JPS58100174A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は反射型の液晶表示装置に係り、特に反射面とな
る表示電極部の改良に関する。

〔発明の技術的背景〕

近年、表示装置の進歩は目ざましいものがあるが、中で
も液晶を用いた表示装置は低電力、薄型、長寿命という
点ですぐれておシ、最近では液晶を用いたテレビも発表
されている。現在。

液晶テレビには、消費電力が小さい、視角が広く取れる
等の理由からネマチ、り液晶に二色性色素を混合した液
晶を用いた、いわゆるダスト・ホスト製の液晶が用いら
れている。このゲスト−ホスト型液晶において、高いコ
ントラストを得るためには下地の表示電極を白く、明る
い散乱反射面にすることが必要である。このような反射
面となる表示電極を実−現するため、従来はアルミニウ
ムのような白色金属の表面を化学的な処理を施し、表面
に微細な凹凸を作る方法、又は、同様な処理による微細
な凹凸を絶縁膜を介してその上の表示電極に反映させる
方法が行なわれていた。

〔背景技術の問題点〕

しかし、従来の方法では、表示直積が大きい場合にあっ
ては、化学的な処理を行う際、基板内で不均一が生ずる
ばかシでなく、ロケ１間においてもバラツキが出る等の
欠点を有している。

〔発明の目的〕

本発明は、極めて均一性の優れた明るい散乱面とした表
示電極を備えた反射型の液晶表示装置を提供することを
目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、液晶セルの表示電極を散乱面とするために、
シリコンを含むアルミニウム膜を工、チングしたときに
均一性よく、かつ再現性よく残すことのできるシリコン
残渣を凹凸を作るための核として用い、この凹凸を反映
するように絶縁膜を介して表示電極を設けたととを特徴
とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。

菖１図は本発明をスイ、チ／キャノ臂シタアレイを用い
たマトリクス形液晶表示装置に適用した一実施例を説明
するための一画素部分の断面図、第２図はその一画素部
分の等価回路、第３図は同じくその表示電極部分の拡大
図である。

１は単結晶シリコン基板（第１の基板）であシ、この上
にシリコンゲートＭＯ８製造グロセスによってＭＯＳＦ
ＥＴ　：ｌとＭＯ８キヤ／譬シタ３からなるスイ、チ／
キャ／４シタアレイが集積形成されている。４はＣＶＤ
等によシ被着された絶縁膜で、所定の場所が開孔されて
いて、この上にシリコンを含むアルミニウム膜をス／４
．夕によシ被着し、これを工、チンダして配ＩＩＪが形
成されている。

この／々ターンをエツチングに依〕形成する際、シリコ
ン残渣６が絶縁膜４０表面に残る。こうして、スイ、チ
／キャ・母シタアレイおよびその配線が形成された基板
上に、更にＣＶＤ等によシ絶緻膜１を被着し、これに開
孔をあけて反射率の高い金属例えばアルミニウム膜を被
着し、このアルミニウム膜をノ譬ターニングして表示電
極８が形成されている。このとき絶縁膜１は、上述のシ
リコン残渣６が核となって生長するため、第３図に示す
ごとく、残渣６に対応した凹凸が表面に反映され、この
凹凸面が表示電極８０表面にも反映されて、表示電極８
は良好な散乱面となる。ヒリして得られた表示電極をも
クスイ、チ／キャ／４シタアレイが形成された基板と、
全面に透明電極・９・が形成されたガラス基板１０（第
２の基板）との間にゲスト・ホスト屋液晶１１を挾持し
て、マトリ、ジス形液晶表示装置が構成されている。

この実施例によれば、表示電極８は、面積が比較的大き
い場合にも極めて均一な明るい白色散乱面となシ、；ン
トラストの喪い表示が可能となる。しかも表示電極ＩＯ
散乱面の均一性は再現性よく実現でき、ロケ１間でのば
らつきも少ない。

尚、実施例において、絶縁膜はＣＶＤによシ被着したも
の、反射型の表示電極はアルミニウムを例として用いた
がこれに限るものではなく目的を満足する材料であれば
良い。又スイ、チ／アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを形成したような構造のものであっても良い。更に実
施例テはスイ、チ／キャ／母シタアレイを用いたマトリ
クス形液晶表示装置を示したが、本発明は反射量の表示
電極を用いる他の液晶表示装置に同様に適用して効果が
ある。

〔発明の効果〕 本発明によれば、表示電極面を均一性よく、かつ再現性
よく白色散乱面とした。コントラストの高い反射量の液
晶表示装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の詳細な説明するための断面図、第２
図は、その等価回路図、第３図は、同じくその表示電極
部分の拡大図である。 １・・・単結晶シリコン基板（鮪１の基板）、２・・・
ＭＯＳＦＥＴ、　　：１・−ＭＯＳキャ／４シタ、４・
・・絶縁膜、５・・・配線（シリコンを含むアル之ニウ
ム膜）、６・・・シリコン残渣、１・・・絶縁膜、８・
・・表示電極、９・・・透明電極、１０・・・ガラス基
板（譲２の基板×１１・・・ゲスト・ホスト型液晶。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定／譬ターンの反射盤の表示電極が形成された
   第１０基板と全面に透明電極が形成された透明材料から
   なる第２の基板との関に液晶を挾持して構成される液晶
   表示装置において、前記表示電極は、ＩＩｌの基板上に
   被着されたシリコンを含むアルミニウム膜を工、チング
   したときに残るシリコン残渣による凹凸を反映するよう
   に被着された絶縁膜上に配設されていることを特徴とす
   る液晶表示装置。
2. （２）　　第１の基板にはスイ、チ／キャＩ臂シタアレ
   イが集積形成され、プレイの配線がシリコンを含むアル
   ミニウム膜をエツチングによジノ９ターン形成したもの
   であって、前記シリコン残渣はこの配線のツヤター／形
   成のときに残されたものである、特許請求の範囲第１項
   記載の液−表示装置。
3. （３）　　液晶はネマチ、り液晶に二色性色素を混合し
   てなるゲスト・ホスト型液晶である特許請求の範囲第１
   項記載の液晶表示装置。