JPH10158825A - セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造方法Info
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- JPH10158825A JPH10158825A JP8321816A JP32181696A JPH10158825A JP H10158825 A JPH10158825 A JP H10158825A JP 8321816 A JP8321816 A JP 8321816A JP 32181696 A JP32181696 A JP 32181696A JP H10158825 A JPH10158825 A JP H10158825A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度に固化成形できていないことやセラミ
ックが凝集するといったことから機械加工時に割れや欠
けが生じるといった従来技術に見られる種々の問題点を
改善した、セラミックと金属が複合化されたスパッタリ
ングターゲット材の製造方法を提供する。 【解決手段】 金属製カプセルに、セラミック粉末と金
属粉末の混合粉末を適量収容して脱気密封し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、高密度のセラミックと金属が複合化され
たターゲット材を製造する方法において、混合粉末に、
金属粉末の表面に多数のセラミック微粉末が付着された
形態の混合粉末を用いることを特徴とするセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。
ックが凝集するといったことから機械加工時に割れや欠
けが生じるといった従来技術に見られる種々の問題点を
改善した、セラミックと金属が複合化されたスパッタリ
ングターゲット材の製造方法を提供する。 【解決手段】 金属製カプセルに、セラミック粉末と金
属粉末の混合粉末を適量収容して脱気密封し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、高密度のセラミックと金属が複合化され
たターゲット材を製造する方法において、混合粉末に、
金属粉末の表面に多数のセラミック微粉末が付着された
形態の混合粉末を用いることを特徴とするセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として磁気記録
媒体の下地膜用および磁気記録膜用のスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法に関し、さらに詳しくは、セラミ
ックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材
の製造方法に関するものである。
媒体の下地膜用および磁気記録膜用のスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法に関し、さらに詳しくは、セラミ
ックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子機器材料の分野のなかでもコ
ンピュータのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄膜
の需要は急激な増加の傾向にあり、使用される薄膜の記
録密度もますます高密度化しつつあり、そのため下地膜
には低ノイズ特性が要求され、一方磁気記録膜には低ノ
イズ特性に加えて高保磁力特性も要求されており、金属
相と非金属相の2相からなる薄膜が使用されつつある。
このような磁気記録媒体の下地膜および磁気記録膜の作
製には、主として一般にスパッタリング工法が用いられ
ており、スパッタリングターゲットとしてはセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が使用されている。
このスパッタリングに使用されるターゲット材は、従来
等方性熱間静水圧プレス(以下「HIP」という。)工
法により製造されている。
ンピュータのハードディスクなどの磁気記録媒体用薄膜
の需要は急激な増加の傾向にあり、使用される薄膜の記
録密度もますます高密度化しつつあり、そのため下地膜
には低ノイズ特性が要求され、一方磁気記録膜には低ノ
イズ特性に加えて高保磁力特性も要求されており、金属
相と非金属相の2相からなる薄膜が使用されつつある。
このような磁気記録媒体の下地膜および磁気記録膜の作
製には、主として一般にスパッタリング工法が用いられ
ており、スパッタリングターゲットとしてはセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が使用されている。
このスパッタリングに使用されるターゲット材は、従来
等方性熱間静水圧プレス(以下「HIP」という。)工
法により製造されている。
【0003】他の方法としては、特公平2−8301号
公報に示されているように粉末を混合し、その混合粉末
を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する方
法も考えられる。
公報に示されているように粉末を混合し、その混合粉末
を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する方
法も考えられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】HIP工法は一般に工
業的には時間とコストがかかり、量産に適しているとは
いいがたい。加えてHIP工法では高密度に固化成形で
きておらず、ポアが存在し、そのポアがスパッタ時のパ
ーティクル発生の原因となり膜作製のトラブルを生じや
すい。またスパッタ中にポアの部分に熱応力が集中して
しまい割れやすい。
業的には時間とコストがかかり、量産に適しているとは
いいがたい。加えてHIP工法では高密度に固化成形で
きておらず、ポアが存在し、そのポアがスパッタ時のパ
ーティクル発生の原因となり膜作製のトラブルを生じや
すい。またスパッタ中にポアの部分に熱応力が集中して
しまい割れやすい。
【0005】ターゲット材は所望形状に仕上げるために
固化成形後、機械加工を行う必要がある。しかしHIP
材の結晶粒は不揃いであり、高密度に固化成形できてい
ないことから機械加工時に割れや欠けが生じるといった
強度的な問題点もあった。
固化成形後、機械加工を行う必要がある。しかしHIP
材の結晶粒は不揃いであり、高密度に固化成形できてい
ないことから機械加工時に割れや欠けが生じるといった
強度的な問題点もあった。
【0006】他の方法としては、特公平2−8301号
公報に示されているように、粉末を混合し、その混合粉
末を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する
方法もある。この方法において、金属粉末同士であれば
固化成形時に一部合金化したり、後熱処理により合金化
することが可能である。しかし金属粉末と非金属である
セラミック粉末の場合、金属粉末同士の場合のように合
金化することもなく、また固化成形後の熱処理により合
金化させることもできなかった。その結果、セラミック
粉末が単体で存在し、セラミック粉末が凝集したまま固
化成形を行うと、固化成形後ターゲットを所定形状に仕
上げる機械加工を行うときにセラミックの凝集部分から
欠けや割れを生じるといった問題があった。
公報に示されているように、粉末を混合し、その混合粉
末を金属カプセルに充填し、高温高圧下で固化成形する
方法もある。この方法において、金属粉末同士であれば
固化成形時に一部合金化したり、後熱処理により合金化
することが可能である。しかし金属粉末と非金属である
セラミック粉末の場合、金属粉末同士の場合のように合
金化することもなく、また固化成形後の熱処理により合
金化させることもできなかった。その結果、セラミック
粉末が単体で存在し、セラミック粉末が凝集したまま固
化成形を行うと、固化成形後ターゲットを所定形状に仕
上げる機械加工を行うときにセラミックの凝集部分から
欠けや割れを生じるといった問題があった。
【0007】本発明はこのような状況の下でなされたも
のであって、その目的とするところは、従来技術に見ら
れる種々の問題点を発生させることのない、セラミック
と金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製
造方法を提供することである。
のであって、その目的とするところは、従来技術に見ら
れる種々の問題点を発生させることのない、セラミック
と金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製
造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決した本
発明の方法の要旨とするところは、特許請求の範囲のと
おりである。
発明の方法の要旨とするところは、特許請求の範囲のと
おりである。
【0009】まず本願請求項1記載の発明は、金属製カ
プセルに、セラミック粉末と金属粉末の混合粉末を適量
収容して脱気密封し、このカプセルを加熱して加圧圧縮
用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して冷却
し、カプセルに由来する金属部分を除去して、高密度の
セラミックと金属が複合化されたターゲット材を製造す
る方法において、混合粉末に金属粉末の表面に多数のセ
ラミック微粉末が付着された形態の混合粉末を用いるこ
とを特徴とするセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。
プセルに、セラミック粉末と金属粉末の混合粉末を適量
収容して脱気密封し、このカプセルを加熱して加圧圧縮
用金型内で強圧し、ついでこのカプセルを取出して冷却
し、カプセルに由来する金属部分を除去して、高密度の
セラミックと金属が複合化されたターゲット材を製造す
る方法において、混合粉末に金属粉末の表面に多数のセ
ラミック微粉末が付着された形態の混合粉末を用いるこ
とを特徴とするセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。
【0010】次に本願請求項2に記載の発明は、セラミ
ック微粉末が、SiO2 、Al2 O3 およびZrO2 か
ら選ばれた1種類以上のセラミック微粉末であることを
特徴とする請求項1記載のセラミックと金属が複合化さ
れたスパッタリングターゲット材の製造方法である。こ
こに限定したセラミック微粉末であるSiO2 、Al2
O3 あるいはZrO2 は、スパッタにより膜作製時、金
属相を分離する非金属相として極めて効果的である。
ック微粉末が、SiO2 、Al2 O3 およびZrO2 か
ら選ばれた1種類以上のセラミック微粉末であることを
特徴とする請求項1記載のセラミックと金属が複合化さ
れたスパッタリングターゲット材の製造方法である。こ
こに限定したセラミック微粉末であるSiO2 、Al2
O3 あるいはZrO2 は、スパッタにより膜作製時、金
属相を分離する非金属相として極めて効果的である。
【0011】さらに本願請求項3に記載の発明は、セラ
ミック微粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/
10以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の
セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲ
ット材の製造方法である。
ミック微粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/
10以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の
セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲ
ット材の製造方法である。
【0012】この本願請求項3の発明においては、セラ
ミック粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/1
0以下のセラミック微粉末を用いるが、これをV型混合
機で混合することにより、該セラミック微粉末を金属粉
末表面に極めて効果的に付着させることができる。ま
た、セラミック微粉末の平均粒径としては、20μm以
下であればより好ましい。
ミック粉末の平均粒径が、金属粉末の平均粒径の1/1
0以下のセラミック微粉末を用いるが、これをV型混合
機で混合することにより、該セラミック微粉末を金属粉
末表面に極めて効果的に付着させることができる。ま
た、セラミック微粉末の平均粒径としては、20μm以
下であればより好ましい。
【0013】本願請求項4に記載の発明は、セラミック
微粉末の混合比率が混合粉末全体に対して40vol.
%以下であることを特徴とする請求項1、2又は3のい
ずれかに記載のセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。
微粉末の混合比率が混合粉末全体に対して40vol.
%以下であることを特徴とする請求項1、2又は3のい
ずれかに記載のセラミックと金属が複合化されたスパッ
タリングターゲット材の製造方法である。
【0014】この本願請求項4の発明においては、ター
ゲットの特性に鑑みると、セラミック微粉末の混合粉末
全体に対する混合比率が3〜35vol.%がより好ま
しい。また、セラミック微粉末の混合比率を40vo
l.%以下で混合することにより、強度的に弱いセラミ
ック微粉末が凝集することなく、微細に分散されたセラ
ミックが複合化されたスパッタリングターゲット材が得
ることが可能となる。
ゲットの特性に鑑みると、セラミック微粉末の混合粉末
全体に対する混合比率が3〜35vol.%がより好ま
しい。また、セラミック微粉末の混合比率を40vo
l.%以下で混合することにより、強度的に弱いセラミ
ック微粉末が凝集することなく、微細に分散されたセラ
ミックが複合化されたスパッタリングターゲット材が得
ることが可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明において金属粉末表面にセ
ラミック微粉末を付着させた混合粉末を製造するには、
例えば金属粉末とセラミック微粉末をV型混合機を用い
て30分間以上混合することにより容易に得ることがで
きるが、セラミック微粉末粒径を金属粉末の粒径の1/
10以下にすることで、より好ましいセラミック微粉末
の金属粉末表面への付着状態を得ることができる。
ラミック微粉末を付着させた混合粉末を製造するには、
例えば金属粉末とセラミック微粉末をV型混合機を用い
て30分間以上混合することにより容易に得ることがで
きるが、セラミック微粉末粒径を金属粉末の粒径の1/
10以下にすることで、より好ましいセラミック微粉末
の金属粉末表面への付着状態を得ることができる。
【0016】セラミック微粉末の混合比率を混合粉末の
全体に対して40vol.%以下で混合することによ
り、強度的に弱いセラミック粉末の凝集をより効果的に
防止でき、微細に分散されたセラミックが複合化された
スパッタリングターゲット材を得ることができる。
全体に対して40vol.%以下で混合することによ
り、強度的に弱いセラミック粉末の凝集をより効果的に
防止でき、微細に分散されたセラミックが複合化された
スパッタリングターゲット材を得ることができる。
【0017】
【実施例】金属粉末とセラミック粉末(微粉末)を表1
に示す粒径ならびに配合比率でそれぞれV型混合機に投
入し、同混合機を50分間運転して各混合粉末を得た。
該各混合粉末をそれぞれ外径148mm、肉厚4mm、
長さ50mmの炭素鋼製のカプセルに充填し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、セラミック複合化されたターゲット材の
作製を試みた。表1に示す実施例及び比較例に基づい
て、以下に詳細に説明する。
に示す粒径ならびに配合比率でそれぞれV型混合機に投
入し、同混合機を50分間運転して各混合粉末を得た。
該各混合粉末をそれぞれ外径148mm、肉厚4mm、
長さ50mmの炭素鋼製のカプセルに充填し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、セラミック複合化されたターゲット材の
作製を試みた。表1に示す実施例及び比較例に基づい
て、以下に詳細に説明する。
【0018】表1に示すように金属粉末とセラミック粉
末の粒径ならびに混合比率を変化させてそれぞれ成形材
を作製した。その各成形材の割れ欠けならびに機械的強
度を抗折力試験により評価した結果を表1に併せて示
す。また、各実施例及び比較例で得られた混合粉末を顕
微鏡観察により付着の状態を観察し、金属粉末表面にセ
ラミック粉末が十分に付着しているかどうかを判断し
た。さらに、成形材の割れ欠けについても目視により判
断を行った。その結果も表1に併せて示す。
末の粒径ならびに混合比率を変化させてそれぞれ成形材
を作製した。その各成形材の割れ欠けならびに機械的強
度を抗折力試験により評価した結果を表1に併せて示
す。また、各実施例及び比較例で得られた混合粉末を顕
微鏡観察により付着の状態を観察し、金属粉末表面にセ
ラミック粉末が十分に付着しているかどうかを判断し
た。さらに、成形材の割れ欠けについても目視により判
断を行った。その結果も表1に併せて示す。
【0019】セラミック粉末の付着状態の判断結果は、
良好…○、不良…×とした。成形体の割れ欠けの状態の
判断結果は、割れ欠け無し…○、割れ欠けあり…×とし
た。
良好…○、不良…×とした。成形体の割れ欠けの状態の
判断結果は、割れ欠け無し…○、割れ欠けあり…×とし
た。
【0020】
【表1】
【0021】実施例1 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.1の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.1の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。
【0022】実施例2 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.2の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.2の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。
【0023】セラミックの体積率が同一でセラミックの
平均粒径が金属粉末の平均粒径に対して1/1である比
較例No.11においての条件下で作製したターゲット
材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度は約60%
向上させることができた。
平均粒径が金属粉末の平均粒径に対して1/1である比
較例No.11においての条件下で作製したターゲット
材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度は約60%
向上させることができた。
【0024】実施例3 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックSi
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.3の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。またセ
ラミックの粒径が同一でさらにセラミックの体積率を5
0%に増やした比較例No.12の条件下で作製したタ
ーゲット材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度も
セラミックの体積率の増加に伴い著しく低下した。
O2 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.3の条件
下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行った
結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミック
と金属が複合化されたターゲット材が得られた。またセ
ラミックの粒径が同一でさらにセラミックの体積率を5
0%に増やした比較例No.12の条件下で作製したタ
ーゲット材には割れ欠けが見られた。また抗折力強度も
セラミックの体積率の増加に伴い著しく低下した。
【0025】実施例4 金属Cr粉末(平均粒径200μm)とセラミックA1
2 03 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.4の条
件下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行っ
た結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミッ
クと金属が複合化されたターゲット材が得られた。また
セラミックの体積率が同一でセラミックの粒径が金属粉
末に対して1/5である比較例No.13の条件下で作
製したターゲット材には割れ欠けが見られた。
2 03 粉末(平均粒径15μm)を表1のNo.4の条
件下で混合し、上記のとおりターゲット材の作製を行っ
た結果、機械加工により割れ欠けのない所望のセラミッ
クと金属が複合化されたターゲット材が得られた。また
セラミックの体積率が同一でセラミックの粒径が金属粉
末に対して1/5である比較例No.13の条件下で作
製したターゲット材には割れ欠けが見られた。
【0026】実施例5,6,7 金属Cr粉末(平均粒径195μm)とセラミックZr
O2 粉末(平均粒径10μm)とを表1のNo.5,
6,7の条件下で混合し、上記のとおりターゲット材の
作製を行った結果、機械加工により割れ欠けのない所望
のセラミックと金属が複合化されたターゲット材が得ら
れた。
O2 粉末(平均粒径10μm)とを表1のNo.5,
6,7の条件下で混合し、上記のとおりターゲット材の
作製を行った結果、機械加工により割れ欠けのない所望
のセラミックと金属が複合化されたターゲット材が得ら
れた。
【0027】実施例8 金属Co−13Cr−4Ta粉末(平均粒径165μ
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.8の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.8の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。
【0028】実施例9 金属Co−13Cr−4Ta粉末(平均粒径165μ
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.9の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。またセラミックの体積率が同一でセラミ
ックの粒径が金属粉末に対して1.5/1である比較例
No.14の条件下で作製したターゲット材には割れ欠
けが見られた。また抗折力強度も著しく低下した。
m)とセラミックSiO2 粉末(平均粒径15μm)を
表1のNo.9の条件下で混合し、上記のとおりターゲ
ット材の作製を行った結果、機械加工により割れ欠けの
ない所望のセラミックと金属が複合化されたターゲット
材が得られた。またセラミックの体積率が同一でセラミ
ックの粒径が金属粉末に対して1.5/1である比較例
No.14の条件下で作製したターゲット材には割れ欠
けが見られた。また抗折力強度も著しく低下した。
【0029】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により従来高
密度に固化成形できていないことやセラミックが凝集す
るといったことから機械加工時に割れや欠けが生じると
いった従来技術に見られる種々の問題点を発生させるこ
とのない、セラミックが複合化されたスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法を提供することができるようにな
ったことは工業上極めて有用である。また、セラミック
粉末を用いた場合よりも抗折力における機械的強度を向
上させることができるようになったことも工業上極めて
有利である。
密度に固化成形できていないことやセラミックが凝集す
るといったことから機械加工時に割れや欠けが生じると
いった従来技術に見られる種々の問題点を発生させるこ
とのない、セラミックが複合化されたスパッタリングタ
ーゲット材の製造方法を提供することができるようにな
ったことは工業上極めて有用である。また、セラミック
粉末を用いた場合よりも抗折力における機械的強度を向
上させることができるようになったことも工業上極めて
有利である。
【図1】本発明実施例1(表1に示すNo.1)のター
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図2】本発明実施例3(表1に示すNo.3)のター
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
ゲット材のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
Claims (4)
- 【請求項1】 金属製カプセルに、セラミック粉末と金
属粉末の混合粉末を適量収容して脱気密封し、このカプ
セルを加熱して加圧圧縮用金型内で強圧し、ついでこの
カプセルを取出して冷却し、カプセルに由来する金属部
分を除去して、高密度のセラミックと金属が複合化され
たターゲット材を製造する方法において、混合粉末に、
金属粉末の表面に多数のセラミック微粉末が付着された
形態の混合粉末を用いることを特徴とするセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。 - 【請求項2】 セラミック微粉末が、SiO2 、Al2
O3 およびZrO2から選ばれた1種類以上のセラミッ
ク微粉末であることを特徴とする請求項1記載のセラミ
ックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材
の製造方法。 - 【請求項3】 セラミック微粉末の平均粒径が、金属粉
末の平均粒径の1/10以下であることを特徴とする請
求項1又は2記載のセラミックと金属が複合化されたス
パッタリングターゲット材の製造方法。 - 【請求項4】 セラミック微粉末の混合比率が混合粉末
の全体に対して40vol.%以下であることを特徴と
する請求項1、2又は3のいずれか記載のセラミックと
金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8321816A JPH10158825A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8321816A JPH10158825A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158825A true JPH10158825A (ja) | 1998-06-16 |
Family
ID=18136745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8321816A Pending JPH10158825A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | セラミックと金属が複合化されたスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10158825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134278A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Kojima Press Co Ltd | 金属調加工された意匠面を有するタッチスイッチ |
| JP2007154248A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 酸化物を含有したCo基スパッタリングターゲット材の製造方法 |
| JP4975647B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
-
1996
- 1996-12-02 JP JP8321816A patent/JPH10158825A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9034153B2 (en) | 2006-01-13 | 2015-05-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Nonmagnetic material particle dispersed ferromagnetic material sputtering target |
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