JPH10322030A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基板に反りが発生し、電子部品の電極と薄
膜配線導体層との電気的接続の信頼性が劣る。 【解決手段】内部及び表面に導電層６が形成されている
絶縁基板１の少なくとも一主面上に、有機樹脂絶縁層２
と薄膜配線導体層３とを交互に積層するとともに上下に
位置する薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁層２に設けた
スルーホール導体１０を介して電気的に接続して成り、
最上層の有機樹脂絶縁層２上面に、前記薄膜配線導体層
３と電気的に接続し、外部の電子部品Ａが接続されるボ
ンディングパッド１１を設けて成る多層配線基板であっ
て、前記絶縁基板１はその内部で、かつ外周部に、絶縁
基板１内部に形成されている導電層６を取り囲むように
枠状の金属層７が埋設されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がＭｏ−Ｍｎ法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。

【０００３】このＭｏ−Ｍｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定
パターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層すると
ともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラ
ミック体とを焼結一体化させる方法である。

【０００４】なお、前記配線導体が形成されるセラミッ
ク体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライ
ト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸
化物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪
素質焼結体等の非酸化物系セラミックスが使用される。

【０００５】しかしながら、このＭｏ−Ｍｎ法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。

【０００６】そこで上記欠点を解消するために配線導体
の一部を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細
化が可能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層
配線基板が使用されるようになってきた。

【０００７】かかる配線導体の一部を薄膜形成技術によ
り形成した多層配線基板は、ビスマレイミドトリアジン
樹脂やガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸
させて形成されるガラスエポキシ樹脂等から成り、内部
及び表面に導電層を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上
面にスピンコート法及び熱硬化処理等によって形成され
るエポキシ樹脂からなる有機樹脂絶縁層と、銅やアルミ
ニウム等の金属をめっき法や蒸着法等の薄膜形成技術及
びフォトリソグラフィー技術を採用することによって形
成される薄膜配線導体層とを交互に積層させるととも
に、上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に
設けたスルーホールの内壁に被着させたスルーホール導
体を介して電気的に接続させた構造を有しており、最上
層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気
的に接続するボンディングパッドを形成しておき、該ボ
ンディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品の電極を熱圧着等により接続さ
せるようになっている。

【０００８】なお、この多層配線基板においては、絶縁
基板の内部及び表面に形成した導電層と薄膜配線導体層
の一部とが電気的に接続しており、絶縁基板に形成した
導電層を外部電気回路に電気的に接続することによって
最上層の有機樹脂絶縁層上面に形成したボンディングパ
ッドに接続されている半導体素子等の能動部品や容量素
子、抵抗器等の受動部品はその電極が薄膜配線導体及び
導電層を介して外部電気回路に電気的に接続されること
となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この有
機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に多層に積層し
て形成される多層配線基板は、絶縁基板の上面に有機樹
脂絶縁層を形成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層の熱
硬化時に発生する応力が作用して絶縁基板に大きな反り
を発生させてしまい、その結果、絶縁基板の上面に形成
されている有機樹脂絶縁層表面のボンディングパッドの
形成位置にばらつきが生じ、ボンディングパッドに半導
体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の
電極を確実、強固に電気的接続することができないとい
う欠点を招来した。

【００１０】本発明は上述の欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線導体の一部を薄膜形成技術により形
成し、配線導体を高密度に形成するのを可能とするとと
もに全体に反りが発生するのを有効に防止し、ボンディ
ングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗
器等の受動部品の電極を確実、強固に電気的接続するこ
とができる多層配線基板を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、内部及び表面
に導電層が形成されている絶縁基板の少なくとも一主面
上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層
するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂
絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続
して成り、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配
線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続され
るボンディングパッドを設けて成る多層配線基板であっ
て、前記絶縁基板はその内部で、かつ外周部に、絶縁基
板内部に形成されている導電層を取り囲むように枠状の
金属層が埋設されていることを特徴とするものである。

【００１２】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基板
上に薄膜形成技術によって配線の一部を形成したことか
ら配線の微細化が可能となり、従来に比べて配線を極め
て高密度に形成することが可能となる。

【００１３】また本発明の多層配線基板によれば、内部
及び表面に導電層が形成されている絶縁基板の内部で、
かつ外周部に、絶縁基板内部に形成されている導電層を
取り囲むようにして枠状の金属層を埋設させたことから
絶縁基板の反りに対する強度が増大し、絶縁基板上に有
機樹脂絶縁層を形成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層
の熱硬化時に発生する応力が作用したとしても絶縁基板
に大きな反りが発生することは殆どなく、その結果、ボ
ンディングパッドの形成位置が同一の平面となり、ボン
ディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、
抵抗器等の受動部品の電極を確実、且つ強固に電気的接
続することが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の多層配線基板の一実
施例を示し、１は絶縁基板、２は有機樹脂絶縁層、３は
薄膜配線導体層である。

【００１５】前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂絶縁
層２と薄膜配線導体３とから成る多層配線部４が配設さ
れており、該多層配線部４を支持する支持部材として作
用する。

【００１６】前記絶縁基板１はガラス繊維を織り込んだ
布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂基板
やガラス繊維を織り込んだ布にビスマレイミドトリアジ
ン樹脂を含浸させたビスマレイミドトリアジン基板等の
電気絶縁基板を複数枚積層するとともにその各々を一体
的に接合させて形成されており、例えば、ガラスエポキ
シ樹脂基板を使用して形成する場合は、ガラス繊維を織
り込んだ布にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させたものを
複数枚積層し、しかる後、前記エポキシ樹脂前駆体を１
００℃〜２００℃の温度で熱硬化させることによって製
作される。

【００１７】また前記絶縁基板１には上下両面に貫通す
る孔径が例えば、直径０．３ｍｍ〜０．５ｍｍの貫通孔
５が絶縁基板１にドリル孔あけ加工法等を施すことによ
って形成されており、かつ絶縁基板１の内部、上下両面
及び貫通孔５の内壁には銅やアルミニウム、銀、ニッケ
ル等の金属材料から成る導電層６が被着形成されてい
る。

【００１８】前記絶縁基板１の内部、上下両面及び貫通
孔５の内壁に形成されている導電層６は後述する絶縁基
板１の上面に形成される多層配線部４の薄膜配線導体層
３と外部電気回路とを電気的に接続する、或いは多層配
線部４の薄膜配線導体層３同士を電気的に接続する、ま
たは絶縁基板１の上下両面に多層配線部４を配設した場
合には両面の多層配線部４の薄膜配線導体層同士を電気
的に接続する作用をなし、絶縁基板１の内部及び上下両
面に形成されている導電層６は絶縁基板１を形成する各
ガラスエポキシ樹脂基板やビスマレイミドトリアジン基
板の上下面に銅やアルミニウム、銀、ニッケル、鉄等の
金属材料から成る金属材料箔を被着させておき、これを
エッチング加工技術を用いて所定パターンに加工するこ
とによって形成され、また絶縁基板１の貫通孔５の内壁
に形成されている導電層６は貫通孔５の内壁に従来周知
のめっき法を採用することによって銅やニッケル、鉄等
の金属材料を被着させ、しかる後、これをエッチング加
工技術により所定パターンに加工することによって形成
される。

【００１９】更に前記絶縁基板１はその内部で、且つ外
周部に、絶縁基板１の内部に形成されている導電層６を
取り囲むようにして枠状の金属層７が埋設されており、
該金属層７によって絶縁基板１の外力に対する機械的強
度が大幅に増大され、絶縁基板１の上面に後述する多層
配線部４の有機樹脂絶縁層２を形成する際、絶縁基板１
に有機樹脂絶縁層２の熱硬化時に発生する応力が作用し
たとしても絶縁基板１に大きな反りを発生することは殆
どない。

【００２０】前記金属層７は例えば、導電層６と同様の
金属材料、具体的には銅やアルミニウム、銀、ニッケ
ル、鉄等の金属材料から成り、絶縁基板１の内部及び上
下面に導電層６を形成する際に、導電層６とともに該導
電層６を取り囲むようにして絶縁基板１の内部で、かつ
外周部に埋設される。

【００２１】前記金属層７は導電層６を取り囲むように
して絶縁基板１の外周部に形成されているため金属層７
が導電層６の形成に悪影響を与えることはなく、これに
よって絶縁基板１の内部に所定パターンの導電層６を形
成しつつ金属層７を形成することが可能となる。

【００２２】また前記金属層７は反りの大きさが最も大
きくなる絶縁基板１の外周部に枠状に形成されているた
め絶縁基板１の反り発生を効率よく防止することができ
るとともに絶縁基板１のいかなる方向の反りに対しても
その発生を有効に防止することができる。

【００２３】なお、前記内部、上下両面及び貫通孔５の
内壁に導電層６が形成されている絶縁基板１は貫通孔５
の内部にエポキシ樹脂等からなる有機樹脂充填体８が充
填されており、該有機樹脂充填体８によって貫通孔５が
完全に埋められ、同時に有機樹脂充填体８の両端面が絶
縁基板１の上下両面に形成した導電層６の面と同一平面
となっている。

【００２４】前記有機樹脂充填体８は絶縁基板１の上面
及び／又は下面に後述する有機樹脂絶縁層２と薄膜配線
導体層３とから成る多層配線部４を形成する際、多層配
線部４の有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３の平坦化
を維持する作用をなし、絶縁基板１の貫通孔５内にエポ
キシ樹脂等の前駆体を充填し、しかる後、これに８０〜
２００℃の温度を０．５〜３時間印加し、完全に熱硬化
させることによって絶縁基板１の貫通孔５内に充填され
る。

【００２５】更に前記絶縁基板１はその上面に有機樹脂
絶縁層２と薄膜配線導体層３とが交互に多層に積層され
た多層配線部４が形成されており、且つ薄膜配線導体層
３の一部は導電層６と電気的に接続されている。

【００２６】前記多層配線部４を構成する有機樹脂絶縁
層２は上下に位置する薄膜配線導体層３の電気的絶縁を
図る作用をなし、薄膜配線導体層３は電気信号を伝達す
るための伝達路として作用する。

【００２７】前記多層配線部４の有機樹脂絶縁層２はエ
ポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジド樹脂、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の有機樹脂から成
り、例えば、エポキシ樹脂からなる場合、ビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂等にアミン系硬化剤、イ
ミダゾール糸硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合してペースト状のエポキシ樹脂前駆体を得るとと
もに該エポキシ樹脂前駆体を絶縁基板１の上部にスピン
コート法により被着させ、しかる後、これを約８０℃〜
２００℃の熱で０．５乃至３時間熱処理し、熱硬化させ
ることによって形成される。

【００２８】また前記有機樹脂絶縁層２はその各々の所
定位置に最小径が有機樹脂絶縁層２の厚みに対して約
１．５倍程度のスルーホール９が形成されており、該ス
ルーホール９は後述する有機樹脂絶縁層２を挟んで上下
に位置する薄膜配線導体層３の各々を電気的に接続する
スルーホール導体１０を形成するための形成孔として作
用する。

【００２９】前記有機樹脂絶縁層２に設けるスルーホー
ル９は例えば、フォトリソグラフイー技術、具体的には
有機樹脂絶縁層２上にレジスト材を塗布するとともにこ
れに露光、現像を施すことによって所定位置に所定形状
の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部にエッチン
グ液を配し、レジスト材の窓部に位置する有機樹脂絶縁
層２を除去して、有機樹脂絶縁層２に穴（スルーホー
ル）を形成し、最後に前記レジスト材を有機樹脂絶縁層
２上より剥離させ除去することによって行われる。

【００３０】更に前記各有機樹脂絶縁層２の上面には所
定パターンの薄膜配線導体層３が、また各有機樹脂絶縁
層２に設けたスルーホール９の内壁にはスルーホール導
体１０が各々配設されており、スルーホール導体１０に
よって間に有機樹脂絶縁層２を挟んで上下に位置する各
薄膜配線導体層３の各々が電気的に接続されるようにな
っている。

【００３１】前記各有機樹脂絶縁層２の上面及びスルー
ホール９内に配設される薄膜配線導体層３及びスルーホ
ール導体１０は銅、ニッケル、金、アルミニウム等の金
属材料を無電解めっき法や蒸着法、スパッタリング法等
の薄膜形成技術及びエッチング加工技術を採用すること
によって形成され、例えば銅で形成されている場合に
は、有機樹脂絶縁層２の上面及びスルーホール９の内壁
面に硫酸銅０．０６モル／リットル、ホルマリン０．３
モル／リットル、水酸化ナトリウム０．３５モル／リッ
トル、エチレンジアミン四酢酸０．３５モル／リットル
からなる無電解銅めっき浴を用いて厚さ１μｍ乃至４０
μｍの銅層を被着させ、しかる後、前記銅層をエッチン
グ加工技術により所定パターンに加工することによって
各有機樹脂絶縁層２間及び各有機樹脂絶縁層２のスルー
ホール９内壁に配設される。この場合、薄膜配線導体層
３は薄膜形成技術により形成されることから配線の微細
化が可能であり、これによって薄膜配線導体層３を極め
て高密度に形成することが可能となる。

【００３２】なお、前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導
体層３とを交互に多層に積層して形成される多層配線部
４は各有機樹脂絶縁層２の上面を中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）で０．０５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておく
と、有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び
上下に位置する有機樹脂絶縁層２同士の接合を強固とな
すことができる。従って、前記多層配線部４の各有機樹
脂絶縁層２はその上面をエッチング加工技術等を採用す
ることによって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好まし
い。

【００３３】また前記有機樹脂絶縁層２はその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００以上としておくと有機
樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３との接合及び上下に位
置する有機樹脂絶縁層２同士の接合がより強固となる。
従って、前記有機樹脂絶縁層２はその表面の２．５ｍｍ
の長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１
μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐ
ｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦
０．１μｍが１２５００以上としておくことが好まし
い。

【００３４】前記有機樹脂絶縁層２上面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層２の表面を原
子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製のDimensio
n 3000-Nano Scope III)で５０μｍ角の対角（７０μ
ｍ）に走査させてその表面状態を検査測定し、その測定
結果より各々の数値を算出した。

【００３５】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０以上の有機樹脂絶縁層２は、該有機樹脂絶縁層２の上
面にＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ａｒ等のガスを吹きつけリアク
ティブイオンエッチング処理することによって表面が所
定の粗さに粗らされる。

【００３６】更に前記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚
みが１００μｍを超えると有機樹脂絶縁層２にフォトリ
ソグラフイー技術を採用することによってスルーホール
９を形成する際、エッチングの加工時間が長くなってス
ルーホール９を所望する鮮明な形状に形成するのが困難
となり、また５μｍ未満となると有機樹脂絶縁層２の上
面に上下に位置する有機樹脂絶縁層２の接合強度を上げ
るための粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層２に不要な
穴が形成され上下に位置する薄膜配線導体層３に不要な
電気的短絡を招来してしまう危険性がある。従って、前
記有機樹脂絶縁層２はその各々の厚みを５μｍ乃至１０
０μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３７】また更に前記多層配線部４の各薄膜配線導
体層３はその厚みが３μｍ未満であると薄膜配線導体層
３の電気抵抗値が大きなものとなって各薄膜配線導体層
３に所定の電気信号を伝達させることが困難となり、ま
た４０μｍを超えると薄膜配線導体層３を有機樹脂絶縁
層２に被着させる際に薄膜配線導体層３の内部に大きな
応力が内在し、該大きな内在応力によって薄膜配線導体
層３が有機樹脂絶縁層２から剥離し易いものとなる。従
って、前記多層配線部４の各薄膜配線導体層３の厚みは
１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ましい。

【００３８】前記有機樹脂絶縁層２と薄膜配線導体層３
とを交互に多層に配設して形成される多層配線部４は更
に、最上層の有機樹脂絶縁層２の上面に薄膜配線導体層
３と電気的に接続しているボンディングパッド１１が形
成されており、該ボンディングパッド１１は半導体素子
や容量素子、抵抗器等の電子部品Ａの電極を薄膜配線導
体層３に電気的に接続する作用をなす。

【００３９】前記ボンディングパッド１１は絶縁基板１
の内部で、かつ外周部に埋設した金属層７によって絶縁
基板１に反りが発生していないことからその全てが略同
一の平面に存在することとなり、その結果、ボンディン
グパッド１１に半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子
部品Ａの電極を確実、強固に電気的接続することが可能
となる。

【００４０】前記ボンディングパッド１１は例えば、直
径２００〜５００μｍの円形状をなしており、該ボンデ
ィングパッド１１に半導体素子や容量素子等の電子部品
Ａの電極を熱圧着等により接続させれば、半導体素子や
容量素子等の電子部品Ａの電極は薄膜配線導体層３に電
気的に接続されることとなる。

【００４１】なお、前記ボンディングパッド１１は薄膜
配線導体層３と同じ金属材料、具体的には銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料から成り、最上層の
有機樹脂絶縁層２上に薄膜配線導体層３を形成する際に
同時に前記薄膜配線導体層３と電気的接続をもって形成
される。

【００４２】かくして上述の多層配線基板によれば、最
上層の有機樹脂絶縁層２上面に設けたボンディングパッ
ド１１に半導体素子や容量素子等の電子部品Ａの電極を
熱圧着等により接続させ、電子部品Ａの電極をボンディ
ングパッド１１を介して薄膜配線導体層３に電気的に接
続させることによって半導体装置や混成集積回路装置と
なり、薄膜配線導体層３を導電層６を介して外部電気回
路に接続すれば前記電子部品Ａが外部電気回路に接続さ
れることとなる。

【００４３】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては絶縁基板１の上面のみに有機樹脂絶縁層２と薄膜配
線導体層３とから成る多層配線部４を設けたが、多層配
線部４を絶縁基板１の下面側のみに設けても、上下の両
面に設けてもよい。

【００４４】

【発明の効果】本発明の多層配線基板によれば、絶縁基
板上に薄膜形成技術によって配線の一部を形成したこと
から配線の微細化が可能となり、従来に比べて配線を極
めて高密度に形成することが可能となる。

【００４５】また本発明の多層配線基板によれば、内部
及び表面に導電層が形成されている絶縁基板の内部で、
かつ外周部に、絶縁基板内部に形成されている導電層を
取り囲むようにして枠状の金属層を埋設させたことから
絶縁基板の反りに対する強度が増大し、絶縁基板上に有
機樹脂絶縁層を形成する際、絶縁基板に有機樹脂絶縁層
の熱硬化時に発生する応力が作用したとしても絶縁基板
に大きな反りが発生することは殆どなく、その結果、ボ
ンディングパッドの形成位置が同一の平面となり、ボン
ディングパッドに半導体素子等の能動部品や容量素子、
抵抗器等の受動部品の電極を確実、且つ強固に電気的接
続することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。

【符号の説明】

１・・・絶縁基板 ２・・・有機樹脂絶縁層 ３・・・薄膜配線導体 ４・・・多層配線部 ５・・・貫通孔 ６・・・導電層 ７・・・金属層 ９・・・スルーホール １０・・スルーホール導体 １１・・ボンディングパッド Ａ・・・電子部品

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内部及び表面に導電層が形成されている絶
   縁基板の少なくとも一主面上に、有機樹脂絶縁層と薄膜
   配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位置する
   薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール
   導体を介して電気的に接続して成り、最上層の有機樹脂
   絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、
   外部の電子部品が接続されるボンディングパッドを設け
   て成る多層配線基板であって、前記絶縁基板はその内部
   で、かつ外周部に、絶縁基板内部に形成されている導電
   層を取り囲むように枠状の金属層が埋設されていること
   を特徴とする多層配線基板。