JPH10183097A - 電子部品用接着テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的低温で接着できるとともに、十分な耐
熱性及び信頼性を有する電子部品用接着テープを提供す
る。 【解決手段】 少なくとも接着層Ａ１、基材Ｂ及び接着
層Ａ２の３層を順次積層してなる電子部品用接着テープ
において、それらの３層は、いずれも下記式（１）で表
される構造単位１００〜４０モル％と、下記式（２）で
表される構造単位０〜６０モル％とからなる１つ以上の
ポリイミドを含有する樹脂層からなり、かつ、それらの
中の基材Ｂが、最も高いガラス転移温度を示す樹脂層で
形成されているものである。 【化１】 （式中、Ｘは−ＳＯ₂ −及び／又は−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ
Ｈ₂ ＣＨ₂ Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を示し、Ａｒは芳香環を有
する特定の構造から選ばれた二価の基、Ｒは炭素数１〜
１０のアルキレン基又はメチレン基がＳｉに結合してい
る−ＣＨ₂ ＯＣ₆Ｈ₄ −を示す。ｎは１〜２０の整
数。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するリードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピ
ン、半導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自
体の接着等に使用するための電子部品用接着テープに関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープ等には、リードフレーム固定用接
着テープ、ＴＡＢテープ等があり、例えば、リードフレ
ーム固定用接着テープの場合には、リードフレームのリ
ードピンを固定し、リードフレーム自体及び半導体アセ
ンブリ工程全体の生産歩留まり及び生産性の向上を目的
として使用されており、一般にリードフレームメーカー
でリードフレーム上にテーピングされて半導体メーカー
に持ち込まれ、ＩＣを搭載した後、樹脂封止される。そ
のため、リードフレーム固定用接着テープには、半導体
レベルにおける一般的な信頼性及びテーピング時の作業
性はもとより、テーピング直後の十分な室温接着力及び
半導体装置組み立て工程における加熱に耐え得る十分な
耐熱性等が要求される。

【０００３】従来、このような用途に使用される接着テ
ープとしては、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体
上に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル
或いはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の合成
ゴム系樹脂等の単独又は他の樹脂で変性したもの、或い
は他の樹脂又は他の硬化成分と混合したものからなる接
着剤を塗布し、Ｂステージ状態としたものが使用されて
いる。特に近年、熱可塑性のポリイミドをポリイミドフ
ィルムの両面に接着剤として塗布したものや、熱可塑性
のポリイミドの単層テープ等が使用されている。

【０００４】近年、図１〜図３に示されるような構造の
樹脂封止型半導体装置（半導体パッケージ）が開発され
製造されている。図１においては、リードピン３とプレ
ーン２とが、接着層６によって接続され、半導体チップ
１がプレーン２上に搭載されており、半導体チップ１と
リードピン３との間のボンディングワイヤー４ととも
に、樹脂５によって封止された構造を有している。図２
においては、リードフレームのリードピン３が半導体チ
ップ１と接着層６によって固定されており、ボンディン
グワイヤー４とともに、樹脂５によって封止された構造
を有している。また、図３においては、ダイパッド７の
上に半導体チップ１が搭載され、また、電極８が接着層
６によって固定されており、そして、半導体チップ１と
電極８との間及び電極８とリードピン３との間は、それ
ぞれボンディングワイヤー４によって連結され、それら
が樹脂５によって封止された構造を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の図１〜図３に示
される構造の樹脂封止型半導体装置における接着層にお
いて、従来の熱硬化型の接着剤を塗布した接着テープを
使用した場合には、耐熱性が十分でないため、発生ガス
がリードを汚染して接着力の低下を招いたり、パッケー
ジクラックの発生原因になる等の問題がある。そのた
め、十分な耐熱性、信頼性等を有する電子部品用接着剤
及びそれを用いた電子部品用接着テープが望まれてい
る。本発明者等は、先に下記式（１ａ）ないし式（２
ｂ）で表される構造単位からなるポリイミドを含有する
接着剤を用いた接着テープの発明（特願平７−１５５４
７４号、特願平７−２４５１４９号）を行うことによ
り、上記した問題を解消させることができた。しかしな
がら、これらの接着テープは、接着層を耐熱性フィルム
上に設けた接着テープの場合には、耐熱性フィルムと接
着剤層との界面剥離が起こり易いという問題がある。特
に湿熱時の界面剥離は、パッケージの信頼性を著しく低
下させることから大きな問題となっている。また、接着
剤単層のテープでは、加熱圧着の際に、例えば、リード
フレームが接着層中に埋没貫通し、絶縁性の確保が困難
になるという問題がある。さらに、図２に示す構造のも
のでは、半導体チップの圧着温度を可能な限り低くした
いという要求があり、この際にはリードフレーム側の接
着層は軟化しないことが不可欠である。

【０００６】最近、半導体装置に用いる接着層として、
ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なるポリイミド系接着剤層
を用いて放熱板とリードフレームを固定する技術が、特
開平６−２９１２３６号公報として提案されているが、
この方法は、使用する接着剤の具体的な成分等について
全く記載されていないものであり、また、一般に同じＴ
ｇを持つ樹脂であっても、その成分や分子量が異なると
Ｔｇよりも高温部における挙動には大きな相違があり、
単にＴｇの異なる樹脂を積層しても電子部品等の分野に
おける接着剤としての性能に信頼性が得られるものでは
ない。また、特開平６−２９１１５２号公報には、上記
のものと同様の接着層に関する技術が提案されている
が、使用される接着剤の成分等について具体的な記載が
なく、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
アミドイミド等の樹脂の組合せが可能であると開示され
ていることからみて、このような分子構造の異なる樹脂
同士の接着性は必ずしも良好なものではなく、電子部品
の製造工程中に受ける応力の蓄積等により層間の剥離を
起こし易いという問題がある。

【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ことを目的としてなされたものである。すなわち、本発
明の目的は、比較的低温において接着可能であり、絶縁
性の確保が可能であるとともに十分な信頼性を有する電
子部品用接着テープを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用接着
テープは、少なくとも接着層Ａ１、基材Ｂ及び接着層Ａ
２の３層を順次積層してなる電子部品用接着テープにお
いて、それらの３層は、いずれも下記式（１ａ）で表さ
れる構造単位及び下記式（１ｂ）で表される構造単位の
少なくとも１種を１００〜４０モル％と、下記式（２
ａ）で表される構造単位及び下記式（２ｂ）で表される
構造単位の少なくとも１種を０〜６０モル％とからなる
１つ以上のポリイミドを含有する樹脂層からなり、か
つ、それらの中の基材Ｂが、最も高いガラス転移温度を
示す樹脂層であることを特徴とするものである。

【０００９】

【化４】 （式中、Ａｒは芳香環を有する下記の構造から選ばれる
二価の基を示す。）

【００１０】

【化５】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びＲ⁴ は、それぞれ同じで
も異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアル
キル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を示すが、こ
れらのすべての基が同時に水素原子であることはな
い。）

【００１１】

【化６】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −を示
す。ｎは１〜２０の整数を意味する。）

【００１２】また、本発明の電子部品用接着テープは、
基材Ｂのガラス転移温度が、接着層Ａ１及び接着層Ａ２
のガラス転移温度よりも４０℃以上高い樹脂層であり、
しかも、接着層Ａ１のガラス転移温度が、接着層Ａ２の
ガラス転移温度よりも同等以上の樹脂層であることが好
ましい。本発明においては、電子部品用接着テープ中の
接着層Ａ１及び接着層Ａ２の少なくとも一方の接着層
は、粒径１μｍ以下のフィラーを０．１〜５０重量部含
むことが好ましい。また、接着層Ａ１及び接着層Ａ２の
少なくとも一方の外面に、さらに剥離性フィルムを設け
てもよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の電子部品用接着テープは、
少なくとも接着層Ａ１、基材Ｂ及び接着層Ａ２の３層を
順次積層してなるもの、すなわち、少なくとも基材Ｂの
片側面に接着層Ａ１を設けるとともに、その基材Ｂの他
の側面（接着層Ａ１の設けられていない面）には接着層
Ａ２を設けてなるものであって、それらの３層は、いず
れも、少なくとも１つ以上のポリイミドを含む樹脂層か
らなるものであり、その樹脂層に使用するポリイミドに
ついて、以下に説明する。

【００１４】本発明に使用されるポリイミドは、下記式
（１ａ）で表される構造単位及び下記式（１ｂ）で表さ
れる構造単位の少なくとも１種を１００〜４０モル％含
有するものである。この場合、下記式（１ａ）で表され
る構造単位及び下記式（１ｂ）で表される構造単位の少
なくとも１種とは、式（１ａ）で表される構造単位単独
からなるもの、式（１ｂ）で表される構造単位単独から
なるもの及びその両者の構造単位からなるもののいずれ
をも含むものである。

【００１５】

【化７】 （式中、Ａｒは前記したと同意義を有する。）

【００１６】また、本発明に使用されるポリイミドは、
式（２ａ）で表される構造単位及び式（２ｂ）で表され
る構造単位の少なくとも１種を０〜６０モル％含有する
ものである。この場合、式（２ａ）で表される構造単位
及び式（２ｂ）で表される構造単位の少なくとも１種と
は、下記式（２ａ）で表される構造単位単独からなるも
の、下記式（２ｂ）で表される構造単位単独からなるも
の及び両者の構造単位からなるもののいずれをも含むも
のである。

【００１７】

【化８】 （式中、Ｒ及びｎは、前記したと同意義を有する。）

【００１８】本発明に使用される上記のポリイミドは、
式（１ａ）及び式（１ｂ）で表される構造単位（以下、
これを［（１ａ）＋（１ｂ）］と記す。）が多いほどガ
ラス転移温度が高くなり、一方、式（２ａ）及び式（２
ｂ）で表される構造単位（以下、これを［（２ａ）＋
（２ｂ）］と記す。）が多いほどガラス転移温度が低く
なる。また、式（１ｂ）及び式（２ｂ）で表される構造
単位が多くなるほどガラス転移温度が低くなる。このた
め、上記のポリイミドは、式（１ａ）ないし式（２ｂ）
の含有割合を種々変更してガラス転移温度を制御するこ
とにより、接着剤の圧着可能温度を制御することが可能
である。このことは、本発明においては、接着層Ａ１及
び接着層Ａ２には、通常、基材Ｂに比べて［（２ａ）＋
（２ｂ）］の構造が多いポリイミド樹脂を用い、他方、
基材Ｂには、［（１ａ）＋（１ｂ）］の構造が多いポリ
イミド樹脂を用いることになる。

【００１９】そして、本発明の電子部品用接着テープ
は、各層のガラス転移温度について、それぞれ、接着層
Ａ１を「Ｔｇ_A1」、接着層Ａ２を「Ｔｇ_A2」及び基材Ｂ
を「Ｔｇ_B 」で示すと、Ｔｇ_B ＞Ｔｇ_A1及びＴｇ_B ＞Ｔ
ｇ_A2の関係を満たすことが必要であることを示すもので
あり、さらには、Ｔｇ_B ≧Ｔｇ_A1＋４０、Ｔｇ_B ≧Ｔｇ
_A2＋４０及びＴｇ_A1≧Ｔｇ_A2の関係を満たしていること
が好ましい。なお、これらの単位は、いずれも摂氏温度
（℃）である。

【００２０】本発明に使用するポリイミドは、一般的な
ポリイミドの製造方法を用いることにより得ることがで
きる。すなわち、各繰り返し構造単位に対応するテトラ
カルボン酸無水物と、各繰り返し構造単位に対応するジ
アミンまたはジイソシアナートとから製造することがで
きる。具体的には、上記のポリイミドは、下記式（３
ａ）で表されるテトラカルボン酸二無水物、下記式（３
ｂ）で表される化合物及び下記式（４）で表される化合
物及び下記式（５）で表されるシロキサン系化合物とを
反応させることにより製造することができる。

【００２１】

【化９】 （式中、Ａｒは芳香環を有する前記の構造から選ばれた
二価の基、Ｙはアミノ基またはイソシアナート基を示
す。）

【００２２】

【化１０】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −を示
す。ｎは１〜２０の整数を意味する。Ｙはアミノ基また
はイソシアナート基を示す。）

【００２３】本発明において、ポリイミドの製造原料と
して使用し、得られるポリイミドの基本的な繰り返し構
造単位を構成する上記式（３ａ）及び式（３ｂ）で表さ
れるテトラカルボン酸二無水物は、それぞれ３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物及びエチレングリコールビストリメリテート二無水物
である。

【００２４】また、上記式（４）で表される化合物は、
Ａｒとしては上記した芳香環を有する構造から選ばれた
二価の基で示されるものであるが、官能基Ｙがアミノ基
であるジアミン類としては、具体的には、次のものが挙
げられる。３，３′−ジアミノビフェニル、３，４′−
ジアミノビフェニル、４，４′−ジアミノビフェニル、
３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−ジア
ミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニル
メタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２，２−（３，３′−ジアミノジフェニル）プロパ
ン、２，２−（３，４′−ジアミノジフェニル）プロパ
ン、２，２−（４，４′−ジアミノジフェニル）プロパ
ン、２，２−（３，３′−ジアミノジフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、２，２−（３，４′−ジアミノジフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（４，４′
−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，
３′−オキシジアニリン、３，４′−オキシジアニリ
ン、４，４′−オキシジアニリン、３，３′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，４′−ジアミノジフェニル
スルフィド、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′
−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジ
フェニルスルホン、１，３−ビス［１−（３−アミノフ
ェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス
［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベ
ンゼン、１，４−ビス［１−（３−アミノフェニル）−
１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（４
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−
ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，
３′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル、３，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルエーテル、３，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）
ジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフ
ェニルエーテル、４，４′−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ジフェニルエーテル、３，３′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、３，３′−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（３−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［３−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス
（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４
−アミノフェニル）フルオレン、３，３′−ジアミノ−
２，２′，４，４′−テトラメチルジフェニルメタン、
３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトラエチ
ルジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，２′，
４，４′−テトラプロピルジフェニルメタン、３，３′
−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトライソプロピル
ジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，２′，
４，４′−テトラブチルジフェニルメタン、３，４′−
ジアミノ−２，３′，４，５′−テトラメチルジフェニ
ルメタン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，５′−
テトラエチルジフェニルメタン、３，４′−ジアミノ−
２，３′，４，５′−テトラプロピルジフェニルメタ
ン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，５′−テトラ
イソプロピルジフェニルメタン、３，４′−ジアミノ−
２，３′，４，５′−テトラブチルジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメチ
ルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′，
５，５′−テトラエチルジフェニルメタン、４，４′−
ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラプロピルジフェ
ニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′
−テトライソプロピルジフェニルメタン、４，４′−ジ
アミノ−３，３′，５，５′−テトラブチルジフェニル
メタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチル−
５，５′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジア
ミノ−３，３′−ジメチルジフェニルメタン、４，４′
−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメト
キシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトラエトキシジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラプロ
ポキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトライソプロポキシジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラ
ブトキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′−ジメトキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミ
ノ−３，３′−ジエトキシジフェニルメタン等である。
また、式（４）で表される化合物において、官能基Ｙが
イソシアナート基であるジイソシアナート類としては、
上記に例示したジアミン類において、「アミノ」を「イ
ソシアナート」に置き換えたものを挙げることができ
る。

【００２５】ポリイミドの製造原料として使用する式
（５）で表されるシロキサン系化合物において、官能基
Ｙがアミノ基であるジアミン類としては、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１０
−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、ア
ミノプロピル末端のジメチルシロキサンの４量体及び８
量体、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチ
ルジシロキサン等が挙げられ、これらを併用することも
可能である。また、式（５）で表される化合物におい
て、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類としては、上記に例示したジアミン類において、
「アミノ」を「イソシアナート」に置き換えたものを挙
げることができる。上記式（４）及び式（５）で表され
る化合物において、官能基Ｙがイソシアナート基である
ジイソシアナート類は、上記に例示した対応するジアミ
ンを常法によりホスゲンと反応させることにより容易に
製造することができる。

【００２６】本発明に使用されるポリイミドは、次のよ
うにして製造することができる。原料として、テトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンとを使用する場合、これら
を有機溶媒中、必要に応じて、トリブチルアミン、トリ
エチルアミン、亜リン酸トリフェニル等の触媒の存在下
（反応物の２０重量部以下）で、１００℃以上、好まし
くは１８０℃以上に加熱し、直接ポリイミドを得る方
法、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを有機溶媒
中、１００℃以下で反応させることにより、ポリイミド
の前駆体であるポリアミド酸を得た後、必要に応じて、
ｐ−トルエンスルホン酸等の脱水触媒（テトラカルボン
酸二無水物の１〜５倍モル）を加え、加熱してイミド化
反応させることによりポリイミドを得る方法、或いはこ
のポリアミド酸を、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水
安息香酸等の酸無水物、ジシクロへキシルカルボジイミ
ド等のカルボジイミド化合物等の脱水閉環剤と、必要に
応じて、ピリジン、イソキノリン、イミダゾール、トリ
エチルアミン等の閉環触媒（脱水閉環剤及び閉環触媒は
テトラカルボン酸二無水物の２〜１０倍モル）を添加し
て、比較的低温（室温〜１００℃程度）で閉環反応させ
る方法等がある。

【００２７】上記の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ｐ−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が挙げら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、ニトロベンゼン等を上記の溶
媒に混合して使用することも可能である。

【００２８】また、原料として、テトラカルボン酸二無
水物とジイソシアナートとを使用する場合には、上記し
たポリイミドを直接得る方法に準じて製造することが可
能であり、このときの反応温度は室温以上であり、特に
６０℃以上であることが好ましい。テトラカルボン酸二
無水物とジアミンまたはジイソシアナートとを等モル量
で反応させることにより、高重合度のポリイミドを得る
ことができるが、必要に応じて、いずれか一方を１０モ
ル％以下の範囲の過剰量を用いてポリイミドを製造する
ことも可能である。

【００２９】本発明に使用される上記ポリイミドの分子
量は、ポリイミドを構成する繰り返し構造単位の種類に
よって成膜性の発現が異なるので、成膜性に応じて適宜
設定することが好ましい。本発明の電子部品用接着テー
プの接着層Ａ１及び接着層Ａ２として使用する場合に
は、接着層にはある程度の成膜性が必要であり、また、
耐熱性も低下するので、あまり低分子量のものは好まし
くなく、一般的には、ポリイミドの数平均分子量は、概
ね４０００以上であることが必要である。また、熱可塑
性の接着剤として使用するには、溶融時の粘性が高すぎ
ると接着性が著しく低下する。この溶融時の粘性を規定
する要因の一つとして分子量が含まれているために、使
用されるポリイミドは、いずれの構造であっても、その
数平均分子量が概ね４０００００以下のものであり、そ
れ以上になると粘性の増加が大きくなり、接着剤等とし
て用いることは困難になる。一方、基材Ｂとして使用す
る場合には、成膜性は上記接着層と同等或いはそれ以上
であることが必要であり、また、高温に曝されても溶融
され難い方が使用し易いことから、ポリイミドの数平均
分子量は、概ね１００００以上であることが必要であ
る。なお、分子量の測定に用いたＧＰＣ測定条件は、表
２の後に示した。本発明においては、上記したポリイミ
ドの中から選ばれるポリイミドを単独で用いることもで
きるが、ガラス転移温度（Ｔｇ）を調節するためにそれ
らのポリイミドの２種類以上を任意の割合で適宜混合し
て用いることもできる。

【００３０】本発明の電子部品用接着テープは、上記し
た所定のポリイミドから選択されたポリイミドを何等か
の方法でフィルム化して積層形成することにより作製さ
れる。このフィルム化は、例えば、剥離性フィルムの片
面にポリイミドを含む溶液を塗布し、これを乾燥させる
ことにより可能であるが、その他の成形方法を採用する
ことも可能である。また、その積層方法としては、上記
したＴｇを有する３種類のフィルムを熱圧着する方法
や、まず、接着層を形成するポリイミド溶液をフィルム
化し、その上に、基材を形成するポリイミド溶液を塗布
乾燥し、さらにその上に、その他の接着層を形成するポ
リイミド溶液を塗布乾燥させて３層を形成させる方法、
又はそれらを同時塗工し乾燥させて３層を形成させる方
法等を採用することが可能である。本発明における電子
部品用接着テープの厚さは、必要に応じて適宜採択され
るが、通常、総厚で１５〜２００μｍの範囲であり、各
層の厚さは、最低限度の接着力を維持させるために最低
でも５μｍ程度は必要である。

【００３１】本発明において、接着層を塗工により形成
するには、上記のポリイミドを適当な溶媒に溶解させる
とポリイミドの塗工用ワニスが得られる。本発明に用い
られるポリイミドを溶解する溶媒としては、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，
３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロトン性極
性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、ｐ−
クロロフェノール等のフェノール系溶媒、イソホロン、
シクロヘキサノン、カルビトールアセテート、ジグライ
ム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の広範な有機溶
媒が挙げられる。更にこれに、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセ
トニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、クロロホ
ルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒等をポリイミ
ドが析出しない程度に混合して用いることもできる。本
発明に用いられるポリイミドは、いずれも、上記の単独
溶剤に４０重量％までは溶解させることができるので、
ポリイミド溶液の濃度及び粘度は、塗工条件に合わせて
適宜変更することができる。

【００３２】本発明における２種類の接着層には、各層
の貼り合わせ時の特性を制御するために、それぞれ粒径
１μｍ以下のフィラーを含ませてもよい。フィラーを配
合させる場合の含有量は、全固形分の０．１〜５０重量
部の範囲が好ましく、より好ましくは０．４〜２５重量
部の範囲である。フィラー量が５０重量部より多くなる
と接着力の低下が著しくなり、一方、０．１重量部未満
ではフィラーの添加効果が得られなくなる。フィラーと
しては、例えば、シリカ、石英粉、マイカ、アルミナ、
ダイヤモンド粉、ジルコン粉、炭酸カルシウム、酸化マ
グネシウム、フッ素樹脂等が用いられる。

【００３３】本発明に使用される剥離性フィルムは、膜
厚１〜２００μｍのものであり、仮の支持体として利用
されるものである。具体的には、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリイミド等の樹脂フィルム或いは紙、ないしはそ
れらの表面にシリコーン系離型剤等を用いて離型処理を
施したものが使用される。なお、本発明のいずれの接着
テープにおいても、接着層の上に上記剥離性のフィルム
を保護層として設けることも可能である。

【００３４】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。まず、本発明に用いられるポリイミド及びそれを含
む塗工用ワニスの製造例を示す。 合成例１ 撹拌機を備えたフラスコに、３，４′−ジアミノビフェ
ニル１２．３４ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３
−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジ
シロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮ−メチル−２
−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」と記す。）３００ｍｌ
を氷温下に導入し、１時間撹拌を続けた。次いで、この
溶液を室温で３時間反応させてポリアミド酸を合成し
た。得られたポリアミド酸に５０ｍｌのトルエンと１．
０ｇのｐ−トルエンスルホン酸を加えて１６０℃に加熱
し、反応の進行に伴ってトルエンと共沸してきた水分を
分離しながら、３時間イミド化反応を行った。その後ト
ルエンを留去し、得られたポリイミドワニスをメタノー
ル中に注いで、得られた沈澱物を分離、粉砕、洗浄及び
乾燥させる工程を経ることにより、上記した式で表され
る各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：
［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３３［（１ａ）：（１
ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］
で示されるポリイミド５０．０ｇ（収率９５％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラ
ス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表１に示す。このポリイミドを、テトラヒドロフラ
ン（以下、「ＴＨＦ」と記す。）に２５重量％の濃度に
なるように溶解することにより、塗工用ワニスを得た。

【００３５】合成例２ ４，４′−オキシジアニリン１３．４１ｇ（６７ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミ
リモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３３［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１
００：０］で示されるポリイミド５１．０ｇ（収率９５
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００３６】合成例３ ４，４′−ジアミノジフェニルメタン１３．２９ｇ（６
７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ
（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００
ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３３［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１
００：０］で示されるポリイミド５２．０ｇ（収率９７
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００３７】合成例４ ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド１４．４９ｇ
（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン８．
２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ
（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌとを用いて、
合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３
３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド５１．０ｇ
（収率９３％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００３８】合成例５ ３，３′−ジアミノジフェニルスルホン１６．６４ｇ
（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン８．
２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ
（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３
３［（１ａ）：（２ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド５１．５ｇ
（収率９０％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００３９】合成例６ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン１５．１
６ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌとを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６
７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド５
４．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４０】合成例７ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン２２．４０ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝６７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６０．０ｇ（収率９５％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２１ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４１】合成例８ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、
合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３
３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド５８．０ｇ
（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００４２】合成例９ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、
合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３
３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド５８．０ｇ
（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００４３】合成例１０ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２３．０８ｇ（６７ミリモル）と
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモ
ル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及
びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：
［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３３［（１ａ）：（１
ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］
で示されるポリイミド６２．５ｇ（収率９８％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラ
ス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量
％の濃度になるように溶解させることにより、塗工用ワ
ニスを得た。

【００４４】合成例１１ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
４．６８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．
８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６
７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド６
４．０ｇ（収率９８％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４５】合成例１２ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
−テル２５．７５ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝６７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６４．０ｇ（収率９７％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４６】合成例１３ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン２８．９８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを
用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比
が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝
６７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド６
５．０ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１９ｃｍ^-1
及び１７８５ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４７】合成例１４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２７．５０ｇ（６７ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝６７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６５．０ｇ（収率９６％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００４８】合成例１５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３４．７４ｇ（６７ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミ
リモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６７：３３［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１
００：０］で示されるポリイミド７４．０ｇ（収率９８
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００４９】合成例１６ ９，９−ビス（４−アミノフェノキシ）フルオレン２
３．３５ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，４，４′
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．
８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝６
７：３３［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド６
０．５ｇ（収率９５％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1
及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００５０】合成例１７ ３，４′−ジアミノビフェニル１３．８２ｇ（７５ミリ
モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２
５ミリモル）とエチレングリコールビストリメリテート
二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１
００、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］で示されるポ
リイミド５４．０ｇ（収率９４％）を得た。得られたポ
リイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７
１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及び
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００５１】合成例１８ ４，４′−オキシジアニリン１５．０２ｇ（７５ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミ
リモル）とエチレングリコールビストリメリテート二無
水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位の
モル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１０
０、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］で示されるポリ
イミド５２．０ｇ（収率８９％）を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１
８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱
分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。
このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるよ
うに溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００５２】合成例１９ ４，４′−ジアミノジフェニルメタン１４．８７ｇ（７
５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ
（２５ミリモル）とエチレングリコールビストリメリテ
ート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）
＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：
１００、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］で示される
ポリイミド５５．０ｇ（収率９４％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００５３】合成例２０ ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド１６．２２ｇ
（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン６．
２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコールビストリ
メリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及
びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：
［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１
ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］
で示されるポリイミド５４．０ｇ（収率９０％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラ
ス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量
％の濃度になるように溶解させることにより、塗工用ワ
ニスを得た。

【００５４】合成例２１ ３，３′−ジアミノジフェニルスルホン１８．６３ｇ
（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン６．
２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコールビストリ
メリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及
びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：
［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１
ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］
で示されるポリイミド５５．５ｇ（収率８９％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラ
ス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量
％の濃度になるように溶解させることにより、塗工用ワ
ニスを得た。

【００５５】合成例２２ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン１６．９
７ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド５７．０ｇ（収率９
４％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００５６】合成例２３ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン２５．０７ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレン
グリコールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ
（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２
５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２
ｂ）＝０：１００］で示されるポリイミド６７．０ｇ
（収率９８％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７２１ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００５７】合成例２４ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２１．
９２ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド６２．０ｇ（収率９
５％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００５８】合成例２５ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２１．
９２ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド６４．０ｇ（収率９
７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００５９】合成例２６ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２５．８４ｇ（７５ミリモル）と
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモ
ル）とエチレングリコールビストリメリテート二無水物
４１．０３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル
比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］
＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２
ａ）：（２ｂ）＝０：１００］で示されるポリイミド６
７．０ｇ（収率９６％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1
及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００６０】合成例２７ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
７．６３ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコール
ビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリ
モル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様
の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド６９．５ｇ（収率９
８％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００６１】合成例２８ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
ーテル２８．８２ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレン
グリコールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ
（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２
５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２
ｂ）＝０：１００］で示されるポリイミド７０．０ｇ
（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００６２】合成例２９ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン３２．０８ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコ
ールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００
ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド７４．０ｇ（収率９
７％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１９ｃｍ^-1及び１７８５ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００６３】合成例３０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７８ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチ
レングリコールビストリメリテート二無水物４１．０３
ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、
合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２
５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２
ｂ）＝０：１００］で示されるポリイミド７３．０ｇ
（収率９８％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７
８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００６４】合成例３１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３８．８９ｇ（７５ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミ
リモル）とエチレングリコールビストリメリテート二無
水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位の
モル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１０
０、（２ａ）：（２ｂ）＝０：１００］で示されるポリ
イミド８０．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１
５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱
分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。
このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるよ
うに溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００６５】合成例３２ ９，９−ビス（４−アミノフェノキシ）フルオレン２
６．１４ｇ（７５ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン６．２１ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコール
ビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリ
モル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様
の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：１００］で示されるポリイミド６６．０ｇ（収率９
５％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ
^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦ
に２５重量％の濃度になるように溶解させることによ
り、塗工用ワニスを得た。

【００６６】合成例３３ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５３ｇ（５０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン１２．４３ｇ（５０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）
＋（２ｂ）］＝５０：５０［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６１．０ｇ（収率９３％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００６７】合成例３４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００（ＮＭＰ）３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１
００：０］で示されるポリイミド６５．０ｇ（収率９４
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００６８】合成例３５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３２．８４ｇ（８０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン４．９７ｇ（２０ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝８０：２０［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００６９】合成例３６ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン２．４９ｇ（１０ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単
位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝９０：１０［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６９．０ｇ（収率９７％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００７０】合成例３７ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）とエチレングリ
コールビストリメリテート二無水物２０．５３ｇ（５０
ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝５０：５０、（２ａ）：（２ｂ）＝５
０：５０］で示されるポリイミド６８．５ｇ（収率９５
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００７１】合成例３８ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物８．９６ｇ（２５ミリモル）とエチレングリコ
ールビストリメリテート二無水物３０．７７ｇ（７５ミ
リモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝２５：７５、（２ａ）：（２ｂ）＝２
５：７５］で示されるポリイミド６９．５ｇ（収率９５
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００７２】合成例３９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物２６．８７ｇ（７５ミリモル）とエチレングリ
コールビストリメリテート二無水物１０．２６ｇ（２５
ミリモル）及びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１
ａ）：（１ｂ）＝７５：２５、（２ａ）：（２ｂ）＝７
５：２５］で示されるポリイミド６６．０ｇ（収率９４
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００７３】合成例４０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス［（アミノフェノキシ）メチル］−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン９．４２ｇ（２５ミリモ
ル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及
びＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：
［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１
ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］
で示されるポリイミド６９．０ｇ（収率９５％）を得
た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し
たところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラ
ス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量
％の濃度になるように溶解させることにより、塗工用ワ
ニスを得た。

【００７４】合成例４１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と下記一般
式（５）で示されるアミノプロピル末端のジメチルシロ
キサン４量体（Ｙ＝ＮＨ₂ 、Ｒ＝プロピレン、ｎ＝３）
１０．７２ｇ（２５ミリモル）と

【化１１】 ３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）
＋（２ｂ）］＝７５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示される
ポリイミド６７．０ｇ（収率９１％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１２ｃｍ^-1及び１７８３ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸
収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度にな
るように溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００７５】合成例４２ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）及びＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
造単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）
＋（２ｂ）］＝１００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリ
イミド５８．８ｇ（収率９３％）を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２
０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱
分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。
このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるよ
うに溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００７６】合成例４３ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１５．５２ｇ（５０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１３．３４ｇ（３７．５ミリモル）とエチ
レングリコールビストリメリテート酸二無水物５．１３
ｇ（１２．５ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１
００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝７５：２５、（２
ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド２９．
６ｇ（収率９２％）を得た。得られたポリイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び
１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させ
ることにより、塗工用ワニスを得た。

【００７７】合成例４４ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１５．５２ｇ（５０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物８．８９ｇ（２５ミリモル）とエチレング
リコールビストリメリテート酸二無水物１０．２６ｇ
（２５ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成
例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）
＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１００：０
［（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０、（２ａ）：（２
ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド２９．６ｇ（収率
９２％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペク
トルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃ
ｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その
分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定し
た。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを、Ｔ
ＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させることに
より、塗工用ワニスを得た。

【００７８】合成例４５ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン７．７６ｇ（２５ミリモル）とビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６．
２１ｇ（２５ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ
（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成
例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）
＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝５０：５０
［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド２７．４ｇ
（収率９１％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７
８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を
測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミド
を、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させる
ことにより、塗工用ワニスを得た。

【００７９】合成例４６ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１１．６４ｇ（３７．５ミリモル）
とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン３．１１ｇ（１２．５ミリモル）と３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１
７．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝７
５：２５［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝１００：０］で示されるポリイミド２
９．６ｇ（収率９２％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1
及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリ
イミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解
させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８０】合成例４７ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメチ
ルジフェニルメタン１２．７２ｇ（５０ミリモル）とエ
チレングリコールビストリメリテート酸二無水物２０．
５１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１
００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２
ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド２９．
５ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び
１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させ
ることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８１】合成例４８ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１５．５２ｇ（５０ミリモル）とエ
チレングリコールビストリメリテート酸二無水物２０．
５１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１
００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝０：１００、（２
ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド３１．
８ｇ（収率９３％）を得た。得られたポリイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び
１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させ
ることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８２】合成例４９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５３ｇ（５０ミリモル）と３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５
０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造単位
のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝１００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：
０、（２ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリイミ
ド３５．９ｇ（収率９８％）を得た。得られたポリイミ
ドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃ
ｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認め
られた。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解
開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。この
ポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように
溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８３】合成例５０ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラメチ
ルジフェニルメタン１２．７２ｇ（５０ミリモル）と
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ
１５０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構造
単位のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋
（２ｂ）］＝１００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝１０
０：０、（２ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリ
イミド２８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２
０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度及び熱
分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。
このポリイミドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるよ
うに溶解させることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８４】合成例５１ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル１
８．４２ｇ（５０ミリモル）と３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９１
ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が［（１
ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１００：
０［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２
ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド３３．１ｇ（収率
９６％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペク
トルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃ
ｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その
分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定し
た。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを、Ｔ
ＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させることに
より、塗工用ワニスを得た。

【００８５】合成例５２ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン２１．６３ｇ（５０ミリモル）と３，３′，４，４′
−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．
９１ｇ（５０ミリモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構造単位のモル比が
［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１
００：０［（１ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２
ａ）：（２ｂ）＝０：０］で示されるポリイミド３５．
８ｇ（収率９５％）を得た。得られたポリイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び
１７８０ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
また、その分子量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ドを、ＴＨＦに２５重量％の濃度になるように溶解させ
ることにより、塗工用ワニスを得た。

【００８６】合成例５３ ４，４′−ジアミノジフェニルエ−テル１０．０１ｇ
（５０ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミ
リモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１００：０［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：０］で示されるポリイミド２４．３ｇ（収率９３
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００８７】合成例５４ ４，４′−ジアミノジフェニルメタン９．９２ｇ（５０
ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモ
ル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１００：０［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：０］で示されるポリイミド２５．２ｇ（収率９７
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００８８】合成例５５ ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド１０．８１ｇ
（５０ミリモル）と３，３′，４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミ
リモル）及びＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で、各構造単位のモル比が［（１ａ）＋（１
ｂ）］：［（２ａ）＋（２ｂ）］＝１００：０［（１
ａ）：（１ｂ）＝１００：０、（２ａ）：（２ｂ）＝
０：０］で示されるポリイミド２４．８ｇ（収率９２
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０ｃｍ^-1及び１７８０ｃｍ^-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度及び熱分解開始温度を測定した。そ
れらの結果を表２に示す。このポリイミドを、ＴＨＦに
２５重量％の濃度になるように溶解させることにより、
塗工用ワニスを得た。

【００８９】

【表１】

【００９０】

【表２】

【００９１】表１及び表２において、ポリイミドの分子
量測定は、ＴＨＦを溶離液とし、カラムはＳｈｏｄｅｘ
８０Ｍ×２を使用して行った。分子量値は、ＧＰＣによ
る数平均分子量であり、ポリスチレン換算によるもので
ある。ガラス転移温度は、示差熱分析（窒素中、１０℃
／分で昇温）により測定し、また、熱分解開始温度は、
熱重量分析（窒素中、１０℃／分で昇温）により測定し
たものである。

【００９２】比較合成例１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン１６．４ｇ（０．０４モル）とトリメリッ
ト酸無水物モノクロライド８．４２ｇ（０．０４モル）
を用いて、合成例１と同様にして合成してポリエーテル
アミドイミド樹脂２０．８ｇ（収率９２％）を得た。得
られたポリエーテルアミドイミド樹脂の赤外吸収スペク
トルを測定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃ
ｍ^-1に典型的なイミドの吸収及び１６４０ｃｍ^-1に典型
的なアミドの吸収が認められた。また、その分子量は２
１０００であり、ガラス転移温度は２２８℃及び分解開
始温度は４３０℃であった。このポリエーテルアミドイ
ミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、塗工用
ワニスを得た。

【００９３】比較合成例２ ４，４′−ジアミノジフェエルエーテル８．０１ｇ
（０．０４モル）とビフェニルテトラカルボン酸二無水
物１０．８ｇ（０．０４モル）を用いて、合成例１と同
様にして合成してポリイミド１６．１ｇ（収率９３％）
を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測
定したところ、１７１５ｃｍ^-1及び１７８６ｃｍ^-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量は
ＴＨＦ等の溶剤に不溶であるために測定不能であり、ガ
ラス転移温度は２９０℃、分解開始温度は５６０℃であ
った。この樹脂をｏ−ジクロロフェノールに２０重量％
の濃度で溶解し、塗工用ワニスを得た。

【００９４】比較合成例３ ２，２−ビス（１，１′、２，２′−テトラカルボキシ
−４−フェノキシフェニル）プロパン二無水物２０．８
ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ１００ｇに溶解し、この溶
液にｍ−フェニレンジアミン４．３４ｇ（０．０４モ
ル）を加えて０℃で４時間攪拌し、ポリアミック酸の２
０重量％ＮＭＰワニスを得た。これをそのまま塗工用ワ
ニスとした。ポリエーテルイミド化反応により得られた
樹脂は、そのガラス転移温度が２１６℃であり、熱分解
開始温度が５１０℃であった。得られた樹脂フィルムの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１５^-1及び
１７８６ｃｍ^-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
また、その分子量はＴＨＦ等の溶剤に不溶であるために
測定不能であった。 比較合成例４ ポリアミドイミド（Ｔｏｒｌｏｎ ４０００Ｔ、アモコ
社製）の２０重量％ＮＭＰワニスを塗工用ワニスとし
た。

【００９５】実施例１ 上記合成例３で得られたポリイミド（Ｔｇ：１８０℃）
を含む塗工用ワニスを塗布液とし、剥離性の膜厚３８μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（３００×５
００ｃｍ）上に、バーコーターを用いて乾燥時の層厚が
２０μｍになるように塗布し、その塗布層を熱風循環型
乾燥機中にて１５０℃で５分間乾燥させて接着層Ａ１を
形成させた。次いで、その形成された接着層Ａ１の上
に、合成例４２で得られたポリイミド（Ｔｇ：２８２
℃）を含む塗工用ワニスを塗布液として、乾燥時の層厚
が２０μｍになるように塗布し、その塗布層を熱風循環
型乾燥機中にて１５０℃で１０分間乾燥させて基材Ｂの
層を形成させた。さらに、その形成された基材Ｂ層の上
に、合成例１０で得られたポリイミド（Ｔｇ：１６０
℃）を含む塗工用ワニスを塗布液として、乾燥時の層厚
が２０μｍになるように塗布し、その塗布層を熱風循環
型乾燥機中にて１５０℃で１５分間乾燥させて接着層Ａ
２を形成させることにより、３層が積層された総厚６０
μｍの接着テープを作製した。

【００９６】実施例２〜４８ 実施例２〜４８においては、それぞれ表３又は表４に示
すとおり、上記したそれぞれの合成例で得られたポリイ
ミドを含む塗工用ワニスの単独、それらの２種以上を混
合したもの又はそれらにフィラーを添加したものを用い
たこと以外は、実施例１と全く同様にして、接着層Ａ
１、基材Ｂ及び接着層Ａ２の３層が積層形成された接着
テープを作製した。各実施例１〜４８において、接着テ
ープの各層の形成に使用したポリイミドを含む塗工用ワ
ニスの合成例番号、フィラーの種類と添加量及び形成さ
れた接着層の接着温度を、それぞれ表３及び表４に示
す。なお、表３及び表４に示す接着剤層Ａ１及び接着剤
層Ａ２のガラス転移温度は、表１及び表２に示す各合成
例のガラス転移温度に相当する。

【００９７】

【表３】

【００９８】

【表４】

【００９９】比較例１ 合成例１０で得られたポリイミド（Ｔｇ：１６０℃）の
塗工用ワニスを用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て、それぞれ接着層Ａ１、基材Ｂ及び接着層Ａ２に相当
する３層が順次積層された総厚６０μｍの接着テープを
作製した。 比較例２ 合成例１０で得られたポリイミド（Ｔｇ：１６０℃）の
塗工用ワニスを用いて、膜厚２０μｍのポリイミドフィ
ルム（ユーピレックスＳ、宇部興産社製）の片面上に、
バーコーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるよ
うに塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１５０℃で５分間
乾燥し、さらに、そのポリイミドフィルムの他の面にも
バーコーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるよ
うに塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１５０℃で１０分
間乾燥させることにより、３層テープを作製した。

【０１００】比較例３ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰＩ、三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶液を、
剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルム上にバー
コーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるように
塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥
させて、接着層Ａ１に相当する層を形成させた。次いで
その上に、同じ溶液を同様に塗布して熱風循環型乾燥機
にて１５０℃で６０分間乾燥させ、基材Ｂに相当する層
を形成させた。さらにその上に、同じ溶液を同様に塗布
して熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥さ
せて接着層Ａ２に相当する層を形成させた。次いで、そ
の剥離性フィルムを剥がして、２５０℃で６０分間乾燥
させることにより、総厚６０μｍの接着テープを作製し
た。

【０１０１】比較例４ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰＩ、三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶液を、
膜厚２０μｍのポリイミドフィルム（ユーピレックス
Ｓ、宇部興産社製）の片面上に、バーコーターを用いて
乾燥時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥し、さらに、その
ポリイミドフィルムの他の面にもバーコーターを用いて
乾燥時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機中にて１５０℃で１２０分間乾燥し、さらに２
５０℃で６０分間乾燥させることにより、３層テープを
作製した。

【０１０２】比較例５ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰ１，三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶液を、
剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルム上にバー
コーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるように
塗布し、熱風循環型乾燥器にて１５０℃で６０分間乾燥
し、さらに、その剥離性フィルムを剥がして、２５０℃
で６０分間乾燥し、基材Ｂに相当する層を形成させた。
次いで、比較合成例１のワニスを同様に塗布して熱風循
環型乾燥器にて１５０℃で１０分間乾燥し、接着層Ａ１
に相当する層を形成させた。さらに、同じワニスを基材
Ｂの他の面にも同様に塗布し、熱風循環型乾燥器にて１
５０℃で２０分間乾燥し、接着層Ａ２に相当する層を形
成させることにより、総厚６０μｍの接着テープを作製
した。

【０１０３】比較例６ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰ１，三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶液を、
剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルム上にバー
コーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるように
塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥
し、さらに、その剥離性フィルムを剥がして、２５０℃
で６０分間乾燥し、基材Ｂに相当する層を形成させた。
次いでその上に、比較合成例３のワニスを同様に塗布し
て熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥し、さ
らに２５０℃で６０分間乾燥て、接着層Ａ２に相当する
層を形成させた。さらに、比較合成例１のワニスをその
基材Ｂの他の面に同様に塗布して熱風循環型乾燥機にて
１５０℃で２０分間乾燥し、接着層Ａ１に相当する層を
形成させることにより、総厚６０μｍの接着テープを作
製した。

【０１０４】比較例７ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰ１，三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液を用意した。この溶液を、
剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルム上にバー
コーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになるように
塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥
し、さらに、その剥離性フィルムを剥がして、２５０℃
で６０分間乾燥し、基材Ｂに相当する層を形成させた。
次いで、比較合成例４のワニスを同様に塗布して熱風循
環型乾燥機にて１５０℃で６０分間乾燥し、接着層Ａ１
に相当する層を形成させた。さらに、比較合成例１のワ
ニスを基材Ｂの他の面に同様に塗布して熱風循環型乾燥
機にて１５０℃で２０分間乾燥し、接着層Ａ２に相当す
る層を形成させることにより、総厚６０μｍの接着テー
プを作製した。

【０１０５】比較例８ 比較合成例２のｏ−ジクロロフェノール２０重量％溶液
を用意した。この溶液を、剥離性のポリエチレンテレフ
タレートフィルム上にバーコーターを用いて乾燥時の層
厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥器に
て１５０℃で６０分間乾燥し、さらに、その剥離性フィ
ルムを剥がして、１５０℃で６０分間乾燥し、基材Ｂに
相当する層を形成させた。次いで、比較合成例３のワニ
スを同様に塗布して熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６
０分間乾燥し、さらに２５０℃で６０分間乾燥し、接着
層Ａ２に相当する層を形成させた。さらに、比較合成例
１のワニスを基材Ｂの他の面に同様に塗布して熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で２０分間乾燥し、接着層Ａ１に
相当する層を形成させることにより、総厚６０μｍの接
着テープを作製した。

【０１０６】比較例９ 比較合成例２のｏ−ジクロロフェノール２０重量％溶液
ワニスを用意した。この溶液を、剥離性のポリエチレン
テレフタレートフィルム上にバーコーターを用いて乾燥
時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾
燥機にて１５０℃で６０分間乾燥し、さらに、その剥離
性フィルムを剥がして、１５０℃で６０分間乾燥し、基
材Ｂに相当する層を形成させた。次いで、比較合成例４
のワニスを同様に塗布して熱風循環型乾燥機にて１５０
℃で６０分間乾燥し、接着層Ａ１に相当する層を形成さ
せた。さらに、同じワニスを基材Ｂの他の面に同様に塗
布して熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥
し、接着層Ａ２に相当する層を形成させることにより、
総厚６０μｍの接着テープを作製した。

【０１０７】比較例１０ 比較合成例２のｏ−ジクロロフェノール２０重量％溶液
ワニスを用意した。この溶液を、剥離性のポリエチレン
テレフタレートフィルム上にバーコーターを用いて乾燥
時の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾
燥機にて１５０℃で６０分間乾燥し、さらに、その剥離
性フィルムを剥がして、１５０℃で６０分間乾燥し、基
材Ｂに相当する層を形成させた。次いで、合成例１０の
ワニスを同様に塗布して熱風循環型乾燥機にて１５０℃
で１０分間乾燥し、接着層Ａ１に相当する層を形成させ
た。さらに、同じワニスを基材Ｂの他の面に同様に塗布
して熱風循環型乾燥機にて１５０℃で２０分間乾燥し、
接着層Ａ２に相当する層を形成させることにより、総厚
６０μｍの接着テープを作製した。

【０１０８】比較例１１ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰ１、三井東圧化学社
製）のＮＭＰ２０重量％溶液ワニスを用意した。この溶
液を、剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルム上
にバーコーターを用いて乾燥時の層厚が２０μｍになる
ように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で６０分
間乾燥し、さらに、その剥離性のフィルムを剥がして、
２５０℃で６０分間乾燥し、基材Ｂに相当する層を形成
させた。次いで、合成例４８のワニスを同様に塗布して
熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１０分間乾燥し、接着
層Ａ１に相当する層を形成させた。さらに、合成例２６
のワニスを基材Ｂの他の面に同様に塗布して熱風循環型
乾燥機にて１５０℃で２０分間乾燥し、接着層Ａ２に相
当する層を形成させることにより、総厚６０μｍの接着
テープを作製した。

【０１０９】上記の比較例１〜１１において、接着テー
プの各層の形成に使用した樹脂を含む塗工用ワニスの合
成例番号、フィラーの種類と添加量及び形成された接着
層の接着温度を、それぞれ表５に示す。

【表５】

【０１１０】上記各実施例及び各比較例で得られた接着
テープを評価するために、以下の作業を行った。なお、
剥離性のポリエチレンテレフタレートフィルムは、接着
テープ打ち抜き前に剥離し、リードフレームの組立てを
行った。 （リードフレームの組立て）図１に示す半導体パッケー
ジに用いられるリードフレームを、次に示す手順で組立
てた。 （ａ）接着テープの打ち抜き 金型による接着テープのリング状打ち抜きを行った。 （ｂ）接着テープの仮接着 ホットプレート上に金属放熱板を置き、リング状に打ち
抜いたテープを金属放熱板に金属ロッドで接着テープの
接着層Ａ１側の面を押し付けて（４ｋｇｆ／ｃｍ² ／１
秒）接着した。この時の接着温度が、表３〜表５に示す
接着層Ａ１側の接着温度である。 （ｃ）リードフレームの組立て 上記工程で接着テープを接着した金属放熱板とリードフ
レーム本体とを位置合せし、加熱したホットプレート上
で加熱加圧して、リードフレームと金属放熱板を接着テ
ープを介して貼り合わせる（４ｋｇｆ／ｃｍ² ／１秒）
ことによりリードフレームを組立てた。この時の接着温
度が、表３〜表５に示す接着層Ａ２側の接着温度であ
る。

【０１１１】（半導体パッケージの組立て）次に、上記
で得られたリードフレームを使用し、以下の手順で半導
体パッケージを組立てた。リードフレーム組立て時に接
着条件及び硬化条件が異なるのは、各接着テープの特性
が異なるためである。ここでは、各接着テープに最適の
接着条件を選定し、それに基づいて接着させた。 （ａ）ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
て、金属放熱板部に接着し、１５０℃で２時間硬化させ
た。 （ｂ）ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線する。 （ｃ）モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドする。 （ｄ）仕上げ工程 ホーミング、ダムカット及びアウターリード部のメッキ
等の工程を含め、パッケージに仕上げる。

【０１１２】（図１に示す半導体パッケージに用いた場
合の接着テープの評価） （ａ）接着力 銅板にリードフレーム組立て時の条件で接着テープを貼
着（テーピング）した後、その１０ｍｍ幅のテープの室
温における９０°ピール強度を測定した。その結果、実
施例１〜４８の接着テープの強度は、３５〜５０ｇ／１
０ｍｍであるのに対し、比較例２、４、５〜１１のもの
は２０〜４０ｇ／１０ｍｍで変動幅が大きく、剥離のモ
ードは基材Ｂ層と接着層の間で剥離していた。また、比
較例１及び３の接着テープは３５〜５０ｇ／１０ｍｍで
あり問題がなかった。

【０１１３】（ｂ）リードの埋没状態 リードフレームを組立てる際に、接着テープにリードピ
ンが埋め込まれる状態を観察した。実施例１〜４８の接
着テープでは、接着層Ａ２側に埋め込まれたリードピン
は基材Ｂ層のところで止まっていたが、比較例１及び３
の接着テープでは、埋め込まれた状態がピン毎に異な
り、金属放熱板と接触しているものも存在していた。ま
た、比較例８〜１０の接着テープでは、埋め込まれた状
態がリードピン毎に異なり、金属放熱板と接触している
ものは無かったが、いずれのサンプルでも基材Ｂ層まで
食い込んでいるリードピンがあり、平坦性が損なわれて
いた。さらに、比較例２、４、５〜７及び１１の接着テ
ープでは、接着層Ａ２側に埋め込まれたリードピンは基
材Ｂ層のところで止まっていた。

【０１１４】（ｃ）半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢ
Ｔ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｂｉａｓｅ
ｄ Ｔｅｓｔ）を行った。この試験条件は、５ボルトに
印加し、１２１℃、２気圧、１００％ＲＨにおいて実施
し、電気的信頼性テストを行った。その結果、実施例１
〜４８の接着テープでは、１０００時間経過してもショ
ートが生じなかった。これに対し、比較例２、４、５〜
１１の接着テープでは、ショートの発生はなかったが、
基材Ｂと接着剤層の界面で剥離が生じたものが２０サン
プル中に８個以上あった。ただし、比較例１及び３の場
合、特に問題はなかった。

【０１１５】（図２に示す半導体パッケージに用いた場
合の接着テープの評価） （ａ）接着力 この場合の接着テープの接着力については、上記の図１
に示す半導体パッケージに用いた場合と変わらなかっ
た。 （ｂ）リードの埋没状態 リードフレームを組立てる際に、接着テープにリードピ
ンが埋め込まれる状態を観察した。実施例１〜４８の接
着テープでは、接着層Ａ１側に埋め込まれたリードピン
は貼り合わせたままであったが、比較例１〜１１の接着
テープでは、半導体チップを貼り合わせる時に、歪んだ
り移動して平坦性が損なわれているものが２０例中に５
個以上あった。

【０１１６】（ｃ）半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢ
Ｔ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｂｉａｓｅ
ｄ Ｔｅｓｔ）を行った。この試験条件は、５ボルトに
印加し、１２１℃、２気圧、１００％ＲＨにおいて実施
し、電気的信頼性テストを行った。その結果、実施例１
〜４８の接着テープでは、１０００時間経過してもショ
ートが生じなかった。これに対し、比較例１〜１１の接
着テープでは、リードピンの移動に伴う接触によるショ
ートの発生したものがそれぞれ２０サンプル中に４個以
上であった。例えば、比較例４では４個、比較例５では
５個以上であった。さらに、すべてのサンプルにおい
て、各層間で剥離が生じていた。

【０１１７】以上の結果から、本発明の接着テープを用
いた場合には、良好な半導体パッケージを作製すること
ができるのに対し、その他の接着テープを用いた場合
は、リードが埋め込まれてしまったり、界面に剥離が発
生する等の問題を有することから、比較例の接着テープ
は電子部品の作製に適していないことは明らかである。

【０１１８】

【発明の効果】本発明の電子部品用接着テープは、上記
した試験結果に見られるように、十分な耐熱性及び接着
性を有しているから、電子部品の接着に極めて信頼性の
高い良好なものであり、例えば、リードフレーム固定用
テープ及びＴＡＢテープ等として、半導体装置を構成す
るリードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、
半導体チップ搭載用基板、放熱板及び半導体チップ自体
等の接着に好適に使用できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。

【図２】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の他の一例の断面図である。

【図３】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置のさらに他の一例の断面図である。

【符号の説明】

１…半導体チップ、２…プレーン（金属放熱板）、３…
リードピン、４…ボンディングワイヤー、５…樹脂、６
…接着層、７…ダイパッド、８…電極。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも接着層Ａ１、基材Ｂ及び接着
   層Ａ２の３層を順次積層してなる電子部品用接着テープ
   において、それらの３層は、いずれも下記式（１ａ）で
   表される構造単位及び下記式（１ｂ）で表される構造単
   位の少なくとも１種を１００〜４０モル％と、下記式
   （２ａ）で表される構造単位及び下記式（２ｂ）で表さ
   れる構造単位の少なくとも１種を０〜６０モル％とから
   なる１つ以上のポリイミドを含有する樹脂層からなり、
   かつ、それらの中の基材Ｂが、最も高いガラス転移温度
   を示す樹脂層であることを特徴とする電子部品用接着テ
   ープ。 【化１】 （式中、Ａｒは芳香環を有する下記の構造から選ばれる
   二価の基を示す。） 【化２】 （式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びＲ⁴ は、それぞれ同じで
   も異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアル
   キル基または炭素数１〜４のアルコキシ基を示すが、こ
   れらのすべての基が同時に水素原子であることはな
   い。） 【化３】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
   レン基がＳｉに結合している−ＣＨ₂ ＯＣ₆ Ｈ₄ −を示
   す。ｎは１〜２０の整数を意味する。）
2. 【請求項２】 基材Ｂのガラス転移温度が、接着層Ａ１
   及び接着層Ａ２のガラス転移温度よりも４０℃以上高い
   樹脂層であり、かつ、接着層Ａ１のガラス転移温度が、
   接着層Ａ２のガラス転移温度よりも同等以上の樹脂層で
   あることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用接着
   テープ。
3. 【請求項３】 接着層Ａ１及び接着層Ａ２の少なくとも
   一方の接着層が、粒径１μｍ以下のフィラーを０．１〜
   ５０重量部含むことを特徴とする請求項１又は２に記載
   の電子部品用接着テープ。
4. 【請求項４】 接着層Ａ１及び接着層Ａ２の少なくとも
   一方の外面に、剥離性フィルムを設けることを特徴とす
   る請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品用接着
   テープ。