JPH1135902A - 電子部品用接着テープ - Google Patents

電子部品用接着テープ

Info

Publication number
JPH1135902A
JPH1135902A JP9212442A JP21244297A JPH1135902A JP H1135902 A JPH1135902 A JP H1135902A JP 9212442 A JP9212442 A JP 9212442A JP 21244297 A JP21244297 A JP 21244297A JP H1135902 A JPH1135902 A JP H1135902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive tape
adhesive
polyimide
mmol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9212442A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3347026B2 (ja
Inventor
Osamu Oka
修 岡
Jiyun Tochihira
順 栃平
Fumitada Komagata
文規 駒形
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tomoegawa Paper Co Ltd filed Critical Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority to JP21244297A priority Critical patent/JP3347026B2/ja
Priority to US09/118,022 priority patent/US6132865A/en
Priority to KR1019980029248A priority patent/KR100334146B1/ko
Publication of JPH1135902A publication Critical patent/JPH1135902A/ja
Priority to US09/559,084 priority patent/US6395391B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3347026B2 publication Critical patent/JP3347026B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/085—Unsaturated polyimide precursors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J181/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur, with or without nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on polysulfones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J181/10—Polysulfonamides; Polysulfonimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/28—Metal sheet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/417—Bonding materials between chips and die pads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2405/00—Adhesive articles, e.g. adhesive tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/10—Presence of inorganic materials
    • C09J2400/16—Metal
    • C09J2400/163—Metal in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2804—Next to metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2887—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including nitrogen containing polymer [e.g., polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2896—Adhesive compositions including nitrogen containing condensation polymer [e.g., polyurethane, polyisocyanate, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】比較的低温で接着できるとともに、接着層間剥
離等がなく、充分な耐熱性および信頼性を有する電子部
品用接着テープを提供する。 【構成】少なくとも金属板、接着層Ａおよび接着層Ｂを
順次積層してなる電子部品用接着テープにおいて、接着
層Ａが下記式（１ａ）で示される構造単位を１００〜２
０モル％と、下記式（１ｂ）で示される構造単位を０〜
８０モル％からなるポリイミドを含有してなり、接着層
Ｂが下記式（１ａ）で示される構造単位を１００〜４０
モル％と、下記式（２）で示される構造単位を０〜６０
モル％からなるポリイミドを含有してなり、該接着層が
互いに異なるガラス転移温度を有することを特徴とする
電子部品用接着テープ。 【化１】 （式中、Ａｒは芳香環を有する特定の構造から選ばれる
二価の基を示す。） 【化２】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2ＯＣ6Ｈ4−を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を構成する
ＴＡＢ用テープ、リードフレーム固定用テープ、リード
フレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半導体チ
ップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接着に
使用するための電子部品用接着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープには、リードフレーム固定用接着
テープ、ＴＡＢ用テープなどがあり、例えば、リードフ
レーム固定用接着テープの場合には、リードフレームの
リードピンを固定し、リードフレーム自体および半導体
アセンブリ工程全体の生産歩留まりおよび生産性の向上
を目的として使用されており、一般にリードフレームメ
ーカーでリードフレーム上にテーピングされ、半導体メ
ーカーにて、ＩＣ搭載後、樹脂封止される。そのためリ
ードフレーム固定用接着テープには、半導体レベルでの
一般的な信頼性およびテーピング作業性は勿論のこと、
テーピング直後の十分な室温接着力および半導体装置組
立工程における加熱に耐えうる十分な耐熱性等が要求さ
れる。
【０００３】従来、この様な用途に使用される接着テー
プとしては、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体上
に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステルあ
るいはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の合成
ゴム系樹脂等の単独または他の樹脂で変性したもの、あ
るいは他の樹脂または他の硬化成分と混合したものから
なる熱硬化型の接着剤を塗布し、Ｂステージ状態とした
ものが使用されている。最近では、高信頼性で高耐熱性
の熱可塑性ポリイミド樹脂を用いた両面接着テープ等も
使用されるようになってきた。また、従来の接着テープ
は、半導体装置において、先ずリードフレームと金属放
熱板を作製した後、金型で切断した両面接着テープを介
して両者を積層し、加熱圧着する。そのため、リードフ
レーム、放熱板の形状毎にテープの切断金型を要し、製
造工程が多いため、半導体装置の製造コストも高いもの
となっていた。
【０００４】近年、図２に示される構造の樹脂封止型半
導体装置（半導体パッケージ）が開発され製造されてい
る。図２の半導体装置は、リードピン３と金属放熱板２
が、接着層６によって接続され、半導体チップ１が金属
放熱板２上に搭載されており、半導体チップ１とリード
ピン３との間のボンディングワイヤー４と共に、樹脂５
によって封止された構造を有している。尚、一般に接着
層６には、単層の接着剤フィルムまたは両面接着テープ
が使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記構造の樹脂封止型
半導体装置における接着層に、前記のような従来の熱硬
化型の接着剤を用いた接着テープを使用すると、硬化時
に発生するガスがリードを汚染して接着力の低下を招い
たり、パッケージクラックの発生原因になる等の問題点
があり、耐熱性が不充分であった。そのため、充分な耐
熱性を有し、ガスによるリード汚染がない等の信頼性が
高い電子部品用接着剤およびそれを用いた電子部品用接
着テープが望まれている。
【０００６】本発明者らは、特願平７−１５５４７４号
および同７−２４５１４９号にて特定の構成単位からな
るポリイミド樹脂よりなる接着剤を用いた接着テープを
発明し、上記の課題を解消させることができた。しかし
ながら、これらの接着テープにはその他の問題が生じ実
用上支障をきたすものであった。すなわち、接着層を耐
熱性フィルム上に設けた接着テープの場合、耐熱性フィ
ルムと接着剤層の界面剥離が起こりやすかった。特に湿
熱時の界面剥離は、パッケージの信頼性を著しく低下さ
せることから大きな問題となっている。また、接着剤単
層のテープでは加熱圧着の際に、例えば、リードピンが
接着層中に埋没貫通し、絶縁性の確保が困難になるとい
う問題もあった。
【０００７】また、特開平６−２９１２３６号には、ガ
ラス転移温度（以後、Ｔｇと称する）の異なる接着層を
用いて放熱板とリードフレームを固定する技術が提案さ
れている。しかしこの従来技術では、接着層間および接
着剤界面での剥離が起きやすく、Ｔｇを異にするだけの
接着層では接着層間の密着性および電気的信頼性を確保
できない問題があった。本発明は、上記のような問題点
を解決することを目的としてなされたものである。即
ち、本発明の目的は、比較的低温において接着可能で、
絶縁性が確保でき、ガスの発生がない、かつ界面剥離を
生ずるなく充分な電気的信頼性を有する電子部品用接着
テープを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも金
属板、接着層Ａおよび接着層Ｂを順次積層してなる電子
部品用接着テープにおいて、接着層Ａが下記式（１ａ）
で表される構造単位の少なくとも１種を１００〜２０モ
ル％と、下記式（１ｂ）で表される構造単位の少なくと
も１種を０〜８０モル％とからなる少なくとも１つ以上
のポリイミドを含有してなり、接着層Ｂが下記式（１
ａ）で表される構造単位の少なくとも１種を１００〜４
０モル％と、下記式（２）で表される構造単位の少なく
とも１種を０〜６０モル％とからなる１つ以上のポリイ
ミドを含有してなる接着層を設けた接着テープであっ
て、前記接着層が互いに異なるガラス転移温度を有する
ことを特徴とする電子部品用接着テープである。
【化５】 （１ａ） （１ｂ） （式中、Ａｒは芳香環を有する下記“化６”の構造から
選ばれる二価の基を示す。）
【化６】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、炭素数１
〜４のアルキル基又はアルコキシ基を示す。但し、これ
ら全ての基が同時に水素原子であることはない。）
【化７】 （２） （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2ＯＣ6Ｈ4−を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の接着テープを構成する金属
板は、放熱効果を有すれば特に限定されるものではな
く、金属板厚さは１０〜３００μｍであることが好まし
い。材質としては、銅、白銅、銀、鉄、４２合金、ステ
ンレス鋼が好ましい。
【００１０】本発明の接着テープを構成する接着層Ａ
は、式（１ａ）で表される構造単位の少なくとも１種を
１００〜２０モル％と、式（１ｂ）で表される構造単位
の少なくとも１種を０〜８０モル％からなる１つ以上の
ポリイミドを含有するものである。該接着層Ａを構成す
るポリイミドは、式（１ａ）および（１ｂ）の含有割合
を種々変更してＴｇを制御することが可能であり、式
（１ａ）で表され構造単位が多いほどＴｇが低くなり、
一方、式（１ｂ）で表され構造単位が多いほどＴｇが高
くなる。特に、式（１ａ）および式（１ｂ）に示される
Ａｒの構造によっては流動性の低いポリイミドを得るこ
とが可能である。
【００１１】本発明の接着テープを構成し、接着層Ａに
積層する接着層Ｂは、式（１ａ）で表される構造単位の
少なくとも１種を１００〜４０モル％と、式（２）で表
される構造単位の少なくとも１種を０〜６０モル％から
なる１つ以上のポリイミドを含有するものである。本発
明の接着層Ｂに使用されるポリイミドは、式（１ａ）で
表される構造単位が多いほどＴｇが高くなる。また、本
発明の接着層Ｂに使用されるポリイミドは、式（２）で
表される構造単位が多いほどＴｇが低く、また接着層Ａ
との密着性が向上する。このため、該ポリイミドは式
（１ａ）および（２）の配合比を種々変更してＴｇを制
御することが可能、すなわち接着層Ｂの圧着可能温度を
制御することが可能である。
【００１２】また、前記接着層Ｂには、下記式（３ａ）
または（３ｂ）で表される化合物から選ばれる少なくと
も１種を含有させることが好ましい。接着層Ｂにおけ
る、該化合物の好ましい含有量は０．５〜５０重量％で
ある。これにより、接着層Ｂの圧着可能温度をポリイミ
ド単独の場合より低下させることが可能である。すなわ
ち、式（１ａ）および（２）からなるポリイミド単独の
接着層Ｂと比べて、圧着に必要な時間を短縮することが
可能で、リードフレームおよび金属板の酸化を防ぐこと
ができる。更に、接着層Ａと接着層Ｂの密着性が向上す
る。この密着性の効果は、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7の少なく
とも１つにカルボキシル基を有する場合特に顕著であ
る。
【化８】 （３ａ） （３ｂ） （式中、Ａｒは芳香環を有する前記“化６”の構造から
選ばれる二価の基を示し、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、水素
原子、塩素原子、臭素原子、カルボキシル基、炭素数１
〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
【００１３】本発明の接着テープを構成する接着層Ａお
よびＢに配合するポリイミドは、一般的なポリイミドの
製造方法を用いることにより得ることができる。すなわ
ち、各繰り返し構造単位に対応するテトラカルボン酸二
無水物と、各繰り返し構造単位に対応するジアミンまた
はジイソシアナートとから製造できる。具体的には、接
着層Ａに使用されるポリイミドは、テトラカルボン酸二
無水物として３，３’、４，４’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物とピロメリット酸二無水物と
を下記式（４）で表される化合物とを反応させることに
より製造することができる。該ポリイミドの基本的な繰
り返し構造単位（１ａ）および（２）を構成するテトラ
カルボン酸二無水物は３，３’、４，４’−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物で、他の基本的な繰
り返し構造単位（１ｂ）を構成するテトラカルボン酸二
無水物はピロメリット酸二無水物である。 Ｙ−Ａｒ−Ｙ （４） （式中Ａｒは芳香環を有する前記“化６”の構造から選
ばれた二価の基、Ｙはアミノ基またはイソシアナート基
を示す。）
【００１４】一方、接着層Ｂに使用されるポリイミド
は、テトラカルボン酸二無水物として３，３’、４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を
式（４）で表される化合物および下記式（５）で表され
るシロキサン系化合物とを反応させることにより製造す
ることができる。
【化９】 （５） （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2ＯＣ6Ｈ4−を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。Ｙはアミノ基また
はイソシアナート基を示す。）
【００１５】また、上記式（４）で表される化合物は、
Ａｒとしては上記“化６”で示される芳香環を有する構
造から選ばれた二価の基で示されるものである。このう
ち、官能基Ｙがアミノ基であるジアミン類としては、具
体的には次のものが挙げられる。３，３’−ジアミノジ
フェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、１，３−ビ
ス［１−（３−アミノフェニル）−１−メチルエチル］
ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）
−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−
（３−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼ
ン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジ
フェニルエーテル、３，３’−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス
（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，
４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルエーテル、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）
ビフェニル、３，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）
ビフェニル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）
ビフェニル、３，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）
ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）
ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）
ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］スルホン、２，２−ビス［３−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２
−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノ
フェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，
２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘ
キサフルオロプロパン、９，９−ビス（３−アミノフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，
４’−テトラメチルジフェニルメタン、３，３’−ジア
ミノ−２，２’，４，４’−テトラエチルジフェニルメ
タン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’−テト
ラプロピルジフェニルメタン、３，３’−ジアミノ−
２，２’，４，４’−テトライソプロピルジフェニルメ
タン、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，４’−テト
ラブチルジフェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，
３’，４，５’−テトラメチルジフェニルメタン、３，
４’−ジアミノ−２，３’，４，５’−テトラエチルジ
フェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，４，
５’−テトラプロピルジフェニルメタン、３，４’−ジ
アミノ−２，３’，４，５’−テトライソプロピルジフ
ェニルメタン、３，４’−ジアミノ−２，３’，４，
５’−テトラブチルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルジフェニルメ
タン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テト
ラエチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラプロピルジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトライソ
プロピルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラブチルジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−５，５’−ジメ
チルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’
−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’−ジエチルジフェニルメタン、４，４’−ジア
ミノ−３，３’，５，５’−テトラメトキシジフェニル
メタン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テ
トラエトキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−
３，３’，５，５’−テトラプロポキシジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラ
イソプロポキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ
−３，３’，５，５’−テトラブトキシジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメトキシジフェ
ニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエトキ
シジフェニルメタン等である。また、式（４）で表され
る化合物において、官能基Ｙがイソシアナート基である
ジイソシアナート類としては、上記に示したジアミン類
において、「アミノ」を「イソシアナート」に置き換え
たものを挙げることができる。
【００１６】ポリイミドの製造原料として使用する式
（５）で表されるシロキサン系化合物において、官能基
Ｙがアミノ基であるジアミン類としては、ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１０
−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、ア
ミノプロピル末端のジメチルシロキサン４量体、８量
体、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチル
ジシロキサン等が挙げられ、これらを併用することも可
能である。また、式（５）で表される化合物において、
官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナート類
としては、上記に示したジアミン類において、「アミ
ノ」を「イソシアナート」に置き換えたものを挙げるこ
とができる。上記式（４）および式（５）で表される化
合物において、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイ
ソシアナート類は、上記に例示した対応するジアミンを
常法に従いホスゲンと反応させることにより容易に製造
することができる。
【００１７】本発明の接着テープに使用されるポリイミ
ドの具体的製造方法は下記のとおりである。原料とし
て、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを使用する
場合、これらを有機溶媒中、必要に応じてトリブチルア
ミン、トリエチルアミン、亜リン酸トリフェニル等の触
媒存在下（反応物の２０重量部以下）で、１００℃以
上、好ましくは１８０℃以上に加熱し、直接ポリイミド
を得る方法、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを
有機溶媒中、１００℃以下で反応させポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸を得た後、必要に応じてｐ−トル
エンスルホン酸等の脱水触媒（テトラカルボン酸二無水
物の１〜５倍モル）を加え、加熱によりイミド化を行う
ことでポリイミドを得る方法、あるいはこのポリアミド
酸を、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の
酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボ
ジイミド化合物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジ
ン、イソキノリン、イミダゾール、トリエチルアミン等
の閉環触媒（脱水閉環剤および閉環触媒はテトラカルボ
ン酸二無水物の２〜１０倍モル）を添加して、比較的低
温（室温〜１００℃程度）で化学閉環させる方法等があ
る。
【００１８】上記の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ｐ−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が挙げら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクレン、ニトロベンゼン等を先の溶媒に混合し
て用いることも可能である。
【００１９】また、原料として、テトラカルボン酸二無
水物とジイソシアナートとを使用する場合には、上記し
たポリイミドを直接得る方法に準じて製造することが可
能であり、このときの反応温度は室温以上、特に６０℃
以上であることが好ましい。テトラカルボン酸二無水物
とジアミンあるいはジイソシアナートとの反応は等モル
量で反応させることにより、高重合度のポリイミドを得
ることが可能であるが、必要に応じて何れか一方が１０
モル％以下の範囲で過剰量用いてポリイミドを製造する
ことも可能である。
【００２０】本発明の接着層ＡおよびＢに使用されるポ
リイミドの分子量は、ポリイミドを構成する繰り返し単
位の種類によって成膜性の発現が異なるので、成膜性に
応じて適宜設定することが好ましい。本発明の電子部品
用接着テープに使用される場合、接着層にはある程度の
成膜性が必要であり、また、耐熱性も低下するので、あ
まり低分子量のものは好ましくない。本発明において
は、一般的には、数平均分子量が４、０００以上である
ことが必要である。また、熱可塑性の接着剤として使用
する場合、溶融時の粘性が高すぎると接着性が著しく低
下する。この溶融時の粘性を規定する要因の一つとして
分子量があるが、本発明において使用されるポリイミド
は、その数平均分子量が概ね４００、０００以下であ
り、それ以上になると、粘性の増加が大きく、接着剤と
しての使用が困難になる。なお、分子量の測定に用いた
ＧＰＣ測定条件は“表１”および“表２”の後に示し
た。
【００２１】また、本発明の接着テープの接着層Ｂに含
有させるビスイミド化合物は、一般的なビスイミドの製
造方法を用いることにより得ることができる。すなわ
ち、構造に対応するジアミンまたはジイソシアナート
と、カルボン酸無水物とから製造できる。具体的には、
前記式（３ａ）のビスイミド化合物は、無水フタル酸ま
たは４−メチルフタル酸無水物、４−エチルフタル酸無
水物、４−メトキシフタル酸無水物、４−クロロフタル
酸無水物、４−ブロモフタル酸無水物、ピロメリト酸無
水物等の無水フタル酸誘導体と、前記式（４）で表され
る化合物とを反応させることにより製造することができ
る。一方、前記式（３ｂ）のビスイミド化合物、すなわ
ちビスマレイミド化合物は、無水マレイン酸、メチルマ
レイン酸無水物、エチルマレイン酸無水物、２，３−ジ
メチルマレイン酸無水物、クロロマレイン酸無水物、ブ
ロモマレイン酸無水物、２，３−ジクロロマレイン酸無
水物等の無水マレイン酸誘導体と、前記式（４）で表さ
れる化合物とを反応させることにより製造することがで
きる。
【００２２】本発明の接着テープに使用される前記式
（３ａ）で表されるビスイミド化合物は次のようにして
製造することができる。ジアミンに対し２倍モル以上の
無水フタル酸または無水フタル酸誘導体を有機溶媒中、
必要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン、亜
リン酸トリフェニル等の触媒存在下（反応物の２０重量
部以下）で、１００℃以上、好ましくは１８０℃以上に
加熱し、直接ビスイミドを得る方法、ジカルボン酸無水
物とジアミンとを有機溶媒中、１００℃以下で反応させ
ビスイミドの前駆体であるビスアミド酸を得た後、必要
に応じてｐ−トルエンスルホン酸等の脱水触媒（無水フ
タル酸または無水フタル酸誘導体の１〜５倍モル）を加
え、加熱によりイミド化を行うことでポリイミドを得る
方法、あるいはこのポリアミド酸を、無水酢酸、無水プ
ロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等の脱水
閉環剤と、必要に応じてピリジン、イソキノリン、イミ
ダゾール、トリエチルアミン等の閉環触媒（脱水閉環剤
および閉環触媒は無水フタル酸または無水フタル酸誘導
体の２〜１０倍モル）を添加して、比較的低温（室温〜
１００℃程度）で化学閉環させる方法等がある。いずれ
の場合も閉環反応終了後、反応液をその１０倍量程度の
メタノールに注ぎ込みを生成物を析出させ、メタノール
で洗浄、乾燥してビスイミド化合物を得ることが可能で
ある。この反応に用いる有機溶媒としては、前記ポリア
ミドの合成反応で用いられるものが使用できる。
【００２３】また、原料として、無水フタル酸または無
水フタル酸誘導体とジイソシアナートとを使用する場合
には、上記したビスイミドを直接得る方法に準じて製造
することが可能であり、このときの反応温度は室温以
上、特に６０℃以上であることが好ましい。
【００２４】本発明で使用される前記式（３ｂ）で表さ
れるビスマレイミド化合物は次のようにして製造するこ
とができる。ジアミンに対し２倍モル以上の無水マレイ
ン酸または無水マレイン酸誘導体とジアミンとを有機溶
媒中、１００℃以下で反応させビスマレイミドの前駆体
であるビスマレアミド酸を得た後、必要に応じてｐ−ト
ルエンスルホン酸等の脱水触媒（無水マレイン酸または
無水マレイン酸誘導体の１〜５倍モル）を加え、１５０
℃程度の加熱によりイミド化を行うことでビスマレイミ
ドを得る方法、或いはこのビスマレアミド酸を、無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合
物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジン、イソキノ
リン、イミダゾール、トリエチルアミン等の閉環触媒
（脱水閉環剤および閉環触媒は無水マレイン酸または無
水マレイン酸誘導体の２〜１０倍モル）を添加して、比
較的低温（室温〜１００℃程度）で化学閉環させる方法
等がある。何れの方法でも、イミド化反応（脱水閉環反
応）はマレイミド基部分の二重結合が反応性に富んでい
るので１５０℃以下の低温で行うことが好ましい。いず
れの場合も閉環反応終了後、反応液をその１０倍量程度
のメタノールに注ぎ込みを生成物を析出させ、メタノー
ルで洗浄、乾燥してビスマレイミド化合物を得ることが
可能である。この反応に用いる有機溶媒としては、前記
ポリアミドの合成反応で用いられるものが使用できる。
【００２５】本発明の接着テープにおいて、金属板に順
次積層する接着層Ａおよび接着層Ｂには、前述したポリ
イミドの１種類を単独で含有してもよいが、Ｔｇを調節
するために該ポリイミドの２種類以上を適宜混合して含
有させてもよい。また、接着層Ａおよび接着層Ｂを含有
されるポリイミドは、接着層ＡのＴｇが接着層ＢのＴｇ
より高いことが好ましい。また、電子部品への接着時間
・圧力・温度の関係から、接着層ＡのＴｇは接着層Ｂの
Ｔｇより４０℃以上高い樹脂層であることが更に好まし
い。また、接着層Ｂには前記式（３ａ）および（３ｂ）
で表される少なくとも１種のビスイミド化合物を含有す
ることが好ましく、さらに含有量は０．５〜５０重量％
が好ましい。通常、圧着は接着層Ｂを構成する樹脂のＴ
ｇより５０℃以上高い温度で行われる。また、短時間で
圧着するために該樹脂のＴｇより１００℃以上高い温度
で行われる。したがって、接着層Ｂを構成するポリイミ
ド樹脂の［Ｔｇ＋４０℃］よりも低い融点を示すビスイ
ミド化合物を含有させることで、接着剤層の圧着可能な
温度は含有するビスイミド化合物の融点付近まで低下さ
せることができる。一方、接着層Ｂを構成するポリイミ
ド樹脂の［Ｔｇ＋４０℃］よりも高い融点を示すビスイ
ミド化合物を含有させた場合でも、接着層Ｂの圧着可能
な温度はポリイミド樹脂が支配的であるためリードピン
に対する接着層Ｂの圧着温度、接着力に影響しない。
【００２６】本発明の接着テープを構成する接着層Ａお
よび接着層Ｂはいずれも類似のポリイミドからなるの
で、該接着層は殆ど同じ熱膨張率を有する。従って、本
発明の接着テープは常温から加熱時まで歪みが少なく、
加工性が良好である。本発明の接着テープを構成する接
着層Ａおよび接着層Ｂには、接着時の特性を制御するた
めに、それぞれ粒径１μｍ以下のフィラーを含ませても
よい。フィラーを配合させる場合の含有量は、全固形分
の０．１〜５０重量％以下が好ましく、より好ましくは
０．４〜２５重量％である。フィラーが５０重量％より
多いと接着力の低下が著しくなり、一方、０．１重量％
未満ではフィラー添加の効果が得られなくなる。フィラ
ーとしては、シリカ、石英粉、マイカ、アルミナ、ダイ
ヤモンド粉、ジルコン粉、炭酸カルシウム、酸化マグネ
シウム、フッ素樹脂等が好ましく使用される。
【００２７】本発明の電子部品用接着テープは、前述の
ポリイミド樹脂から選択されたポリイミド樹脂を、金属
板上に積層することで作製できる。積層方法としては、
金属板上に接着層Ａのポリイミド溶液を塗布、乾燥した
後に、該ポリイミド層の上に接着層Ｂのポリイミド溶液
を塗布、乾燥して得られる。他の例として、（１）剥離
性を有するフィルムの片面に、前記接着層Ｂのポリイミ
ド溶液を塗布、乾燥して、ポリイミドフィルムを得、一
方金属板に接着層Ａを積層したフィルムの該接着層Ａ面
側と接着層Ｂの間を熱圧着して作製する。（２）予めＴ
ｇの異なる該ポリイミドフィルムを作製して、両フィル
ムを熱圧着し、Ｔｇの異なる２層のポリイミドフィルム
を作製した後、金属板に接着層Ａに対応する側を熱圧着
して作製する。（３）ー方のポリイミドをフィルム化し
て得られたフィルムの上に、Ｔｇの異なるポリイミド溶
液を塗布、乾燥してＴｇの異なる２層のポリイミドフィ
ルムを作製した後、金属板に接着層Ａに対応する側を熱
圧着して作製する。（４）Ｔｇの異なるポリイミド溶液
を二層同時に塗布、乾燥してＴｇの異なる２層のポリイ
ミドフィルムを作製した後、金属板に接着層Ａに対応す
る側を熱圧着する方法、等がある。上記方法により、金
属板の両側に接着層Ａおよび接着層Ｂを形成すること、
または、接着層Ａおよび接着層Ｂの上に更に接着層を積
層することも可能である。本発明の電子部品用接着テー
プの接着層の厚さは、適宜選択されるが、通常１０〜２
５０μｍであることが好ましい。
【００２８】本発明において、接着層を塗工により形成
するためには、上記ポリイミドあるいはビスイミド化合
物を適当な溶媒に溶解させた、塗工用ワニスが用いられ
る。本発明に用いられるポリイミドおよびビスイミドを
溶解する溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサ
メチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミ
ダゾリドン等の非プロトン性極性溶媒、フェノール、ク
レゾール、キシレノール、ｐ−クロロフェノール等のフ
ェノール系溶媒、イソホロン、シクロヘキサノン、カル
ビトールアセテート、ジグライム、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン等の広範な有機溶媒が挙げられる。更にこ
れに、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の
アルコール系溶媒や、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル等エステル系溶媒、アセトニトリル、ベンゾニトリ
ル等のニトリル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等の
ハロゲン系溶媒等をポリイミドあるいはビスイミド化合
物が析出しない程度に混合して用いることもできる。ポ
リイミド溶液の濃度および粘度については、塗工条件に
合わせて適宜変更することが好ましい。
【００２９】本発明の接着テープは、金属板、接着層
Ａ、接着層Ｂが順次積層され、接着層Ｂの露出面に厚さ
１〜２００μｍの剥離性フィルムを保護層として設ける
ことも可能である。具体的にはポリエチレン、ポリプロ
ピレン、フッ素系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、
ポリイミド等の樹脂フィルムまたは紙、が使用される。
該フィルムの表面にシリコーン系離型剤等を用いて離型
処理を施したものが好ましく使用される。このようにし
て得られた本発明の電子部品用接着テープを使用した半
導体装置の一例の断面図を図１に示した。図１の構造の
半導体装置は、リードピン３と金属放熱板２とが、前記
ポリイミドからなる接着層６ａおよび該ポリイミドから
なりＴｇの異なる接着層６ｂを介して接続されている。
半導体チップ１は金属放熱板２上に搭載されており、ボ
ンディングワイヤー４と共に、樹脂５によって封止され
た構造を有している。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。先ず、本発明の接着テープを構成する接着層Ａに用
いるポリイミドおよびその塗工用ワニスの製造について
述べる。 合成例１ 攪拌機を備えたフラスコに、４，４’−ジアミノ−３，
３’，５，５’−テトラエチルジフェニルメタン３１．
０４ｇ（１００ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物８．９６ｇ
（２５ミリモル）とピロメリット酸無水物１６．３６ｇ
（７５ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン
（以下、「ＮＭＰ」と略す。）３００ｍｌとを氷温下に
導入し、１時間攪拌を続けた。次いで、この溶液を室温
で２時間反応させポリアミド酸を合成した。得られたポ
リアミド酸に５０ｍｌのトルエンと１．０ｇのｐ−トル
エンスルホン酸を加え、１６０℃に加熱し、反応の進行
に伴ってトルエンと共沸してきた水分を分離しながら、
３時間イミド化反応を行った。その後トルエンを留去
し、得られたポリイミドワニスをメタノール中に注い
で、得られた沈殿物を分離、粉砕、洗浄、乾燥させる工
程を経ることにより、上記した式で表させる各構成単位
のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝２５：７５で示される
ポリイミド５０．０ｇ（収率９５％）を得た。得られた
ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱
分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。
このポリイミド樹脂をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
（以下、「ＤＭＦ」と記す。）に２５重量％の濃度で溶
解し、本発明の接着テープ作製に用いる塗工用ワニスを
得た。
【００３１】合成例２ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリ
ット酸無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
成単位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示
されるポリイミド５３．５ｇ（収率９５％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇ及
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度で
溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニ
スを得た。
【００３２】合成例３ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物２６．８８ｇ（７５ミリモル）とピロメリ
ット酸無水物５．４６ｇ（２５ミリモル）およびＮＭＰ
３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構成
単位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝７５：２５で示さ
れるポリイミド５７．４ｇ（収率９７％）を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に
示す。このポリイミド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００３３】合成例４ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルジフェニルメタン２５．４５ｇ（１００ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリ
ット酸無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮＭ
Ｐ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構
成単位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示
されるポリイミド５２．１ｇ（収率９６％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に
示す。このポリイミド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００３４】合成例５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン４１．０５ｇ（１００ミリモル）と３，
３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物１７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリット
酸無水物１０．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮＭＰ３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単
位のモル比が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示され
るポリイミド６３．０ｇ（収率９５％）を得た。得られ
たポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミド
の吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度で
溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニ
スを得た。
【００３５】合成例６ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン４２．７７ｇ（１００ミリモル）と３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１
７．９２ｇ（５０ミリモル）とピロメリット酸無水物１
０．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを
用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル比
が（１ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミ
ド６７．３ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリイミ
ドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃ
ｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリ
イミド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発
明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００３６】合成例７ ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル３６．８４ｇ
（１００ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９２ｇ（５０
ミリモル）とピロメリット酸無水物１０．９１ｇ（５０
ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１
と同様の方法で、各構成単位のモル比が（１ａ）：（１
ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５９．６ｇ（収
率９６％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、１７１８ｃｍ-1および１７８
３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、
数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミド樹脂をＤＭ
Ｆに２５重量％の濃度で溶解し、本発明の接着テープ作
製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００３７】合成例８ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２９．
２３ｇ（１００ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９２ｇ
（５０ミリモル）とピロメリット酸無水物１０．９１ｇ
（５０ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構成単位のモル比が（１
ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５
２．８ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ-1
および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発明に
用いられる塗工用ワニスを得た。
【００３８】合成例９ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２９．
２３ｇ（１００ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９２ｇ
（５０ミリモル）とピロメリト酸無水物１０．９１ｇ
（５０ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で、各構成単位のモル比が（１
ａ）：（１ｂ）＝５０：５０で示されるポリイミド５
２．３ｇ（収率９６％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ-1
および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ド樹脂をＤＭＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発明の
接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００３９】次いで、本発明の接着テープを構成する接
着層Ｂに用いるポリイミドおよびその塗工用ワニスの製
造について述べる。 合成例１０ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，４，４’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミド５
８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ-1
および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ド樹脂をテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と略
す。）に２５重量％の濃度で溶解し、本発明の接着テー
プの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００４０】合成例１１ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，４，４’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミド５
８．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃｍ-1
および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発明に
用いる塗工用ワニスを得た。
【００４１】合成例１２ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２３．０８ｇ（６７ミリモル）と
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリ
モル）と３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方
法で、各構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６７：
３３で示されるポリイミド６２．５ｇ（収率９８％）を
得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定
したところ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、数平均分子
量、Ｔｇおよび熱分解開始温度を測定した。それらの結
果を表２に示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重
量％の濃度で溶解し、本発明に用いる塗工用ワニスを得
た。
【００４２】合成例１３ ４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
４．６８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル
比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミ
ド６４．０ｇ（収率９８％）を得た。得られたポリイミ
ドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃ
ｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリ
イミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発
明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００４３】合成例１４ ビス［（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル２
５．７５ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル
比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミ
ド６４．０ｇ（収率９７％）を得た。得られたポリイミ
ドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８ｃ
ｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開始
温度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリ
イミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発
明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００４４】合成例１５ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン２８．９８ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジ
シロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，
４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単位の
モル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリ
イミド６５．０ｇ（収率９４％）を得た。得られたポリ
イミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１
８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解
開始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。この
ポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、
本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得
た。
【００４５】合成例１６ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２７．５０ｇ（６７ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示
されるポリイミド６５．０ｇ（収率９６％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に
示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００４６】合成例１７ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３４．７４ｇ（６７ミリモ
ル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３
ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様
の方法で、各構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝６
７：３３で示されるポリイミド７４．０ｇ（収率９８
％）を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ
-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、数平均
分子量、Ｔｇおよび熱分解開始温度を測定した。それら
の結果を表２に示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２
５重量％の濃度で溶解し、本発明の接着テープの作製に
用いる塗工用ワニスを得た。
【００４７】合成例１８ ９，９−ビス（４−アミノフェノキシ）フルオレン２
３．３５ｇ （６７ミリモル）と１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシ
ロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮＭＰ３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で、各構成単位のモル
比が（１ａ）：（２）＝６７：３３で示されるポリイミ
ド６０．５ｇ（収率９５％）を得た。 得られたポリイ
ミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８
ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、数平均分子量、Ｔｇおよび熱分解開
始温度を測定した。それらの結果を表２に示す。このポ
リイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、本
発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００４８】合成例１９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５３ｇ（５０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン１２．４３ｇ（５０ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝５０：５０で示
されるポリイミド６１．０ｇ（収率９３％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に
示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００４９】合成例２０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２５で示
されるポリイミド６５．０ｇ（収率９４％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に
示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００５０】合成例２１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３２．８４ｇ（８０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン４．９７ｇ（２０ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝８０：２０で示
されるポリイミド６８．０ｇ（収率９７％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に
示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００５１】合成例２２ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモル）と１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン２．４９ｇ（１０ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で、各
構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝９０：１０で示
されるポリイミド６８．０ｇ（収率９７％）を得た。得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８ｃｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。また、数平均分子量、Ｔｇお
よび熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に
示す。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度
で溶解し、本発明の接着テープの作製に用いる塗工用ワ
ニスを得た。
【００５２】合成例２３ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と１，３−
ビス［（アミノフェノキシ）メチル］−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン９．４２ｇ（２５ミリ
モル）と３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
およびＮＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方
法で各構成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２
５で示されるポリイミド６９．０ｇ（収率９５％）を得
た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃ
ｍ-1および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。数平均分子量、ガラス転移点および熱分解開
始温度は表２に示した。このポリイミド樹脂をＴＨＦに
２５重量％の濃度で溶解し、本発明の接着テープの作製
に用いる塗工用ワニスを得た。
【００５３】合成例２４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）と下記一般
式（５）で示されるアミノプロピル末端のジメチルシロ
キサン４量体（Ｙ＝ＮＨ2、Ｒ＝プロピレン、ｎ＝３）
１０．７２ｇ（２５ミリモル）と
【化１０】 ３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構
成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝７５：２５で示さ
れるポリイミド６７．０ｇ（収率９１％）を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１２ｃｍ-1およ
び１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。数平均分子量、ガラス転移点および熱分解開始温度
は表２に示した。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重
量％の濃度で溶解し、本発明の接着テープの作製に用い
る塗工用ワニスを得た。
【００５４】合成例２５ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０４ｇ（１００ミリモル）と
３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
ＭＰ３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構
成単位のモル比が（１ａ）：（２）＝１００：０で示さ
れるポリイミド５８．８ｇ（収率９３％）を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ-1およ
び１７８０ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。数平均分子量、ガラス転移点および熱分解開始温度
は表２に示した。このポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重
量％の濃度で溶解し、本発明の接着テープの作製に用い
る塗工用ワニスを得た。
【００５５】合成例２６ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン７．７６ｇ（２５ミリモル）とビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン６．
２１ｇ（２５ミリモル）と３，３’，４，４’−ジフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９１ｇ
（５０ミリモル）およびＮＭＰ１５０ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で各構成単位のモル比が（１ａ）：
（２）＝５０：５０で示されるポリイミド２７．４ｇ
（収率９１％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。数平均分子量、ガラス転
移点および熱分解開始温度は表２に示した。このポリイ
ミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、本発明
の接着テープに用いる塗工用ワニスを得た。
【００５６】合成例２７ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン１１．６４ｇ（３７．５ミリモル）
とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン３．１１ｇ（１２．５ミリモル）と３，３’，４，
４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１
７．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮＭＰ１５０ｍｌを
用いて、合成例１と同様の方法で各構成単位のモル比が
（１ａ）：（２）＝７５：２５で示されるポリイミド２
９．６ｇ（収率９２％）を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。数平均分子量、
ガラス転移点および熱分解開始温度は表２に示した。こ
のポリイミド樹脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解
し、本発明の接着テープに用いる塗工用ワニスを得た。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【表２】
【００５９】表１および表２におけるポリイミドの分子
量測定は、ＧＰＣにて行った。ＴＨＦを溶離液とし、カ
ラムはＳｈｏｄｅｘ８０Ｍ×２を使用した。数平均分子
量の標準物質にはポリスチレンを用いた。Ｔｇは示差熱
分析（窒素中、１０℃／分で昇温）により測定した。ま
た、熱分解開始温度は熱重量分析（窒素中、１０℃／分
で昇温）により測定した。
【００６０】次に、本発明の接着層Ｂに用いることがで
きるビスイミド化合物の製造について述べる。 合成例２８ 攪拌機を備えたフラスコに、４、４’−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル３６．８ｇ（１００ミリモ
ル）、無水フタル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）およ
びＮＭＰ５００ｍｌとを氷温下に導入し、１時間攪拌を
続けた。次いで、この溶液を室温で２時間反応させアミ
ド酸を合成した。得られたアミド酸にトリエチルアミン
４０．４ｇ（４００ミリモル）と無水酢酸３０．６ｇ
（３００ミリモル）をゆっくりと滴下し、室温で２時間
撹拌を続けた。得られた溶液を、メタノールに注ぎ、沈
殿物を濾過する。この沈殿物をメタノールで洗浄し、１
５０℃で２時間乾燥し、４７．５ｇ（ジアミンに対する
収率７６％）の上記式（３ａ）で表されるビスイミド化
合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が、１２４０ｃｍ-1にエーテルの吸収が認められ
た。融点および元素分析の結果は表３に示した。
【００６１】合成例２９ ２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）、無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５００
ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で５３．５ｇ
（ジアミンに対する収率８０％）の上記式（３ａ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1
に典型的なイミドの吸収が、１２４０ｃｍ-1にエーテル
の吸収が認められた。融点および元素分析の結果は表３
に示した。
【００６２】合成例３０ １，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジ
ル）ベンゼン３４．４ｇ（１００ミリモル）、無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５００
ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で５８．０ｇ
（ジアミンに対する収率９６％）の上記式（３ａ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1
に典型的なイミドの吸収が認められた。融点および元素
分析の結果は表３に示した。
【００６３】合成例３１ ４、４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル３
６．８ｇ（１００ミリモル）、無水フタル酸３１．１ｇ
（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５００ｍｌを用いて、
合成例２８と同様の方法で５６．５ｇ（ジアミンに対す
る収率９０％）の上記式（３ａ）で表されるビスイミド
化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1に典型的なイミド
の吸収が、１２４０ｃｍ-1にエーテルの吸収が認められ
た。融点および元素分析の結果は表３に示した。
【００６４】合成例３２ ２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）、無水フタ
ル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５００
ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で６２．３ｇ
（ジアミンに対する収率９３％）の上記式（３ａ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1
に典型的なイミドの吸収が、１２４０ｃｍ-1にエーテル
の吸収が認められた。融点および元素分析の結果は表３
に示した。
【００６５】合成例３３ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０ｇ（１００ミリモル）、無
水フタル酸３１．１ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ
５００ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で４７．
４ｇ（ジアミンに対する収率８３％）の上記式（３ａ）
で表されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃ
ｍ-1に典型的なイミドの吸収が、１２４０ｃｍ-1にエー
テルの吸収が認められた。融点および元素分析の結果は
表３に示した。
【００６６】合成例３４ ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホ
ン４３．２ｇ（１００ミリモル）、無水フタル酸３１．
１ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５００ｍｌを用い
て、合成例２８と同様の方法で５９．６ｇ（ジアミンに
対する収率８６％）の上記式（３ａ）で表されるビスイ
ミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。融点および元素分析の結果は
表３に示した。
【００６７】合成例３５ ２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）と無水トリ
メリト酸４０．５ｇ（２１０ミリモル）とＮＭＰ５００
ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で６７．７ｇ
（ジアミンに対する収率８９％）の上記式（３ａ）で表
されるビスイミド系化合物を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７２０、１７８０ｃｍ−１に典型
的なイミドの吸収が認められた。融点及び元素分析の結
果は表３にまとめて示した。
【００６８】合成例３６ ２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン４１．１ｇ（１００ミリモル）、無水マレ
イン酸２０．６ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭＰ５０
０ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で４８．５ｇ
（ジアミンに対する収率８５％）の上記式（３ｂ）で表
されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８０ｃｍ-1
に典型的なイミドの吸収が、６９０ｃｍ-1にマレイミド
の二重結合による吸収が認められた。融点および元素分
析の結果は表３に示した。
【００６９】合成例３７ ４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラエチ
ルジフェニルメタン３１．０ｇ（１００ミリモル）、無
水マレイン酸２０．６ｇ（２１０ミリモル）およびＮＭ
Ｐ５００ｍｌを用いて、合成例２８と同様の方法で３
８．１ｇ（ジアミンに対する収率８１％）の上記式（３
ｂ）で表されるビスイミド化合物を得た。赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、１７２０ｃｍ-1および１７８
０ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が、６９０ｃｍ-1にマ
レイミドの二重結合による吸収が認められた。融点およ
び元素分析の結果は表３に示した。
【００７０】
【表３】
【００７１】表３における、各ビスイミド化合物の融点
は、ＤＳＣで昇温３℃／分にて測定した吸熱ピーク値を
意味する。
【００７２】比較合成例１ ２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン１６．４０ｇ（４０ミリモル）、トリメリ
ト酸無水物モノクロライド８．４２ｇ（４０ミリモル）
およびＮＭＰ１２０ｍｌを用いて、合成例１と同様の方
法でポリエーテルアミドイミド２０．８ｇ（収率９２
％）を得た。得られたポリエーテルアミドイミドの赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７２０ｃｍ-1およ
び１７８０ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が、１７１５
ｃｍ-1にアミドの吸収が認められた。また、その分子量
は２１０００であり、Ｔｇは２２８℃、熱分解開始温度
は４３０℃であった。このポリエーテルアミドイミド樹
脂をＴＨＦに２５重量％の濃度で溶解し、比較接着テー
プ作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００７３】比較合成例２ ４，４’ジアミノジフェニルエーテル８．０１ｇ（４０
ミリモル）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１
０．８０ｇ（４０ミリモル）およびＮＭＰ１２０ｍｌを
用いて、合成例１と同様の方法でポリイミド１６．１ｇ
（収率９３％）を得た。得られたポリエーテルイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１５ｃｍ-1
および１７８６ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認めら
れた。また、その分子量はＴＨＦに不溶なため本測定方
法では測定不能であった。Ｔｇは２９０℃、熱分解開始
温度は５６０℃であった。このポリイミド樹脂をｏ−ジ
クロロフェノールに２０重量％の濃度で溶解し、比較接
着テープ作製に用いる塗工用ワニスを得た。
【００７４】比較合成例３ ２、２−ビス（１、１’、２、２’−テトラカルボキ
シ）−４−フェノキシフェニル）プロパン二無水物２
０．８ｇ（４０ミリモル）、トリメリット酸無水物モノ
クロライド８．４２ｇ（４０ミリモル）およびＮＭＰ１
２０ｍｌに溶解し、この溶液にｍ−フェニレンジアミン
４．３４ｇ（０．０４モル）を加えて０℃で４時間撹拌
し、ポリアミド酸の２０重量％ＮＭＰワニスを得た。こ
れをそのまま比較接着テープ作製に用いる塗工用ワニス
とした。イミド化により得られた樹脂はＴｇが２１６℃
であり、熱分解開始温度は５１０℃であった。得られた
ポリエーテルアミドイミドの赤外吸収スペクトルを測定
したところ、１７１５ｃｍ-1および１７８６ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量は
ＴＨＦに不溶なため本測定方法では測定不能であった。
【００７５】接着テープの作製 実施例１ 合成例１の塗工用ワニスを塗布液とし、厚さ５０μｍの
銅板の一面に、バーコーターを用いて乾燥時の層厚が２
０μｍになるように塗布した後、熱風循環型乾燥機にて
１５０℃で６０分間乾燥させて、銅板上に接着層Ａを形
成させた。次いで、接着層Ａの上に合成例２６で得られ
た塗工用ワニス（合成例１のポリイミドとはＴｇが異な
る。）を塗布液とし、乾燥時の層厚が２０μｍになるよ
うに塗布した後、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１０
分間乾燥させることにより、銅板、接着層Ａ、接着層Ｂ
が順次積層してなる総厚９０μｍの本発明の電子部品用
接着テープを作製した。
【００７６】各実施例１〜４３に使用した接着層Ａおよ
び接着層Ｂに使用する塗工用ワニス、ビスイミド化合
物、フィラーの種類、添加量および形成された接着テー
プのリードピンに対する接着層Ｂの接着温度（下記リー
ドフレーム作製の適正温度）を、それぞれ表４〜表６に
示した。
【００７７】実施例２〜３８ 合成例１〜４３で得られたポリイミドおよびビスイミド
化合物を含有する塗工用ワニスを使用して、実施例１と
全く同様にして、実施例２〜４３の本発明の電子部品用
接着テープを作製した。実施例２６の接着層Ａおよび実
施例２７の接着層Ｂには、粒径０．０７μｍのシリカフ
ィラー（荒川化学社製）を１０重量％配合した。また、
実施例２８の接着層Ｂには粒径０．０５μｍのアルミナ
フィラー（昭和電工製）を１０重量％配合した。また、
実施例２４〜４３の接着層Ｂに使用する塗工用ワニス
は、表５〜表７に記載した合成例のポリイミドを含有す
る塗工用ワニスに、該表記載の合成例のビスイミド化合
物を固形分重量比で分散または溶解させて調製した。
【００７８】実施例４４ 厚さ５０μｍの銅板を、厚さ１００μｍの銅板に代えた
以外は、実施例２と同様にして、本発明の接着テープを
作製した。
【００７９】実施例４５ 厚さ５０μｍの銅板を、厚さ２００μｍの銅板に代えた
以外は、実施例２と同様にして、本発明の接着テープを
作製した。
【００８０】比較例１ 合成例１で得られたポリイミドを含む塗工用ワニスの代
わりに合成例２６で得られたポリイミドを含む塗工用ワ
ニスを塗布液とし、実施例１と同様にして銅板の一面に
接着層Ａおよび接着層Ｂがともに同一Ｔｇの接着層を形
成した比較用の接着テープを作製した。
【００８１】比較例２ 実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の接着層の層厚
が２０μｍになるように、ポリイミド系ワニス（三井東
圧化学社製 商品名：ラークＴＰＩ）のＮＭＰ２０重量
％溶液を塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１２
０分間乾燥させて比較用の接着層Ａ’を形成した。更に
同じ溶液を銅板の該接着層面に乾燥時の接着層の層厚が
２０μｍになるように塗布し熱風循環型乾燥機にて１５
０℃で１２０分間乾燥させた後、更に窒素雰囲気下２５
０℃で６０分間乾燥させて比較用の接着層Ｂ’を形成
し、比較用の接着テープを作製した。
【００８２】比較例３ 実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の接着層の層厚
が２０μｍになるようにポリイミド系ワニス（三井東圧
化学社製 商品名：ラークＴＰＩ）のＮＭＰ２０重量％
溶液を塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１２０
分間乾燥させ、更に窒素雰囲気下２５０℃で６０分間乾
燥させて比較用の接着層Ａ’を形成した。次いで、比較
合成例１で得られたポリエーテルアミドイミドの塗工用
ワニスを、銅板の該接着層面に乾燥時の接着層の層厚が
２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機にて１
５０℃で１０分間乾燥させて比較用の接着層Ｂ’を形成
し、比較用の接着テープを作製した。
【００８３】比較例４ 比較合成例２で得られたポリエーテルイミドを含む塗工
用ワニスを、実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の
接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させて比較用の
接着層Ａ’を形成した。次いで、ポリアミドイミド（ア
モコ社製 商品名：Ｔｏｒｌｏｎ４００Ｔ）の２０重量
％ＮＭＰ溶液を塗工用ワニスとして、銅板の該接着層面
に乾燥時の接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し
熱風循環型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させて
比較用の接着層Ｂ’を形成して比較用の接着テープを作
製した。
【００８４】比較例５ 比較合成例２で得られたポリエーテルイミドを含む塗工
用ワニスを、実施例１で使用した銅板の一面に乾燥時の
接着層の層厚が２０μｍになるように塗布し、熱風循環
型乾燥機にて１５０℃で１２０分間乾燥させて比較用の
接着層Ａ’を形成した。次いで、比較合成例３で得られ
たポリアミド酸の２０重量％ＮＭＰ溶液を塗工用ワニス
として、銅板の該接着層面に乾燥時の接着層の層厚が２
０μｍになるように塗布し熱風循環型乾燥機にて１５０
℃で６０分間乾燥させ、更に窒素雰囲気下２５０℃で６
０分間乾燥させて比較用の接着層Ｂ’を形成して比較用
の接着テープを作製した。なお、比較例１〜５について
も実施例に示したと同様に接着層Ａ’、Ｂ’に相当する
塗工用ワニス、フィラー添加量および接着テープの接着
温度を表７に示した。
【００８５】
【表４】
【００８６】
【表５】
【００８７】
【表６】
【００８８】
【表７】
【００８９】上記各実施例および比較例で得られた接着
テープを評価するために、下記手順にてリードフレーム
を作製した。 （リードフレームの組み立て）図１に示す半導体パッケ
ージに用いられるリードフレームを、次に示す手順で組
み立てた。 （ａ）接着テープの打ち抜き 金型による接着テープの打ち抜き。 （ｂ）リードフレーム組み立て 所定の形状に打ち抜いた接着テープをリードフレームに
位置合わせし、加熱したホットプレート上で加熱加圧し
て、リードフレームに接着テープを貼り合わせる（窒素
雰囲気下、４ｋｇｆ／ｃｍ2／２秒）ことによりリード
フレームを組み立てた。この時の接着温度は、表４〜表
７に示した。リードフレーム組み立て時に接着条件が異
なるのは、各接着テープの特性が異なるためである。こ
こでは、各接着テープに最適の接着条件を選定し、それ
に基づいて接着した。
【００９０】（半導体パッケージの組み立て）次に、上
記で得られたリードフレームを使用し、下記の手順で半
導体パッケージを組み立てた。 （ｃ）ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用い
て、銅板（金属放熱板）部に接着し、１５０℃で２時間
硬化させた。 （ｄ）ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線する。 （ｅ）モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドする。 （ｆ）仕上げ工程 ホーミング、ダムカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上げる。
【００９１】（接着テープおよび半導体パッケージ（ｎ
＝１０）の評価） （Ａ）接着力 銅板にリードフレーム組み立て時の条件で接着テープを
貼り付け（テーピング）した後、その１０ｍｍ幅のテー
プの室温における９０°ピール強度を測定した。その結
果、実施例１〜４５の接着テープの強度は、３５〜５０
ｇ／１０ｍｍであるのに対して、比較例１および２の接
着テープは３５〜５０ｇ／１０ｍｍであり問題はなかっ
たが、比較例３、４および５の接着テープは１０〜４０
ｇ／１０ｍｍで変動幅が大かった。また、比較例３、４
および５の接着テープには接着層間で剥離しているもの
があった。 （Ｂ）リードピンの埋没状態 リードフレームの組み立ての際、接着テープへのリード
ピンの埋め込まれ状態を観察した。実施例１〜４５のも
のは、リードピンは（ｂ）のリードフレーム組立時の状
態のまま、すなわち接着層Ａと接着層Ｂの界面でリード
ピンは止まっていたが、比較例１、２および４のものは
（ｃ）の半導体チップ貼り合わせ時に、リードピンが歪
んだり移動してその平坦性を損なっているものがあっ
た。具体的には、比較例１および２は銅板と接触してい
るものが、比較例４のものは接着層Ａ’の中まで埋没し
ていた。また、比較例３および５のものは接着層Ａ’と
接着層Ｂ’の界面で止まっていた。 （Ｃ）半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢ
Ｔ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｂｉａｓｅ
ｄ Ｔｅｓｔ）を行った。この電気的信頼性テストは、
５ボルトに印加し、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨ
の条件下で行った。その結果、実施例１〜４５のパッケ
ージは、１０００時間経過後もショートは生じなかっ
た。これに対し、比較例１は３個に、比較例２では４個
にショートが発生した。比較例３、４および５は１００
０時間経過後でもショートは発生しなかったが、パッケ
ージ内部を観察したところ、比較例３、４および５で接
着層Ａ’と接着層Ｂ’に相当する接着層の界面で剥離し
ているものがそれぞれ８個ずつあることが確認された。
【００９２】以上の結果から、本発明の接着テープを用
いた場合には、電気的信頼性の高い半導体パッケージを
良好に作製することができるのに対し、比較例の接着テ
ープを用いた場合には、リードピンが接着層に埋め込ま
れてしまったり、電気的信頼性試験でショートが発生す
る、接着力の変動幅が大きい等の問題があり、電子部品
作製の用途に適していないことが明らかになった。
【００９３】
【発明の効果】本発明の電子部品用接着テープは、上記
した試験結果に見られるように、充分な耐熱性および接
着性を有しており、該接着テープを用いて半導体パッケ
ージを作製した場合、リードピンの接着層への埋め込
み、リードピンの移動等がなく、接着層間および金属板
と接着層間の界面剥離のない、かつ高温、高湿、高圧環
境においても電気的信頼性が高い良好なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の接着テープを使用した樹脂封止型半
導体装置の一例の断面図である。
【図２】 従来の接着テープを使用した樹脂封止型半導
体装置の一例の断面図である。
【符号の説明】
１・・半導体チップ、 ２・・金属放熱板、 ３・・リ
ードピン、４・・ボンディングワイヤー、 ５・・樹
脂、 ６・・接着層、６ａ・・接着層Ａ、 ６ｂ・・接
着層Ｂ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも金属板、接着層Ａおよび接着
    層Ｂを順次積層してなる電子部品用接着テープにおい
    て、接着層Ａが下記式（１ａ）で表される構造単位の少
    なくとも１種を１００〜２０モル％と、下記式（１ｂ）
    で表される構造単位の少なくとも１種を０〜８０モル％
    とからなる１つ以上のポリイミドを含有してなり、接着
    層Ｂが下記式（１ａ）で表される構造単位の少なくとも
    １種を１００〜４０モル％と、下記式（２）で表される
    構造単位の少なくとも１種を０〜６０モル％とからなる
    １つ以上のポリイミドを含有してなり、該接着層が互い
    に異なるガラス転移温度を有することを特徴とする電子
    部品用接着テープ。 【化１】 （１ａ） （１ｂ） （式中、Ａｒは芳香環を有する下記“化２”の構造から
    選ばれる二価の基を示す。） 【化２】 （式中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、水素原子、炭素数１
    〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示す。但し、こ
    れら全ての基が同時に水素原子であることはない。） 【化３】 （２） （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
    レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2ＯＣ6Ｈ4−を示
    し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）
  2. 【請求項２】 前記接着層Ｂが、下記式（３ａ）または
    （３ｂ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種
    を含有してなることを特徴とする請求項１記載の電子部
    品用接着テープ。 【化４】 （３ａ） （３ｂ） （式中、Ａｒは芳香環を有する前記“化２”の構造から
    選ばれる二価の基を示し、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は、水素
    原子、塩素原子、臭素原子、カルボキシル基、炭素数１
    〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示す。）
  3. 【請求項３】 接着層Ａのガラス転移温度が、接着層Ｂ
    のガラス転移温度より高いことを特徴とする請求項１ま
    たは２記載の電子部品用接着テープ。
  4. 【請求項４】 接着層Ａのガラス転移温度が、接着層Ｂ
    のガラス転移温度より４０℃以上高いことを特徴とする
    請求項３記載の電子部品用接着テープ。
  5. 【請求項５】 接着層Ａおよび接着層Ｂの少なくともー
    方の接着層が、粒径１μｍ以下のフィラーを０．１〜５
    ０重量％含むことを特徴とする請求項１、２、３または
    ４記載の電子部品用接着テープ。
  6. 【請求項６】 接着層Ｂの露出面に、剥離性フィルムを
    設けることを特徴とする請求項１、２、３、４または５
    記載の電子部品用接着テープ。
  7. 【請求項７】 前記金属板の厚さが１０〜３００μｍで
    あることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または
    ６記載の電子部品用接着テープ。
  8. 【請求項８】 前記金属板が銅、白銅、銀、鉄、４２合
    金、ステンレス鋼より選ばれた１種であることを特徴と
    する請求項１、２、３、４、５、６または７記載の電子
    部品用接着テープ。
JP21244297A 1997-07-23 1997-07-23 電子部品用接着テープ Expired - Fee Related JP3347026B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21244297A JP3347026B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 電子部品用接着テープ
US09/118,022 US6132865A (en) 1997-07-23 1998-07-17 Adhesive tape for electronic parts
KR1019980029248A KR100334146B1 (ko) 1997-07-23 1998-07-21 전자부품용접착테이프
US09/559,084 US6395391B1 (en) 1997-07-23 2000-04-27 Adhesive tape for electronic parts

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21244297A JP3347026B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 電子部品用接着テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1135902A true JPH1135902A (ja) 1999-02-09
JP3347026B2 JP3347026B2 (ja) 2002-11-20

Family

ID=16622688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21244297A Expired - Fee Related JP3347026B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 電子部品用接着テープ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6132865A (ja)
JP (1) JP3347026B2 (ja)
KR (1) KR100334146B1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006257285A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Mitsui Chemicals Inc 樹脂組成物及び金属積層板
WO2007108137A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition and metal laminate plate

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY124687A (en) * 1998-05-20 2006-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Insulating adhesive for electronic parts, and lead frame and semiconductor device using the same
DE10008121B4 (de) * 2000-02-22 2006-03-09 Saehan Micronics Inc. Verfahren zur Herstellung von Polyamidsäure und Polyimid und Haft- oder Klebemittel, das aus der oder dem so hergestellten Polyamidsäure oder Polyimid besteht
KR20020065723A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 (주)새한마이크로닉스 전자부품용 접착제 및 이를 이용한 접착테이프
JP4459470B2 (ja) * 2001-04-06 2010-04-28 信越化学工業株式会社 電子部品の放熱構造体及びそれに用いる放熱シート
US7656678B2 (en) 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US6956284B2 (en) * 2001-10-26 2005-10-18 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US20030190466A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Katsuji Nakaba Adhesive sheet for producing semiconductor devices
WO2004075293A1 (ja) * 2003-02-19 2004-09-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. 半導体用接着フィルム、これを用いた接着フィルム付金属板、接着フィルム付配線回路及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法
WO2005000576A1 (ja) * 2003-06-25 2005-01-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. フレキシブル金属箔ポリイミド積層板
TWI269684B (en) * 2003-08-08 2007-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd A process for laser machining
KR20070004100A (ko) * 2004-04-20 2007-01-05 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법
JP2006015681A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Shin Etsu Chem Co Ltd フレキシブル金属箔ポリイミド積層板及びその製造方法
US7161232B1 (en) * 2004-09-14 2007-01-09 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for miniature semiconductor packages
MXPA06010596A (es) * 2005-12-23 2007-06-22 3M Innovative Properties Co Pelicula adhesiva con resistencia a altas temperaturas y baja generacion de electrostatica, construida con un polimero de polieterimida.
KR20080065153A (ko) * 2007-01-08 2008-07-11 페어차일드코리아반도체 주식회사 메탈 태브 다이 접착 패들（ｄａｐ）을 구비한 파워소자패키지 및 그 패키지 제조방법
US7868465B2 (en) * 2007-06-04 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with a metallic carrier and two semiconductor chips applied to the carrier
CN102555518A (zh) * 2010-12-27 2012-07-11 无锡华润上华科技有限公司 晶圆打标方法
JP7370356B2 (ja) * 2021-03-25 2023-10-27 ヤンマーホールディングス株式会社 エンジンシステム

Citations (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61133276A (ja) * 1984-12-03 1986-06-20 Nippon Oil & Fats Co Ltd 支持体用塗料組成物
JPS62235383A (ja) * 1986-04-03 1987-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性接着フイルム
JPH0364386A (ja) * 1989-08-03 1991-03-19 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH04214786A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性接着剤の製造方法
JPH05179224A (ja) * 1991-12-26 1993-07-20 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性接着剤
JPH05331446A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 高分子量ポリイミド樹脂フィルム接着剤
JPH05331445A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤の製造方法
JPH05331424A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤
JPH06145639A (ja) * 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム、その製造法及び接着法
JPH06172736A (ja) * 1992-12-04 1994-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤およびその製造方法
JPH06234959A (ja) * 1992-12-16 1994-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 線材被覆用熱融着性積層フィルム
JPH06234964A (ja) * 1992-12-16 1994-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド接着剤及び絶縁被覆材
JPH0748555A (ja) * 1993-08-03 1995-02-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd カバーレイ用接着剤及びカバーレイフィルム
JPH0762324A (ja) * 1993-08-25 1995-03-07 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルムおよび熱可塑性樹脂の製造法
JPH0770524A (ja) * 1993-08-31 1995-03-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド両面接着シート
JPH07228697A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム
JPH07235626A (ja) * 1993-12-27 1995-09-05 Mitsui Toatsu Chem Inc 放熱板付リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH07268292A (ja) * 1994-03-31 1995-10-17 New Oji Paper Co Ltd 感熱性粘着シート
JPH0827427A (ja) * 1994-07-13 1996-01-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 耐熱性フィルム接着剤及びその製造方法
JPH08507821A (ja) * 1993-03-16 1996-08-20 オクシデンタル ケミカル コーポレイション ３層ポリイミドシロキサン接着テープ
JPH08259912A (ja) * 1995-03-28 1996-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁接着フィルム及びこれを用いた多層プリント配線板の製造方法
JPH08259695A (ja) * 1995-01-11 1996-10-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 熱融着性を有する新規な共重合体並びに該粉粒体並びに該フィルム並びに積層断熱材並びにコンデンサ及び該製造方法
JPH08325533A (ja) * 1995-05-31 1996-12-10 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JPH08333553A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH091723A (ja) * 1995-04-17 1997-01-07 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 耐熱性ボンディングシート
JPH0967438A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 新規なポリイミド及びその製造方法
JPH0967559A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JPH10140106A (ja) * 1996-11-14 1998-05-26 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH10183097A (ja) * 1996-12-27 1998-07-07 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH10212460A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1457191A (en) * 1974-02-28 1976-12-01 Secr Defence Aromatic fluoro-polyimide adhesive compositions
JPH0325533A (ja) * 1989-06-22 1991-02-04 Mitsubishi Electric Corp マイクロプロセッサ
US5300627A (en) * 1991-10-17 1994-04-05 Chisso Corporation Adhesive polyimide film
EP0553612B1 (en) * 1992-01-07 1996-08-21 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polyimides, thermosetting resin compositions containing the polyimides, formed articles of the resin compositions, and production process of the polyimides
JPH06291236A (ja) * 1993-03-30 1994-10-18 Hitachi Cable Ltd 半導体装置
KR980001876A (ko) * 1997-12-06 1998-03-30 최익수 유기성 폐기물의 액상 처리 방법

Patent Citations (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61133276A (ja) * 1984-12-03 1986-06-20 Nippon Oil & Fats Co Ltd 支持体用塗料組成物
JPS62235383A (ja) * 1986-04-03 1987-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性接着フイルム
JPH0364386A (ja) * 1989-08-03 1991-03-19 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH04214786A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性接着剤の製造方法
JPH05179224A (ja) * 1991-12-26 1993-07-20 Nippon Steel Chem Co Ltd 耐熱性接着剤
JPH05331445A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤の製造方法
JPH05331424A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤
JPH05331446A (ja) * 1992-06-04 1993-12-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 高分子量ポリイミド樹脂フィルム接着剤
JPH06145639A (ja) * 1992-09-16 1994-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム、その製造法及び接着法
JPH06172736A (ja) * 1992-12-04 1994-06-21 Sumitomo Bakelite Co Ltd フィルム接着剤およびその製造方法
JPH06234959A (ja) * 1992-12-16 1994-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 線材被覆用熱融着性積層フィルム
JPH06234964A (ja) * 1992-12-16 1994-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド接着剤及び絶縁被覆材
JPH08507821A (ja) * 1993-03-16 1996-08-20 オクシデンタル ケミカル コーポレイション ３層ポリイミドシロキサン接着テープ
JPH0748555A (ja) * 1993-08-03 1995-02-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd カバーレイ用接着剤及びカバーレイフィルム
JPH0762324A (ja) * 1993-08-25 1995-03-07 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性接着剤、耐熱性接着剤層付きフィルムおよび熱可塑性樹脂の製造法
JPH0770524A (ja) * 1993-08-31 1995-03-14 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド両面接着シート
JPH07235626A (ja) * 1993-12-27 1995-09-05 Mitsui Toatsu Chem Inc 放熱板付リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH07228697A (ja) * 1994-02-15 1995-08-29 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム
JPH07268292A (ja) * 1994-03-31 1995-10-17 New Oji Paper Co Ltd 感熱性粘着シート
JPH0827427A (ja) * 1994-07-13 1996-01-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 耐熱性フィルム接着剤及びその製造方法
JPH08259695A (ja) * 1995-01-11 1996-10-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 熱融着性を有する新規な共重合体並びに該粉粒体並びに該フィルム並びに積層断熱材並びにコンデンサ及び該製造方法
JPH08259912A (ja) * 1995-03-28 1996-10-08 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁接着フィルム及びこれを用いた多層プリント配線板の製造方法
JPH091723A (ja) * 1995-04-17 1997-01-07 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 耐熱性ボンディングシート
JPH08325533A (ja) * 1995-05-31 1996-12-10 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JPH08333553A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH0967438A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 新規なポリイミド及びその製造方法
JPH0967559A (ja) * 1995-08-31 1997-03-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JPH10140106A (ja) * 1996-11-14 1998-05-26 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH10183097A (ja) * 1996-12-27 1998-07-07 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ
JPH10212460A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Tomoegawa Paper Co Ltd 電子部品用接着テープ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006257285A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Mitsui Chemicals Inc 樹脂組成物及び金属積層板
WO2007108137A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition and metal laminate plate
KR101016889B1 (ko) * 2006-03-15 2011-02-22 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물 및 금속 적층판
US8173264B2 (en) 2006-03-15 2012-05-08 Mitsui Chemicals, Inc. Resin composition and metal laminate plate

Also Published As

Publication number Publication date
JP3347026B2 (ja) 2002-11-20
KR100334146B1 (ko) 2002-06-20
KR19990014024A (ko) 1999-02-25
US6395391B1 (en) 2002-05-28
US6132865A (en) 2000-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3347026B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP2961642B2 (ja) 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JP2992462B2 (ja) 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JP3347632B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP3410642B2 (ja) 電子部品用耐熱性接着剤組成物
JP3839887B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP3650493B2 (ja) 電子部品用接着テープ
US6045886A (en) Adhesive tape for electronic parts
JP3347651B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JP3535281B2 (ja) 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
JP3430020B2 (ja) 電子部品用接着テープ
JPH10183079A (ja) 電子部品用接着テープ
JP2000154346A (ja) 半導体ウエハー用ポリイミドスクリーン印刷ワニス
JP3532792B2 (ja) 電子部品用接着剤及び接着テープ
KR20020065723A (ko) 전자부품용 접착제 및 이를 이용한 접착테이프
JP2006190717A (ja) 半導体集積回路用基板
JPH115957A (ja) 電子部品用接着剤および接着テープ
KR20010046265A (ko) 전자부품용 폴리이미드 접착제 및 이를 이용한접착테이프의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020820

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees