JPH10173008A - Tab用接着剤付きテープ、tabテープおよび半導体装置 - Google Patents

Tab用接着剤付きテープ、tabテープおよび半導体装置

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JPH10173008A
JPH10173008A JP8325247A JP32524796A JPH10173008A JP H10173008 A JPH10173008 A JP H10173008A JP 8325247 A JP8325247 A JP 8325247A JP 32524796 A JP32524796 A JP 32524796A JP H10173008 A JPH10173008 A JP H10173008A
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    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors

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  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】TABテープの銅箔ラミネート工程において、
接着剤のはみ出し量をコントロールすることにより、T
ABリードの接続不良や密着不良等の発生が少なく、高
歩留まりで良品のTABテープを提供する。 【解決手段】絶縁フイルム、接着剤層および保護フイル
ムをこの順に積層したものであるTAB用接着剤付きテ
ープにおいて、該テープの最大のオーバーハング量が2
0μm以下であることを特徴とするTAB用接着剤付き
テープ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、TAB(テープ・
オートメーテッド・ボンディング)方式と称する半導体
集積回路実装用テープ(以下、TABテープと略す)に
使用される接着剤付きテープに関するものである。さら
に詳しくは該テープの接着剤の流動性に関し、TABテ
ープの製造工程において、接着剤のはみ出しやTABリ
ードの接続不良や密着不良がなく、加工性および生産性
に優れたTAB用接着剤付きテープを提供することに関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、TAB用テープは、ポリイミド
フィルム等の可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層として離型性を有するポ
リエステルフィルム等を積層した3層構造より構成され
ている。
【0003】TAB用テープは、(1)スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、(2)銅箔との熱ラミネート、
(3)接着剤加熱キュア、(4)パターン形成(レジス
ト塗布、エッチング、レジスト除去)、(5)スズまた
は金メッキ処理などの加工工程を経てTABテープ(パ
ターンテープ)に加工される。図1にパターンテープの
形状を示す。図2に半導体装置の一態様の断面図を示
す。パターンテープのインナーリード部6を、半導体集
積回路8の金バンプ10に熱圧着(インナーリードボン
ディング)し、半導体集積回路(IC)を搭載する。次
いで、封止樹脂9による樹脂封止工程を経て半導体装置
が作成される。このような半導体装置をテープキャリア
パッケージ(TCP)型半導体装置と称する。TCP型
半導体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウタ
ーリード7を介して接続(アウターリードボンディン
グ)され、電子機器への実装がなされる。
【0004】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、従来の
接続端子(アウターリード)をパッケージ側面に配列し
ていたQFP(クワッド・フラット・パッケージ)、S
OP(スモール・アウトライン・パッケージ)に代わ
り、パッケージの裏面に接続端子を配列するBGA(ボ
ールグリッドアレイ)、CSP(チップスケールパッケ
ージ)が一部用いられるようになってきた。BGA、C
SPがQFP、SOPと構造的に最も大きく異なる点
は、前者は、インターポーザーと称される基板を必要と
するのに対し、後者は金属製のリードフレームを用いる
ことにより必ずしも基板を必要としない点にある。ここ
でいうインターポーザーは、ガラスエポキシ基板やポリ
イミド等の有機絶縁性フイルムに銅箔を張り合わせたも
のが一般的に用いられる。したがって、これらBGA、
CSPなどの半導体装置にも本発明のTAB用接着剤付
きテープを使用することができ、得られたBGA、CS
Pも本発明の半導体装置に含まれる。図3および図4に
本発明の半導体装置(BGA、CSP)の一態様の断面
図を示す。
【0005】最終的にTABテープは、高密度なパッケ
ージ内部に残留するため、絶縁性、耐熱性、銅箔との接
着性、寸法安定性、平面性が要求される。
【0006】近年、電子機器の小型化、高性能化、高密
度化に伴い、それらに搭載される半導体デバイスの高機
能化、高集積化、スリム化が進んでいる。このため半導
体デバイスの電極およびTABリードのピッチの微細化
は急速に進行しており、それに伴い絶縁性やTABテー
プの銅箔との接着力や接着剤面の平滑性や微細加工性が
これまでにも増して重要になってきた。
【0007】これらの特性を満足するためには接着剤の
流動性管理が特に重要である。この接着剤の流動性が適
正でないと、TABリードの接着力不足やIC実装時に
接続不良等が生じる。
【0008】すなわち、接着剤の流動性が大きいと、接
着剤加熱キュア工程で発泡が生じIC実装時や回路基板
への接続時に該部が熱によりはじけ接続不良となった
り、TABリードの密着不足により剥がれが生じてしま
う。また、ICを搭載するデバイス孔に接着剤がはみ出
すことにより、ICを熱圧着する際に障害となり歩留ま
りの低下となる。
【0009】これらの改善方法としては、接着剤成分で
あるポリアミド樹脂の重量平均分子量を規定した方法
(特開平2−143447号公報)などが提案されてい
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法は改善効果があるものの、近年の電子機器の軽薄短小
化に伴う急速なTABリードの微細化の進行に対応する
には充分でなかった。
【0011】そこで本発明は、接着剤の流動性を厳密に
管理することにより、TABテープの絶縁性やTABリ
ード接着力等の信頼性を向上し、高密度TABテープに
適したTAB用接着剤付きテープおよびそれから得られ
たTABテープおよび半導体装置を提供するものであ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、絶縁フ
イルム、接着剤層および保護フイルムをこの順に積層し
たものであるTAB用接着剤付きテープにおいて、該テ
ープの最大のオーバーハング(OH)量が20μm以下
の範囲であることを特徴とするTAB用接着剤付きテー
プにより達成される。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明のTAB用接着剤付きテー
プは、基本構成が絶縁フイルム、接着剤および保護フイ
ルムがこの順に積層されたものである。
【0014】本発明に使用される保護フイルムは、防塵
あるいは取り扱い性の目的から使用されるものである。
【0015】本発明の保護フイルムとしては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リエチレン、ポリプロピレンなどが使用可能である。な
かでも、ポリエチレンテレフタレートおよびポリフェニ
レンサルファイドは、引張り弾性率、引張り伸度がパン
チングに適しており、シャープなホール断面を形成する
ことができ特に好ましい。保護フイルムの厚みとして
は、10〜100μmのものが使用できるが、好ましく
は、20〜40μmである。
【0016】本発明に使用される絶縁フイルムとして
は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、芳香族ポリアミ
ドなどのいわゆる耐熱性フイルム、あるいはフレキシブ
ルエポキシ/ガラスクロスなどの複合材料などが使用で
きる。なかでも、ポリイミドフイルムは、熱寸法安定性
の点から特に好ましい。
【0017】本発明に使用される接着剤層は、熱硬化型
のもので半硬化状の接着剤であることが好ましい。たと
えば、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂などを含有する
ものである。さらに好ましくはエポキシ樹脂、硬化剤な
どを含有するものである。接着剤の諸特性を劣化させな
い範囲で、シリカ、アルミナなどの微粒子を添加しても
よい。
【0018】接着剤層の成分であるポリアミド樹脂は、
酸とジアミンの混合物を熱重合することによって得られ
るもので、メタノールなどのアルコール類を主要成分と
する混合溶剤に溶解可能なものがすべて使用できる。と
りわけ、ポリアミド樹脂の原料として炭素数が36個で
あるジカルボン酸(いわゆる「ダイマー酸」)が主要成
分となっているもの(通称「ダイマー酸系ポリアミ
ド」)が好ましい。ポリアミド樹脂は一般的に吸水率が
大きいため絶縁抵抗が低くなる傾向があるが、ダイマー
酸を使用することによって、吸水率を小さくし電気絶縁
性を高くすることが可能となるためである。
【0019】ダイマー酸系ポリアミドは、ダイマー酸と
ジアミンの等モル混合物を熱重合することによって得る
ことができる。ジカルボン酸成分としてダイマー酸だけ
でなく、アゼライン酸、セバシン酸などの他のジカルボ
ン酸を共重合成分として含有していてもかまわない。こ
のときダイマー酸が、酸成分中で70mol%以上であるこ
とがより好ましい。ダイマー酸系ポリアミドの中では、
高重合度のものの方が、吸水率が比較的低く、高湿度の
雰囲気でも電気絶縁性が高くなりやすいので好ましい。
【0020】ジアミン成分としては、ヘキサメチレンジ
アミン、エチレンジアミン、ピペラジン、ビス(4-ア
ミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4-アミノ-1,2-
ジメチルシクロヘキシル)メタンなどがあげられるが、
特に好ましいものは、ヘキサメチレンジアミンである。
ヘキサメチレンジアミンを主成分としたダイマー酸系ポ
リアミドは、総合性能において優れた特性を発揮するた
め特に好ましい。また、ジアミン成分も一種だけでな
く、二種以上混合したものも使用することができる。
【0021】接着剤層の成分であるエポキシ樹脂として
は、ビスフェノール型、ノボラック型、クレゾールノボ
ラック型、多官能型、ビフェニル型、ナフタレン型、ジ
シクロペンタジエン骨格を有するなどの公知のエポキシ
樹脂が使用可能である。
【0022】接着剤層の成分であるフェノール樹脂は、
ノボラック型、レゾール型、クレゾールノボラック型の
各種タイプをはじめ、ポリパラビニルフェノールなど公
知のフェノール樹脂が使用可能である。
【0023】接着剤層の成分である硬化剤としては、一
般的なエポキシ樹脂用硬化剤が使用可能である。例え
ば、ジアミン、酸無水物、ルイス酸型エポキシ硬化剤な
どである。
【0024】接着剤層中のそれぞれの成分比は、ポリア
ミド樹脂を100重量部とした場合、エポキシ樹脂は3
0〜80重量部の範囲、フェノール系樹脂は20〜70
重量部の範囲から選択される。また、硬化剤は0.1〜
10重量部の範囲で使用されることが好ましい。
【0025】上記の各成分を溶媒に溶解することによ
り、接着剤樹脂混合溶液を得る。接着剤各成分を溶解す
る溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロベンゼ
ン、ベンジルアルコールなどの芳香族系溶媒、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ブチルアル
コールなどのアルコール系溶媒などが、それぞれ単独で
あるいは二種以上の混合溶媒として使用できる。
【0026】TAB用接着剤付きテープは、通常、次に
示すいずれかの方法で作られる。
【0027】まず、第1の離型フイルムに、接着剤樹脂
混合溶液を塗布、乾燥し、これに必要に応じ第2の離型
フイルムを張り合わせる。次に、目的とする幅にスリッ
トする。これをあらかじめ目的の幅にスリットされたポ
リイミドなどの可撓性絶縁フイルムに、第1もしくは第
2の離型フイルムを剥がして接着剤面を張り合わせる。
また、別の方法として、絶縁フイルムに、直接、所定の
幅に接着剤樹脂混合溶液を塗布、乾燥し、離型フイルム
(保護フイルム)を張り合わせてもよい。
【0028】通常、テープの接着剤の幅は、スプロケッ
ト孔開孔予定部にはかからないように基材である絶縁フ
イルムより狭く設定されているのが好ましい。
【0029】IC搭載用のTABテープは、上記TAB
用接着剤付きテープを使用して、概略次の工程を経て作
られ、かくして得られたTABテープにICが搭載され
る。
【0030】(1)スプロケット穴、デバイス穴などの
パンチング工程 (2)保護フイルム除去、銅箔ラミネート工程 (3)接着剤加熱キュア工程 (4)フォトレジスト塗布、パターン露光、現像工程 (5)銅箔パターンエッチング工程 (6)フォトレジスト剥離工程 (7)(必要によりソルダーレジスト塗布工程) (8)メッキ工程(スズ、半田、金など)。
【0031】本発明におけるTAB用接着剤付きテープ
は、上記銅箔ラミネート工程での最大のオーバーハング
(OH)量が20μm以下、好ましくは2〜20μm、
さらに好ましくは2〜15μmの範囲であることが重要
である。最大のオーバーハング(OH)量が20μmよ
りも大きいTAB用接着剤付きテープを用いると、接着
剤加熱キュア工程で発泡が生じIC実装時や回路基板へ
の接続時に該部が熱によりはじけ接続不良となったり、
TABリードの密着不足により剥がれが生じてしまうの
で好ましくない。また、ICを搭載するデバイス孔に接
着剤がはみ出すことによる寸法変化により、ICを熱圧
着する際に障害となり歩留まりの低下となるので好まし
くない。
【0032】なお、オーバーハング(OH)量とは、T
AB用接着剤付きテープと25μm電解銅箔とを温度1
30℃、圧力3kg/cm、速度1m/minで熱圧着し、80℃
×3時間、100℃×5時間、150℃×5時間の条件
で加熱キュアを行い、エッチングをした後に接着剤がは
み出した大きさの値を測定したものである。
【0033】
【実施例】以下、実施例により本発明の内容を詳細に説
明する。なお、本実施例における各試験は次のようにし
て行った。
【0034】[オーバーハング(OH)量測定法]TA
B用接着剤付きテープに5mm×7mm□の穴を開け、保護
フイルムを除去し、25μm電解銅箔と接着面とを13
0℃、3kg/cm、1m/minでラミネートした。エアオーブ
ン中で、80℃×3時間、100℃×5時間、150℃
×5時間の条件で接着剤の加熱キュアを行い、銅箔付き
TAB用テープを得た。得られた銅箔付きTAB用テー
プの銅箔面を全面エッチングし、顕微鏡(×200)で
該穴部での接着剤のしみ出し量(μm)を測定した。
【0035】[接着強度測定法]TAB用接着剤付きテ
ープの保護フイルムを除去し、25μm電解銅箔と接着
面とを130℃、3kg/cm、1m/minでラミネートした。
エアオーブン中で、80℃×3時間、100℃×5時
間、150℃×5時間の条件で接着剤の加熱キュアを行
い、銅箔付きTAB用テープを得た。得られた銅箔付き
TAB用テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜
形成、エッチング、レジスト剥離を行い、導体幅50μ
mのサンプルを得た。その導体を90゜方向に50mm/m
inの速度で剥離し、接着力を測定した。
【0036】[外観検査法]TAB用接着剤付きテープ
の保護フイルムを除去し、25μm電解銅箔と接着面と
を130℃、3kg/cm、1m/minでラミネートした。エア
オーブン中で、80℃×3時間、100℃×5時間、1
50℃×5時間の条件で接着剤の加熱キュアを行い、銅
箔付きTAB用テープを得た。得られた銅箔付きTAB
用テープの銅箔面を全面エッチングし、発泡等の外観検
査を顕微鏡(×20)で行った。150cm2の大きさ
を検査し、発泡が5個以下を良好とし、6個以上を不良
とした。
【0037】[実施例1]下記接着剤組成物を固形分濃
度20重量%となるようにメタノール/モノクロルベン
ゼン混合溶液に溶解した後、離型処理を施した厚さ25
μmのポリエチレンテレフタレートフイルムに、乾燥膜
厚が18μmとなるように塗布し、エアオーブンを使用
し100℃で1分、150℃で2分乾燥した。該フイル
ムの接着面を厚さ75μmのポリイミドフイルム(宇部
興産製“ユーピレックス”75S)にロールラミネート
方式により、120℃、2kg/cm、1m/min熱圧着し、T
AB用接着剤付きテープを作成した。
【0038】<接着剤組成> ポリアミド樹脂(ヘンケル社製ナイロン“MACROM
ELT”6901):100重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂(大日本インキ社製T
D-2625):75重量部。
【0039】上記で得られたTAB用接着剤付きテープ
を60℃×4日の条件で加熱キュア処理した。得られた
TAB用接着剤付きテープの特性を表1に示した。
【0040】[実施例2]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×6日処理とすること以外は、
実施例1と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0041】[実施例3]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×8日処理とすること以外は、
実施例1と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0042】[実施例4]接着剤の組成が下記であるこ
と以外は実施例1と全く同じTAB用接着剤付きテープ
を作成した。得られたTAB用接着剤付きテープの特性
を表1に示した。
【0043】<接着剤組成> ポリアミド樹脂(ユニケマ社製ナイロン6・36“PR
IADIT”2053):100重量部 熱硬化型アルキルフェノール樹脂(群栄化学社製PS2
780):80重量部。
【0044】[実施例5]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×6日処理とすること以外は、
実施例4と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0045】[実施例6]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×8日処理とすること以外は、
実施例4と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0046】[比較例1]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×2日処理とすること以外は、
実施例1と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0047】[比較例2]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×3日処理とすること以外は、
実施例1と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0048】[比較例3]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×2日処理とすること以外は、
実施例4と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0049】[比較例4]TAB用接着剤付きテープの
加熱キュア条件を60℃×3日処理とすること以外は、
実施例4と全く同じTAB用接着剤付きテープを作成し
た。得られたTAB用接着剤付きテープの特性を表1に
示した。
【0050】
【表1】
【0051】
【発明の効果】本発明にかかるTAB用接着剤付きテー
プは、従来よりTABテープの加工工程において、接着
剤のはみ出しやTABリードの接続不良や密着不良等の
問題が生じ、TABテープの歩留まり低下を発生させて
いたのに対して、これらの問題を発生することなく高歩
留まりで良品のTABテープを得ることができる高性能
なものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のTAB用接着剤付きテープを加工して
得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープの一
態様の斜視図。
【図2】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置の一態様の断面図。
【図3】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置(BGA)の一態様の断面図。
【図4】本発明のTAB用接着剤付きテープを用いた半
導体装置(CSP)の一態様の断面図。
【符号の説明】
1 可撓性を有する絶縁性フィルム 2,13,21 接着剤 3 スプロッケト孔 4 デバイス孔 5,14、22 半導体集積回路接続用の導体 6 インナーリード部 7 アウターリード部 8,15,23 半導体集積回路 9,16,24 封止樹脂 10,17,25 金バンプ 11 保護膜 18,26 ハンダボール 19 補強板 27 ソルダーレジスト

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁フイルム、接着剤層および保護フイル
    ムをこの順に積層したものであるTAB用接着剤付きテ
    ープにおいて、該テープの最大のオーバーハング量が2
    0μm以下の範囲であることを特徴とするTAB用接着
    剤付きテープ。
  2. 【請求項2】最大のオーバーハング量が2〜20μmの
    範囲であることを特徴とする請求項1記載のTAB用接
    着剤付きテープ。
  3. 【請求項3】最大のオーバーハング量が2〜15μmの
    範囲であることを特徴とする請求項1記載のTAB用接
    着剤付きテープ。
  4. 【請求項4】絶縁フイルムがポリイミドフイルムである
    ことを特徴とする請求項1記載のTAB用接着剤付きテ
    ープ。
  5. 【請求項5】接着剤層がポリアミド樹脂およびフェノー
    ル樹脂を含有することを特徴とする請求項1記載のTA
    B用接着剤付きテープ。
  6. 【請求項6】ポリアミド樹脂が炭素数36のジカルボン
    酸を構成成分として含有することを特徴とする請求項5
    記載のTAB用接着剤付きテープ。
  7. 【請求項7】請求項1〜6のいずれかに記載のTAB用
    接着剤付きテープを用いたTABテープ。
  8. 【請求項8】請求項1〜6のいずれかに記載のTAB用
    接着剤付きテープを用いた半導体装置。
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JPWO2022201979A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29
WO2022201979A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及びプリント配線板

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