させたが、多層配線部４を基板１の下面側のみに設け
ても、上下の両主面に設けてもよい。
【００３６】
【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
板上に薄膜形成技術によって配線を形成したことから配
線の微細化が可能となり、配線を極めて高密度に形成す
ることが可能となる。
【００３７】また本発明の多層基板によれば、ボンディ
ングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ
等から成る硬質で、良導性で、且つ半導体素子等の電極
と接合しやすい金属材料の被覆層を被着させたことか
ら、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容
量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接
続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが形成さ
れるのが前記被覆層の配設によって有効に阻止され、そ
の結果、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品
や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に
電気的接続させることが可能となる。
ングパッドの表面にＣｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ
等から成る硬質で、良導性で、且つ半導体素子等の電極
と接合しやすい金属材料の被覆層を被着させたことか
ら、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容
量素子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接
続させる際、最上層の有機樹脂絶縁層にへこみが形成さ
れるのが前記被覆層の配設によって有効に阻止され、そ
の結果、ボンディングパッドに半導体素子等の能動部品
や容量素子、抵抗器等の受動部品の電極を確実、強固に
電気的接続させることが可能となる。
【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す部分拡
大図面である。
大図面である。
１・・・・基板 ２・・・・有機樹脂絶縁層 ２ａ・・・最上層の有機樹脂絶縁層 ３・・・・薄膜配線導体層 ４・・・・多層配線部 ６・・・・スルーホール導体 ７・・・・ボンディングパッド ８・・・・被覆層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｍ // Ｈ０１Ｌ 21/60 21/92 ６０３Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体
層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線
導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介
して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上
面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電
子部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多
層配線基板であって、前記ボンディングパッドの表面に
Ｃｏ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも一種か
ら成る被覆層を被着させたことを特徴とする多層配線基
板。 - 【請求項２】前記被覆層の厚みが３μｍ乃至１０μｍで
あることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349117A JPH11186434A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9349117A JPH11186434A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186434A true JPH11186434A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18401612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9349117A Pending JPH11186434A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803302B2 (en) | 1999-11-22 | 2004-10-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a mechanically robust pad interface |
| CN100382263C (zh) * | 2004-03-05 | 2008-04-16 | 沈育浓 | 具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法 |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP9349117A patent/JPH11186434A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6803302B2 (en) | 1999-11-22 | 2004-10-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a semiconductor device having a mechanically robust pad interface |
| US7169694B2 (en) | 1999-11-22 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a bond pad interface |
| CN100382263C (zh) * | 2004-03-05 | 2008-04-16 | 沈育浓 | 具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法 |
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