JPH10189631A5 - 半導体装置の製造方法及びこの製造方法に用いる金型 - Google Patents

Claims (7)

1. 樹脂を用いて半導体チップを被覆してパッケージを形成する樹脂封止型の半導体装置の製造方法であって、
   リードフレームに搭載された前記半導体チップのパッドと前記リードフレームのインナーリードとをボンディングワイヤで接続する第１の工程と、
   昇降可能な金型キャビティ可動部を有する上型及び当該上型と一体となって内部空間を形成する下型からなる金型を用い、前記半導体チップ及び前記ボンディングワイヤを含む部分を前記金型の前記内部空間に設置する第２の工程と、
   前記金型キャビティ可動部を下降させて前記ボンディングワイヤの上部を押圧し、ワイヤ高さを規制した状態のまま前記金型内に前記樹脂を充填する第３の工程と、
   前記金型キャビティ可動部を前記パッケージの表面高さ位置まで戻し、この動作により形成された未充填空間に更に前記樹脂を充填する第４の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第４の工程において、前記金型内に充填された前記樹脂が未硬化の内に前記未充填空間に更に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記金型キャビティ可動部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 樹脂を用いて半導体チップを被覆してパッケージを形成し、半導体装置を製造する金型であって、
   昇降可能な金型キャビティ可動部を有する上型と、当該上型と一体となって内部空間を形成する下型とを備えることを特徴とする金型。
5. 前記金型キャビティ可動部には、少なくとも前記半導体チップに接続されたボンディングワイヤとの接触面に滑り止め加工が施されていることを特徴とする請求項４に記載の金型。
6. 前記滑り止め加工は、梨地処理であることを特徴とする請求項４又は５に記載の金型。
7. 前記金型キャビティ可動部は、前記内部空間内に前記樹脂を充填することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の金型。