JPH10148846A - 液晶表示パネルおよび液晶表示パネルにおける光反射膜の作製方法 - Google Patents
液晶表示パネルおよび液晶表示パネルにおける光反射膜の作製方法Info
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- JPH10148846A JPH10148846A JP8323339A JP32333996A JPH10148846A JP H10148846 A JPH10148846 A JP H10148846A JP 8323339 A JP8323339 A JP 8323339A JP 32333996 A JP32333996 A JP 32333996A JP H10148846 A JPH10148846 A JP H10148846A
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Abstract
(57)【要約】
【課 題】 光反射膜を多孔質層にして、光の散乱を多
くさせることによって、画面の明るい液晶表示パネルを
提供する。 【解決手段】 反射型液晶表示パネルは、アクティブマ
トリックス基板と対向基板との間に、薄膜トランジス
タ、層間絶縁膜、画素電極、光反射膜、配向膜、相転移
型ゲストホスト液晶、配向膜、対向電極、カラーフィル
ターがそれぞれ順次設けられている。上記画素電極は、
前記アクティブマトリックス基板上に層間絶縁膜を介し
てマトリックス状に配置されていると共に、薄膜トラン
ジスタにそれぞれ接続されている。上記光反射膜は、上
記画素電極自体の上面が多孔質層に形成されている。上
記光反射膜に形成された多孔質層は、その径や深さを変
えることによって、光の散乱を多くすると共に、所望の
方向へ光を反射することができるため、広い範囲の電子
機器の液晶表示パネルとして適用できる。
くさせることによって、画面の明るい液晶表示パネルを
提供する。 【解決手段】 反射型液晶表示パネルは、アクティブマ
トリックス基板と対向基板との間に、薄膜トランジス
タ、層間絶縁膜、画素電極、光反射膜、配向膜、相転移
型ゲストホスト液晶、配向膜、対向電極、カラーフィル
ターがそれぞれ順次設けられている。上記画素電極は、
前記アクティブマトリックス基板上に層間絶縁膜を介し
てマトリックス状に配置されていると共に、薄膜トラン
ジスタにそれぞれ接続されている。上記光反射膜は、上
記画素電極自体の上面が多孔質層に形成されている。上
記光反射膜に形成された多孔質層は、その径や深さを変
えることによって、光の散乱を多くすると共に、所望の
方向へ光を反射することができるため、広い範囲の電子
機器の液晶表示パネルとして適用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッ
サ、パースナルコンピュータ、あるいはその他の電子機
器等に備えられている液晶表示パネルおよび液晶表示パ
ネルにおける光反射膜の作製方法に関するものである。
特に、本発明は、バックライトを使用せずに、外部から
入射した光を反射させて表示を行う反射型で、消費電力
の少ない液晶表示パネルおよび液晶表示パネルにおける
光反射膜の作製方法に関するものである。
サ、パースナルコンピュータ、あるいはその他の電子機
器等に備えられている液晶表示パネルおよび液晶表示パ
ネルにおける光反射膜の作製方法に関するものである。
特に、本発明は、バックライトを使用せずに、外部から
入射した光を反射させて表示を行う反射型で、消費電力
の少ない液晶表示パネルおよび液晶表示パネルにおける
光反射膜の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルには、高いコントラスト
を得ることができるが２枚の偏光板のため暗くなるトウ
イスト・ネマティック型、高いコントラストと簡単な駆
動が可能なスーパー・トウイスト・ネマティック型、偏
光板が不要なため、明るく視差が少ない相転移型ゲスト
ホスト型等がある。上記相転移型ゲストホスト液晶は、
ホスト液晶に対して２色性色素をゲスト分子に混合し、
液晶に加える電圧によって、液晶分子の配列を変化させ
て、液晶層における光吸収率を変化させている。
を得ることができるが２枚の偏光板のため暗くなるトウ
イスト・ネマティック型、高いコントラストと簡単な駆
動が可能なスーパー・トウイスト・ネマティック型、偏
光板が不要なため、明るく視差が少ない相転移型ゲスト
ホスト型等がある。上記相転移型ゲストホスト液晶は、
ホスト液晶に対して２色性色素をゲスト分子に混合し、
液晶に加える電圧によって、液晶分子の配列を変化させ
て、液晶層における光吸収率を変化させている。
【０００３】図５は従来例で、相転移型ゲストホスト液
晶を使用した液晶表示パネルにおける１画素の断面を説
明するための模式図である。図５において、アクティブ
マトリックス基板５１と対向基板５２との間には、アク
ティブマトリックス基板５１の上面から薄膜トランジス
タ５３、層間絶縁膜５４、画素電極５５、画素電極の表
面に形成された光反射膜５６、配向膜５７、相転移型ゲ
ストホスト液晶５８、配向膜５９、対向電極６０、カラ
ーフィルター６１の順に形成されている。図５は１画素
を説明するためのものであるため、全体が示されていな
いが、アクティブマトリックス基板５１の上面には、画
素数の三倍に相当する薄膜トランジスタ５３がマトリッ
クス状に形成されている。アクティブマトリックス基板
５１の上面には、層間絶縁膜５４によって絶縁されて、
画素数の三倍に相当する画素電極５５が形成されてい
る。
晶を使用した液晶表示パネルにおける１画素の断面を説
明するための模式図である。図５において、アクティブ
マトリックス基板５１と対向基板５２との間には、アク
ティブマトリックス基板５１の上面から薄膜トランジス
タ５３、層間絶縁膜５４、画素電極５５、画素電極の表
面に形成された光反射膜５６、配向膜５７、相転移型ゲ
ストホスト液晶５８、配向膜５９、対向電極６０、カラ
ーフィルター６１の順に形成されている。図５は１画素
を説明するためのものであるため、全体が示されていな
いが、アクティブマトリックス基板５１の上面には、画
素数の三倍に相当する薄膜トランジスタ５３がマトリッ
クス状に形成されている。アクティブマトリックス基板
５１の上面には、層間絶縁膜５４によって絶縁されて、
画素数の三倍に相当する画素電極５５が形成されてい
る。
【０００４】上記液晶表示パネルにおいて、外部から入
射した入射光６２は、対向基板５２、カラーフィルター
６１、対向電極６０、配向膜５９、相転移型ゲストホス
ト液晶５８、配向膜５７を透過した後、光反射膜５６に
よって反射され、入射時と逆の径路を通って外部に出る
反射光６３となる。また、画素電極５５は、アルミニウ
ムからなり、その表面で入射した光を散乱反射させるた
めに微小な凹凸が設けられている。そして、上記画素電
極５５における凹凸は、画素電極５５の鉛直方向から３
０度傾いた方向から入射した光が画素電極５５の鉛直方
向に強く反射されるように設計されている。そして、画
素電極５５の表面は、フッ酸処理等、酸によるエッチン
グによって化学的に凹凸が形成されて、光反射膜５６を
構成している。
射した入射光６２は、対向基板５２、カラーフィルター
６１、対向電極６０、配向膜５９、相転移型ゲストホス
ト液晶５８、配向膜５７を透過した後、光反射膜５６に
よって反射され、入射時と逆の径路を通って外部に出る
反射光６３となる。また、画素電極５５は、アルミニウ
ムからなり、その表面で入射した光を散乱反射させるた
めに微小な凹凸が設けられている。そして、上記画素電
極５５における凹凸は、画素電極５５の鉛直方向から３
０度傾いた方向から入射した光が画素電極５５の鉛直方
向に強く反射されるように設計されている。そして、画
素電極５５の表面は、フッ酸処理等、酸によるエッチン
グによって化学的に凹凸が形成されて、光反射膜５６を
構成している。
【０００５】対向電極６０と画素電極５５との間には、
相転移型ゲストホスト液晶５８が封止されている。相転
移型ゲストホスト液晶５８は、自然状態において、ホス
ト液晶分子が螺旋状に配列され、電圧が印加された状態
で、上記螺旋がほどけて対向基板５２に対して垂直に配
列される。このため、相転移型ゲストホスト液晶５８
は、偏光板を使用することなく、高いコントラストを得
ることができる。
相転移型ゲストホスト液晶５８が封止されている。相転
移型ゲストホスト液晶５８は、自然状態において、ホス
ト液晶分子が螺旋状に配列され、電圧が印加された状態
で、上記螺旋がほどけて対向基板５２に対して垂直に配
列される。このため、相転移型ゲストホスト液晶５８
は、偏光板を使用することなく、高いコントラストを得
ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記相転移型
ゲストホスト液晶は、偏光板なしで高いコントラストを
得ることができる反面、駆動時に螺旋を解くために高い
電圧が必要であった。そのため、上記相転移型ゲストホ
スト液晶は、消費電力が大きいため、携帯型電子機器に
応用すると、乾電池の使用時間が短いという問題を有し
た。また、上記相転移型ゲストホスト液晶における画素
電極は、エッチングによって光を均一に散乱させる凹凸
を形成した光反射膜を構成させるための処理に手間や時
間がかかった。また、上記エッチングによる凹凸を有す
る光反射膜の作製は、凹凸の深さを深くすることに限界
があり、光の散乱が充分でなく、液晶表示パネルとして
の明るさに問題があった。
ゲストホスト液晶は、偏光板なしで高いコントラストを
得ることができる反面、駆動時に螺旋を解くために高い
電圧が必要であった。そのため、上記相転移型ゲストホ
スト液晶は、消費電力が大きいため、携帯型電子機器に
応用すると、乾電池の使用時間が短いという問題を有し
た。また、上記相転移型ゲストホスト液晶における画素
電極は、エッチングによって光を均一に散乱させる凹凸
を形成した光反射膜を構成させるための処理に手間や時
間がかかった。また、上記エッチングによる凹凸を有す
る光反射膜の作製は、凹凸の深さを深くすることに限界
があり、光の散乱が充分でなく、液晶表示パネルとして
の明るさに問題があった。
【０００７】さらに、電子機器には、鉛直方向に対して
３０度傾いた方向の光を鉛直方向に反射させるものが多
いが、テレビジョンのように複数の者が見たい場合、あ
るいは腕時計のように鉛直方向からの入射光を鉛直方向
に反射した方がよいものもある。上記電子機器に用いる
液晶表示パネルの光反射膜は、均一で、しかも、異なる
入射角の光を反射できるようにするために凹凸の形状を
制御することが困難であった。以上のような課題を解決
するために、本発明は、光反射膜を多孔質層にして、光
の散乱を多くさせることによって、画面の明るい液晶表
示パネルを提供することを目的とする。また、本発明
は、光反射膜を陽極酸化することによって、多孔質層の
形状を簡単に制御することができる液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法を提供することを目的とする。
３０度傾いた方向の光を鉛直方向に反射させるものが多
いが、テレビジョンのように複数の者が見たい場合、あ
るいは腕時計のように鉛直方向からの入射光を鉛直方向
に反射した方がよいものもある。上記電子機器に用いる
液晶表示パネルの光反射膜は、均一で、しかも、異なる
入射角の光を反射できるようにするために凹凸の形状を
制御することが困難であった。以上のような課題を解決
するために、本発明は、光反射膜を多孔質層にして、光
の散乱を多くさせることによって、画面の明るい液晶表
示パネルを提供することを目的とする。また、本発明
は、光反射膜を陽極酸化することによって、多孔質層の
形状を簡単に制御することができる液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法を提供することを目的とする。
【０００８】
（第１発明）前記目的を達成するために、本発明の液晶
表示パネルは、相転移型ゲストホスト液晶を用いたもの
で、アクティブマトリックス基板(11)上に層間絶縁膜(1
4)を介してマトリックス状に配置されていると共に、薄
膜トランジスタ(13)にそれぞれ接続されている画素電極
(15)と、当該画素電極(15)自体の上面に形成された多孔
質層からなる光反射膜(16)とを備えていることを特徴と
する。
表示パネルは、相転移型ゲストホスト液晶を用いたもの
で、アクティブマトリックス基板(11)上に層間絶縁膜(1
4)を介してマトリックス状に配置されていると共に、薄
膜トランジスタ(13)にそれぞれ接続されている画素電極
(15)と、当該画素電極(15)自体の上面に形成された多孔
質層からなる光反射膜(16)とを備えていることを特徴と
する。
【０００９】（第２発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜(16)は、形状の同じ多孔質層が多層化され
ていることを特徴とする。
ける光反射膜(16)は、形状の同じ多孔質層が多層化され
ていることを特徴とする。
【００１０】（第３発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜(16)は、形状の異なる多孔質層が多層化さ
れていることを特徴とする。
ける光反射膜(16)は、形状の異なる多孔質層が多層化さ
れていることを特徴とする。
【００１１】（第４発明）本発明の液晶表示パネルは、
マトリックス状に配置された画素電極(15)にそれぞれ接
続されたスイッチ用薄膜トランジスタ(13)と、表示部分
の周辺に配置された駆動用薄膜トランジスタとから構成
されていることを特徴とする。
マトリックス状に配置された画素電極(15)にそれぞれ接
続されたスイッチ用薄膜トランジスタ(13)と、表示部分
の周辺に配置された駆動用薄膜トランジスタとから構成
されていることを特徴とする。
【００１２】（第５発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける画素電極(15)および光反射膜(16)は、少なくともア
ルミニウムを主成分とした部材からなることを特徴とす
る。
ける画素電極(15)および光反射膜(16)は、少なくともア
ルミニウムを主成分とした部材からなることを特徴とす
る。
【００１３】（第６発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける画素電極(15)および光反射膜(16)は、スカンジウム
を含む少なくともアルミニウムを主成分とした部材から
なることを特徴とする。
ける画素電極(15)および光反射膜(16)は、スカンジウム
を含む少なくともアルミニウムを主成分とした部材から
なることを特徴とする。
【００１４】（第７発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜(16)は、陽極酸化膜からなることを特徴と
する。
ける光反射膜(16)は、陽極酸化膜からなることを特徴と
する。
【００１５】（第８発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法は、少なくともアルミニウムを
主成分とした部材からなる画素電極(15)の上面を陽極酸
化法によって多孔質層からなる光反射膜(16)を形成する
ことを特徴とする。
ける光反射膜の作製方法は、少なくともアルミニウムを
主成分とした部材からなる画素電極(15)の上面を陽極酸
化法によって多孔質層からなる光反射膜(16)を形成する
ことを特徴とする。
【００１６】（第９発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法は、シュウ酸水溶液の濃度、電
圧値、電流値、電圧および電流の印加時間の少なくとも
一つを変えて、多孔質層の形状を制御することを特徴と
する。
ける光反射膜の作製方法は、シュウ酸水溶液の濃度、電
圧値、電流値、電圧および電流の印加時間の少なくとも
一つを変えて、多孔質層の形状を制御することを特徴と
する。
【００１７】
（第１発明）本発明の液晶表示パネルは、アクティブマ
トリックス基板と対向基板との間で、アクティブマトリ
ックス基板の上に、薄膜トランジスタ、層間絶縁膜、画
素電極、光反射膜、配向膜、相転移型ゲストホスト液
晶、配向膜、対向電極、カラーフィルターがそれぞれ順
次設けられている。上記画素電極は、前記アクティブマ
トリックス基板上に層間絶縁膜を介してマトリックス状
に配置されていると共に、薄膜トランジスタにそれぞれ
接続されている。また、光反射膜は、上記画素電極自体
の上面が多孔質層に形成されている。本発明は、光反射
膜に形成された多孔質層の径や深さを変えることによっ
て、光の散乱を多くすると共に、所望の方向へ光を反射
することができるため、広い範囲の電子機器の液晶表示
パネルとして適用できる。本発明の光反射膜は、画素電
極の一部に抵抗の少ない光反射膜を形成したため、液晶
表示パネルの駆動電圧を低くすることができた。
トリックス基板と対向基板との間で、アクティブマトリ
ックス基板の上に、薄膜トランジスタ、層間絶縁膜、画
素電極、光反射膜、配向膜、相転移型ゲストホスト液
晶、配向膜、対向電極、カラーフィルターがそれぞれ順
次設けられている。上記画素電極は、前記アクティブマ
トリックス基板上に層間絶縁膜を介してマトリックス状
に配置されていると共に、薄膜トランジスタにそれぞれ
接続されている。また、光反射膜は、上記画素電極自体
の上面が多孔質層に形成されている。本発明は、光反射
膜に形成された多孔質層の径や深さを変えることによっ
て、光の散乱を多くすると共に、所望の方向へ光を反射
することができるため、広い範囲の電子機器の液晶表示
パネルとして適用できる。本発明の光反射膜は、画素電
極の一部に抵抗の少ない光反射膜を形成したため、液晶
表示パネルの駆動電圧を低くすることができた。
【００１８】（第２発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜は、形状の同じ多孔質層が多層化されてい
る。形状の同じ多孔質層を多層化すると、光反射膜の表
面積が大きくなるため、光は、均一でしかも多くの散乱
が可能になる。
ける光反射膜は、形状の同じ多孔質層が多層化されてい
る。形状の同じ多孔質層を多層化すると、光反射膜の表
面積が大きくなるため、光は、均一でしかも多くの散乱
が可能になる。
【００１９】（第３発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜は、形状の異なる多孔質層が多層化されて
いる。形状の異なる多孔質層を多層化すると、光は、均
一で散乱する角度を変えることができる。すなわち、本
発明の液晶表示パネルは、テレビジョンやワードプロセ
ッサ等の電子機器以外に、腕時計あるいはその他新しい
用途に適用できる。
ける光反射膜は、形状の異なる多孔質層が多層化されて
いる。形状の異なる多孔質層を多層化すると、光は、均
一で散乱する角度を変えることができる。すなわち、本
発明の液晶表示パネルは、テレビジョンやワードプロセ
ッサ等の電子機器以外に、腕時計あるいはその他新しい
用途に適用できる。
【００２０】（第４発明）本発明の液晶表示パネルは、
ガラス基板上に、マトリックス状に配置された画素電極
にそれぞれ接続されたスイッチ用薄膜トランジスタと、
表示部分の周辺に配置された制御用薄膜トランジスタと
が設けられている。本発明は、一つのガラス基板上に、
スイッチ用薄膜トランジスタと制御用薄膜トランジスタ
とを同時に作製することができるため、安価で高性能の
電子機器を得ることができる。
ガラス基板上に、マトリックス状に配置された画素電極
にそれぞれ接続されたスイッチ用薄膜トランジスタと、
表示部分の周辺に配置された制御用薄膜トランジスタと
が設けられている。本発明は、一つのガラス基板上に、
スイッチ用薄膜トランジスタと制御用薄膜トランジスタ
とを同時に作製することができるため、安価で高性能の
電子機器を得ることができる。
【００２１】（第５発明ないし第８発明）本発明の液晶
表示パネルにおける画素電極および光反射膜は、少なく
ともアルミニウムを主成分とした部材から構成されてい
る。そして、画素電極の表面における光反射膜は、陽極
酸化処理が行われ、多孔質層を有する陽極酸化膜が形成
される。少なくともアルミニウムを主成分とした部材か
らなる光反射膜は、陽極酸化を行う際の熱により、その
表面に細かい突起が発生する。この細かい突起は、少な
くともアルミニウムを主成分とした部材にスカンジウム
を少量添加したものを使用することによって除去され
る。少なくともアルミニウムを主成分とした部材の表面
にできた陽極酸化膜は、多孔質層であると共に乳白色で
あるため、光の散乱をより一層多くすることができ、明
るい液晶表示パネルとなる。
表示パネルにおける画素電極および光反射膜は、少なく
ともアルミニウムを主成分とした部材から構成されてい
る。そして、画素電極の表面における光反射膜は、陽極
酸化処理が行われ、多孔質層を有する陽極酸化膜が形成
される。少なくともアルミニウムを主成分とした部材か
らなる光反射膜は、陽極酸化を行う際の熱により、その
表面に細かい突起が発生する。この細かい突起は、少な
くともアルミニウムを主成分とした部材にスカンジウム
を少量添加したものを使用することによって除去され
る。少なくともアルミニウムを主成分とした部材の表面
にできた陽極酸化膜は、多孔質層であると共に乳白色で
あるため、光の散乱をより一層多くすることができ、明
るい液晶表示パネルとなる。
【００２２】（第９発明）本発明の液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法は、シュウ酸水溶液の濃度、電
圧値、電流値、電圧および電流の印加時間の少なくとも
一つを変えて、多孔質層の形状を制御している。たとえ
ば、光反射膜における多孔質層は、上記パラメーターを
変えることにより、多孔質層の孔の大きさ、深さ、形状
等を変えることができる。そして、光反射膜における多
孔質層は、光の反射方向を変えたり、あるいは散乱を多
くかつ均一にすることが容易にできる。
ける光反射膜の作製方法は、シュウ酸水溶液の濃度、電
圧値、電流値、電圧および電流の印加時間の少なくとも
一つを変えて、多孔質層の形状を制御している。たとえ
ば、光反射膜における多孔質層は、上記パラメーターを
変えることにより、多孔質層の孔の大きさ、深さ、形状
等を変えることができる。そして、光反射膜における多
孔質層は、光の反射方向を変えたり、あるいは散乱を多
くかつ均一にすることが容易にできる。
【００２３】
【実 施 例】図１は本発明の実施例で、相転移型ゲス
トホスト液晶を使用した液晶表示パネルにおける１画素
の断面を説明するための模式図である。図１において、
アクティブマトリックス基板１１と対向基板１２との間
には、アクティブマトリックス基板１１の上面から薄膜
トランジスタ１３、層間絶縁膜１４、画素電極１５、画
素電極の表面に形成された光反射膜１６、配向膜１７、
相転移型ゲストホスト液晶１８、配向膜１９、対向電極
２０、カラーフィルター２１の順に形成されている。ガ
ラスまたは石英等からなるアクティブマトリックス基板
１１の上面には、画素数の三倍（赤、グリーン、青）に
相当する薄膜トランジスタ１３がマトリックス状に形成
されている。
トホスト液晶を使用した液晶表示パネルにおける１画素
の断面を説明するための模式図である。図１において、
アクティブマトリックス基板１１と対向基板１２との間
には、アクティブマトリックス基板１１の上面から薄膜
トランジスタ１３、層間絶縁膜１４、画素電極１５、画
素電極の表面に形成された光反射膜１６、配向膜１７、
相転移型ゲストホスト液晶１８、配向膜１９、対向電極
２０、カラーフィルター２１の順に形成されている。ガ
ラスまたは石英等からなるアクティブマトリックス基板
１１の上面には、画素数の三倍（赤、グリーン、青）に
相当する薄膜トランジスタ１３がマトリックス状に形成
されている。
【００２４】アクティブマトリックス基板１１が石英の
場合、薄膜トランジスタ１３は、高温ポリシリコンまた
は中温ポリシリコンから形成し、アクティブマトリック
ス基板１１がガラスの場合、薄膜トランジスタ１３は、
低温ポリシリコンから形成するのが望ましい。層間絶縁
膜１４は、薄膜トランジスタ１３、画素電極１５、およ
び図示されていない電極や信号線等を絶縁するためのも
ので、酸化珪素、窒化珪素、あるいは有機樹脂等を使用
することができる。アクティブマトリックス基板１１の
上面には、画素数の三倍に相当する薄膜トランジスタ１
３および画素電極１５が層間絶縁膜１４によって絶縁さ
れて、マトリックス状に形成されている。
場合、薄膜トランジスタ１３は、高温ポリシリコンまた
は中温ポリシリコンから形成し、アクティブマトリック
ス基板１１がガラスの場合、薄膜トランジスタ１３は、
低温ポリシリコンから形成するのが望ましい。層間絶縁
膜１４は、薄膜トランジスタ１３、画素電極１５、およ
び図示されていない電極や信号線等を絶縁するためのも
ので、酸化珪素、窒化珪素、あるいは有機樹脂等を使用
することができる。アクティブマトリックス基板１１の
上面には、画素数の三倍に相当する薄膜トランジスタ１
３および画素電極１５が層間絶縁膜１４によって絶縁さ
れて、マトリックス状に形成されている。
【００２５】画素電極１５は、層間絶縁膜１４上に、た
とえばスパッターによって形成される。画素電極１５
は、たとえば、少なくともアルミニウムを主成分とした
部材（以下、単にアルミニウムと記載する）等のような
抵抗の小さい部材からなり、その表面を陽極酸化によっ
て陽極酸化膜が形成される。陽極酸化は、溶液中で電気
分解を行わせると、アノードにおいて、電子が溶液側か
ら電極内へ動くので、溶液中の被酸化性物質が酸化され
る。たとえば、シュウ酸の３％水溶液中にアルミニウム
の電極をおいて電気分解を行わせる。アルミニウム電極
の表面は、多孔質層の陽極酸化膜が形成される。アルミ
ニウム電極の表面にできた多孔質層は、模式図的に表現
すると、微細な孔と、その周囲を囲む皮膜セル、および
微細な孔の底部となるバリヤー層とが多数連続して構成
されている。したがって、上記多孔質層は、陽極酸化処
理の条件を変えることで、その形状を変化させることが
できる。光は、多孔質層の孔で反射を繰り返すと共に、
一部はバリヤー層を透過する。
とえばスパッターによって形成される。画素電極１５
は、たとえば、少なくともアルミニウムを主成分とした
部材（以下、単にアルミニウムと記載する）等のような
抵抗の小さい部材からなり、その表面を陽極酸化によっ
て陽極酸化膜が形成される。陽極酸化は、溶液中で電気
分解を行わせると、アノードにおいて、電子が溶液側か
ら電極内へ動くので、溶液中の被酸化性物質が酸化され
る。たとえば、シュウ酸の３％水溶液中にアルミニウム
の電極をおいて電気分解を行わせる。アルミニウム電極
の表面は、多孔質層の陽極酸化膜が形成される。アルミ
ニウム電極の表面にできた多孔質層は、模式図的に表現
すると、微細な孔と、その周囲を囲む皮膜セル、および
微細な孔の底部となるバリヤー層とが多数連続して構成
されている。したがって、上記多孔質層は、陽極酸化処
理の条件を変えることで、その形状を変化させることが
できる。光は、多孔質層の孔で反射を繰り返すと共に、
一部はバリヤー層を透過する。
【００２６】多孔質層からなる光反射膜は、フッ酸処理
等、酸による化学的エッチングによって凹凸を形成して
いるものより、孔の深さが深く、光の反射する表面積が
大きいため、光の散乱が多く、しかも均一に反射させ
る。すなわち、多孔質層からなる光反射膜は、鏡面反射
のように反射光に対する入射角の依存性が小さくなり、
見やすくかつ明るい画面ができる。相転移型ゲストホス
ト液晶１８は、画素電極１５と対向電極２０との間に封
止されている。そして、上記相転移型ゲストホスト液晶
１８は、自然状態において、ホスト液晶分子が螺旋状に
配列され、電圧が印加された状態で、上記螺旋がほどけ
て対向基板１２に対して垂直に配列される。このため、
相転移型ゲストホスト液晶１８は、偏光板を使用するこ
となく、高いコントラストを容易に得ることができる。
等、酸による化学的エッチングによって凹凸を形成して
いるものより、孔の深さが深く、光の反射する表面積が
大きいため、光の散乱が多く、しかも均一に反射させ
る。すなわち、多孔質層からなる光反射膜は、鏡面反射
のように反射光に対する入射角の依存性が小さくなり、
見やすくかつ明るい画面ができる。相転移型ゲストホス
ト液晶１８は、画素電極１５と対向電極２０との間に封
止されている。そして、上記相転移型ゲストホスト液晶
１８は、自然状態において、ホスト液晶分子が螺旋状に
配列され、電圧が印加された状態で、上記螺旋がほどけ
て対向基板１２に対して垂直に配列される。このため、
相転移型ゲストホスト液晶１８は、偏光板を使用するこ
となく、高いコントラストを容易に得ることができる。
【００２７】上記液晶表示パネルにおいて、外部から入
射した入射光２２は、対向基板１２、カラーフィルター
２１、対向電極２０、配向膜１９、相転移型ゲストホス
ト液晶１８、配向膜１７を透過した後、陽極酸化物から
なる光反射膜１６および画素電極１５によって反射さ
れ、入射時と逆の径路を通って外部に出て反射光２３と
なる。そして、上記光反射膜１６の表面における凹凸
は、たとえば、光反射膜１６の鉛直方向と３０度傾いた
方向から入射した光が光反射膜１６の鉛直方向に強く反
射されるように設計されている。
射した入射光２２は、対向基板１２、カラーフィルター
２１、対向電極２０、配向膜１９、相転移型ゲストホス
ト液晶１８、配向膜１７を透過した後、陽極酸化物から
なる光反射膜１６および画素電極１５によって反射さ
れ、入射時と逆の径路を通って外部に出て反射光２３と
なる。そして、上記光反射膜１６の表面における凹凸
は、たとえば、光反射膜１６の鉛直方向と３０度傾いた
方向から入射した光が光反射膜１６の鉛直方向に強く反
射されるように設計されている。
【００２８】図２は本発明の実施例で、図１における液
晶表示パネルの一部を拡大して説明するための模式図で
ある。図２において、アクティブマトリックス基板１１
は、コーニング社製、♯１７３ガラスを用い、その大き
さを１２７ｍｍ×１２７ｍｍとした。そして、上記アク
ティブマトリックス基板１１上に形成された薄膜トラン
ジスタ１３は、次のように作製される。上記ガラス基板
上には、フォトリソグラフィー法により、アモルファス
シリコン、または多結晶シリコン１３１が、マトリック
ス状の島として形成される。
晶表示パネルの一部を拡大して説明するための模式図で
ある。図２において、アクティブマトリックス基板１１
は、コーニング社製、♯１７３ガラスを用い、その大き
さを１２７ｍｍ×１２７ｍｍとした。そして、上記アク
ティブマトリックス基板１１上に形成された薄膜トラン
ジスタ１３は、次のように作製される。上記ガラス基板
上には、フォトリソグラフィー法により、アモルファス
シリコン、または多結晶シリコン１３１が、マトリック
ス状の島として形成される。
【００２９】上記多結晶シリコン１３１は、所定個所に
ソース領域１３２およびドレイン領域１３３を形成する
ために不純物を添加すると共に、結晶化の助長を行う。
その後、これらの上には、ゲート絶縁膜１３４が形成さ
れる。また、上記多結晶シリコン１３１におけるチャネ
ル形成領域上には、ゲート電極１３５が公知の方法によ
って形成される。次に、ゲート電極１３５の上には、ゲ
ート絶縁膜１３４′が、また各薄膜トランジスタ１３の
層間には、層間絶縁膜１３６および１３６′が形成され
る。さらに、ゲート絶縁膜１３４および層間絶縁膜１３
６には、コンタクトホールが形成されソース電極１３７
およびドレイン電極１３８が形成される。なお、薄膜ト
ランジスタ１３は、上記手順以外に、ゲート絶縁膜１３
４を通して不純物を添加するスルードープ等公知の手段
で作製することができる。
ソース領域１３２およびドレイン領域１３３を形成する
ために不純物を添加すると共に、結晶化の助長を行う。
その後、これらの上には、ゲート絶縁膜１３４が形成さ
れる。また、上記多結晶シリコン１３１におけるチャネ
ル形成領域上には、ゲート電極１３５が公知の方法によ
って形成される。次に、ゲート電極１３５の上には、ゲ
ート絶縁膜１３４′が、また各薄膜トランジスタ１３の
層間には、層間絶縁膜１３６および１３６′が形成され
る。さらに、ゲート絶縁膜１３４および層間絶縁膜１３
６には、コンタクトホールが形成されソース電極１３７
およびドレイン電極１３８が形成される。なお、薄膜ト
ランジスタ１３は、上記手順以外に、ゲート絶縁膜１３
４を通して不純物を添加するスルードープ等公知の手段
で作製することができる。
【００３０】薄膜トランジスタ１３の層間絶縁膜１３
６′上には、０．２重量％のスカンジウムを含有したア
ルミニウム膜１５１が４０００Åの厚さで形成されてい
る。上記スカンジウムは、加熱処理の際に、アルミニウ
ム膜１５１の表面に発生する微細な突起物の発生を抑え
る役目を果たす。その後、アルミニウム膜１５１は、そ
の表面に、多孔質層を得るための陽極酸化処理が行われ
る。アルミニウム膜１５１の陽極酸化は、たとえば、石
英槽（図示されていない）に満たされた電解溶液中で、
前記アルミニウム膜１５１を陽極とし、白金（図示され
ていない）を陰極として行われる。上記アルミニウム膜
１５１と白金電極は、前記石英槽の両側において、対向
して配置される。
６′上には、０．２重量％のスカンジウムを含有したア
ルミニウム膜１５１が４０００Åの厚さで形成されてい
る。上記スカンジウムは、加熱処理の際に、アルミニウ
ム膜１５１の表面に発生する微細な突起物の発生を抑え
る役目を果たす。その後、アルミニウム膜１５１は、そ
の表面に、多孔質層を得るための陽極酸化処理が行われ
る。アルミニウム膜１５１の陽極酸化は、たとえば、石
英槽（図示されていない）に満たされた電解溶液中で、
前記アルミニウム膜１５１を陽極とし、白金（図示され
ていない）を陰極として行われる。上記アルミニウム膜
１５１と白金電極は、前記石英槽の両側において、対向
して配置される。
【００３１】上記電解溶液は、たとえば、３％のシュウ
酸水溶液をＰＨ＝１．９に調整したものを使用する。ア
ルミニウム膜１５１の陽極酸化処理中は、石英槽の液面
を乱さないために、電解溶液を攪拌する。電解溶液を攪
拌すると、電解溶液は、その温度分布が一定になり、陽
極酸化膜の膜厚を一定にすることができる。本実施例に
おいて、陽極酸化は、攪拌器を使用して、その回転数を
２００ｒｐｍとし、その時の液温を３０度Ｃに保持し
た。そして、上記陽極電極および陰極電極には、直流電
源が接続される。また、上記直流電源は、定電流終了と
定電圧出力が切り換えられるようになっている。
酸水溶液をＰＨ＝１．９に調整したものを使用する。ア
ルミニウム膜１５１の陽極酸化処理中は、石英槽の液面
を乱さないために、電解溶液を攪拌する。電解溶液を攪
拌すると、電解溶液は、その温度分布が一定になり、陽
極酸化膜の膜厚を一定にすることができる。本実施例に
おいて、陽極酸化は、攪拌器を使用して、その回転数を
２００ｒｐｍとし、その時の液温を３０度Ｃに保持し
た。そして、上記陽極電極および陰極電極には、直流電
源が接続される。また、上記直流電源は、定電流終了と
定電圧出力が切り換えられるようになっている。
【００３２】上記陽極電極および陰極電極に直流電源か
ら電界が印加されると、陽極酸化反応が起こり、陽極
（アルミニウム）電極の表面に多孔質層の酸化膜が成長
し始める。本実施例では、このときの両電極間の電流量
を一定に維持（定電流モード）し、酸化膜を成長させ、
この時の電流を０．５ｍＡとした。本実施例では、１．
５Ｖの電圧を２０秒間印加したところで、陽極酸化処理
を終了させた。このときの陽極酸化膜１５２の厚さは、
１５００Åであった。陽極酸化膜がアルミニウム電極の
表面に形成された後、公知の方法により前記陽極酸化
膜、およびアルミニウム電極を所望の形状にパターニン
グし、マトリックス状の画素電極が形成された。また、
図２に示されているように、入射光２２は、液晶表示パ
ネルに入射すると、一部が半透明である陽極酸化膜１５
２を透過した後、反射光２３１となり、また、多くが多
孔質層からなる陽極酸化膜１５２により散乱されて反射
光２３２となる。
ら電界が印加されると、陽極酸化反応が起こり、陽極
（アルミニウム）電極の表面に多孔質層の酸化膜が成長
し始める。本実施例では、このときの両電極間の電流量
を一定に維持（定電流モード）し、酸化膜を成長させ、
この時の電流を０．５ｍＡとした。本実施例では、１．
５Ｖの電圧を２０秒間印加したところで、陽極酸化処理
を終了させた。このときの陽極酸化膜１５２の厚さは、
１５００Åであった。陽極酸化膜がアルミニウム電極の
表面に形成された後、公知の方法により前記陽極酸化
膜、およびアルミニウム電極を所望の形状にパターニン
グし、マトリックス状の画素電極が形成された。また、
図２に示されているように、入射光２２は、液晶表示パ
ネルに入射すると、一部が半透明である陽極酸化膜１５
２を透過した後、反射光２３１となり、また、多くが多
孔質層からなる陽極酸化膜１５２により散乱されて反射
光２３２となる。
【００３３】図３は本発明の他の実施例で、光反射膜を
多層化した場合を説明するための模式図である。なお、
本発明の多孔質層は、図１ないし図３が模式図であるた
め、多孔質層の形状が単なる凹凸に表現されているが、
エッチング等化学的処理によってできた凹凸より深さの
あるものである。図３において、図２における実施例と
異なるところは、アルミニウム膜１５１上に形成された
陽極酸化膜が多層化されていることであり、その他は同
じである。上記アルミニウム膜１５１上には、第１の陽
極酸化膜１５２、第２の陽極酸化膜１５３、第３の陽極
酸化膜１５４がそれぞれ積層されている。上記光反射膜
は、液晶表示パネルに入射光２２が入射すると、一部が
半透明である第１の陽極酸化膜１５２、第２の陽極酸化
膜１５３、および第３の陽極酸化膜１５４を透過した
後、反射光２３１となり、一部が多孔質層からなる第１
の陽極酸化膜１５２で、一部が多孔質層からなる第２の
陽極酸化膜１５３で、また、一部が多孔質層からなる第
３の陽極酸化膜１５４によりそれぞれ散乱されて反射光
２３２、２３３、２３４となる。
多層化した場合を説明するための模式図である。なお、
本発明の多孔質層は、図１ないし図３が模式図であるた
め、多孔質層の形状が単なる凹凸に表現されているが、
エッチング等化学的処理によってできた凹凸より深さの
あるものである。図３において、図２における実施例と
異なるところは、アルミニウム膜１５１上に形成された
陽極酸化膜が多層化されていることであり、その他は同
じである。上記アルミニウム膜１５１上には、第１の陽
極酸化膜１５２、第２の陽極酸化膜１５３、第３の陽極
酸化膜１５４がそれぞれ積層されている。上記光反射膜
は、液晶表示パネルに入射光２２が入射すると、一部が
半透明である第１の陽極酸化膜１５２、第２の陽極酸化
膜１５３、および第３の陽極酸化膜１５４を透過した
後、反射光２３１となり、一部が多孔質層からなる第１
の陽極酸化膜１５２で、一部が多孔質層からなる第２の
陽極酸化膜１５３で、また、一部が多孔質層からなる第
３の陽極酸化膜１５４によりそれぞれ散乱されて反射光
２３２、２３３、２３４となる。
【００３４】図３に示す実施例は、第１の陽極酸化膜１
５２ないし第３の陽極酸化膜１５４が同じ反射を行うも
のとして説明したが、別の実施例として、異なる反射面
を有する陽極酸化膜を多層化することができる。陽極酸
化膜は、電流の大きさを変化させることにより、多孔質
層の形状が異なるものを形成することができる。たとえ
ば、陽極酸化における電流量を大きくしていくと、陽極
酸化膜の表面は、多孔質層における孔の深さ、孔の径が
変化する傾向がある。また、陽極酸化膜の最終的な形状
は、下地の表面粗さによって影響される。したがって、
陽極酸化膜の多層化は、多孔質層の孔の形状の異なる陽
極酸化膜を組み合わすことによって、散乱の角度や量を
自由に制御することができる。
５２ないし第３の陽極酸化膜１５４が同じ反射を行うも
のとして説明したが、別の実施例として、異なる反射面
を有する陽極酸化膜を多層化することができる。陽極酸
化膜は、電流の大きさを変化させることにより、多孔質
層の形状が異なるものを形成することができる。たとえ
ば、陽極酸化における電流量を大きくしていくと、陽極
酸化膜の表面は、多孔質層における孔の深さ、孔の径が
変化する傾向がある。また、陽極酸化膜の最終的な形状
は、下地の表面粗さによって影響される。したがって、
陽極酸化膜の多層化は、多孔質層の孔の形状の異なる陽
極酸化膜を組み合わすことによって、散乱の角度や量を
自由に制御することができる。
【００３５】たとえば、陽極酸化膜を上記のように多層
化するには、電流値を大きくとって、反射角度の大きい
酸化膜を形成し、反射面を概略的に形成しておき、次に
設計に応じた反射特性を得るために、電流値を小さくし
て多孔質層の孔が浅く、径の大きい陽極酸化膜を形成す
ることで、初めに形成した陽極酸化膜をさらに修正して
所望の反射特性に近づけていくことができる。
化するには、電流値を大きくとって、反射角度の大きい
酸化膜を形成し、反射面を概略的に形成しておき、次に
設計に応じた反射特性を得るために、電流値を小さくし
て多孔質層の孔が浅く、径の大きい陽極酸化膜を形成す
ることで、初めに形成した陽極酸化膜をさらに修正して
所望の反射特性に近づけていくことができる。
【００３６】上記実施例で作製した陽極酸化膜の表面
は、多孔質層の孔の深さが５００Åで、そのピッチが１
μｍ以下の細かいものと、１μｍないし５μｍ程度のや
や大きなものとが複合された形状となっていた。また、
上記陽極酸化膜表面は、白色光下で見ると、乳白色にな
っていた。さらに、上記陽極酸化膜の耐圧は、陽極酸化
膜の抵抗がかなり低いため、耐電圧としては０Ｖであっ
た。
は、多孔質層の孔の深さが５００Åで、そのピッチが１
μｍ以下の細かいものと、１μｍないし５μｍ程度のや
や大きなものとが複合された形状となっていた。また、
上記陽極酸化膜表面は、白色光下で見ると、乳白色にな
っていた。さらに、上記陽極酸化膜の耐圧は、陽極酸化
膜の抵抗がかなり低いため、耐電圧としては０Ｖであっ
た。
【００３７】多孔質層の形状が異なる陽極酸化膜は、入
射光に対する光の反射が層によって多少異なっているた
め、広い範囲にわたって光の散乱が発生する。すなわ
ち、上記陽極酸化膜を有する液晶表示パネルは、どの位
置からでも良好に見えるテレビジョン用に設計すること
ができる。これに対して、図１に示すような１層からな
る陽極酸化膜の場合は、液晶表示パネルの鉛直方向から
入射した光を同方向に反射させることもでき、たとえ
ば、腕時計のようなものに向くように設計することがで
きる。
射光に対する光の反射が層によって多少異なっているた
め、広い範囲にわたって光の散乱が発生する。すなわ
ち、上記陽極酸化膜を有する液晶表示パネルは、どの位
置からでも良好に見えるテレビジョン用に設計すること
ができる。これに対して、図１に示すような１層からな
る陽極酸化膜の場合は、液晶表示パネルの鉛直方向から
入射した光を同方向に反射させることもでき、たとえ
ば、腕時計のようなものに向くように設計することがで
きる。
【００３８】陽極酸化膜は、その多孔質層の形状、孔の
形状、孔の深さ等を変えることにより、電子機器の用途
に合った液晶表示パネルを作製することができる。ま
た、上記陽極酸化膜からなる光反射膜は、電気分解にお
いて、電圧値、電流値、水溶液の濃度、時間等を制御す
ることによって、多孔質層の孔の大きさや深さ、または
形状等を変えることができる。
形状、孔の深さ等を変えることにより、電子機器の用途
に合った液晶表示パネルを作製することができる。ま
た、上記陽極酸化膜からなる光反射膜は、電気分解にお
いて、電圧値、電流値、水溶液の濃度、時間等を制御す
ることによって、多孔質層の孔の大きさや深さ、または
形状等を変えることができる。
【００３９】次に、図１に示す実施例によって、試作し
た液晶表示パネルの仕様を下記に示す。 項 目 性 能 表示サイズ 対角５インチ 画素数 ９２万画素（６４０×４８０×３） 開口率 ７０％ 表示モード ＴＦＴ駆動ゲストホスト型 表示色数 ８色 コントラスト比 ５ 駆動電圧（ＶO-P ） ６Ｖ 応答速度（ＴON＋Ｔoff ） １００ｍｓ以下 消費電力 １０ｍＷ
た液晶表示パネルの仕様を下記に示す。 項 目 性 能 表示サイズ 対角５インチ 画素数 ９２万画素（６４０×４８０×３） 開口率 ７０％ 表示モード ＴＦＴ駆動ゲストホスト型 表示色数 ８色 コントラスト比 ５ 駆動電圧（ＶO-P ） ６Ｖ 応答速度（ＴON＋Ｔoff ） １００ｍｓ以下 消費電力 １０ｍＷ
【００４０】図４は本実施例によって試作した液晶表示
パネルにおける反射率電圧特性を説明するための図であ
る。上記試作した液晶表示パネルの印加電圧に対する反
射率（％）は、図４に示されるように、印加電圧の低い
所で、高い反射率が得られていることが判る。
パネルにおける反射率電圧特性を説明するための図であ
る。上記試作した液晶表示パネルの印加電圧に対する反
射率（％）は、図４に示されるように、印加電圧の低い
所で、高い反射率が得られていることが判る。
【００４１】以上、本実施例を詳述したが、本発明は、
前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明
は、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱すること
がなければ、種々の設計変更を行なうことが可能であ
る。たとえば、画素電極および光反射膜は、アルミニウ
ムの他に、アルミニウム合金、または光反射係数の高い
部材であれば、本実施例に限定されない。光反射膜の加
工は、多孔質層が形成されれば、陽極酸化に限定されな
い。液晶表示パネルは、表示装置として電子機器をはじ
め如何なる用途のものにも適用できる。
前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明
は、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱すること
がなければ、種々の設計変更を行なうことが可能であ
る。たとえば、画素電極および光反射膜は、アルミニウ
ムの他に、アルミニウム合金、または光反射係数の高い
部材であれば、本実施例に限定されない。光反射膜の加
工は、多孔質層が形成されれば、陽極酸化に限定されな
い。液晶表示パネルは、表示装置として電子機器をはじ
め如何なる用途のものにも適用できる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、光反射膜が平滑面では
なく、多孔質層によって適度の粗さを有するため、反射
光の入射角に依存することが少なく、液晶表示パネル全
体を適度の明るさにすることができる。本発明によれ
ば、光反射膜を陽極酸化によって多孔質層にしているた
め、形状、大きさ、深さ等の制御が容易にできる。本発
明によれば、光反射膜における孔の径や深さを自由に変
えることができるため、多くの用途に適用できるように
なった。本発明によれば、光反射膜に多孔質層からなる
陽極酸化膜を形成すると、酸化膜の抵抗を下げることが
できるので、陽極酸化膜に駆動電圧が分圧されることが
なく、液晶材料に有効に電圧を印加できる。
なく、多孔質層によって適度の粗さを有するため、反射
光の入射角に依存することが少なく、液晶表示パネル全
体を適度の明るさにすることができる。本発明によれ
ば、光反射膜を陽極酸化によって多孔質層にしているた
め、形状、大きさ、深さ等の制御が容易にできる。本発
明によれば、光反射膜における孔の径や深さを自由に変
えることができるため、多くの用途に適用できるように
なった。本発明によれば、光反射膜に多孔質層からなる
陽極酸化膜を形成すると、酸化膜の抵抗を下げることが
できるので、陽極酸化膜に駆動電圧が分圧されることが
なく、液晶材料に有効に電圧を印加できる。
【図１】本発明の実施例で、相転移型ゲストホスト液晶
を使用した液晶表示パネルにおける１画素の断面を説明
するための模式図である。
を使用した液晶表示パネルにおける１画素の断面を説明
するための模式図である。
【図２】本発明の実施例で、図１における液晶表示パネ
ルの一部を拡大して説明するための模式図である。
ルの一部を拡大して説明するための模式図である。
【図３】本発明の他の実施例で、光反射膜を多層化した
場合を説明するための模式図である。
場合を説明するための模式図である。
【図４】本実施例によって試作した液晶表示パネルにお
ける反射率電圧特性を説明するための図である。
ける反射率電圧特性を説明するための図である。
【図５】従来例で、相転移型ゲストホスト液晶を使用し
た液晶表示パネルにおける１画素の断面を説明するため
の模式図である。
た液晶表示パネルにおける１画素の断面を説明するため
の模式図である。
１１・・・アクティブマトリックス基板 １２・・・対向基板 １３・・・薄膜トランジスタ １３１・・・多結晶シリコン １３２・・・ソース領域 １３３・・・ドレイン領域 １３４・・・ゲート絶縁膜 １３５・・・ゲート電極 １３６、１３６′・・・層間絶縁膜 １３７・・・ソース電極 １３８・・・ドレイン電極 １４・・・層間絶縁膜 １５・・・画素電極 １５１・・・アルミニウム膜 １５２・・・第１の陽極酸化膜 １５３・・・第２の陽極酸化膜 １５４・・・第３の陽極酸化膜 １６・・・光反射膜 １７・・・配向膜 １８・・・相転移型ゲストホスト液晶 １９・・・配向膜 ２０・・・対向電極 ２１・・・カラーフィルター ２２・・・入射光 ２３、２３１、２３２、２３３、２３４・・・反射光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｗ ６１９Ｂ
Claims (9)
- 【請求項１】 相転移型ゲストホスト液晶を用いた反射
型液晶表示パネルにおいて、 アクティブマトリックス基板上に層間絶縁膜を介してマ
トリックス状に配置されていると共に、薄膜トランジス
タにそれぞれ接続されている画素電極と、 当該画素電極自体の上面に形成された多孔質層からなる
光反射膜と、 を備えていることを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項２】 上記光反射膜は、形状の同じ多孔質層が
多層化されていることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示パネル。 - 【請求項３】 上記光反射膜は、形状の異なる多孔質層
が多層化されていることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示パネル。 - 【請求項４】 上記マトリックス状に配置された画素電
極にそれぞれ接続されたスイッチ用薄膜トランジスタ
と、表示部分の周辺に配置された駆動用薄膜トランジス
タとから構成されていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 上記画素電極および光反射膜は、少なく
ともアルミニウムを主成分とした部材からなることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項６】 上記画素電極および光反射膜は、スカン
ジウムを含む少なくともアルミニウムを主成分とした部
材からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パ
ネル。 - 【請求項７】 上記光反射膜は、陽極酸化膜からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項８】 少なくともアルミニウムを主成分とした
部材からなる画素電極の上面を陽極酸化法によって多孔
質層からなる光反射膜を形成することを特徴とする液晶
表示パネルにおける光反射膜の作製方法。 - 【請求項９】 上記光反射膜の形成方法は、シュウ酸水
溶液の濃度、電圧値、電流値、電圧および電流の印加時
間の少なくとも一つを変えて、多孔質層の形状を制御す
ることを特徴とする請求項７記載の液晶表示パネルにお
ける光反射膜の作製方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32333996A JP3758768B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 液晶表示パネル |
| US08/974,621 US6781652B1 (en) | 1996-11-20 | 1997-11-19 | Liquid crystal display panel and method for manufacturing light reflecting film thereof |
| US10/895,963 US7250994B2 (en) | 1996-11-20 | 2004-07-22 | Liquid crystal display panel and method for manufacturing light reflecting film thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32333996A JP3758768B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 液晶表示パネル |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10148846A true JPH10148846A (ja) | 1998-06-02 |
| JPH10148846A5 JPH10148846A5 (ja) | 2004-11-11 |
| JP3758768B2 JP3758768B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=18153705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32333996A Expired - Fee Related JP3758768B2 (ja) | 1996-11-20 | 1996-11-20 | 液晶表示パネル |
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| Country | Link |
|---|---|
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| WO2000045216A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Reflective lcd device and method of manufacture thereof |
| KR100515176B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2005-09-16 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 평활 표면의 형태가 향상된 반사 전극을 가지는 액정 표시패널 및 그 제조 방법 |
| KR100713876B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2007-07-18 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 액정표시장치의 제조방법 |
| JP2007316305A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示素子とその製造方法 |
| US7362398B2 (en) | 1998-06-16 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Camera and personal computer having a reflection type liquid crystal device with particular dielectric multi-layer film and interlayer insulating films |
| JP2008217030A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-09-18 | Sony Corp | 液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置 |
| KR20110062993A (ko) * | 2009-12-04 | 2011-06-10 | 삼성전자주식회사 | 반사형 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3758768B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2006-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| JP4472073B2 (ja) | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| KR101186868B1 (ko) | 2005-06-30 | 2012-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 및 이를 구비한 액정표시소자 |
| KR100923295B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 반사영역을 가지는 액정표시장치 |
| US9694303B2 (en) * | 2014-04-25 | 2017-07-04 | Saudi Arabian Oil Company | Method for killing and removing microorganisms and scale using separation unit equipped with rotating magnets |
| CN110102301B (zh) * | 2019-05-20 | 2021-04-20 | 上海海事大学 | 一种基于阳极氧化法的纳米金属氧化物的负载制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS58125084A (ja) * | 1982-01-21 | 1983-07-25 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH0239431A (ja) | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Hitachi Cable Ltd | 酸化膜の形成方法 |
| JPH0250446A (ja) | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Hitachi Ltd | 電子部品の表面処理法 |
| JPH03109570A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| KR0161371B1 (ko) * | 1991-04-30 | 1999-01-15 | 강진구 | 액정 라이트 밸브와 그 제조 방법 |
| JPH05307879A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ハードディスクドライブ |
| US6000121A (en) | 1992-04-30 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing an enclosed disk drive |
| JPH0610170A (ja) | 1992-06-24 | 1994-01-18 | Central Glass Co Ltd | 親水性被膜 |
| JPH0618874A (ja) | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP2860226B2 (ja) * | 1993-06-07 | 1999-02-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3117588B2 (ja) * | 1993-08-27 | 2000-12-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示用反射板 |
| JPH07135323A (ja) | 1993-10-20 | 1995-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜状半導体集積回路およびその作製方法 |
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-
1996
- 1996-11-20 JP JP32333996A patent/JP3758768B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-19 US US08/974,621 patent/US6781652B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-22 US US10/895,963 patent/US7250994B2/en not_active Expired - Fee Related
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